JPH03206628A - ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置 - Google Patents
ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置Info
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- JPH03206628A JPH03206628A JP2001902A JP190290A JPH03206628A JP H03206628 A JPH03206628 A JP H03206628A JP 2001902 A JP2001902 A JP 2001902A JP 190290 A JP190290 A JP 190290A JP H03206628 A JPH03206628 A JP H03206628A
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- Japan
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- lead frame
- nitrogen
- heating
- resin adhesive
- die
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
- H10W72/325—Die-attach connectors having a filler embedded in a matrix
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置に関
し、特にリードフレーム1枚1枚を個々に搬送加熱する
インラインタイプのダイボンデイング用樹脂接着剤キュ
ア装置に関する。
し、特にリードフレーム1枚1枚を個々に搬送加熱する
インラインタイプのダイボンデイング用樹脂接着剤キュ
ア装置に関する。
従来のダイボンディング用樹脂接着剤のキュア方法には
、加熱温度約200℃、加熱時間約2時間の低温長時間
キュアと、加熱温度約350’C、加熱時間約40秒の
高温短時間キュアの2種類があり、前者はリードフレー
ムをマガジンに詰めた状態でオーブン炉に入れまとめて
キュアを行ない、後者はリードフレーム1枚1枚をヒー
タブロック上に載せて、あるいは、滑らせてキュアを行
なっていた。ところが、最近では前者の場合、<1)キ
ュア時間が長いため、製品工期が長くなってしまう、 (2)自動化又はインライン化が困難、などの欠点があ
るため、後者が一般的に用いられるようになってきた。
、加熱温度約200℃、加熱時間約2時間の低温長時間
キュアと、加熱温度約350’C、加熱時間約40秒の
高温短時間キュアの2種類があり、前者はリードフレー
ムをマガジンに詰めた状態でオーブン炉に入れまとめて
キュアを行ない、後者はリードフレーム1枚1枚をヒー
タブロック上に載せて、あるいは、滑らせてキュアを行
なっていた。ところが、最近では前者の場合、<1)キ
ュア時間が長いため、製品工期が長くなってしまう、 (2)自動化又はインライン化が困難、などの欠点があ
るため、後者が一般的に用いられるようになってきた。
高温短時間キュア方式は、上述したように、ヒータブロ
ック上にリードフレームを直接載せて、あるいは、滑ら
せて加熱キュアしていたが、最近半導体素子(以下グイ
と記す〉の巨大化(例えば14mmX14mmなど)に
伴ない、ダイボンディング用樹脂接着剤の使用量が増え
たために、キュアによって発生するガスの量が増えるよ
うになっできた。そのため、従来のようにヒータブロッ
クとリードフレームが接する方式だとキュアにより発生
したガスの抜けが悪く、ガスがリードフレームの内部リ
ード部やダイの電極パッドに付着してしまい、ワイヤボ
ンディング時にワイヤが付かない、あるいは、剥れやす
くなるなど不良率が増えるという欠点がある。
ック上にリードフレームを直接載せて、あるいは、滑ら
せて加熱キュアしていたが、最近半導体素子(以下グイ
と記す〉の巨大化(例えば14mmX14mmなど)に
伴ない、ダイボンディング用樹脂接着剤の使用量が増え
たために、キュアによって発生するガスの量が増えるよ
うになっできた。そのため、従来のようにヒータブロッ
クとリードフレームが接する方式だとキュアにより発生
したガスの抜けが悪く、ガスがリードフレームの内部リ
ード部やダイの電極パッドに付着してしまい、ワイヤボ
ンディング時にワイヤが付かない、あるいは、剥れやす
くなるなど不良率が増えるという欠点がある。
本発明の目的は、キュアにより発生したガスがリードフ
レームの内部リード部やダイの電極パッドに付着してワ
イヤボンデイング不良の発生を防止できるダイボンディ
ング用樹脂接着剤キュア装置を提供することにある。
レームの内部リード部やダイの電極パッドに付着してワ
イヤボンデイング不良の発生を防止できるダイボンディ
ング用樹脂接着剤キュア装置を提供することにある。
本発明は、少くともリードフレーム搬送機構と、リード
フレーム加熱用熱源と、ガス供給機構とを備え、リード
フレーム1枚1枚を個々に搬送し、半導体素子を前記リ
ードフレームの半導体素子取付部に銀ペーストを含むダ
イボンディング用樹脂接着剤を加熱し硬化させて固定す
るインラインタイプのダイボンディング用樹脂接着剤キ
ュア装置において、前記リードフレーム加熱用熱源を前
記リードフレーム搬送機構により搬送される前記リード
フレームに接触しない位置に設け、かつ、前記ガス供給
機構を前記リードフレーム上方から窒素を吹き付け前記
リードフレーム下方から吸引する機構となっている。
フレーム加熱用熱源と、ガス供給機構とを備え、リード
フレーム1枚1枚を個々に搬送し、半導体素子を前記リ
ードフレームの半導体素子取付部に銀ペーストを含むダ
イボンディング用樹脂接着剤を加熱し硬化させて固定す
るインラインタイプのダイボンディング用樹脂接着剤キ
ュア装置において、前記リードフレーム加熱用熱源を前
記リードフレーム搬送機構により搬送される前記リード
フレームに接触しない位置に設け、かつ、前記ガス供給
機構を前記リードフレーム上方から窒素を吹き付け前記
リードフレーム下方から吸引する機構となっている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。
第1の実施例は、第1図に示すように、銀ペースト2に
よりダイ1が取り付けられているリードフレーム3は、
搬送レール4a及び4bに自由にスライドできるように
保持され、図示しない搬送機構により動作する送り爪6
によって搬送される。搬送レール4a及び4bには、窒
素カバー5及びダクト力バー7が取り付けられており、
その中の雰囲気を保つようになっている。図示しない温
調計、カートリッジヒータ9及び熱電対10により温度
コントロールされているしータブロック8は、図示しな
い上下機構により保持され、リードフレーム3との間隔
が自由に変えられるようになっている。また、同じく、
図示しない温調計、カートリッジヒータ12及び熱電対
13により温度コントロールされている窒素加熱ブロッ
ク11は、ブロック内に迷路状に穴があいており、継手
14及びチューブ15を通して供給される窒素を加熱し
、窒素カバー5の穴からリードフレーム3に吹き付ける
。ダクト力バー7は図示しないダクトにつながっており
、中の雰囲気を排出している。
よりダイ1が取り付けられているリードフレーム3は、
搬送レール4a及び4bに自由にスライドできるように
保持され、図示しない搬送機構により動作する送り爪6
によって搬送される。搬送レール4a及び4bには、窒
素カバー5及びダクト力バー7が取り付けられており、
その中の雰囲気を保つようになっている。図示しない温
調計、カートリッジヒータ9及び熱電対10により温度
コントロールされているしータブロック8は、図示しな
い上下機構により保持され、リードフレーム3との間隔
が自由に変えられるようになっている。また、同じく、
図示しない温調計、カートリッジヒータ12及び熱電対
13により温度コントロールされている窒素加熱ブロッ
ク11は、ブロック内に迷路状に穴があいており、継手
14及びチューブ15を通して供給される窒素を加熱し
、窒素カバー5の穴からリードフレーム3に吹き付ける
。ダクト力バー7は図示しないダクトにつながっており
、中の雰囲気を排出している。
ここで、ヒータブロック8を400℃、窒素加熱ブロッ
ク11を350℃に加熱し窒素を5〜10gl分供給し
た場合、ヒータブロック8とリードフレーム3の間隔は
、2〜3IIII+が最良の条件となることが確認され
ている。例えば、3關以上だとヒータブロック8の加熱
効率が悪くなり、2關以下だと銀ペースト2の加熱によ
り発生するガスがうまく流れず淀んでしまい リードや
電極パッドに付着したり、同じく、ガスの流れが悪いた
めリードフレーム3の裏面が酸化してしまったりする傾
向がある。また、単にヒータブロック8を下げただけで
は加熱不足になるため、どうしても上方からの高温窒素
が必要である。
ク11を350℃に加熱し窒素を5〜10gl分供給し
た場合、ヒータブロック8とリードフレーム3の間隔は
、2〜3IIII+が最良の条件となることが確認され
ている。例えば、3關以上だとヒータブロック8の加熱
効率が悪くなり、2關以下だと銀ペースト2の加熱によ
り発生するガスがうまく流れず淀んでしまい リードや
電極パッドに付着したり、同じく、ガスの流れが悪いた
めリードフレーム3の裏面が酸化してしまったりする傾
向がある。また、単にヒータブロック8を下げただけで
は加熱不足になるため、どうしても上方からの高温窒素
が必要である。
以上のように、セットされた状態でリードフレームを送
り爪6により間欠送りすれば、銀ペーストは加熱され硬
化し、ダイをリードフレームに固着する。また、銀ペー
ストから発生したガスは、上から供給されている窒素及
び下から引いているダクトの流れによって下方に流れる
ため、リードや電極パッドに付着することはなく、良好
なキュアが出来ることになる。
り爪6により間欠送りすれば、銀ペーストは加熱され硬
化し、ダイをリードフレームに固着する。また、銀ペー
ストから発生したガスは、上から供給されている窒素及
び下から引いているダクトの流れによって下方に流れる
ため、リードや電極パッドに付着することはなく、良好
なキュアが出来ることになる。
第2図は本発明の第2の実施例の断面図、第3図は第2
図の部分拡大斜視図である。
図の部分拡大斜視図である。
第2の実施例は、第2図及び第3図に示すように、リー
ドフレーム受け16は、炉18の内部を通り炉18の外
部2ケ所で固定されている。搬送ワイヤ17は、炉18
の内部を通り炉18の外部において上下及び前後進する
搬送機構に保持されている。炉18は、入口22a及び
出口22b以外を断熱カバーされており、上部の窒素吹
き出し口19から窒素を供給し、下部のダクト20から
炉内雰囲気を排出している。また、炉内リードフレーム
搬送面上方には、石英管でシールされたボビンヒータ2
1が設けられており、窒素吹き出し口19から供給され
る窒素の加熱すなわち雰囲気の加熱及び搬送ワイヤ17
とリードフレーム受け1.6により搬送されるリードフ
レーム3の加熱を行なっている。
ドフレーム受け16は、炉18の内部を通り炉18の外
部2ケ所で固定されている。搬送ワイヤ17は、炉18
の内部を通り炉18の外部において上下及び前後進する
搬送機構に保持されている。炉18は、入口22a及び
出口22b以外を断熱カバーされており、上部の窒素吹
き出し口19から窒素を供給し、下部のダクト20から
炉内雰囲気を排出している。また、炉内リードフレーム
搬送面上方には、石英管でシールされたボビンヒータ2
1が設けられており、窒素吹き出し口19から供給され
る窒素の加熱すなわち雰囲気の加熱及び搬送ワイヤ17
とリードフレーム受け1.6により搬送されるリードフ
レーム3の加熱を行なっている。
ここで、リードフレーム受け16をできるだけ細く(例
えば10+m幅)しておけば、炉18上方から供給され
た窒素は下方のダクトに向かって流れるため、銀ペース
ト2の加熱により発生するガスも下方に流れる。すなわ
ち、搬送ワイヤ17とリードフレーム受け16により搬
送されるリードフレーム3にダイ1を取り付けている銀
ペースト2はボビンヒータ21により加熱された雰囲気
及び輻射熱により加熱され硬化する。その際発生したガ
スも雰囲気の流れに沿って下方に流れるため、リードや
電極パッドに付着することはなく良好なキュアが行なえ
る。
えば10+m幅)しておけば、炉18上方から供給され
た窒素は下方のダクトに向かって流れるため、銀ペース
ト2の加熱により発生するガスも下方に流れる。すなわ
ち、搬送ワイヤ17とリードフレーム受け16により搬
送されるリードフレーム3にダイ1を取り付けている銀
ペースト2はボビンヒータ21により加熱された雰囲気
及び輻射熱により加熱され硬化する。その際発生したガ
スも雰囲気の流れに沿って下方に流れるため、リードや
電極パッドに付着することはなく良好なキュアが行なえ
る。
以上説明したように本発明は、リードフレーム加熱用熱
源とリードフレームの間に間隔を設け、また、リードフ
レーム上方から窒素を吹き付けることにより、キュアに
より発生したガスが淀むことなく流れるため、リードや
電極パッドに付着せず、したがって、ガス付着によるワ
イヤボンディングの不良が無くなるため、歩留りが向上
できる効果がある。
源とリードフレームの間に間隔を設け、また、リードフ
レーム上方から窒素を吹き付けることにより、キュアに
より発生したガスが淀むことなく流れるため、リードや
電極パッドに付着せず、したがって、ガス付着によるワ
イヤボンディングの不良が無くなるため、歩留りが向上
できる効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図、第2図は本発
明の第2の実施例の断面図、第3図は第2図の部分拡大
斜視図である。 1・・・ダイ、2・・・銀ペースト、3・・・リードフ
レーム、4a,4b・・・搬送レール、5・・・窒素カ
バー、6・・・送り爪、7・・・ダクト力バー、8・・
・ヒータ4ク、9・・・カートリッジヒータ、10・・
・熱電対、11・・・窒素加熱ブロック、12・・・カ
ートリッジヒータ、13・・・熱電対、14・・・継手
、15・・・チューブ、16・・・リードフレーム受け
、l7・・・搬送ワイヤ、18・・・炉、19・・・窒
素吹き出し口、20・・・ダクト、21・・・ボビンヒ
ータ、22a・・・入口、22b・・・出口。
明の第2の実施例の断面図、第3図は第2図の部分拡大
斜視図である。 1・・・ダイ、2・・・銀ペースト、3・・・リードフ
レーム、4a,4b・・・搬送レール、5・・・窒素カ
バー、6・・・送り爪、7・・・ダクト力バー、8・・
・ヒータ4ク、9・・・カートリッジヒータ、10・・
・熱電対、11・・・窒素加熱ブロック、12・・・カ
ートリッジヒータ、13・・・熱電対、14・・・継手
、15・・・チューブ、16・・・リードフレーム受け
、l7・・・搬送ワイヤ、18・・・炉、19・・・窒
素吹き出し口、20・・・ダクト、21・・・ボビンヒ
ータ、22a・・・入口、22b・・・出口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少くともリードフレーム搬送機構と、リードフレー
ム加熱用熱源と、ガス供給機構とを備え、リードフレー
ム1枚1枚を個々に搬送し、半導体素子を前記リードフ
レームの半導体素子取付部に銀ペーストを含むダイボン
ディング用樹脂接着剤を加熱し硬化させて固定するイン
ラインタイプのダイボンディング用樹脂接着剤キュア装
置において、前記リードフレーム加熱用熱源を前記リー
ドフレーム搬送機構により搬送される前記リードフレー
ムに接触しない位置に設け、かつ、前記ガス供給機構を
前記リードフレーム上方から窒素を吹き付け前記リード
フレーム下方から吸引する機構としたことを特徴とする
ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置。 2、前記リードフレーム加熱用熱源はカートリッジヒー
タを用いたヒータブロックで構成され該ヒータブロック
と前記リードフレームの間隔を2〜3mmとしたことを
特徴とする請求項1記載のダイボンディング用樹脂接着
剤キュア装置。 3、前記リードフレーム加熱用熱源はボビンヒータにて
構成され、ガス供給機構により供給される窒素の加熱と
輻射熱によるリードフレームの加熱とを行うことを特徴
とする請求項1記載のダイボンディング用樹脂接着剤キ
ュア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001902A JP2555897B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001902A JP2555897B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206628A true JPH03206628A (ja) | 1991-09-10 |
| JP2555897B2 JP2555897B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=11514510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001902A Expired - Fee Related JP2555897B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555897B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05160167A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Nichiden Mach Ltd | リードフレーム搬送装置 |
| WO2002067316A1 (en) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of bonding a semiconductor device to an electrically conductive plate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4991768A (ja) * | 1973-01-05 | 1974-09-02 | ||
| JPS63144528A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2001902A patent/JP2555897B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4991768A (ja) * | 1973-01-05 | 1974-09-02 | ||
| JPS63144528A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05160167A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Nichiden Mach Ltd | リードフレーム搬送装置 |
| WO2002067316A1 (en) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of bonding a semiconductor device to an electrically conductive plate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2555897B2 (ja) | 1996-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |