JPH03206690A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03206690A JPH03206690A JP2002821A JP282190A JPH03206690A JP H03206690 A JPH03206690 A JP H03206690A JP 2002821 A JP2002821 A JP 2002821A JP 282190 A JP282190 A JP 282190A JP H03206690 A JPH03206690 A JP H03206690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- base plate
- insulating layer
- base board
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/303—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors with surface mounted components
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばパワーＩＣモジュール等に使用して好
適な半導体装置に関するものである。
適な半導体装置に関するものである。
近年、半導体装置としては、パワーデバイスと制御回路
を一体化してなるパワー”ＩＣモジュールがエアコン・
汎用インバータ等に広く使用されている。
を一体化してなるパワー”ＩＣモジュールがエアコン・
汎用インバータ等に広く使用されている。
従来、この種の半導体装置は第３図に示すように構威さ
れている。これを同図に基づいて説明すると、同図にお
いて、符号ｌで示すものは金属製のベース板で、一方側
に３０〜２００μのエポキシ系樹脂からなる絶縁層２が
形成されており、他方側には外部に露呈する放熱面３が
形或されている。
れている。これを同図に基づいて説明すると、同図にお
いて、符号ｌで示すものは金属製のベース板で、一方側
に３０〜２００μのエポキシ系樹脂からなる絶縁層２が
形成されており、他方側には外部に露呈する放熱面３が
形或されている。
４は枠状のケースで、前記ベース板１の周囲に立設され
ている。５は例えばｓｏｐ ＜樹脂封止形の半導体装置
）等からなるＩＣで、リード６が前記絶縁層２上に金属
パターン７の制御回路用パターンを介して接続され、か
つゲル状樹脂としてのシリコーン８によって封止されて
いる。９はパワーデバイスとしてのチップで、前記金属
パターン７のパワーデバイス用パターン上に金属プロソ
ク１０を介して接合され、かつ前記ＩＣ５と同様に前記
シリコーン８によって封止されている。また、１１は前
記金属パターン７のバンドと前記チソプ９の電極とを接
続するＡＩワイヤ、１２は前記ケース４に内封されかつ
前記シリコーン８上に積層されたエボキシ系樹脂である
。なお、ｌ３は前記金属パターン７の制御回路用パター
ンと前記ＩＣ５のり−ド６問および前記金属ブロック１
０と前記金属パターン７のパワーデバイス用パターン間
に介在する半田ペースト、１４は前記金属ブロック１０
と前記チソプ９との間に介在する半田である。
ている。５は例えばｓｏｐ ＜樹脂封止形の半導体装置
）等からなるＩＣで、リード６が前記絶縁層２上に金属
パターン７の制御回路用パターンを介して接続され、か
つゲル状樹脂としてのシリコーン８によって封止されて
いる。９はパワーデバイスとしてのチップで、前記金属
パターン７のパワーデバイス用パターン上に金属プロソ
ク１０を介して接合され、かつ前記ＩＣ５と同様に前記
シリコーン８によって封止されている。また、１１は前
記金属パターン７のバンドと前記チソプ９の電極とを接
続するＡＩワイヤ、１２は前記ケース４に内封されかつ
前記シリコーン８上に積層されたエボキシ系樹脂である
。なお、ｌ３は前記金属パターン７の制御回路用パター
ンと前記ＩＣ５のり−ド６問および前記金属ブロック１
０と前記金属パターン７のパワーデバイス用パターン間
に介在する半田ペースト、１４は前記金属ブロック１０
と前記チソプ９との間に介在する半田である。
次に、このように構威された半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、ベース板１上に絶縁層２を形戒する。次いで、こ
の絶縁層２上にパワーデバイス用と制御回路用の金属パ
ターン７を形或する。しかる後、金属パターン７の回路
制御用パターンとパワーデバイス用パターンに半田ペー
スト１３を塗布してＩＣ５のリード６を接続すると共に
、パワーデバイス用パターンに金属ブロック１０を接合
し、このうち金属ブロック１０上に半田１４によってチ
ソプ９を接合する。そして、リフロー炉内での半田付け
後に金属パターン７のパッドとチソプ９の電極とをＡｌ
ワイヤ１１によって接続し、ベース板１の側面に接着剤
によってケース４を接着してから、ケース４内にシリコ
ーン８，エポキシ系樹脂１２を順次封入する。
の絶縁層２上にパワーデバイス用と制御回路用の金属パ
ターン７を形或する。しかる後、金属パターン７の回路
制御用パターンとパワーデバイス用パターンに半田ペー
スト１３を塗布してＩＣ５のリード６を接続すると共に
、パワーデバイス用パターンに金属ブロック１０を接合
し、このうち金属ブロック１０上に半田１４によってチ
ソプ９を接合する。そして、リフロー炉内での半田付け
後に金属パターン７のパッドとチソプ９の電極とをＡｌ
ワイヤ１１によって接続し、ベース板１の側面に接着剤
によってケース４を接着してから、ケース４内にシリコ
ーン８，エポキシ系樹脂１２を順次封入する。
このようにして、半導体装置を製造することができる。
ところで、従来の半導体装置においては、ＩＣ５の樹脂
部５ａと絶縁層２との間にシリコーン８が介在する構造
であるため、ＩＣ５からベース板１への放熱が良好に行
われず、ＩＣ５に使用されるバヮーチソプを小型化する
ことができなかった。すなわち、小型チップとして例え
ばＩＧＢＴ等のＭＯＳ系パワーチップを使用すると、通
電時の発熱によって規定以上の温度までＩＣ５のジャン
クション温度が上昇してしまい、ＩＣ５が誤動作したり
信頼性が低下したりするからである。この結果、ＩＣ５
全体が大型化し、コストが嵩むという問題があった。
部５ａと絶縁層２との間にシリコーン８が介在する構造
であるため、ＩＣ５からベース板１への放熱が良好に行
われず、ＩＣ５に使用されるバヮーチソプを小型化する
ことができなかった。すなわち、小型チップとして例え
ばＩＧＢＴ等のＭＯＳ系パワーチップを使用すると、通
電時の発熱によって規定以上の温度までＩＣ５のジャン
クション温度が上昇してしまい、ＩＣ５が誤動作したり
信頼性が低下したりするからである。この結果、ＩＣ５
全体が大型化し、コストが嵩むという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、使用
ＩＣの小型化を図ることができ、もってコストの低廉化
を図ることができる半導体装置を提供するものである。
ＩＣの小型化を図ることができ、もってコストの低廉化
を図ることができる半導体装置を提供するものである。
本発明に係る半導体装置は、ＩＣの樹脂部とべース板上
のベース板との間にスペーサを介在させたものである。
のベース板との間にスペーサを介在させたものである。
本発明においては、通電時にスペーサによってＩＣから
ベース板への放熱を良好に行うことができる。
ベース板への放熱を良好に行うことができる。
以下、本発明の構或等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る半導体装置を示す断面図で、同図
以下において第３図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。
以下において第３図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。
同図において、符号２１で示す金属製のベース板には、
前記ＩＣ５の樹脂部５ａに前記絶縁層２を介して対接す
るスペーサとしての複数個の突子２２が一体に設けられ
ている。これら突子２２の高さは、前記リード６が前記
金属パターン７の制御回路用パターンに接続し得るよう
な寸法に設定されている。
前記ＩＣ５の樹脂部５ａに前記絶縁層２を介して対接す
るスペーサとしての複数個の突子２２が一体に設けられ
ている。これら突子２２の高さは、前記リード６が前記
金属パターン７の制御回路用パターンに接続し得るよう
な寸法に設定されている。
このように構威された半導体装置においては、１Ｃ５の
樹脂部５ａに絶縁層２を介して突子２２を対接させるこ
とにより、通電時に突子２２によってＩＣ５からベース
板２ｌへの放熱を良好に行うことができるから、ＩＣ５
の小型化を図ることができる。
樹脂部５ａに絶縁層２を介して突子２２を対接させるこ
とにより、通電時に突子２２によってＩＣ５からベース
板２ｌへの放熱を良好に行うことができるから、ＩＣ５
の小型化を図ることができる。
なお、本実施例においては、ベース板２ｌに突子２２を
一体に設ける構造を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、第２図に示すようにＩＣ５の樹脂部５
ａとベース板２１上の絶縁層２との間に金属ブロック２
３を介在させても実施例と同様の効果を奏する。この場
合、スペーサとしてエボキシ系樹脂からなるブロックを
ＩＣ５の樹脂部５ａとベース板２１上の絶縁層２との間
に介在させてもＩＣ５からベース板２１への放熱を効果
的に行うことができる。
一体に設ける構造を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、第２図に示すようにＩＣ５の樹脂部５
ａとベース板２１上の絶縁層２との間に金属ブロック２
３を介在させても実施例と同様の効果を奏する。この場
合、スペーサとしてエボキシ系樹脂からなるブロックを
ＩＣ５の樹脂部５ａとベース板２１上の絶縁層２との間
に介在させてもＩＣ５からベース板２１への放熱を効果
的に行うことができる。
また、本発明において使用されるＩＣは実施例に限定さ
れるものでないことは勿論である。
れるものでないことは勿論である。
因に、本発明における半導体装置の製造方法は従来技術
と同様に行うことができるから、その記載については省
略する。
と同様に行うことができるから、その記載については省
略する。
以上説明したように本発明によれば、ｒｃの樹脂部とベ
ース板上のベース板との間にスベーサを介在させたので
、通電時にスペーサによってＩＣからヘース板への放熱
を良好に行うことができる。したがって、使用ＩＣの小
型化を図ることができるから、コストの低廉化を図るこ
とができる。
ース板上のベース板との間にスベーサを介在させたので
、通電時にスペーサによってＩＣからヘース板への放熱
を良好に行うことができる。したがって、使用ＩＣの小
型化を図ることができるから、コストの低廉化を図るこ
とができる。
第１図は本発明に係る半導体装置を示す断面図、第２図
は他の実施例を示す断面図、第３図は従来の半導体装置
を示す断面図である。 ２・・・・絶縁層、５・・・・ＩＣ、５ａ・樹脂部、６
・・・・リード、７・・・・金属パターン、２１・・・
・ベース板、２２・・・・突子。 代 理 人′大岩増雄
は他の実施例を示す断面図、第３図は従来の半導体装置
を示す断面図である。 ２・・・・絶縁層、５・・・・ＩＣ、５ａ・樹脂部、６
・・・・リード、７・・・・金属パターン、２１・・・
・ベース板、２２・・・・突子。 代 理 人′大岩増雄
Claims (1)
- 一方側に絶縁層が形成され他方側に放熱面を有するベ
ース板と、このベース板の前記絶縁層上に導電パターン
を介して接続されるリードを有する樹脂封止形のＩＣと
を備えた半導体装置において、前記ＩＣの樹脂部と前記
ベース板との間にスペーサを介在させたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002821A JPH03206690A (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002821A JPH03206690A (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206690A true JPH03206690A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11540080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002821A Pending JPH03206690A (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03206690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2480428A (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-23 | Quanta Light Ind Ltd | PCB with metal core having extended heatsink bosses for mounting LEDs |
-
1990
- 1990-01-09 JP JP2002821A patent/JPH03206690A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2480428A (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-23 | Quanta Light Ind Ltd | PCB with metal core having extended heatsink bosses for mounting LEDs |
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