JPH03207025A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH03207025A JPH03207025A JP2003056A JP305690A JPH03207025A JP H03207025 A JPH03207025 A JP H03207025A JP 2003056 A JP2003056 A JP 2003056A JP 305690 A JP305690 A JP 305690A JP H03207025 A JPH03207025 A JP H03207025A
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- JP
- Japan
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- film
- island
- magnetic recording
- ions
- hardness
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の技術
磁気記録の高密度化は記録再生システムに数多くのメリ
ソトをもたらすことから、年々高密度化が進んでいる。
ソトをもたらすことから、年々高密度化が進んでいる。
特に垂直磁気記録方式は現在実用化されている面内記録
方式と異なシ、記録密度が高くなる程自己減磁作用が弱
壕ることから、今後の記録密度の一層の向上に重要な貢
献が期待されている。垂直磁気記録のもつ能力の高さは
Ｃｏ−Ｏｒを材料とした垂直磁化膜でよく知られている
〔アイイーイーイー トランザクションズ オン マグ
ネティク７− （ Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）ｖｏｌ． Ｍ
ＡＧ−１ａ， ｓ４ｅ （１ ９８７ ） ］ が、
一方ではＣｏ−Ｃｒ膜の耐久性が不十分なため、実用化
に向け、短波長出力を余シ低下させずに、いかに耐久性
を付与するかがポイントとなってきている。
方式と異なシ、記録密度が高くなる程自己減磁作用が弱
壕ることから、今後の記録密度の一層の向上に重要な貢
献が期待されている。垂直磁気記録のもつ能力の高さは
Ｃｏ−Ｏｒを材料とした垂直磁化膜でよく知られている
〔アイイーイーイー トランザクションズ オン マグ
ネティク７− （ Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）ｖｏｌ． Ｍ
ＡＧ−１ａ， ｓ４ｅ （１ ９８７ ） ］ が、
一方ではＣｏ−Ｃｒ膜の耐久性が不十分なため、実用化
に向け、短波長出力を余シ低下させずに、いかに耐久性
を付与するかがポイントとなってきている。
方、最近になって、耐久性ではＣｏ−Ｃｒを上１われる
Ｃ ｏ−０系の垂直磁化膜で、かなり良好な短波長出力
特性が得られるようになシ〔特開平１一２７９４１ ６
号公報〕実用化に向け開発が加速されている。
Ｃ ｏ−０系の垂直磁化膜で、かなり良好な短波長出力
特性が得られるようになシ〔特開平１一２７９４１ ６
号公報〕実用化に向け開発が加速されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、耐久性を向上させるために、高分子フィ
ルム上に１００Ａ〜５００人の微粒子を０５〜１００ケ
／μ２の範囲で配した後Ｃｏ−０系垂直磁化膜を形成し
たものは雑音のレベルが必ずしも良好でないことから、
耐久性向上によってＣ／Ｎの低下のない磁気記録媒体の
製造方法が求められている。
ルム上に１００Ａ〜５００人の微粒子を０５〜１００ケ
／μ２の範囲で配した後Ｃｏ−０系垂直磁化膜を形成し
たものは雑音のレベルが必ずしも良好でないことから、
耐久性向上によってＣ／Ｎの低下のない磁気記録媒体の
製造方法が求められている。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、Ｃｏ−０
系の高性能垂直磁気記録媒体の製造方法を提供するもの
である。
系の高性能垂直磁気記録媒体の製造方法を提供するもの
である。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体の製
造方法は、高分子フィルムをイオン照射した後に硬質炭
素膜を島状に形戊し、その上に強磁性金属薄膜を形成す
るようにしたものである。
造方法は、高分子フィルムをイオン照射した後に硬質炭
素膜を島状に形戊し、その上に強磁性金属薄膜を形成す
るようにしたものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構或によ
り、島状の炭素が均一に分散し、突起として硬度が大き
いのと、均一性から耐久性があって雑音の改良された磁
気記録媒体が得られるようになる。
り、島状の炭素が均一に分散し、突起として硬度が大き
いのと、均一性から耐久性があって雑音の改良された磁
気記録媒体が得られるようになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
〔実施例１〕
第１図は本発明の製造方法によって製造される磁気記録
媒体の拡大断面図である。第１図で、１はポリエチレン
テレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ボリフェ
ニレンサルファイド，ポリアミドイミド，ポリイミド等
の高分子フィルムで、２はイオン照射表面変質層で、３
は島状の硬質炭素膜で、４はＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０
，Ｃｏ−Ｔａ−０，Ｃｏ−Ｐｒ−０，Ｃｏ−Ｎｄ−０等
のＣ ｏ−０系垂直磁化膜、Ｃｏ−Ｎｉ ，Ｃｏ−Ｃｒ
，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ ％の面内
等方膜、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔａ，
Ｃ ｏ −Ｍｏ ， Ｃ ｏ−Ｗ等の垂直磁化膜、Ｃｏ
−Ｎ ｉ −０ ，Ｃｏ−０等の斜め蒸着膜等の強磁
性金属薄膜で、５は保護潤滑層でプラズマ重合膜，炭素
膜，酸化膜，窒化膜寺に、脂肪酸，脂肪酸アミド，パー
フルオロカルボン酸，バーフルオロポリエーテル等ヲ組
み合わせたものである。
媒体の拡大断面図である。第１図で、１はポリエチレン
テレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ボリフェ
ニレンサルファイド，ポリアミドイミド，ポリイミド等
の高分子フィルムで、２はイオン照射表面変質層で、３
は島状の硬質炭素膜で、４はＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０
，Ｃｏ−Ｔａ−０，Ｃｏ−Ｐｒ−０，Ｃｏ−Ｎｄ−０等
のＣ ｏ−０系垂直磁化膜、Ｃｏ−Ｎｉ ，Ｃｏ−Ｃｒ
，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ ％の面内
等方膜、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔａ，
Ｃ ｏ −Ｍｏ ， Ｃ ｏ−Ｗ等の垂直磁化膜、Ｃｏ
−Ｎ ｉ −０ ，Ｃｏ−０等の斜め蒸着膜等の強磁
性金属薄膜で、５は保護潤滑層でプラズマ重合膜，炭素
膜，酸化膜，窒化膜寺に、脂肪酸，脂肪酸アミド，パー
フルオロカルボン酸，バーフルオロポリエーテル等ヲ組
み合わせたものである。
イオン処理ｉｊ３ＫＶ−１０ＫＶのＡｒ ， Ｋｒ ，
Ｘｅ等の不活性イオンを３０〜６００μＡ／ｃＩ７Ｌ
で１（ｓｅｃ）〜５（ＳｅＣ）処理すればよい。イオン
処理か弱すぎると炭素の島状分散が悪くなシ、強すぎる
と、付着強度がかえって劣化するためと思われる耐久性
が部分的に悪化することが起る。勿論上述の範囲以外で
あっても高分子フィルムの材質によって適正な条件を見
出すことはできるが、上述範囲を目安とすればよい。島
状炭素膜は、グラファイトをターゲットにしたスパソタ
リング法，炭化水素系気体を用いたプラズマＣＶＤ法等
特に制約はないが島状の面積比率は２０％〜４０％が好
壕しい。
Ｘｅ等の不活性イオンを３０〜６００μＡ／ｃＩ７Ｌ
で１（ｓｅｃ）〜５（ＳｅＣ）処理すればよい。イオン
処理か弱すぎると炭素の島状分散が悪くなシ、強すぎる
と、付着強度がかえって劣化するためと思われる耐久性
が部分的に悪化することが起る。勿論上述の範囲以外で
あっても高分子フィルムの材質によって適正な条件を見
出すことはできるが、上述範囲を目安とすればよい。島
状炭素膜は、グラファイトをターゲットにしたスパソタ
リング法，炭化水素系気体を用いたプラズマＣＶＤ法等
特に制約はないが島状の面積比率は２０％〜４０％が好
壕しい。
２０％以下では耐久性が悪くなシ、４０％以上ではＣ／
Ｎ がかえって低下するからである。
Ｎ がかえって低下するからである。
又炭素膜の硬度はヌーブ硬度で１ｓｏｏ （ Ｋｑ／ｔ
ｍｉ ）以上が望１しい。
ｍｉ ）以上が望１しい。
本発明の方法により島状突起が均一化できる理由は必ず
しも明らかではないが、イオン処理により、高分子フィ
ルム表面にカーボンの多い部分が微視的にでき、それを
核にして島が或長するためと推察される。
しも明らかではないが、イオン処理により、高分子フィ
ルム表面にカーボンの多い部分が微視的にでき、それを
核にして島が或長するためと推察される。
以下、更に具体的な実施例について比較例との対比で詳
しく説明する。
しく説明する。
厚み１ｏμｍの高分子フィルム（平滑性：平均粗さ３０
Ａ）表面をイオン処理した後、グラファイトをターゲッ
トにしＡｒ＋Ｈ２＝α０６（Ｔｏｒｒ）Ａｒ：Ｈ２＝１
：３で１３．５６ （ｌｌｋ） ０．５ 〜１ （ＫＷ
）の高周波スパッタリングを行い、島状硬質炭素膜を〔
ヌープ硬度２６００ （Ｋ９／ｍｎ？ ） 〕形成し、
その上に直径６０ｃｒｎの円筒キャンに沿わせて、ひと
つは最小入射角４０度でｓｘ１ｏ （Ｔｏｒｒ）の酸
素中でＣｏ−Ｎｉ （ Ｃｏ ８０ ｗｔ％）を０．２
ｐｍ電子ビーム蒸着〔強磁性金属薄膜Ａとする〕し、別
にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ （ｓｏ ： １ｅ ： ４ｗｔ％
）をターゲットニシテＡｒ十Ｈ ＝０．０７ （Ｔｏ
ｒｒ）Ａｒ ：Ｈ２＝５ ： １ １３．５６２ Ｑｔｈ） １．ａ （ＫＷ） でスパッタリングして
０．２μｍの薄膜〔Ｂとする〕を形成し、夫々モンテジ
ソン社製のフオンブリ７Ｚ−２１５を３０（ｍｙ／ｔｒ
ｆ）塗布し、０．４μｍのカーボンをフイラーとして含
むボリウレタンバックコート層を配し、８ミリ幅の磁気
テーブにした。比較例は、イオン化処理をせずに島状に
炭素嘆を配したものと、溶液塗布法で１８０人の３ １
０２微粒子を２０ケ／μ塗布したものを用いた。主な条
件と、得られた特性を第１表に１とめて示した。特性は
ノ・イバンド８ミリ仕様のＬｐモードでのＣ／’Ｎ
と、メチル特性で、スチル寿命は再生出力低下が２（ｄ
Ｂ）に至る１での時間で比較した。第１表より明らかに
本発明の製造方法により優れたＣ／Ｎ と耐久性をも
った磁気記録媒体が得られることがわかる。
Ａ）表面をイオン処理した後、グラファイトをターゲッ
トにしＡｒ＋Ｈ２＝α０６（Ｔｏｒｒ）Ａｒ：Ｈ２＝１
：３で１３．５６ （ｌｌｋ） ０．５ 〜１ （ＫＷ
）の高周波スパッタリングを行い、島状硬質炭素膜を〔
ヌープ硬度２６００ （Ｋ９／ｍｎ？ ） 〕形成し、
その上に直径６０ｃｒｎの円筒キャンに沿わせて、ひと
つは最小入射角４０度でｓｘ１ｏ （Ｔｏｒｒ）の酸
素中でＣｏ−Ｎｉ （ Ｃｏ ８０ ｗｔ％）を０．２
ｐｍ電子ビーム蒸着〔強磁性金属薄膜Ａとする〕し、別
にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ （ｓｏ ： １ｅ ： ４ｗｔ％
）をターゲットニシテＡｒ十Ｈ ＝０．０７ （Ｔｏ
ｒｒ）Ａｒ ：Ｈ２＝５ ： １ １３．５６２ Ｑｔｈ） １．ａ （ＫＷ） でスパッタリングして
０．２μｍの薄膜〔Ｂとする〕を形成し、夫々モンテジ
ソン社製のフオンブリ７Ｚ−２１５を３０（ｍｙ／ｔｒ
ｆ）塗布し、０．４μｍのカーボンをフイラーとして含
むボリウレタンバックコート層を配し、８ミリ幅の磁気
テーブにした。比較例は、イオン化処理をせずに島状に
炭素嘆を配したものと、溶液塗布法で１８０人の３ １
０２微粒子を２０ケ／μ塗布したものを用いた。主な条
件と、得られた特性を第１表に１とめて示した。特性は
ノ・イバンド８ミリ仕様のＬｐモードでのＣ／’Ｎ
と、メチル特性で、スチル寿命は再生出力低下が２（ｄ
Ｂ）に至る１での時間で比較した。第１表より明らかに
本発明の製造方法により優れたＣ／Ｎ と耐久性をも
った磁気記録媒体が得られることがわかる。
〔実施例２〕
課題を解決する別の手段は、カーボンフィラを分散させ
た高分子フィルムの表面をイオン照射処理し、その上に
島状に硬質炭素膜を形成し、更にその上に強磁性金属薄
膜を形成するようにしたものである。
た高分子フィルムの表面をイオン照射処理し、その上に
島状に硬質炭素膜を形成し、更にその上に強磁性金属薄
膜を形成するようにしたものである。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構或により
、カーボンフィラ一部に選択的に硬質炭素膜或長が起シ
、よう高さの低い突起で耐久性を確保できるようになる
ことで、よりＣ／Ｎ改善の進んだ磁気記録媒体を得るこ
とができる。第２図は本発明の製造方法により得ること
のできる磁気記録媒体の拡大断面図である。第２図で、
６はカーボンフィラー７を分散させた高分子フィルムで
ある。カーボンフィラーは０．０６μｍ〜０．３μｍの
径のものが好１しく、表面に突起を形成する密度は０．
２〜２０（ケ／μ）の範囲が好１しい。
、カーボンフィラ一部に選択的に硬質炭素膜或長が起シ
、よう高さの低い突起で耐久性を確保できるようになる
ことで、よりＣ／Ｎ改善の進んだ磁気記録媒体を得るこ
とができる。第２図は本発明の製造方法により得ること
のできる磁気記録媒体の拡大断面図である。第２図で、
６はカーボンフィラー７を分散させた高分子フィルムで
ある。カーボンフィラーは０．０６μｍ〜０．３μｍの
径のものが好１しく、表面に突起を形成する密度は０．
２〜２０（ケ／μ）の範囲が好１しい。
０．２ケ／μ２以下では耐久性が不十分で１０（ケ／μ
２）では凝巣によるドロノプアウトが増加するからであ
る。
２）では凝巣によるドロノプアウトが増加するからであ
る。
他の要素は第１図と同一でよく、同一番号を付して示し
た。
た。
あらかじめカーボンフィラーを均一分散させた高分子フ
ィルム表面をＡｒ ， Ｋｒ ， Ｘｓ等の不活性イオ
ン〔３ｋｅｖ〜３０ｋｅｖ ， ３ ０ ｐＡ／ｉ 〜
５ ０ ０μＡ〆ポ，３（秒）〜１０（秒間）〕で処理
してから硬質炭素膜の形成を行うことで、エネルギーを
もった炭素イオン，炭素原子がカーボンフィラ一部に選
択的にホモエピタキシャル戊長し、硬い突起を高分子フ
ィルム上に均一に形成できる。
ィルム表面をＡｒ ， Ｋｒ ， Ｘｓ等の不活性イオ
ン〔３ｋｅｖ〜３０ｋｅｖ ， ３ ０ ｐＡ／ｉ 〜
５ ０ ０μＡ〆ポ，３（秒）〜１０（秒間）〕で処理
してから硬質炭素膜の形成を行うことで、エネルギーを
もった炭素イオン，炭素原子がカーボンフィラ一部に選
択的にホモエピタキシャル戊長し、硬い突起を高分子フ
ィルム上に均一に形成できる。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１２μｍのカーボンフィラーを含む高分子フィルム
を準備し、その表面をｓ ｘ １ｏ−７（Ｔｏｒｚ ）
の真空中でイオン照射処理し、その上にメタンガヌをＯ
．ａ （Ｔｏｒｒ） ， １３．５６ ０４ｋ） ０
．４ 〜０．９（ＫＷ）のグロー放電で分解し、ヌーブ
硬度２４０ｏ（Ｋ７〆一）の硬質炭素膜を島状に形成し
、更に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、入射角３７度
〜１９度でＣＯを酸素ガスを１５度で吹きつけながらＣ
ｏ−０垂直磁化膜を０．２μｍ形成し、その上に、パー
フルオロアラキン酸をｓｘ１ｏ （Ｔｏｒｒ）の真空
中で２００（Ａ／ｓｅｃ）で蒸着し（ｓｏ人厚），０．
４μｍのバックコート層（実施例１と同一のものとした
）を配し、８ミリ幅の磁気テープにした。
を準備し、その表面をｓ ｘ １ｏ−７（Ｔｏｒｚ ）
の真空中でイオン照射処理し、その上にメタンガヌをＯ
．ａ （Ｔｏｒｒ） ， １３．５６ ０４ｋ） ０
．４ 〜０．９（ＫＷ）のグロー放電で分解し、ヌーブ
硬度２４０ｏ（Ｋ７〆一）の硬質炭素膜を島状に形成し
、更に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、入射角３７度
〜１９度でＣＯを酸素ガスを１５度で吹きつけながらＣ
ｏ−０垂直磁化膜を０．２μｍ形成し、その上に、パー
フルオロアラキン酸をｓｘ１ｏ （Ｔｏｒｒ）の真空
中で２００（Ａ／ｓｅｃ）で蒸着し（ｓｏ人厚），０．
４μｍのバックコート層（実施例１と同一のものとした
）を配し、８ミリ幅の磁気テープにした。
主な製造条件と、ハイバンド８ミリ仕様で評価したＣ／
Ｎ．ＰＣＭエラ一率とメチル特性を比較した結果を第２
表に示した。比較例は、イオン照射処理を行わないもの
を用いた。
Ｎ．ＰＣＭエラ一率とメチル特性を比較した結果を第２
表に示した。比較例は、イオン照射処理を行わないもの
を用いた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、耐久性とＣ／Ｎの改善さ
れた磁気記録媒体を製造することができるといったすぐ
れた効果がある。
れた磁気記録媒体を製造することができるといったすぐ
れた効果がある。
第１図、第２図は本発明の製造万法によシ製造される磁
究記録媒体の拡大断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・イオン
照射処理層、３・・・・・・島状硬質炭素摸、４・・・
・・強磁性金属薄膜、７・・・・・カーボンフィラー
究記録媒体の拡大断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・イオン
照射処理層、３・・・・・・島状硬質炭素摸、４・・・
・・強磁性金属薄膜、７・・・・・カーボンフィラー
Claims (2)
- （１）高分子フィルムをイオン照射した後に、硬質炭素
膜を島状に形成し、その上に強磁性金属薄膜を形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - （２）カーボンフィラーを分散させた高分子フィルムの
表面をイオン照射した後に硬質炭素膜を島状に形成し、
その上に強磁性金属薄膜を形成することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003056A JPH03207025A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003056A JPH03207025A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03207025A true JPH03207025A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11546669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003056A Pending JPH03207025A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03207025A (ja) |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2003056A patent/JPH03207025A/ja active Pending
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