JPS63144406A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体に関する。

従来の技術 Ｇｏ−Ｎ土−〇あるいはＧｏ−Ｏｒをはじめとする強磁
性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体は高密度記
録用媒体として注目され、その優れた高密度記録性能が
発揮されている。しかし、塗布型磁気記録媒体と比較し
た場合、金属薄膜の走行性、耐摩耗性はまだ充分なもの
とは言い難い。そこで上記２つの問題を同時に改善すべ
く種々の保護潤滑層が検討されているが、保護潤滑層の
膜厚が大きくスペーシング損失になるといった問題が依
然として残されている。〔特開昭６４−１１３３０３号
、同５６−１４３５４０号、四６８−１３３６３１号、
同５８−１４６０２７号。

同６１−１２０３３１号等の公報参照〕一方、磁気記録
層自身の形状により上記問題を解決する方法が検討され
〔特開昭５９−９２４２７号公報、米国特許第４，５６
４，５４９号明細書等参照〕、この形状効果と上記した
保護潤滑膜の改良により、実用性の向上がはかられてい
る。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記した構成では、高密度ディジタル記録
を目的とした時に、エラー率が不安定で改良が望まれて
いる。特にディスク状媒体や、回転ヘリカルスキャン方
式に適用可能な媒体として備えるべき、耐久性能、とり
わけ同一トラックをくり返し再生するスチル特性を満足
させようとすると、保護潤滑剤の種類が限られ、かつ必
要な潤滑剤量も多くなり、スペーシング損失が大きくな
り、信号対雑音比（以下Ｓ／Ｎと記す）の低下を伴なう
ことから改善が望まれていた。本発明は上記した事情に
鑑み、なされたもので、スチル特性を改善し、Ｓ／Ｎも
実用水準に保った磁気記録媒体を提供するものである。

問題点を解決するだめの手段 上記した問題点を解決するために、本発明の磁気記録媒
体は、高分子フィルム上にＢｉ　−Ｓ系薄膜を配した上
に強磁性金属薄膜、潤滑層を積層したものである。

作用 本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、強磁性金
属薄膜の磁気特性５面内磁化膜では特に角形比が改善さ
れ、垂直磁化膜では特に磁気特性の垂直異方性が改善さ
れることから短波長出力が改良されＳ／Ｎが改良される
上に、下地のＢｉ−８系薄膜の一部構成元素が強磁性金
属薄膜形成時に柱状微粒子の粒界拡散により、表面に部
分的に偏在するため、極圧下での磁気記録層の破壊が起
りにくくなるだめ、潤滑剤を薄くでき、スペーシング損
失も小さいので、Ｓ／Ｎも良好な特性が維持されること
になるのである。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。第１図は本発明の第１の実施例の磁気記録媒体の
拡大断面図である。第１図で、１はポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ポリフ
ェニレンサルファイド、セルロースアセテートブチレー
ト、ボリアｉトイミド、ポリイミド等の高分子フィルム
で２はＢｉ−３系薄膜で例えばＢｉ２　Ｂ５をターゲッ
トにして高周波スパッタリング法で形成するか、Ｈ２Ｓ
をガスとして導入して、グロー放電中でＢｉを蒸着する
等の方法で得られるもので、ＢｉとＳの原子比率はＢｉ
／Ｓ　＝０．１〜０．５の範囲が磁気特性の改良と、耐
久性の向上の両面から適当である。

Ｂｉ／Ｓが０５６を越えると耐久性が低下し、Ｂ工／Ｓ
が０．１以下になると、磁気特性が低下することがら適
当な範囲が定まる。上記したものは目安としてとらえる
べきであることは勿論で、磁気記録層を面内磁化膜とす
るか垂直磁化膜とするか或いは、必要な電磁変換特性が
得られれば、耐久性の向上に重点を置けばよいなど適宜
調整することができる。Ｂｉ　−Ｓ系薄膜は、平均した
厚みとしては２００Å以下〜２０人までの範囲に選ぶの
が好ましい。それはひとつには、凹凸効果が耐久向上に
役立つのと、２００Å以上になると、付着強度低下が起
ることがあるためである。３はＭｎ　−Ｂｉ　。

Ｇｏ−Ｎｉ　、　Ｇｏ−Ｃｒ　、　Ｇｏ−Ｍｏ　、　Ｇ
ｏ−Ｗ、Ｇｏ−Ｔｉ。

Ｇｏ−Ｔａ、　Ｇｏ−Ｒｕ、　Ｆａ−Ａｇ、　Ｇｏ−３
ｍ。

Ｇｏ−Ｆｅ　、　Ｃｏ−Ｐｔ　、　Ｇｏ−Ｒｈ　、　Ｇ
ｏ−０，Ｇｏ−Ｏｓ。

Ｇｏ−Ｎｉ−０、Ｃｏ−０ｒ−Ｎｂ、　Ｇｏ　−Ｎｉ−
Ｃｒ　。

Ｇｏ　−Ｍｎ　−Ｂｉ　、　　などの強磁性金属薄膜で
電子ビーム蒸着法、イオンブレーティング法、イオンビ
ームデポジション法、スハソタ２ノ／グ法等で形成され
るものである。４は潤滑層で、脂肪酸、脂肪酸エステル
、フッ素化合物２等の単独又は混合物、或いは必要に応
じて、アモルファスカーボン、プラズマ重合膜との組み
合わせでもよい。

第２図は、第２の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
、第２図で第１の実施例で述べた要素と共通でよいもの
については同一の番号を付しである。＠２図で５は下塗
り層で、磁気記録層に微細な突起を設けて、更に耐久性
を改良するだめのもので、５ｉ０２　、　Ｊ！２０ｓ　
、カーボア　ＣａＣＯ３、ＢａＳＯ４等の無機微粒子、
ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン。

ポリイソプレン、アクリロニトリル、ブタジェン共重合
体、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル。

ポリメチルメタクリレート、ポリエステル等の有機微粒
子のうち、直径６０人から２００人程鹿のものを選んで
、０．１〜１００ケ／（μｍ　）２程度、分散させて、
樹脂で高分子フィルム上に固定したものか、水溶性高分
子等のミミズ状隆起、或いはミミズ状隆起と、上記した
微粒子とのコンビネーション等から構成されるものであ
る。この上に積層する２　、３．４は第１の実施例での
べたもので最適な組み合わせを選択すればよい。

以下、更に具体的な実施例を比較例との対比で説明する
。厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
上にＨ２Ｓをｏ、５（ｌ　／ｍｉｎ　）導入しながら１
３．５６　（ＭＨｚ　）の高周波グロー放電を起して、
Ｂｉを蒸発させ、Ｂｉ−８薄膜を７０人（均一膜厚換算
で実際は凹凸ができていて、凹凸の高さは９０人であっ
た）形成した。Ｂｉ／Ｓ　＝０．２３　　とした。その
上に、直径１ｍの円節キャンに沿わせてＧｏ　−Ｎｉ　
（Ｎｉ、　２０　ｗｔ％　）を３．５Ｘ１０−５（Ｔｏ
ｒｒ）の酸素中で最小入射角４５度で電子ビーム蒸着し
た。厚みＱ、１５μｍのＧｏ　−Ｎｉ　−０膜の保磁力
は１０６０　（Ｏｓ）、角型比は０．９２であった（テ
ープ人）０厚み１０μのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に直径１００人の５ｉ０２微粒子を１３ケ／μ
ｍ　）　２ポリエステル樹脂で固定した上に、テープ人
と同じ手法でＢｉ−８膜を４膜人（Ｂｉ　／Ｓ　＝　０
．３４　）配し、その上にＧｏ　−Ｏｒ垂直磁化膜（Ｏ
ｒ　２０ｗｔ％）０．１３μｍを高周波スパンタリング
法で形成した（テープＢ）。

テープＢで用いた５ｉ０２微粒子を配したフィルム上に
、Ｂｉ　−Ｓ薄膜を配さすに夫ｈ、Ｇｏ−Ｎｉ−０膜、
　Ｇｏ　−Ｃｒ膜を同じ製造条件で形成した。得られた
Ｇｏ−Ｎｉ−０膜の保磁力は９ｓｓ（Ｏｓ）、角型比は
０．７４であり（テープＣ）、Ｃｏ−Ｃｒ膜の垂直方向
の保磁力は４９０（Ｏｅ）であった（テープＤ）。尚テ
ープＢのＧｏ−Ｃｒ膜の保持力は６００（Ｏｅ）であっ
た。

テープＡ−Ｄは共通して、真空蒸着法で、パーフロロオ
クタン酸を７０人潤滑層として形成し、８ミリ幅の磁気
テープとした。

ギャップ長０．２μｍのフェライトヘッドで記録再生と
、スチル特性を比較した。記録波長０．７５μｍでの再
生出力はテープ人がテープＣより１４（ｄＢ）大きく、
Ｓ／Ｎでは１　（ｄＢ）良好で、スチル特性は出力が初
期より２　ｄＢ低下するまでの時間で比較したところ、
テープ人は８３分、テープＣは４７分であった。

記録波長０．５μｍでの再生出力は、テープＢの方がテ
ープＤより３．７（ｄＢ）高く、Ｓ／Ｎでは２．４　（
ｄＢ）良好でメチル特性はテープＢが５６分、テープＤ
が２２分で、夫々実施例の方がＳ／Ｎスチル特性共に優
位にあることがわかった、発明の効果 以上のように本発明によれば、スチル特性、短波長記録
再生時のＳ／Ｎ共に改良された磁気記録媒体が得られる
といったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の拡
大断面図、第２図は本発明の第２の実施例に係る磁気記
録媒体の拡大断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・Ｂｉ　
−Ｓ薄膜、３・・・・・強磁性金属薄膜、４・・・・・
・潤滑層、６・・・・・・下塗り層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ｌ　
・−高分子フィルム

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高分子フィルム上にＢｉ−Ｓ系薄膜を配した上に強磁性
   金属薄膜、潤滑層を積層してなることを特徴とする磁気
   記録媒体。