JPH0320720A - 光書込み型液晶ライトバルブ及び液晶ライドバルブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光パターンＰ２識装置や光連想装置に用いられ
る光書込型液晶ライトバルブに関する。

〔発明の概要〕

本発明はレーザビーム．ＬＥＤなどの光による書込手段
と、光導電層，光反射層，液晶配向層液晶層，電圧印加
手段．透明基板で形戒された光書込型液晶ライトバルブ
において、上記電圧印加手段のうち上記透明基板と光導
電膜で挟持された電圧印加手段を透明電極とし、かつ当
該透明電極を少なくとも２つ以上の独立に電圧が印加で
きる部分に分割し、特に上記透明電極を基板面中央を中
心としたリング状あるいはマトリノクス状に分割するこ
とにより、光書込される情報の空間周波数戒分の大きさ
を任意に制御したり光書込される情報を任意に分割して
記録することを可能とし、また本液晶ライトバルブに用
いる液晶層を双安定性メモリを有する強誘電性液晶とす
ることにより、光書込される情報の二値記録を容易にし
、感度の高い光パターン認識を実現することができる手
段を提供するものである． 〔従来の技術〕 従来より、解像度とコントラストの大きな光書込型液晶
ライトバルブを相関光学に適用して光パターン認識を行
う提案や試みが数多くなされてきた．また、合同変換相
関器を用いた光パターン認識ではフーリエ変換面で二値
化処理を行うことによって相互相関ピークに対するＳＮ
Ｒが向上するという提案もなされてきた（Ｂ．　ジャビ
ディ、Ｃ．Ｊ．クオ、アブライド・オブチソクス、２７
、６６３　（１　９８８）　　：Ｂ．　Ｊａｂｔｄｉ　
ａｎｄＣ．　Ｊ．　Ｋｕｏ．Ａｐｐｉ．　Ｏｐｔ．　２
７，　６６３　（１９８Ｂ）　）。

〔発明が解決しようとする！ｌｕｌｌ）しかしながら、
従来の光書込型液晶ライトバルブはＴＮ液晶を用いてい
るものが大部分であり、二値化処理されたフーリエ変換
像の記録を行うためにはあらかじめフーリエ変換像をＣ
ＣＤなどを用いて電気系に取り込み二値化処理をした後
レーザスキャナなどの走査光学系を用いて光書込型液品
ライトバルブに記録しなければならなかった。

また本発明に見られるような双安定メモリ性を有する強
誘電性液晶を用いた光書込型液晶ライトバルブを用いる
としてもフーリエ変換像の光強度分布が中心対称に急激
に変化しているために高い空間周波数まで二値化記録し
たい場合は極めて強い光を用いてフーリエ変換像を作り
出すか、もしくは長時間露光を行わねばならなかったた
め、逆に低い空間周波数領域のフーリエ変換像が潰れて
しまうという問題点を有していた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の液晶ライトバルブは透明基板と光導電膜層に挟
持された電圧印加手段としての透明電極を、少なくとも
２つ以上の独立に電圧が印加できる部分に分割し、特に
上記透明電極を基板中央を中心としたリング状に分割す
ることにより、本発明の液晶ライトバルブにおけるフー
リエ変換像の任意の空間周波数戒分に対する、あるいは
光書込される情報の任意の部分に対する光書込感度を実
質的に制御可能ならしめることにより上記問題点を解決
した． 〔作用〕 本発明の液晶ライトバルブは、一度液晶ライトバルブの
書込面全面を光照射し、光導電層の明時のしきい値電圧
よりも充分に高い直流バイアス電圧あるいは１００　Ｈ
ｚ〜５０ｋｌｌｚの交流電圧を重畳した直流バイアス電
圧を分割された全ての電圧印加手段に印加して強誘電性
液晶を一方向の安定状態までそろえその状態をメモリさ
せるか、もしくは光照射なしで、暗時のしきい値よりも
充分に高い直流バイアス電圧あるいは１００　Ｈｚ〜５
ＱｋＨｚの交流電圧を重畳した直流バイアス電圧を全て
の電圧印加手段に印加して強誘電性液晶を一方向の安定
状態までそろえ、その状態をメモリさせる第１の工程と
、光照射なしで、暗時には光導電層のしきい値電圧以下
であり、光照射時には光導電層のしきい値電圧以上とな
る逆極性の直流バイアス電圧あるいは１００　１）ｚ〜
５０ｋＨｚの交流電圧を重畳した直流バイアス電圧を分
割した電圧印加手段にそれぞれ所定の大きさで印加しな
がら、レーザ光等によって画像あるいはフーリエ変換像
の光書込をする第２の工程を行う．第２の工程ではレー
ザ照射を受けた領域の光導ｉｉＩＩＩにはキャリアが発
生し、発生したキャリアは直流バイアス電圧により電界
方向にドリフトし、その結果光導電層のしきい（Ｉ！！
電圧が下がり、レーザ照射が行われた領域にはしきい値
電圧以上の逆極性のバイアス電圧が印加され、強誘電性
液晶は自発分極の反転に伴う分子の反転が起こり、もう
一方の安定状態に移行し画像あるいはフーリエ変換像が
メモリされる。この時、光書込される情報がフーリエ変
換像のように中心部の光強度が大きな中心対称の光強度
分布を持っていても、電圧印加手段を面内中央を中心と
したリング状あるいはマトリンクス状に分割し、この分
割されたリング状あるいはマトリックス状電極の面内中
心よりも外側の電極になる程より高い電圧を印加するこ
とにより、実質的に面内中央に照射された光よりも面内
外側に照射された光に対する光書込感度を向上させるこ
とができるため、広い空間周波数領域のフーリエスペク
トルを鮮明にメモリすることができる。このようにして
形成された画像あるいはフーリエ変換像は、第１の工程
によってそろえられた液晶分子の配列の方向（またはそ
れと直角方向）に偏光軸を合わせた直線偏光の投影光の
照射および光反射層による反射光の偏光方向に対し、偏
光軸が垂直に（または平行に）なるように配置された検
光子を通した投影により、スク・リーン上に読みだすこ
とができる．また、前記第２の工程終了後、再び極性を
反転させ、暗時のしきい値電圧以下であり明時のしきい
値電圧以上である直流バイアス電圧を全ての電極あるい
は特定の電極に印加しながら光照射を行うことにより、
部分消去（部分書込）も行える． 〔実施例〕 以下に本発明の液晶ライトバルプの実施例を図面を用い
て詳細に説明する．第１図は、本発明による渣晶ライト
バルブの構造を示す断面図である。

従来の液晶ライトバルブと構造が異なる部分は液晶層と
して光透過率または光反射率と印加電圧の間に明瞭な双
安定性を有する強誘電性液晶を用いかつ電圧印加手段と
しての透明電極が少なくとも２つ以上の独立に電圧が印
加できる部分に分割されていることである． 液晶分子を挟持するためのガラスやプラスチック等の透
明基仮１ａ，ｌｂは、表面に少なくとも２つ以上の独立
に電圧が印加できるように分割された透明電極層２ａ１
リード＊１２、絶縁膜層１３および何ら分割されていな
い透明電極層２ｂ，透明基板の法線方向から７５度から
８５度の範囲の角度で一酸化珪素を斜方蒸着した配向膜
層３ａ，３ｂが設けられている．透明基板１ａ，ｌｂは
その配向膜層３ａ．３ｂ側を、スベーサ９を介して間隙
を制御して対向させ、強誘電性液晶層４を挟持するよう
になっている． また、光による書込側の透明電極層２ａ上には光導電層
５、遮光層６、誘電体ξラー７が配向膜３ａとの間に積
層形成され、書込側の透明基板１ａと読みだし側の透明
基板１ｂのセル外側には、無反射コーティング層８ａ．
８ｂが形成されている． 次に透明電極層２ａの分割の仕方をもう少し詳しく説明
する。第２図は透明電極分割の一実施例を示す平面図で
あり、第２図（ａｌは透明電極Ｎ２　ａをリング状に分
割した場合、第２図ｔｂｌは透明電極Ｎ２　ａをマトリ
ソクス状に分割した場合を示す．どちらの分割の場合に
おいても、分割された透明電極層２ａは外部の電源と接
続するためのリード線ｌ２と電気的に結合されており、
またリード！１２が他の透明電極層と短絡するのを防ぐ
ために絶縁膜層ｌ３によって絶縁されるように横威され
ている．透明電極Ｎ２ａとリード線は第３図に示すよう
にスルーホールによって電気的に接続されている。

従って、スルーホール以外の箇所ではリード線ｌ２と透
明電極層２ａとは電気的に結合されることはなく、分割
された透明電極層間での短絡は生じない．なお、透明電
極層の材料としては蒸着あるいはスパッタあるいはＣＶ
Ｄで作製した膜厚１６００人のＩＴＯ薄膜を用い、絶縁
膜ｌ３としては膜厚１０００人のＳｉｎ．を用い、リー
ド線Ｉ２としては線幅１００μｍで膜厚５００人のＣｒ
を用いた．リード線１２としてＣｒ以外の材料であるＡ
ｕ／Ｃｒ，ＡＩ、Ａ　ｌ　−Ｓ　ｉ　−，　Ｔ　ｉ　ｓ
　Ｍ　Ｏ　％　Ｔ　ｉ　　Ｓ　ｉ．．　Ｃ　ｒ　　Ｓ１
などを用いても良いことはいうまでもない，また、第２
図及び第３図の実施例に示すような絶縁Ｍ１！１）３と
スルーホールを用いてリード線ｌ２と透明電極層２ａの
結合を行わず、絶Ｕ膜層１３を用いずにリード線１２と
透明電極２ａを直接結合し透明電極１ａに適当に設けら
れた間隙の間を通してリード線ｌ２を透明基板１ａの外
周に取り出してもよい．第２図１８＋に示すリング状分
割の場合における透明電極分割の一実施例においては、
透明電極層２ａは線幅２ｕ、間隙幅０．２＋ｎのリング
状に分割し、分割数は６とした．このように透明電極Ｎ
２ａを分割することによって、例えばフーリエ変換像の
ような中心対称な光学パターンを本発明の液晶ライトバ
ルブに記録する場合は、記録される光学パターンに任意
の中心対称の重み付けをすることができる．もちろん、
第２図ｆａｔの透明電極層２ａの線幅は数１０μｍ以上
、間隙幅は数μｍ以上、リード線１２の線幅は数μｍ以
上であれば特種な微細加工技術を用いなくても容易に形
戒できる．また、第２図ｆｂ）に示すマトリソクス状分
割の場合における透明電極分割の一実施例においては、
透明電極層２ａは大きさ３ｎ角、間隙Ｑ．２ｍのマトリ
ックス状に分割し、分割数は８×８とした．また、リー
ドｗＡｌ２の取り出し方は第２（ｂｌに示すような取り
出し方以外にも任意の取り出し方が可能である．このよ
うに、透明電極層２ａを分割することによって、例えば
マイクロレンズアレイを用いた画像のマトリックス記録
を行う場合には、記録されるマトリックス状の光学パタ
ーンの各々に任意の重み付けができ、あるいはマトリッ
クス状の光学パターンのうち任意の光学パターンを選択
して記録することができる．もちろん、第２図（ｂｌの
透明電極層２ａの大きさは数μｍ角以上、間隙？は数μ
ｍ以上、リード線幅は数μｍ以上であれば、リング状？
ｉｔ極分割の場合同様に、特種な微細加工を用いなくて
も容易にマトリソクス状電極分割を形成することができ
る。ただし、分割数が増加するに従ってリング状電極分
割以上にリード線の取り出しが困難になるという欠点を
存している。

次に、本発明の液晶ライトバルブの製造方法について簡
単に説明する。まず、透明基板１ａ１　１ｂとして透明
ガラス基板を用意し、当該ガラス基板１ａの上にＣｒｙ
膜を５００　人形成した後フォトリソグラフにより線幅
１００　μｍのリード線］２を形成した。さらにその上
にＳｉＯ■をｉｏｏｏＡ形成した後フォトリソグラフに
よりスルーホールを形成して絶縁膜層１３とし、透明電
極層２ａとして上記絶縁膜７１）３の上にＩＴＯｉ３明
電極層を形成し、再びフォトリソグラフによってリング
状あるいはマトリックス状にＴＴＯｉ３明電極層を分割
した。

方、透明ガラス基板１ｂの表面にも透明電極層２ｂとし
てＩＴＯ透明電極層を形戒した。また、光書込側透明電
極Ｎ２ａ上にはＳ　Ｉ　Ｆ　ａを主体とするガスを放電
分解して厚さ３μｍのイントリンシソクな水素化アモル
ファスシリコンを形成し光導電層５とした．このように
して作製した光導電層５の上に遮光層６を設け、さらに
ＳｔとＳｉｎｇを１５層積層して光反射層としての誘電
体ミラー７を形成した．誘電体鋭ラー７の可視光反射率
が充分大きく光導電層５に対して読みだし光の影響が極
めて小さい場合には遮光Ｎ６を省略することができる．
さらに、誘電体ξラー７および読みだし側の透明電極２
ｂの上に一酸化珪素（Ｓｉｎ）を基板と蒸着源を結ぶ直
線が基板の法線方向に対して８２度の角度になるように
セットし、かつ蒸着の法線方向にセントした水晶振動子
式膜厚計で膜厚を計測しながら、２０００人の厚さに斜
方蒸着して液晶配向Ｊｉｉ３ａ，３ｂを形成した．３３
明基板１ａ１ｂはその配向膜層３ａ，３ｂを対向させ直
径１．５μｍのグラスファイバーを加えた接着剤よりな
るスベーサ９を介して間隙を制御、形或し、強誘電性液
晶層４を挟持するようにした。封入した強誘電性組放物
は、エステル系ＳｍＣ液晶混合物に光学活性物質を添加
して強誘電性液晶組底物としたものでありエステル系Ｓ
ｍＣ液晶混合物として、４−（（４’−オクチル）フェ
ニル）安息香酸（３″−フルオロ１　４ｍ−オクチルオ
キシ）フエニルエステルと、４−１４’−オクチルオキ
シ）フェニル）安息香酸（３“−フルオロ，４＃−オク
チルオキシ）フヱニルエステルを１−１で混合したもの
を用い、これに光学活性物質として５−オクチルオキシ
ナフタレンカルボン酸、ｌ′シアノエチルエステルを２
５重量％加えて強誘電性＆［Ｉ或物としたものを用いた
。また、第３図に示すように本発明の液晶ライトバルブ
の透明電極層２ａの表面にはリード線１２および絶縁膜
１３に設けられたスルーホールのため凹凸が生しその影
響が誘電体ξラー７の表面にまで達し読みだし像に悪影
響を与える。従って、前記の方法で光導電ｆＷ５を形成
した後レジストをスビンコートしてからレジストが無く
なるまで表面をイオンエノチングするなどの方法で、光
導ＷａＳの表面平滑化処理を行うのが望ましい。

以上のようにして作製した液晶ライトバルブを用いて行
った光パターン認識の一実施例を説明する。第４図は本
発明の液晶ライトバルブを用いた光パターン認識装置の
原理構戒図である．第４図において第１のレーザ光源ｌ
４から出射されたコヒーレント光は第１のビームエキス
パンダｌ５によって所定のビーム径に拡大された後、参
照像と被相関像が並べて記録してある写真フィルムｌ６
に照射され、第ｌのフーリエ変換レンズ１７でフーリエ
変換されて本発明の液晶ライトバルブ１８の書込面に照
射される．本発明の液晶ライトバルブはあらかじめ暗時
のしきい値電圧以上のあるいは明時のしきい値電圧以上
の電圧を印加して一様に消去されている．ただし、明時
のしきい値電圧以上の電圧を印加して消去する場合は電
圧印加と同時に面内で一様な書込光を照射するものとす
る。

そして、上記フーリエ変換されたレーザ光が本発明の液
晶ライトバルプ１日の書込面に照射されたとき本発明の
液晶ライトバルブ１８に暗時のしきい値電圧以下で明時
のしきい値電圧以上の逆極性の直流バイアス電圧あるい
は１００　Ｈｚ〜５０ｋＨｚの交流電圧を重畳した直流
バイアス電圧を所定の時間印加して写真フィ−ルムｌ６
に記録されている参照像と被相関像のフーリエ変換像を
記録する．このとき印加されたバイアス電圧が明時のし
きい値電圧に比べて大きくなる程本発明の液晶ライトバ
ルブへの光書込感度が高くなるため、分割された透明電
極層にそれぞれ独立に適当なバイアス電圧を印加するこ
とにより所望の像を本発明の液晶ライトバルブに記録す
ることができる．もちろんこの時、本発明の液晶ライト
バルブｌ８には階時のしきい値電圧以下で明時のしきい
値電圧以上の逆特性の直流バイアス電圧あるいは１００
　ｂ〜５０ｋＨｚの交流電圧を重畳した直流バイアス電
圧を印加したままで、第１のレーザ光源１４を所定の時
間だけＯＮさせるか、あるいは第１のレーザ光源ｌ４と
本発明の液晶ライトバルブｌ８の間の光路の所定の位置
に配した光シャンクを所定の時間だけＯＮさせて光書込
を行ってもよい．さらに分割された透明電極のうち特定
の透明電極にのみバイアス電圧を印加することにより、
バイアス電圧が印加された特定領域のみに光書込を行う
ことや、記録された像の特定領域のみを消去することが
できる． 次に、第２のレーザ光ｓｌ９からコヒーレント像を出射
した後、第２のビームエキスパンダ２０で光ビームを所
望の径に拡大し、偏光ビームスプリンタ２ｌにより光路
を切り替え本発明の液晶ライトバルブ１８の読みだし面
に照射する．この時本発明の液晶ライトバルブには上述
した参照像と被相関像のフーリエ変換像が記録されてお
り、なんらバイアス電圧は印加されていない．従って、
読みだし面に照射された第２のレーザ光源１９からの光
において、フーリエ変換像が記録されている領域に照射
された光は偏光面を９０度回転されて読みだされ、偏光
ビームスプリンタ２１を透過し、フーリエ変換像が記録
されていない領域に照射された光はその偏光面に影響を
受けないために再び偏光ビームスブリツタ２ｌで反射さ
れる．つまり、偏光ビームスブリフタ２ｌを透過した直
後の光は、写真フィルム１６に記録された参照像と被相
関像のフーリエ変換の強度情報となるのである．もちろ
んこの時、偏光ビームスブリッタ２１の替わりに通常の
ビームスブリフタを用い、当該ビームスプリンタと本発
明の液晶ライトバルブ１８の間に偏光フィルムやグラン
トムソンプリズムなどの偏光子を配しても上記の読みだ
し動作と同様の動作をさせることができる．このように
して読みだされた参照像と被相関像のフーリエ変換の強
度情報は、第２のフーリエ変換レンズ２２で再びフーリ
エ変換されＣＣＤカメラ２３で読みだされる．このよう
にＣＯＤカメラ２３で読みだされた情報はビデオモニタ
ー２４で観察でき、この観察される情報は参照像と被相
関像の自己相関ピークおよび相互相関ピークである．な
お、写真フィルム１６と本発明の液晶ライトバルブ１８
はそれぞれ第ｌのフーリエ変換レンズ１７の前焦点面と
後焦点面に配されており、本発明の液晶ライトバルブｌ
８とＣＣＤカメラ２３はそれぞれ第２のフーリエ変換レ
ンズ２２の前焦点面と後焦点面に配されている．また、
本発明の液晶ライトバルブｌ８に記録されるフーリエ変
換像の大きさが適当でなかったり、ＣＣＤカメラ２３に
入力する自己相関ピークおよび相互相関ピークの大きさ
が適当でなかったりする場合は、第１のフーリエ変換レ
ンズｌ７の後焦点面と本発明の液晶ライトバルブｌ８の
間に拡大レンズ系を入れたり、第２のフーリエ変換レン
ズ２２の後焦点面とＣＯＤカメラ２３の間に拡大レンズ
系を入れて像を所望の大きさに拡大することで対処でき
る．このようにして得られた相関ピークのうち相互相関
ピークの強度が大きい程、また相互相関ピークの半値幅
が小さい程参照像と被相関像の互いに似通．っている程
度を正確に識別できると考えられる． 第４図の写真フィルムｌ６に入力した参照像と被相関像
の一実施例を第５図に示す。第５図に示す入力像は“光
”という漢字を並べて配したネガ像である． 第５図に示すパターンを第４図に示す写真フィルム１６
に記録し、第２図！ａｌに示すリング状に分割した透明
電極を持つ液晶ライトバルプを第４図に示す本発明の液
晶ライトバルブ１８として用いた第４図の光パターン認
識装置でこれから得られる相互相関ピークを観察した。

この結果、リング状に分割した透明電極を持つ本発明の
液晶ライトバルプの各分割電極に印加するバイアス電圧
の大きさと分布によって得られる相互相関ピークの強度
と半値幅が変化することがわかった。そして、第６図に
示すような分布の電圧が第１図の透明電極層２ａと光導
’ｔｌＭ５の間に印加されるとき最も強い強度で最も狭
い半値幅の相互相関ピークが得られることがわかった．
このとき、より複雑なパターン程印加するバイアス電圧
の最大値と最小値の差を大きくする必要があることもわ
かった。

次に、第５図に示すパターンを第４図に示す写真フィル
ム１６に記録し、第２図ｆｂｌに示すマトリノクス状に
分割した透明電極を持つ液晶ライトバルプを第４図に示
す本発明の液晶ライトバルブとして用い、第４図の第１
のフーリエ変換レンズの替わりにより焦点距離の短いレ
ンズを写真フィルム１６の像が本発明の液晶ライトバル
ブ１日の書込面に結像される結像位置に配し、第２のフ
ーリエ変換レンズ２２の替わりにより焦点距離の短いレ
ンズを本発明の液晶ライトバルブに記録された像がＣＣ
Ｄカメラ２３のＣＣＤ面に結像される結像位置に配した
第４図に示す光パターン認識装置を用いて、本発明の液
晶ライトバルブの記録特性を観察した．この時、マトリ
ックス状に分割された透明ｘ８ｉｓに様々なバイアス電
圧を印加することで第７図に示すような様々な像が記録
できることがわかった．〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明の液晶ライトバルブはレーザ
ビーム，ＬＥＤなどの光による書込手段と、光導電層，
光反射層，液晶配向層，液晶層，電圧印加手段、透明基
板で形戒された光書込型液晶ライトバルブにおいて、上
記電圧印加手段のうち上記透明基板と光導電膜で挟持さ
れた電圧印加手段を透明電極とし、かつ当該透明電極を
少なくとも２つ以上の独立に電圧が印加できる部分に分
割し、特に上記透明電極を基板中央を中心としたリング
状あるいはマトリックス状に分割することにより、光書
込される情報の空間周波数或分の大きさを任意に制御し
たり、光書込される情報を任意に分割して記録すること
を可能とし、また本液晶ライトバルブに用いる液晶層を
双安定性メモリを有する強誘電性濱晶とすることにより
光書込される情報の二値記録を容易にし、感度の高い光
パターンｔ＝識を実現することができるため、光パター
ン認識を応用したマシンビジョンや文字・図形認識や連
想記憶はもちろんのこと、光演算処理や光画像を利用す
る複写機や投影機などの事務機器の高性能化に対する効
果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による液晶ライトバルブの構造を示す断
面図であり、第２図は本発明の液晶ライトバルブの透明
電極分割の一実施例を示す平面図であり、第２図ｆａｔ
はリング状分割の場合、第２図（ｂｌはマトリックス分
割の場合である。第３図は本発明の液晶ライトバルブの
電圧印加手段の断面構造を示す図であり、第４図は本発
明の液晶ライトバルブを用いた光パターン認！ｌｉ装置
の原理横威図であり、第５図は第４図における写真フイ
ルムへの像入力の一実施例を示す図であり、第６図は本
発明の液晶ライトバルブへの電圧印加の一実施例を示す
図であり、第７図は本発明の液晶ライトバルブへのパタ
ーンの記録例を示す図である。 ｌａ，ｌｂ　　・ ２ａ，　　２ｂ　　・ ３ａ　　　３ｂ　　・ ４　・　・　・　・　・ ５　・　・　・　・　・ ６　・　・　・　・　・ ７　・　・　・　・　・ ８　ａ　　８　ｂ　・ ９　・　・　・　・　・ １０・　・　・　・　・ １）・　・　・　・　・ ｌ２・　・　・　・　・ １３・　・　・　・　・ １４・　・　・　・　・ ・・透明基板 ・・透明電極層 ・・配向膜層 ・強誘電液晶層 ・光導電層 ・遮光層 ・誘電体ミラー ・無反射コーティング ・スペーサ 書込光 ・読みだし光 リード線 ・絶縁膜層 ・第ｌのレーザ光源 ｌ５・　・ １６・　・　・ ｌ７・　・ １８・ ｌ９・　・ ２０・　・ ２ｌ・　・ ２２・　・ ２３・　・ ２４・　・　・　・ ・第１のビームエキスパンダ ・写真フィルム ・第１のフーリエ変換レンズ ・本発明の液晶ライトバルブ ・第２のレーザ光源 第２のビームエキスパンダ ・偏光ビームスブリッタ ・第２のフーリエ変換レンズ ・ＣＯＤカメラ ・ビデオモニター 以上

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザビーム、ＬＥＤなどの光による画像書込手
   段と、光導電層、光反射層、液晶配向層、液晶層、電圧
   印加手段、透明基板で形成された光書込型液晶ライトバ
   ルブにおいて、前記電圧印加手段のうち前記透明基板と
   光導電膜で挟持された電圧印加手段が透明電極であり、
   かつ当該透明電極が少なくとも２つ以上の独立に電圧が
   印加できる部分に分割されていることを特徴とする電極
   分割型液晶ライトバルブ。
2. （２）前記透明電極が基板面中央を中心としたリング状
   に分割されていることを特徴とする請求項１記載の電極
   分割型液晶ライトバルブ。
3. （３）前記透明電極が行と列をなすマトリックス状に分
   割されていることを特徴とする請求項１記載の電極分割
   型液晶ライトバルブ。
4. （４）前記液晶ライトバルブに用いる液晶層は光反射率
   と印加電圧の間に双安定性メモリを有する強誘電性液晶
   であることを特徴とする請求項１、２及び３記載の電極
   分割型液晶ライトバルブ。