JPH0320734A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH0320734A JPH0320734A JP1155449A JP15544989A JPH0320734A JP H0320734 A JPH0320734 A JP H0320734A JP 1155449 A JP1155449 A JP 1155449A JP 15544989 A JP15544989 A JP 15544989A JP H0320734 A JPH0320734 A JP H0320734A
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- nozzle
- pressure
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はフォトマスクを洗浄する洗浄装置に関する。
従来の技術
一般にフォトマスクの洗浄においては高圧水の吹きつけ
によるスプレー洗浄が多用されている。
によるスプレー洗浄が多用されている。
以下に従来の洗浄装置について説明する。第２図に釦い
て、２１はフォトマスク、２２はスビンナー、２３ぱノ
ズル、２４はアーム、２５は加圧ポンプ、２６は純水、
２７は高圧水流である。
て、２１はフォトマスク、２２はスビンナー、２３ぱノ
ズル、２４はアーム、２５は加圧ポンプ、２６は純水、
２７は高圧水流である。
以上のどと〈構或された従来の洗浄装置において、フォ
トマスク２１はスビンナ−２２によって回転させられる
。加圧ボンプ２６により加圧された純水２６はノズ／Ｉ
／２３から高圧水流２７となってフォトマスク２１に吹
きつけられる。アーム２４を揺動させることによりフォ
トマスク２１の全面に高圧水流２７が吹きつけられ、表
面に付着した微粒子が除去される。
トマスク２１はスビンナ−２２によって回転させられる
。加圧ボンプ２６により加圧された純水２６はノズ／Ｉ
／２３から高圧水流２７となってフォトマスク２１に吹
きつけられる。アーム２４を揺動させることによりフォ
トマスク２１の全面に高圧水流２７が吹きつけられ、表
面に付着した微粒子が除去される。
発明が解決しようとする課題
しかしながらこのような従来の構或では、比抵抗の高い
純水を吹きつけると、フォトマスクの表面に帯電が生じ
、クロムパターンの破壊を招く。
純水を吹きつけると、フォトマスクの表面に帯電が生じ
、クロムパターンの破壊を招く。
この破壊を防止する第１の方法として、純水に炭酸ガス
（Ｃｏ２）を吹込んで比抵抗を下げ、しかる後、洗浄を
行う方法がある。しかし、この第１の方法では純水の比
抵抗がそれ程下がらないという欠点がある。
（Ｃｏ２）を吹込んで比抵抗を下げ、しかる後、洗浄を
行う方法がある。しかし、この第１の方法では純水の比
抵抗がそれ程下がらないという欠点がある。
第２の方法として、水圧を下げて洗浄を行う方法がある
。しかし、高圧水による洗浄では、水圧が高い程、微粒
子を除去する効果が高いので、水圧を下げることによっ
て微粒子の除去効率が低下するという欠点を生ずる。
。しかし、高圧水による洗浄では、水圧が高い程、微粒
子を除去する効果が高いので、水圧を下げることによっ
て微粒子の除去効率が低下するという欠点を生ずる。
本発明は、上記の課題を解決するもので、微粒子の除去
効果が高く、かつ静電気の帯電によるクロムパターンの
破壊損傷が少ない洗浄装置を供することを目的とする。
効果が高く、かつ静電気の帯電によるクロムパターンの
破壊損傷が少ない洗浄装置を供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達或するために本発明における洗浄装置は、
高圧噴流を生ずる２つのノズルを有している。各々のノ
ズルから生じた２本の高圧噴流は、フォトマスク上で交
差するような角度をなしている。そして片側のノズルは
比抵抗の低い液を噴出するようにされている。
高圧噴流を生ずる２つのノズルを有している。各々のノ
ズルから生じた２本の高圧噴流は、フォトマスク上で交
差するような角度をなしている。そして片側のノズルは
比抵抗の低い液を噴出するようにされている。
作 用
このような構或をとることによって、一方のノズルから
噴出された高比抵抗の純水は、片側のノズルから噴出さ
れた比抵抗の低い液と、フォトマスクの表面付近で混合
するので、静電気の蓄積が減少し、クロムパターンの破
壊損傷が防止される。
噴出された高比抵抗の純水は、片側のノズルから噴出さ
れた比抵抗の低い液と、フォトマスクの表面付近で混合
するので、静電気の蓄積が減少し、クロムパターンの破
壊損傷が防止される。
しかも水圧を高くすることができるので、微粒子の除去
効率を高めることができる。
効率を高めることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例にかける洗浄装置であシ、１は
フォトマスク、２はスビンナー、３ａ，３ｂはノズル、
４ａ ， ４ｂはアーム、５ａ，６ｂは加圧ポンプ、６
は純水、了は低比抵抗液、８ａ，８ｂは高圧噴流である
。以上のように構或された洗浄装置について以下動作を
説明する。
フォトマスク、２はスビンナー、３ａ，３ｂはノズル、
４ａ ， ４ｂはアーム、５ａ，６ｂは加圧ポンプ、６
は純水、了は低比抵抗液、８ａ，８ｂは高圧噴流である
。以上のように構或された洗浄装置について以下動作を
説明する。
１ず、フォトマスク１はスビンナ−２によって回転させ
られる。加圧ボンプ６ｄにより加圧された純水６はノズ
Ｉレ３ａから高圧噴流８ａとなってフォトマスク１に吹
きつけられる。アーム４ａを揺動させることによシフォ
トマスク１の全面に高圧噴流８ａは吹きつけられる。同
様に加圧ボンプ６ｂにより加圧された低比抵抗液７はノ
ズ）Ｌ／３ｂかラ高圧噴流８ｂとなってフォトマスク１
に吹きつけられる。高圧噴流８ａと８ｂはフォトマスク
１上のごく近い点に集中するので、液の混合が釦こシ、
比抵抗が下って静電気の蓄積が防止される。
られる。加圧ボンプ６ｄにより加圧された純水６はノズ
Ｉレ３ａから高圧噴流８ａとなってフォトマスク１に吹
きつけられる。アーム４ａを揺動させることによシフォ
トマスク１の全面に高圧噴流８ａは吹きつけられる。同
様に加圧ボンプ６ｂにより加圧された低比抵抗液７はノ
ズ）Ｌ／３ｂかラ高圧噴流８ｂとなってフォトマスク１
に吹きつけられる。高圧噴流８ａと８ｂはフォトマスク
１上のごく近い点に集中するので、液の混合が釦こシ、
比抵抗が下って静電気の蓄積が防止される。
高圧噴流８ａ，８ｂでフォトマスク１の表面にある微粒
子の除去をおこなった後、高圧噴流８ｂをとめ、かつ高
圧噴流８ａの圧力を下げる。高圧噴流８ａで洗浄するこ
とにより低比抵抗液７の除去を行う。
子の除去をおこなった後、高圧噴流８ｂをとめ、かつ高
圧噴流８ａの圧力を下げる。高圧噴流８ａで洗浄するこ
とにより低比抵抗液７の除去を行う。
以上のどと〈洗浄を行うことによって、クロムパターン
の破壊損傷を防止するとともに微粒子を効率よく除去し
、かつフォトマスク上に比抵抗を下げるために使用した
物質を残留させずにかくことができる。
の破壊損傷を防止するとともに微粒子を効率よく除去し
、かつフォトマスク上に比抵抗を下げるために使用した
物質を残留させずにかくことができる。
本実施例では比抵抗を下げるためにアンモニア水を使用
したが、界面活性剤入りの水，高級γノレコール類を使
用してもよい。
したが、界面活性剤入りの水，高級γノレコール類を使
用してもよい。
更に、本実施例ではノズルを支持するアームは別Ａにし
ているが、一本のアームに２ヶのノズルを取付けてよい
。
ているが、一本のアームに２ヶのノズルを取付けてよい
。
発明の効果
以上のように本発明による洗浄装置は、２つ以上のノス
ルを有し、少なくとも一ケのノズルから比抵抗の低い液
を噴出させることにょシ、静電気によるパターンの破壊
防止と高い微粒子の除去効果を得ることができる。
ルを有し、少なくとも一ケのノズルから比抵抗の低い液
を噴出させることにょシ、静電気によるパターンの破壊
防止と高い微粒子の除去効果を得ることができる。
なお、本発明は、半導体装置の洗浄にも用いることは言
うまでもない。
うまでもない。
第１図は本発明の一実施例にあ・ける洗浄装置の概略図
、第２図は従来の洗浄装置の概略図である。 １・・・・・・フォトマスク、２・旧・・スビンナー、
３ａ，３ｂ・・・・・・ノズル、６・・・・・・純水、
７・・・・・・低比抵抗液、８ａ ，ｓｂ・・・・・・
高圧噴流。
、第２図は従来の洗浄装置の概略図である。 １・・・・・・フォトマスク、２・旧・・スビンナー、
３ａ，３ｂ・・・・・・ノズル、６・・・・・・純水、
７・・・・・・低比抵抗液、８ａ ，ｓｂ・・・・・・
高圧噴流。
Claims (1)
- 少なくとも２つのノズルを有し、前記ノズルが噴出する
液の方向は試料上で交差するような方向をなしており、
かつ前記ノズルの内の少なくとも１つから比抵抗の低い
液が噴出されることを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155449A JPH0320734A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155449A JPH0320734A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320734A true JPH0320734A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15606288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155449A Pending JPH0320734A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320734A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5687027A (en) * | 1995-03-02 | 1997-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Zoom lens for optical apparatus such as camera |
| US5757556A (en) * | 1995-05-10 | 1998-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Zoom lens |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195654A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| JPS6118958A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1155449A patent/JPH0320734A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195654A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | ホトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| JPS6118958A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5687027A (en) * | 1995-03-02 | 1997-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Zoom lens for optical apparatus such as camera |
| US5757556A (en) * | 1995-05-10 | 1998-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Zoom lens |
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