JPH10189526A - レチクルの洗浄方法及びその装置 - Google Patents
レチクルの洗浄方法及びその装置Info
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- JPH10189526A JPH10189526A JP34150396A JP34150396A JPH10189526A JP H10189526 A JPH10189526 A JP H10189526A JP 34150396 A JP34150396 A JP 34150396A JP 34150396 A JP34150396 A JP 34150396A JP H10189526 A JPH10189526 A JP H10189526A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄効果の高い、レチクルの洗浄方法を提供
する。 【解決手段】 本レチクル洗浄方法は、半導体装置を製
造する際に適用するフォトリソグラフィ用のレチクルの
洗浄方法であって、従来のブラシ・スクライブ洗浄に代
えて、（１）第１レチクル洗浄部１２でレチクルの両面
に純水を噴射する工程と、（２）界面活性剤処理部１４
でレチクルを界面活性剤溶液に浸漬させる工程と、
（３）第２レチクル洗浄部１６でアンモニア水、次いで
純水をレチクルの両面に噴射して洗浄する工程とを備え
ている。更に、従来の方法と同様に、（４）超音波洗浄
部１８でレチクルに純水超音波洗浄を施す超音波洗浄工
程と、（５）ＩＰＡ乾燥部２０でＩＰＡ蒸気によりレチ
クルを乾燥するＩＰＡ乾燥工程とを備えている。
する。 【解決手段】 本レチクル洗浄方法は、半導体装置を製
造する際に適用するフォトリソグラフィ用のレチクルの
洗浄方法であって、従来のブラシ・スクライブ洗浄に代
えて、（１）第１レチクル洗浄部１２でレチクルの両面
に純水を噴射する工程と、（２）界面活性剤処理部１４
でレチクルを界面活性剤溶液に浸漬させる工程と、
（３）第２レチクル洗浄部１６でアンモニア水、次いで
純水をレチクルの両面に噴射して洗浄する工程とを備え
ている。更に、従来の方法と同様に、（４）超音波洗浄
部１８でレチクルに純水超音波洗浄を施す超音波洗浄工
程と、（５）ＩＰＡ乾燥部２０でＩＰＡ蒸気によりレチ
クルを乾燥するＩＰＡ乾燥工程とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクルの洗浄方
法及びその装置に関し、更に詳細には洗浄効果の高いレ
チクルの洗浄方法及びその装置に関するものである。
法及びその装置に関し、更に詳細には洗浄効果の高いレ
チクルの洗浄方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィで使用するレチクル
にパーティクル等の異物が付着していると、正確なパタ
ーンを基板上に転写できない。そこで、従来、露光の前
後、或いは露光を一時中断してレチクルを洗浄してい
る。従来、レチクルの洗浄は、図７に示すブラシ・スク
ライブ洗浄装置５０、図８に示す超音波洗浄装置５２及
び図９に示すＩＰＡ乾燥装置５４により次の洗浄手順で
行われていた。 （１）先ず、ブラシ・スクライブ洗浄装置５０を使っ
て、ブラシ・スクライブ洗浄工程を実施する。下段のノ
ズル５７からアンモニア水を流出させながら、ブラシ５
８を回転させつつレチクルＲに接触させて洗浄する。レ
チクルＲを引き上げる時、上段のノズル５６から純水を
レチクルＲに向け噴出して、レチクルＲに付着した異物
を洗い流す。 （２）次いで、超音波洗浄装置５２を使って、超音波洗
浄工程を実施する。純水を収容した洗浄槽６０中にレチ
クルＲを浸漬し、超音波発生器６２から超音波をレチク
ルＲに照射して洗浄する。洗浄したレチクルＲを純水か
らから引き上げつつ、ノズル６３から純水をレチクルＲ
にシャワー状に噴射し、レチクルＲ上の異物を除去す
る。 （３）最後に、ＩＰＡ乾燥装置５４を使って、ＩＰＡ乾
燥工程を実施する。ＩＰＡ槽６６にＩＰＡ（イソプロピ
ルアルコール）を収容し、ヒータ６４で加熱してＩＰＡ
蒸気を発生し、ＩＰＡ蒸気中にレチクルＲを入れて、レ
チクルＲ上でＩＰＡ蒸気を凝縮させ、凝縮ＩＰＡでレチ
クルＲの付着水を置換する。置換しながら、レチクルＲ
をＩＰＡの沸点まで昇温し、凝縮ＩＰＡを蒸発させて乾
燥する。洗浄を行った後、パーティクル検査を行う。若
し、満足できる程度にパーティクルの除去が行われてい
ない時には、再洗浄が必要となる。
にパーティクル等の異物が付着していると、正確なパタ
ーンを基板上に転写できない。そこで、従来、露光の前
後、或いは露光を一時中断してレチクルを洗浄してい
る。従来、レチクルの洗浄は、図７に示すブラシ・スク
ライブ洗浄装置５０、図８に示す超音波洗浄装置５２及
び図９に示すＩＰＡ乾燥装置５４により次の洗浄手順で
行われていた。 （１）先ず、ブラシ・スクライブ洗浄装置５０を使っ
て、ブラシ・スクライブ洗浄工程を実施する。下段のノ
ズル５７からアンモニア水を流出させながら、ブラシ５
８を回転させつつレチクルＲに接触させて洗浄する。レ
チクルＲを引き上げる時、上段のノズル５６から純水を
レチクルＲに向け噴出して、レチクルＲに付着した異物
を洗い流す。 （２）次いで、超音波洗浄装置５２を使って、超音波洗
浄工程を実施する。純水を収容した洗浄槽６０中にレチ
クルＲを浸漬し、超音波発生器６２から超音波をレチク
ルＲに照射して洗浄する。洗浄したレチクルＲを純水か
らから引き上げつつ、ノズル６３から純水をレチクルＲ
にシャワー状に噴射し、レチクルＲ上の異物を除去す
る。 （３）最後に、ＩＰＡ乾燥装置５４を使って、ＩＰＡ乾
燥工程を実施する。ＩＰＡ槽６６にＩＰＡ（イソプロピ
ルアルコール）を収容し、ヒータ６４で加熱してＩＰＡ
蒸気を発生し、ＩＰＡ蒸気中にレチクルＲを入れて、レ
チクルＲ上でＩＰＡ蒸気を凝縮させ、凝縮ＩＰＡでレチ
クルＲの付着水を置換する。置換しながら、レチクルＲ
をＩＰＡの沸点まで昇温し、凝縮ＩＰＡを蒸発させて乾
燥する。洗浄を行った後、パーティクル検査を行う。若
し、満足できる程度にパーティクルの除去が行われてい
ない時には、再洗浄が必要となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の洗浄方法では、レチクルの洗浄効果が低く、洗浄後の
パーティクル検査でパーティクルが残存しているため
に、再洗浄が必要になることがしばしば生じていた。と
ころで、半導体装置の微細化が進むにつれて、レチクル
に付着したパーティクルは、重大な影響をパターニング
に及ぼし、正確なパターニングを行うことが益々難しく
なっている。従って、半導体装置の微細化に対応できる
ような洗浄効果の高いレチクルの洗浄方法の開発が求め
られている。
の洗浄方法では、レチクルの洗浄効果が低く、洗浄後の
パーティクル検査でパーティクルが残存しているため
に、再洗浄が必要になることがしばしば生じていた。と
ころで、半導体装置の微細化が進むにつれて、レチクル
に付着したパーティクルは、重大な影響をパターニング
に及ぼし、正確なパターニングを行うことが益々難しく
なっている。従って、半導体装置の微細化に対応できる
ような洗浄効果の高いレチクルの洗浄方法の開発が求め
られている。
【０００４】以上のような状況から、本発明の目的は、
洗浄効果の高い、レチクルの洗浄方法を提供することで
ある。
洗浄効果の高い、レチクルの洗浄方法を提供することで
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の方法
によるレチクルの洗浄では洗浄効果が低くなる原因を調
べ、次の事実を見い出した。即ち、従来の方法では、ブ
ラシ・スクライブ洗浄を行っているため、前回の洗浄の
際にブラシに付いたゴミが、再び、次に洗浄するレチク
ルに付着し、この結果、レチクルの洗浄不良が生じるこ
とが判った。レチクルの洗浄毎にブラシを交換すれば、
このような洗浄不良を防ぐことができるが、交換に人手
と時間を要し、また新たなブラシが必要となる。これで
は、レチクルの洗浄コストが嵩み、実用的ではない。そ
こで、本発明者は、ブラシ・スクライブ洗浄を必要とし
ない洗浄方法を開発することにし、実験を重ねた末に、
本発明を完成するに到った。
によるレチクルの洗浄では洗浄効果が低くなる原因を調
べ、次の事実を見い出した。即ち、従来の方法では、ブ
ラシ・スクライブ洗浄を行っているため、前回の洗浄の
際にブラシに付いたゴミが、再び、次に洗浄するレチク
ルに付着し、この結果、レチクルの洗浄不良が生じるこ
とが判った。レチクルの洗浄毎にブラシを交換すれば、
このような洗浄不良を防ぐことができるが、交換に人手
と時間を要し、また新たなブラシが必要となる。これで
は、レチクルの洗浄コストが嵩み、実用的ではない。そ
こで、本発明者は、ブラシ・スクライブ洗浄を必要とし
ない洗浄方法を開発することにし、実験を重ねた末に、
本発明を完成するに到った。
【０００６】上記の目的を達成するために、本発明に係
るレチクルの洗浄方法は、半導体装置を製造する際に適
用するフォトリソグラフィ用のレチクルの洗浄方法であ
って、（１）レチクルに純水を噴射して洗浄する工程
と、（２）レチクルを界面活性剤溶液に浸漬する工程
と、（３）洗浄液、次いで純水をレチクルに噴射して洗
浄する工程と、（４）純水中にレチクルを浸漬して超音
波洗浄を行う工程と、（５）ＩＰＡによる乾燥工程とを
備えることを特徴としている。
るレチクルの洗浄方法は、半導体装置を製造する際に適
用するフォトリソグラフィ用のレチクルの洗浄方法であ
って、（１）レチクルに純水を噴射して洗浄する工程
と、（２）レチクルを界面活性剤溶液に浸漬する工程
と、（３）洗浄液、次いで純水をレチクルに噴射して洗
浄する工程と、（４）純水中にレチクルを浸漬して超音
波洗浄を行う工程と、（５）ＩＰＡによる乾燥工程とを
備えることを特徴としている。
【０００７】本発明では、（１）工程で、レチクルに、
好適にはレチクルの両面に純水を噴射して、レチクル面
に付着した異物、例えば比較的大きな粒径のパーティク
ルを洗浄除去する。次いで、（２）工程で、レチクルを
界面活性剤溶液に浸漬し、レチクル面に付着した比較的
微細な異物を界面活性剤の洗浄作用によりレチクル面か
ら剥離させ、次の（３）工程で除去し易くする。続い
て、（３）工程で、洗浄液、例えばアンモニア水を、次
いで純水をレチクル面に噴射して、（２）工程で剥離し
た異物を洗浄除去する。アンモニア水は、レチクルに荷
電した静電気を中和して静電気吸着作用を消滅させ、剥
離したゴミをレチクル面から除去し易くする。本発明で
は、（１）、（２）及び（３）工程の複合的な作用によ
り、従来のブラシ・スクライブ洗浄に代えてレチクルを
洗浄することができる。（４）超音波洗浄工程及び
（５）ＩＰＡによる乾燥工程は、従来の同様に実施す
る。
好適にはレチクルの両面に純水を噴射して、レチクル面
に付着した異物、例えば比較的大きな粒径のパーティク
ルを洗浄除去する。次いで、（２）工程で、レチクルを
界面活性剤溶液に浸漬し、レチクル面に付着した比較的
微細な異物を界面活性剤の洗浄作用によりレチクル面か
ら剥離させ、次の（３）工程で除去し易くする。続い
て、（３）工程で、洗浄液、例えばアンモニア水を、次
いで純水をレチクル面に噴射して、（２）工程で剥離し
た異物を洗浄除去する。アンモニア水は、レチクルに荷
電した静電気を中和して静電気吸着作用を消滅させ、剥
離したゴミをレチクル面から除去し易くする。本発明で
は、（１）、（２）及び（３）工程の複合的な作用によ
り、従来のブラシ・スクライブ洗浄に代えてレチクルを
洗浄することができる。（４）超音波洗浄工程及び
（５）ＩＰＡによる乾燥工程は、従来の同様に実施す
る。
【０００８】（１）工程及び（３）工程では、純水又は
洗浄水を噴射するノズル間を上下方向にレチクルを移動
させることにより、一層効果的にレチクルを洗浄するこ
とができる。（１）工程では、純水の噴射に代えて、イ
オナイザーで不活性ガスを噴射することにより、レチク
ル上の異物を除去することもできる。イオナイザーは、
レチクルに帯電した静電気を中和して、静電気吸着作用
を排除することにより、レチクル上の異物を剥離し易く
し、次いで、剥離し易くなった異物を不活性ガスにより
吹き飛ばしている。
洗浄水を噴射するノズル間を上下方向にレチクルを移動
させることにより、一層効果的にレチクルを洗浄するこ
とができる。（１）工程では、純水の噴射に代えて、イ
オナイザーで不活性ガスを噴射することにより、レチク
ル上の異物を除去することもできる。イオナイザーは、
レチクルに帯電した静電気を中和して、静電気吸着作用
を排除することにより、レチクル上の異物を剥離し易く
し、次いで、剥離し易くなった異物を不活性ガスにより
吹き飛ばしている。
【０００９】本発明に係るレチクルの洗浄方法を実施す
る装置は、レチクル面をほぼ垂直にして、レチクルを保
持するアームと、レチクル面に純水を噴射するノズルと
を備えた、第１のレチクル洗浄部と、界面活性剤溶液を
収容する処理槽と、レチクルを保持して処理槽の界面活
性剤溶液中に浸漬するアームとを備えた、レチクルの界
面活性剤処理部と、レチクル面をほぼ垂直にして、レチ
クルを保持するアームと、レチクル面に洗浄水を噴射す
る洗浄水ノズルと、及び純水を噴射するために、洗浄水
ノズルの上方に設けられた純水ノズルとを備えた、第２
のレチクル洗浄部と、純水を収容し、かつ超音波発生部
を有して超音波洗浄を行う超音波洗浄槽と、レチクルを
保持して超音波洗浄槽の純水中に浸漬するアームとを備
えた、超音波洗浄部と、ＩＰＡを収容し、ヒータにより
加熱してＩＰＡ蒸気を発生し、ＩＰＡ蒸気によりレチク
ルを乾燥させる乾燥室と、レチクルを保持して乾燥室内
に送入するアームとを備えた、ＩＰＡ乾燥部とを備えて
いることを特徴としている。
る装置は、レチクル面をほぼ垂直にして、レチクルを保
持するアームと、レチクル面に純水を噴射するノズルと
を備えた、第１のレチクル洗浄部と、界面活性剤溶液を
収容する処理槽と、レチクルを保持して処理槽の界面活
性剤溶液中に浸漬するアームとを備えた、レチクルの界
面活性剤処理部と、レチクル面をほぼ垂直にして、レチ
クルを保持するアームと、レチクル面に洗浄水を噴射す
る洗浄水ノズルと、及び純水を噴射するために、洗浄水
ノズルの上方に設けられた純水ノズルとを備えた、第２
のレチクル洗浄部と、純水を収容し、かつ超音波発生部
を有して超音波洗浄を行う超音波洗浄槽と、レチクルを
保持して超音波洗浄槽の純水中に浸漬するアームとを備
えた、超音波洗浄部と、ＩＰＡを収容し、ヒータにより
加熱してＩＰＡ蒸気を発生し、ＩＰＡ蒸気によりレチク
ルを乾燥させる乾燥室と、レチクルを保持して乾燥室内
に送入するアームとを備えた、ＩＰＡ乾燥部とを備えて
いることを特徴としている。
【００１０】好適には、第１及び第２のレチクル洗浄部
の保持アームが、レチクルを上下方向に動かすことがで
きるようにする。また、第１のレチクル洗浄部に代え
て、レチクルを保持するアームと、アームに保持された
レチクルに向け上方から清浄空気又は清浄不活性ガスを
噴射するノズルと、レチクル表面電荷を中和する静電気
除去機構とを備えたイオナイザを設けてもよい。
の保持アームが、レチクルを上下方向に動かすことがで
きるようにする。また、第１のレチクル洗浄部に代え
て、レチクルを保持するアームと、アームに保持された
レチクルに向け上方から清浄空気又は清浄不活性ガスを
噴射するノズルと、レチクル表面電荷を中和する静電気
除去機構とを備えたイオナイザを設けてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
例を挙げて、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。レチクル洗浄装置の実施例 本実施例は、本発明方法を実施する本発明に係るレチク
ル洗浄装置の実施例の一つであって、図１（ａ）は本レ
チクル洗浄装置の構成を示すブロック図、図１（ｂ）は
本発明方法の工程図である。図２から図５は装置の各部
の詳細をそれぞれ示す。本レチクル洗浄装置１０は、半
導体装置を製造する際に適用するフォトリソグラフィ用
のレチクルを洗浄する装置であって、図１（ａ）に示す
ように、従来のブラシ・スクライブ洗浄装置に代えて、
第１レチクル洗浄部１２、界面活性剤処理部１４及び第
２レチクル洗浄部１６と、レチクルの従来の洗浄方法で
使用した超音波洗浄装置５２及びＩＰＡ乾燥装置５４と
それぞれ同じ構成の超音波洗浄部１８及びＩＰＡ乾燥部
２０とから構成されている。
例を挙げて、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。レチクル洗浄装置の実施例 本実施例は、本発明方法を実施する本発明に係るレチク
ル洗浄装置の実施例の一つであって、図１（ａ）は本レ
チクル洗浄装置の構成を示すブロック図、図１（ｂ）は
本発明方法の工程図である。図２から図５は装置の各部
の詳細をそれぞれ示す。本レチクル洗浄装置１０は、半
導体装置を製造する際に適用するフォトリソグラフィ用
のレチクルを洗浄する装置であって、図１（ａ）に示す
ように、従来のブラシ・スクライブ洗浄装置に代えて、
第１レチクル洗浄部１２、界面活性剤処理部１４及び第
２レチクル洗浄部１６と、レチクルの従来の洗浄方法で
使用した超音波洗浄装置５２及びＩＰＡ乾燥装置５４と
それぞれ同じ構成の超音波洗浄部１８及びＩＰＡ乾燥部
２０とから構成されている。
【００１２】第１レチクル洗浄部１２は、図２に示すよ
うに、洗浄するレチクルＲの両側に上下２段でノズル２
２Ａ、Ｂ及びノズル２３Ａ、Ｂを備えた第１洗浄槽２４
と、レチクルＲを保持するアーム２６とを備えている。
ノズル２３は、高圧の純水を噴射してレチクル面を洗浄
し、異物を除去する。ノズル２２は、ノズル２３でレチ
クル面を洗浄し、次いでレチクルＲを引き上げる際に、
純水をシャワー状に噴射してレチクルＲを清浄にする。
アーム２６は、レチクルＲの両側縁を把持して、レチク
ル面をノズル２２、２３に向けてほぼ垂直方向に保持す
ることができる。第１レチクル洗浄部１２に設けたアー
ム２６は、更に詳細には、図３に示すように、枠状のフ
レームで形成され、フレーム内にレチクルＲを保持し
て、洗浄中、上下に昇降自在である。これにより、第１
レチクル洗浄部１２は、レチクルＲをアーム２６で保持
しつつレチクルＲの両側に設けたノズル２３で、次いで
ノズル２２で洗浄することができる。
うに、洗浄するレチクルＲの両側に上下２段でノズル２
２Ａ、Ｂ及びノズル２３Ａ、Ｂを備えた第１洗浄槽２４
と、レチクルＲを保持するアーム２６とを備えている。
ノズル２３は、高圧の純水を噴射してレチクル面を洗浄
し、異物を除去する。ノズル２２は、ノズル２３でレチ
クル面を洗浄し、次いでレチクルＲを引き上げる際に、
純水をシャワー状に噴射してレチクルＲを清浄にする。
アーム２６は、レチクルＲの両側縁を把持して、レチク
ル面をノズル２２、２３に向けてほぼ垂直方向に保持す
ることができる。第１レチクル洗浄部１２に設けたアー
ム２６は、更に詳細には、図３に示すように、枠状のフ
レームで形成され、フレーム内にレチクルＲを保持し
て、洗浄中、上下に昇降自在である。これにより、第１
レチクル洗浄部１２は、レチクルＲをアーム２６で保持
しつつレチクルＲの両側に設けたノズル２３で、次いで
ノズル２２で洗浄することができる。
【００１３】界面活性剤処理部１４は、図４に示すよう
に、界面活性剤溶液を収容する処理槽３２と、第１レチ
クル洗浄部１２のアーム２６と同様な構成でレチクルＲ
を保持しつつ界面活性剤溶液中にレチクルＲを浸漬し、
かつ昇降自在なアーム３４とを備えている。第２レチク
ル洗浄部１６は、図５に示すように、洗浄するレチクル
Ｒの両側に上下２段でノズル３６Ａ、Ｂ及びノズル３７
Ａ、Ｂを備えた第２洗浄槽３８と、第１レチクル洗浄部
１２のアーム２６と同様な構成でレチクルＲを保持しつ
つ昇降自在なアーム４０とを備えている。ノズル３７
は、高圧のアンモニア水をレチクル面に向け噴射し、ノ
ズル３６は、高圧の純水をレチクル面に噴射する。アー
ム４０は、レチクルＲの両側縁を把持して、レチクル面
をノズル２２Ａ、Ｂに向けてほぼ垂直に保持することが
できる。
に、界面活性剤溶液を収容する処理槽３２と、第１レチ
クル洗浄部１２のアーム２６と同様な構成でレチクルＲ
を保持しつつ界面活性剤溶液中にレチクルＲを浸漬し、
かつ昇降自在なアーム３４とを備えている。第２レチク
ル洗浄部１６は、図５に示すように、洗浄するレチクル
Ｒの両側に上下２段でノズル３６Ａ、Ｂ及びノズル３７
Ａ、Ｂを備えた第２洗浄槽３８と、第１レチクル洗浄部
１２のアーム２６と同様な構成でレチクルＲを保持しつ
つ昇降自在なアーム４０とを備えている。ノズル３７
は、高圧のアンモニア水をレチクル面に向け噴射し、ノ
ズル３６は、高圧の純水をレチクル面に噴射する。アー
ム４０は、レチクルＲの両側縁を把持して、レチクル面
をノズル２２Ａ、Ｂに向けてほぼ垂直に保持することが
できる。
【００１４】純水超音波洗浄部１８及びＩＰＡ乾燥部２
０のそれぞれの構成は、従来の装置と同じである。
０のそれぞれの構成は、従来の装置と同じである。
【００１５】レチクルの洗浄方法の実施例 以下に、図１（ａ）に示すレチクル洗浄装置１０を使用
した本発明方法の実施を説明する。本発明方法は、半導
体装置を製造する際に適用するフォトリソグラフィ用の
レチクルの洗浄方法であって、図１（ｂ）に示すよう
に、（１）レチクルの両面に純水を噴射して洗浄する第
１洗浄工程と、（２）レチクルを界面活性剤溶液に浸漬
させる界面活性剤処理工程と、（３）洗浄液、次いで純
水をレチクルの両面に噴射して洗浄する第２洗浄工程
と、（４）純水で超音波洗浄を行う超音波洗浄工程と、
（５）ＩＰＡによる乾燥工程とから構成されている。
した本発明方法の実施を説明する。本発明方法は、半導
体装置を製造する際に適用するフォトリソグラフィ用の
レチクルの洗浄方法であって、図１（ｂ）に示すよう
に、（１）レチクルの両面に純水を噴射して洗浄する第
１洗浄工程と、（２）レチクルを界面活性剤溶液に浸漬
させる界面活性剤処理工程と、（３）洗浄液、次いで純
水をレチクルの両面に噴射して洗浄する第２洗浄工程
と、（４）純水で超音波洗浄を行う超音波洗浄工程と、
（５）ＩＰＡによる乾燥工程とから構成されている。
【００１６】（１）先ず、図２に示す第１レチクル洗浄
部１２を使って、第１洗浄工程を実施する。アーム２６
によりレチクルＲを保持して、第１洗浄槽２４内に送入
し、ノズル２３からレチクルＲに向けて高圧の純水を噴
射する。洗浄の後、レチクルＲを引き上げる際に、ノズ
ル２２から純水をシャワー状に噴出させ、レチクル面上
の異物を洗い流す。これにより、レチクル面に付着した
異物、例えば比較的大きな粒径のパーティクルを洗浄除
去することができる。 （２）次いで、図４に示す界面活性剤処理部１４を使っ
て、界面活性剤処理工程を実施する。レチクルＲをアー
ム３４により保持して処理槽３２内に送入し、界面活性
剤溶液に浸漬しつつ上下に昇降する。これにより、レチ
クル面に付着した比較的微細な異物は、界面活性剤の剥
離作用によりレチクル面から剥離し、、次の第２洗浄工
程で除去され易くなる。 （３）更に、図５に示す第２レチクル洗浄部１６を使っ
て、第２洗浄工程を実施する。アーム４０によりレチク
ルＲを保持して、第２洗浄槽３８内に送入し、下段のノ
ズル３７からレチクルＲに向けて高圧のアンモニア水を
噴射する。同時に、上段のノズル３６から高圧の純水を
レチクル面に噴射して、アンモニア水を洗い流すと共
に、更に異物を洗浄除去する。アンモニア水は、レチク
ル面を洗浄すると共に、レチクルに荷電した静電気を中
和して、静電気吸着作用を消滅させ、（２）界面活性剤
処理工程で剥離したゴミを離間し易くするので、界面活
性剤処理工程でレチクル面から剥離した微細な異物が、
殆どレチクル面から除去される。
部１２を使って、第１洗浄工程を実施する。アーム２６
によりレチクルＲを保持して、第１洗浄槽２４内に送入
し、ノズル２３からレチクルＲに向けて高圧の純水を噴
射する。洗浄の後、レチクルＲを引き上げる際に、ノズ
ル２２から純水をシャワー状に噴出させ、レチクル面上
の異物を洗い流す。これにより、レチクル面に付着した
異物、例えば比較的大きな粒径のパーティクルを洗浄除
去することができる。 （２）次いで、図４に示す界面活性剤処理部１４を使っ
て、界面活性剤処理工程を実施する。レチクルＲをアー
ム３４により保持して処理槽３２内に送入し、界面活性
剤溶液に浸漬しつつ上下に昇降する。これにより、レチ
クル面に付着した比較的微細な異物は、界面活性剤の剥
離作用によりレチクル面から剥離し、、次の第２洗浄工
程で除去され易くなる。 （３）更に、図５に示す第２レチクル洗浄部１６を使っ
て、第２洗浄工程を実施する。アーム４０によりレチク
ルＲを保持して、第２洗浄槽３８内に送入し、下段のノ
ズル３７からレチクルＲに向けて高圧のアンモニア水を
噴射する。同時に、上段のノズル３６から高圧の純水を
レチクル面に噴射して、アンモニア水を洗い流すと共
に、更に異物を洗浄除去する。アンモニア水は、レチク
ル面を洗浄すると共に、レチクルに荷電した静電気を中
和して、静電気吸着作用を消滅させ、（２）界面活性剤
処理工程で剥離したゴミを離間し易くするので、界面活
性剤処理工程でレチクル面から剥離した微細な異物が、
殆どレチクル面から除去される。
【００１７】続いて、図８の超音波洗浄装置５２及び図
９のＩＰＡ乾燥装置を使って、レチクルの従来の洗浄方
法と同様にして、（４）超音波洗浄工程及び（５）ＩＰ
Ａによる乾燥工程を実施する。本実施例では、（１）、
（２）及び（３）工程の複合的な作用により、従来のブ
ラシ・スクライブ洗浄に代えてレチクルを洗浄すること
ができる。
９のＩＰＡ乾燥装置を使って、レチクルの従来の洗浄方
法と同様にして、（４）超音波洗浄工程及び（５）ＩＰ
Ａによる乾燥工程を実施する。本実施例では、（１）、
（２）及び（３）工程の複合的な作用により、従来のブ
ラシ・スクライブ洗浄に代えてレチクルを洗浄すること
ができる。
【００１８】改変例 本改変例は、本発明に係るレチクル洗浄装置の実施例の
一部を改変したものであって、実施例のレチクル洗浄装
置１０の第１レチクル洗浄部１２に代えて、イオナイザ
ー４２を備えている。イオナイザー４２は、図６に示す
ように、下方に排気口４１を備えたイオナイザー槽４３
を有し、槽４３内には、それぞれ、レチクルＲに荷電し
た静電気を空気イオン又は窒素イオンにより中和する静
電気除去機構４４と、静電気除去機構４４の上方にあっ
て下方に向け窒素ガスを噴出する窒素ガス噴出機構４５
と、レチクルを保持するアーム（図示せず）とを備えて
いる。窒素ガス噴出機構４５は、その上部に窒素ガスの
噴出口４６と、噴出口４６から流出した窒素ガスを濾過
して清浄にするフィルタ部４８と、フィルタ部４８で清
浄化された窒素ガスを下方に向け噴出させるノズル４９
とを備えている。イオナイザー４２は、静電気除去機構
４４によりレチクルＲに荷電した静電気を除去して静電
気吸着作用を消滅させ、異物をレチクル面より剥離し易
くし、次いで、剥離し易くなった異物を噴出ノズル４９
から噴出した窒素ガスによりレチクル面から除去する。
本改変例のように、イオナイザー４２を用いることによ
り、純水の使用量を減少させることができる。
一部を改変したものであって、実施例のレチクル洗浄装
置１０の第１レチクル洗浄部１２に代えて、イオナイザ
ー４２を備えている。イオナイザー４２は、図６に示す
ように、下方に排気口４１を備えたイオナイザー槽４３
を有し、槽４３内には、それぞれ、レチクルＲに荷電し
た静電気を空気イオン又は窒素イオンにより中和する静
電気除去機構４４と、静電気除去機構４４の上方にあっ
て下方に向け窒素ガスを噴出する窒素ガス噴出機構４５
と、レチクルを保持するアーム（図示せず）とを備えて
いる。窒素ガス噴出機構４５は、その上部に窒素ガスの
噴出口４６と、噴出口４６から流出した窒素ガスを濾過
して清浄にするフィルタ部４８と、フィルタ部４８で清
浄化された窒素ガスを下方に向け噴出させるノズル４９
とを備えている。イオナイザー４２は、静電気除去機構
４４によりレチクルＲに荷電した静電気を除去して静電
気吸着作用を消滅させ、異物をレチクル面より剥離し易
くし、次いで、剥離し易くなった異物を噴出ノズル４９
から噴出した窒素ガスによりレチクル面から除去する。
本改変例のように、イオナイザー４２を用いることによ
り、純水の使用量を減少させることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明方法によれば、ブラシ・スクライ
ブ洗浄工程に代えて、レチクルに純水を噴射する工程
と、レチクルを界面活性剤溶液に浸漬させる工程と、洗
浄液、次いで純水をレチクルの両面に噴射して洗浄する
工程とを備え、それらの工程の複合作用により、（１）
レチクルのダスト除去効果が高い。（２）従来の方法の
ように、先の洗浄の際にブラシに付いたゴミが、次に洗
浄するレチクルに再び付着し、この結果、レチクルの洗
浄不良が生じるようなことが生じない。また、本発明に
係る装置は、本発明方法を効率的に実施する装置を実現
している。更には、純水洗浄に代えてイオナイザーを使
用することにより、純水の使用量を減少させ、経済的に
レチクルを洗浄することができる。
ブ洗浄工程に代えて、レチクルに純水を噴射する工程
と、レチクルを界面活性剤溶液に浸漬させる工程と、洗
浄液、次いで純水をレチクルの両面に噴射して洗浄する
工程とを備え、それらの工程の複合作用により、（１）
レチクルのダスト除去効果が高い。（２）従来の方法の
ように、先の洗浄の際にブラシに付いたゴミが、次に洗
浄するレチクルに再び付着し、この結果、レチクルの洗
浄不良が生じるようなことが生じない。また、本発明に
係る装置は、本発明方法を効率的に実施する装置を実現
している。更には、純水洗浄に代えてイオナイザーを使
用することにより、純水の使用量を減少させ、経済的に
レチクルを洗浄することができる。
【図１】図１（ａ）は本レチクル洗浄装置の構成を示す
ブロック図、図１（ｂ）は本発明方法の工程図である。
ブロック図、図１（ｂ）は本発明方法の工程図である。
【図２】第１レチクル洗浄部の構成を示す模式図であ
る。
る。
【図３】第１レチクル洗浄部のアームの詳細を示す、第
１レチクル洗浄部の斜視図である。
１レチクル洗浄部の斜視図である。
【図４】界面活性剤処理部の構成を示す模式図である。
【図５】第２レチクル洗浄部の構成を示す模式図であ
る。
る。
【図６】イオナイザーの構成を示す模式図である。
【図７】従来のブラシ・スクライブ洗浄装置の構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図８】超音波洗浄装置の構成を示す模式図である。
【図９】ＩＰＡ乾燥装置の構成を示す模式図である。
１０……レチクル洗浄装置の実施例、１２……第１レチ
クル洗浄部、１４……界面活性剤処理部、１６……第２
レチクル洗浄部、１８……超音波洗浄部、２０……ＩＰ
Ａ乾燥部、２２……ノズル、２３……ノズル、２４……
第１洗浄槽、２６……アーム、３２……処理槽、３４…
…アーム、３６……ノズル、３７……ノズル、３８……
第２洗浄槽、４０……アーム、４２……イオナイザー、
４３……イオナイザー槽、４４……静電気除去機構、４
５……窒素ガス噴出機構、４６……噴出口、４８……フ
ィルタ部、４９……ノズル、５０……ブラシ・スクライ
ブ洗浄装置、５２……超音波洗浄装置、５４……ＩＰＡ
乾燥装置、５６……ノズル、５７……ノズル、５８……
ブラシ、６０……洗浄槽、６２……超音波発生器、６３
……ノズル、６４……ヒータ、６６……ＩＰＡ槽。
クル洗浄部、１４……界面活性剤処理部、１６……第２
レチクル洗浄部、１８……超音波洗浄部、２０……ＩＰ
Ａ乾燥部、２２……ノズル、２３……ノズル、２４……
第１洗浄槽、２６……アーム、３２……処理槽、３４…
…アーム、３６……ノズル、３７……ノズル、３８……
第２洗浄槽、４０……アーム、４２……イオナイザー、
４３……イオナイザー槽、４４……静電気除去機構、４
５……窒素ガス噴出機構、４６……噴出口、４８……フ
ィルタ部、４９……ノズル、５０……ブラシ・スクライ
ブ洗浄装置、５２……超音波洗浄装置、５４……ＩＰＡ
乾燥装置、５６……ノズル、５７……ノズル、５８……
ブラシ、６０……洗浄槽、６２……超音波発生器、６３
……ノズル、６４……ヒータ、６６……ＩＰＡ槽。
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体装置を製造する際に適用するフォ
トリソグラフィ用のレチクルの洗浄方法であって、
（１）レチクルに純水を噴射して洗浄する工程と、
（２）レチクルを界面活性剤溶液に浸漬する工程と、
（３）洗浄液、次いで純水をレチクルに噴射して洗浄す
る工程と、（４）純水中にレチクルを浸漬して超音波洗
浄を行う工程と、（５）ＩＰＡによる乾燥工程とを備え
ることを特徴とするレチクルの洗浄方法。 - 【請求項２】 （３）工程の洗浄液として、アンモニア
水を使用することを特徴とする請求項１に記載のレチク
ルの洗浄方法。 - 【請求項３】 （１）工程及び（３）工程では、純水又
は洗浄水を噴射するノズル間にレチクルを配置し、上下
方向にレチクルを動かしつつ洗浄するようにしたことを
特徴とする請求項１又は２に記載のレチクルの洗浄方
法。 - 【請求項４】 （１）工程で、純水の噴射に代えて、イ
オナイザーによりレチクルの静電気を除去しつつ、不活
性ガスを噴射してレチクルから異物を飛散させることを
特徴とする請求項１又は２に記載のレチクルの洗浄方
法。 - 【請求項５】 レチクル面をほぼ垂直にして、レチクル
を保持するアームと、レチクル面に純水を噴射するノズ
ルとを備えた、第１のレチクル洗浄部と、 界面活性剤溶液を収容する処理槽と、レチクルを保持し
て処理槽の界面活性剤溶液中に浸漬するアームとを備え
た、レチクルの界面活性剤処理部と、 レチクル面をほぼ垂直にして、レチクルを保持するアー
ムと、レチクル面に洗浄水を噴射する洗浄水ノズルと、
及び純水を噴射するために、洗浄水ノズルの上方に設け
られた純水ノズルとを備えた、第２のレチクル洗浄部
と、 純水を収容し、かつ超音波発生部を有して超音波洗浄を
行う超音波洗浄槽と、レチクルを保持して超音波洗浄槽
の純水中に浸漬するアームとを備えた、超音波洗浄部
と、 ＩＰＡを収容し、ヒータにより加熱してＩＰＡ蒸気を発
生し、ＩＰＡ蒸気によりレチクルを乾燥させる乾燥室
と、レチクルを保持して乾燥室内に送入するアームとを
備えた、ＩＰＡ乾燥部とを備えていることを特徴とする
レチクル洗浄装置。 - 【請求項６】 第１及び第２のレチクル洗浄部の保持ア
ームが、レチクルを保持して上下方向に動かす機構を備
えていることを特徴とする請求項５に記載のレチクルの
洗浄装置。 - 【請求項７】 第１のレチクル洗浄部に代えて、 レチクルを保持するアームと、 アームに保持されたレチクルのレチクル面に帯電した静
電気を中和する静電気除去機構と、 静電気除去機構の上方に設けられ、アームに保持された
レチクルに向け上方から清浄空気又は清浄不活性ガスを
噴射するノズルとを有する、イオナイザを備えているこ
とを特徴とする請求項５に記載のレチクルの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34150396A JPH10189526A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | レチクルの洗浄方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34150396A JPH10189526A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | レチクルの洗浄方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189526A true JPH10189526A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18346572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34150396A Pending JPH10189526A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | レチクルの洗浄方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189526A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007068A (ja) * | 1999-04-08 | 2001-01-12 | Applied Materials Inc | スピンリンスドライヤ |
| EP1793276A3 (en) * | 2005-12-02 | 2007-10-03 | ASML Netherlands B.V. | A method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
| CN105903713A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-31 | 嘉盛半导体(苏州)有限公司 | 半导体产品清洗方法及装置 |
| CN111346861A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 三星显示有限公司 | 掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统 |
| CN114690535A (zh) * | 2022-04-24 | 2022-07-01 | 成都高真科技有限公司 | 一种无膜皮的掩膜板装置 |
| CN118847601A (zh) * | 2024-07-30 | 2024-10-29 | 江苏福拉特自动化设备有限公司 | 一种基于掩膜版的清洗设备以及清洗方法 |
| CN119314914A (zh) * | 2024-12-17 | 2025-01-14 | 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司 | 一种用于对生产板深度清洗的装置 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34150396A patent/JPH10189526A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007068A (ja) * | 1999-04-08 | 2001-01-12 | Applied Materials Inc | スピンリンスドライヤ |
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| US10061207B2 (en) | 2005-12-02 | 2018-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
| CN105903713A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-31 | 嘉盛半导体(苏州)有限公司 | 半导体产品清洗方法及装置 |
| CN111346861A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 三星显示有限公司 | 掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统 |
| CN111346861B (zh) * | 2018-12-21 | 2023-09-22 | 三星显示有限公司 | 掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统 |
| CN114690535A (zh) * | 2022-04-24 | 2022-07-01 | 成都高真科技有限公司 | 一种无膜皮的掩膜板装置 |
| CN118847601A (zh) * | 2024-07-30 | 2024-10-29 | 江苏福拉特自动化设备有限公司 | 一种基于掩膜版的清洗设备以及清洗方法 |
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| CN119314914A (zh) * | 2024-12-17 | 2025-01-14 | 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司 | 一种用于对生产板深度清洗的装置 |
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