JPH03208301A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
- Publication number
- JPH03208301A JPH03208301A JP2003043A JP304390A JPH03208301A JP H03208301 A JPH03208301 A JP H03208301A JP 2003043 A JP2003043 A JP 2003043A JP 304390 A JP304390 A JP 304390A JP H03208301 A JPH03208301 A JP H03208301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- coefficient thermistor
- hole
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、定温ヒータ、過電流保護抵抗及び温度センサ
などに用いる正特性サーミスタに関する。
などに用いる正特性サーミスタに関する。
従来の技術
以下に従来の正特性サーミスタについて説明する。
第３図ａ及び同図すに示すように円板素子２及び角板素
子５の対向する両面にニッケル又は銀の電極３を形成し
た正特性サーミスタは、前記電極３にリード端子を半田
付けして、樹脂で覆ったり又は、バネ端子で保持してケ
ースに収納するなどの構成として使用される。
子５の対向する両面にニッケル又は銀の電極３を形成し
た正特性サーミスタは、前記電極３にリード端子を半田
付けして、樹脂で覆ったり又は、バネ端子で保持してケ
ースに収納するなどの構成として使用される。
このような正特性サーミスタは用途に応じてキュリー温
度、キュリー温度以下の抵抗値、キュリー温度以上での
温度係数並びに使用可能な最大電圧値及び最大電流値な
どの試験をする。使用可能な最大電圧値を試験するため
には、いわゆるフラッシュ耐圧試験をする。
度、キュリー温度以下の抵抗値、キュリー温度以上での
温度係数並びに使用可能な最大電圧値及び最大電流値な
どの試験をする。使用可能な最大電圧値を試験するため
には、いわゆるフラッシュ耐圧試験をする。
これは正特性サーミスタの電極間に定格電圧を超える一
定の高電圧を急激に印加することによって故障発生の有
無を試験するものである。
定の高電圧を急激に印加することによって故障発生の有
無を試験するものである。
発明が解決しようとする課題
このフラッシュ耐圧試験によって、第４図に示す素子の
中層部６（外枠付・・ツチングの部分）で発生する熱歪
によって素子の割れが発生するという問題点を有してい
た。これは正特性サーミスタが発熱していない状態にお
いて、高電圧が印加されると急激に大電流が流れ、素子
全体が発熱を開始するが、素子の両面は熱放散効率が高
いため、素子の厚み方向に温度勾配が生じこれにより素
子の中層部のみが急激に高温となり、その熱歪によって
中層部で破壊するものと考えられている。
中層部６（外枠付・・ツチングの部分）で発生する熱歪
によって素子の割れが発生するという問題点を有してい
た。これは正特性サーミスタが発熱していない状態にお
いて、高電圧が印加されると急激に大電流が流れ、素子
全体が発熱を開始するが、素子の両面は熱放散効率が高
いため、素子の厚み方向に温度勾配が生じこれにより素
子の中層部のみが急激に高温となり、その熱歪によって
中層部で破壊するものと考えられている。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、使用可能
な最大電圧を向上させて信頼性の高い正特性サーミスタ
を提供することを目的とする。
な最大電圧を向上させて信頼性の高い正特性サーミスタ
を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の正特性サーミスタは
板状素子の対向する面に２個所以上の貫通孔を設けた構
成とするものである。
板状素子の対向する面に２個所以上の貫通孔を設けた構
成とするものである。
作用
この構成によって、正特性サーミスタが発熱していない
状態において、高電圧が印加され、急激に電流が流れて
発熱しても放熱する周辺部が増大しているので熱放散が
犬きくなシ熱歪が軽減されるとともに発生した熱歪はこ
の貫通孔によって吸収緩和されることとなる。
状態において、高電圧が印加され、急激に電流が流れて
発熱しても放熱する周辺部が増大しているので熱放散が
犬きくなシ熱歪が軽減されるとともに発生した熱歪はこ
の貫通孔によって吸収緩和されることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について実施例及び比較例を示し
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
（実施例１）
第１図ａに示すように直径が２２ｊｒｌで厚みが２朋の
円板素子２の対向仕る両面に電極３を形成し、その中心
部に超音波ホーンを用いて直径が１０ｆｆｆｆの貫通孔
１を設けた正特性サーミスタのフラッシュ耐圧試験をし
た結果は、１６０’ｔｌ’の値を示した。
円板素子２の対向仕る両面に電極３を形成し、その中心
部に超音波ホーンを用いて直径が１０ｆｆｆｆの貫通孔
１を設けた正特性サーミスタのフラッシュ耐圧試験をし
た結果は、１６０’ｔｌ’の値を示した。
（実施例２〜実施例４）
実施例と比較例については厚み及び抵抗値が同一条件と
なるように外形寸法並びに貫通孔の直径及び個数を第１
表に示すように決定して正特性サーミスタを作成し、実
施例１と同様にフラッシュ耐圧試験をした結果を第１表
に示す。
なるように外形寸法並びに貫通孔の直径及び個数を第１
表に示すように決定して正特性サーミスタを作成し、実
施例１と同様にフラッシュ耐圧試験をした結果を第１表
に示す。
（比較例１〜比較例３）
実施例と厚み及び抵抗値が同一条件の従来例の正特性サ
ーミスタの外形寸法及びフラッシュ耐圧試験の結果を第
１表に併記する。
ーミスタの外形寸法及びフラッシュ耐圧試験の結果を第
１表に併記する。
（以 下 余 白）
第２図に示すようにこの効果の要因と考えられる分割さ
れた中層部４（外枠付ハツチングの部分）で発生する熱
歪の貫通孔１による熱放散効果と熱吸収緩和効果とのど
ちらの影響が大きいかは分析できていない。しかし、貫
通孔１が１個所のものは比較例３の細長い角板素子と同
程度のフラッシュ耐圧値で効果がないため請求範囲よシ
除外した。
れた中層部４（外枠付ハツチングの部分）で発生する熱
歪の貫通孔１による熱放散効果と熱吸収緩和効果とのど
ちらの影響が大きいかは分析できていない。しかし、貫
通孔１が１個所のものは比較例３の細長い角板素子と同
程度のフラッシュ耐圧値で効果がないため請求範囲よシ
除外した。
フラッシュ耐圧値は板状素子２の外形寸法に関係があシ
、外形寸法が大きくなると厚み方向の温度勾配だけでな
く、直径方向又は横方向の温度勾配による熱歪が影響す
るようになる。
、外形寸法が大きくなると厚み方向の温度勾配だけでな
く、直径方向又は横方向の温度勾配による熱歪が影響す
るようになる。
貫通孔１の直径が大きく、あるいは貫通孔１の数が増加
すると抵抗値を同じにするために板状素子２の外形寸法
が大きくなりその結果熱歪が増大し、フラッシュ耐圧値
が降下する。このために貫通孔１の大表面の総面積は板
状素子２の電極面積以下にする必要がある。
すると抵抗値を同じにするために板状素子２の外形寸法
が大きくなりその結果熱歪が増大し、フラッシュ耐圧値
が降下する。このために貫通孔１の大表面の総面積は板
状素子２の電極面積以下にする必要がある。
貫通孔１の形状は実施例１〜実施例４に示した円形のみ
ならず角形又はスリット形状でも良い。
ならず角形又はスリット形状でも良い。
また、貫通孔１の形成方法は正特性サーミスタ素子の焼
結前の成形体で形成してもよく、この場合は焼結後に、
レジストインキ等で貫通孔をマスキングして無電解二ソ
ケルメソキ又は銀電極の焼付で電極を形成する。
結前の成形体で形成してもよく、この場合は焼結後に、
レジストインキ等で貫通孔をマスキングして無電解二ソ
ケルメソキ又は銀電極の焼付で電極を形成する。
発明の効果
り、上の実施例の説明からも明らかなように、本発明は
、正特性サーミスタの板状素子に貫通孔を設けることに
より、フラッシュ耐圧値が向上する優れた正特性サーミ
スタを実現できるものである。
、正特性サーミスタの板状素子に貫通孔を設けることに
より、フラッシュ耐圧値が向上する優れた正特性サーミ
スタを実現できるものである。
第１図ａは本発明の実施例１における正特性サーミスタ
の構成を示す斜視図、同図すは実施例２の斜視図、同図
Ｃは実施例３の斜視図、第２図は本発明における板状素
子の中層部を示す断面図、第３図ａ及び同図すは従来の
正特性サーミスタの構成を示す斜視図、第４図は従来の
板状素子の中層部を示す断面図である。 １・・・貫通孔、２・・・板状素子、３・・・・・電極
。
の構成を示す斜視図、同図すは実施例２の斜視図、同図
Ｃは実施例３の斜視図、第２図は本発明における板状素
子の中層部を示す断面図、第３図ａ及び同図すは従来の
正特性サーミスタの構成を示す斜視図、第４図は従来の
板状素子の中層部を示す断面図である。 １・・・貫通孔、２・・・板状素子、３・・・・・電極
。
Claims (1)
- セラミックからなる板状素子に少なくとも２個所以上
の貫通孔を設けた正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003043A JPH03208301A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003043A JPH03208301A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 正特性サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208301A true JPH03208301A (ja) | 1991-09-11 |
Family
ID=11546286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003043A Pending JPH03208301A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03208301A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429766B1 (en) * | 2000-01-25 | 2002-08-06 | Abb Research Ltd. | Electrical device comprising a PTC polymer element for overcurrent fault and short-circuit fault protection |
| US7075408B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-07-11 | Murata Manufacturing Co, Ltd. | Laminate-type positive temperature coefficient thermistor |
| US20120121939A1 (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Protection circuit module including thermistor and secondary battery pack having the same |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2003043A patent/JPH03208301A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429766B1 (en) * | 2000-01-25 | 2002-08-06 | Abb Research Ltd. | Electrical device comprising a PTC polymer element for overcurrent fault and short-circuit fault protection |
| US7075408B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-07-11 | Murata Manufacturing Co, Ltd. | Laminate-type positive temperature coefficient thermistor |
| US20120121939A1 (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Protection circuit module including thermistor and secondary battery pack having the same |
| US8822051B2 (en) * | 2010-11-12 | 2014-09-02 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Protection circuit module including thermistor and secondary battery pack having the same |
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