JPH03208348A - 半導体素子の有無検出装置 - Google Patents
半導体素子の有無検出装置Info
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- JPH03208348A JPH03208348A JP306290A JP306290A JPH03208348A JP H03208348 A JPH03208348 A JP H03208348A JP 306290 A JP306290 A JP 306290A JP 306290 A JP306290 A JP 306290A JP H03208348 A JPH03208348 A JP H03208348A
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体製品の製造工程における半導体素子の有
無検出装置に関する。
無検出装置に関する。
従来の技術
従来、半導体製品の製造工程において、半導体素子の搬
送にはコレットと称する治具に真空吸着により装着しで
いるが、確実に吸着されたが否かの検出が必要である。
送にはコレットと称する治具に真空吸着により装着しで
いるが、確実に吸着されたが否かの検出が必要である。
従来の買手導体素子の有無検出は、半導体素子に光を当
て、その反射光を増幅し、有無判定電圧と比較し、半導
体素子の有無検出を行なうことがよ(行なわれている。
て、その反射光を増幅し、有無判定電圧と比較し、半導
体素子の有無検出を行なうことがよ(行なわれている。
第3図は従来例の半導体素子の有無検出装置のブロック
ダイヤグラムで、図によってその構成と動作を説明する
と、コレット1が半導体素子2を装着して投光器3と受
光素子4とからなる光電変換回路を通過する際、投光器
3から発した光がコレット1と半導体素子2で反射され
た光を受光素子4で信号に変換し、増幅回路5で増幅し
た信号を電圧比較器7に加え、有無判定電圧6と比較し
て有無判定結果を得る。
ダイヤグラムで、図によってその構成と動作を説明する
と、コレット1が半導体素子2を装着して投光器3と受
光素子4とからなる光電変換回路を通過する際、投光器
3から発した光がコレット1と半導体素子2で反射され
た光を受光素子4で信号に変換し、増幅回路5で増幅し
た信号を電圧比較器7に加え、有無判定電圧6と比較し
て有無判定結果を得る。
この反射光量と時間との関係を第2図a、bに示す。こ
のようにコレットに半導体素子の有無によって反射光量
も変化するが、コレットからも反射があり、検出結果は
微妙なものとなる。
のようにコレットに半導体素子の有無によって反射光量
も変化するが、コレットからも反射があり、検出結果は
微妙なものとなる。
発明が解決しようとする課題
このような従来の装置では、コレットの周辺部の形状に
よっては、コレットの周辺部の反射が半導体素子の反射
より大きくなり、反射の大小のみでの半導体素子の有無
検出を行なうことは困難であった。
よっては、コレットの周辺部の反射が半導体素子の反射
より大きくなり、反射の大小のみでの半導体素子の有無
検出を行なうことは困難であった。
本発明はこのような問題を解決しようとするもので、コ
レットの周辺部の反射が半導体素子より大きくなった場
合でも半導体素子の有無検出を可能にする半導体素子の
有無検出装置を提供するものである。
レットの周辺部の反射が半導体素子より大きくなった場
合でも半導体素子の有無検出を可能にする半導体素子の
有無検出装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、反射信号を、積分
器により積分する手段と、この積分出力を有無判定電圧
と比較する手段を備えてなる半導体素子の有無検出装置
の構成としたものである。
器により積分する手段と、この積分出力を有無判定電圧
と比較する手段を備えてなる半導体素子の有無検出装置
の構成としたものである。
作用
本発明は上記の構成により、半導体素子を吸着している
場合は積分器の特性から、積分出力はコレット周辺部の
反射量と半導体素子の反射量を積分したものとなり、半
導体素子を吸着していない場合の積分出力は、コレット
全体の反射量となり、半導体素子の有無による積分出力
の差は、コレット周辺部の反射量の影響を受けず、半導
体素子の有無による差のみとなり、積分出力を有無判定
電圧と比較することにより、半導体素子の有無を明確に
判定できる。
場合は積分器の特性から、積分出力はコレット周辺部の
反射量と半導体素子の反射量を積分したものとなり、半
導体素子を吸着していない場合の積分出力は、コレット
全体の反射量となり、半導体素子の有無による積分出力
の差は、コレット周辺部の反射量の影響を受けず、半導
体素子の有無による差のみとなり、積分出力を有無判定
電圧と比較することにより、半導体素子の有無を明確に
判定できる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を用いてその構成
と動作を説明する。第1図は本発明の半導体素子の有無
検出装置の一実施例を示すブロック図である。図に示す
ように半導体素子2を吸着したコレット1は、投光器3
と受光素子4で構成される光電変換回路を通過するよう
になっており、この通過する際の反射光は光電変換され
るようになっている。前記光電変換して得られる反射信
号51は増幅回路5で増幅され、出力端子に増幅信号5
2が出力される。増幅信号52は積分器8の入力信号8
1として入力され積分され、積分出力82を積分出力端
子に得る。電圧比較器7の入力端子71と72により、
積分出力82と有無判定電圧6aの出力61を入力して
比較し、出力端子73に半導体素子の有無判定結果出力
9を得る。
と動作を説明する。第1図は本発明の半導体素子の有無
検出装置の一実施例を示すブロック図である。図に示す
ように半導体素子2を吸着したコレット1は、投光器3
と受光素子4で構成される光電変換回路を通過するよう
になっており、この通過する際の反射光は光電変換され
るようになっている。前記光電変換して得られる反射信
号51は増幅回路5で増幅され、出力端子に増幅信号5
2が出力される。増幅信号52は積分器8の入力信号8
1として入力され積分され、積分出力82を積分出力端
子に得る。電圧比較器7の入力端子71と72により、
積分出力82と有無判定電圧6aの出力61を入力して
比較し、出力端子73に半導体素子の有無判定結果出力
9を得る。
第2図a、b、cに半導体素子が有りの場合と、無しの
場合の反射光量の差と積分出力の差を示す。
場合の反射光量の差と積分出力の差を示す。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らかなように、本発明によ
れば、検出電圧を増幅してそのまま判定電圧と比較する
のではなく、いったん積分した後に判定電圧と比較する
というきわめて簡易な手段で、コレット周辺部の反射量
の影響を相殺し、安定して半導体素子の有無検出を行な
うことが可能であり、実用的にきわめて有用である。
れば、検出電圧を増幅してそのまま判定電圧と比較する
のではなく、いったん積分した後に判定電圧と比較する
というきわめて簡易な手段で、コレット周辺部の反射量
の影響を相殺し、安定して半導体素子の有無検出を行な
うことが可能であり、実用的にきわめて有用である。
第1図は本発明一実施例の半導体素子の有無検出装置を
示すブロック図、第2図a、b、cは第1図に示す実施
例での波形図、第3図は従来の半導体素子の有無検出装
置のブロック図である。 1・・・・・・コレット、2・・・・・・半導体素子、
3・・・・・・投光器、4受光素子、5・・・・・・増
幅回路、51・・・・・・反射信号、6a・・・・・・
有無判定電圧、7・・・・・・電圧比較器、8・・・・
・・積分器、82・・・・・・積分出力、9有無判定結
果。 第2図
示すブロック図、第2図a、b、cは第1図に示す実施
例での波形図、第3図は従来の半導体素子の有無検出装
置のブロック図である。 1・・・・・・コレット、2・・・・・・半導体素子、
3・・・・・・投光器、4受光素子、5・・・・・・増
幅回路、51・・・・・・反射信号、6a・・・・・・
有無判定電圧、7・・・・・・電圧比較器、8・・・・
・・積分器、82・・・・・・積分出力、9有無判定結
果。 第2図
Claims (1)
- コレットに吸着された半導体素子へ投光する投光器と
前記半導体素子からの、反射光を受光して光電変換する
光電変換手段と、光電変換して得た信号を積分する手段
と、前記積分した信号を有無判定電圧と比較する手段よ
りなる半導体素子の有無検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP306290A JPH03208348A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 半導体素子の有無検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP306290A JPH03208348A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 半導体素子の有無検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208348A true JPH03208348A (ja) | 1991-09-11 |
Family
ID=11546841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP306290A Pending JPH03208348A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 半導体素子の有無検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03208348A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045803B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-05-16 | Asm Assembly Automation Ltd. | Missing die detection |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP306290A patent/JPH03208348A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045803B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-05-16 | Asm Assembly Automation Ltd. | Missing die detection |
| KR100671729B1 (ko) * | 2003-07-11 | 2007-01-22 | 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 | 누락 다이 검출 |
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