JPH03209734A - 半導体接続方法 - Google Patents

半導体接続方法

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JPH03209734A
JPH03209734A JP2004284A JP428490A JPH03209734A JP H03209734 A JPH03209734 A JP H03209734A JP 2004284 A JP2004284 A JP 2004284A JP 428490 A JP428490 A JP 428490A JP H03209734 A JPH03209734 A JP H03209734A
Authority
JP
Japan
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solder
bumps
preferable
spherical bodies
solder bumps
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004284A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Nagamura
猛 永村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
Japan Radio Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP2004284A priority Critical patent/JPH03209734A/ja
Publication of JPH03209734A publication Critical patent/JPH03209734A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、基板上の回路パターンと半導体素子を半田バ
ンプにより接続する場合に半田バンブ中に微小金属球体
を混入きせて接続する半導体の接続方法に関するもので
ある。
（従来の技術） 従来の半田バンブによる回路パターンとの接続構造の断
面図を第２図に示す。
図において１は基板、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄは回路パ
ターン、３ａ＋　３ｂ、３ｃ、３ｄは半田バンプ、５ａ
、５ｂ、５ｃ、５ｄはパッド、６は半導体素子を示す。
（発明か解決しようとする課題） 同図からも明らかのように、基板１と半導体素子６の間
隔は半田バンプ３ａ、３ｂ＋　３ｃ、３ｄの高ざに依存
する。しかし、半田バンプを溶融接続する際、バンプの
高ざが不均一となり接続が困難であったり、隣接するバ
ンプ同士が接触してしまう等、信頼性の高いバンプ接合
を得ることができなかった。そのため、このような手法
で実現可能なバンプ接続は、接続点数の少ない半導体素
子や隣接するバンプ同士の距離が十分に広い半導体素子
といった一部のものにしか適用できなかった。
（課題を解決するための手段） 本発明は、このような欠点を解決するため、半田バンブ
中に１個又は複数個の微小金属球体を混入きせることに
より、半導体素子と基板の間隔を一定に保持することで
前記の接続時の欠点をなくし、信頼性の高い半田バンプ
による接続の実現を目的とする。以下に本発明を図面に
より説明する。
（実施例） 第１ｍは本発明の実施例で１は基板２ａ＋　２ｂ。
２ｃ、２ｄは回路パターン、３　ａ　＊　３　ｂ　、３
　ｃ　＋３ｄは半田バンブ、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは
微小金属球体、５ａｌ　５ｂ、５ｃ、５ｄはパッド、６
は半導体素子を示し、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを除き第
２図と同一素子を付している。
図に示すように、半田バンブ３ａ〜３ｄ中に微小金属球
体４ａ〜４ｄを介在させることにより基板１と半導体素
子６間を一定に保持することができる。微小金属球体４
ａ〜４ｄとして効果的な材料は、錫との拡散現象にとも
なう半田食われに対して良好な耐性を示し、微小寸法間
隔に変化を生じ難く、かつ半田のヌレ性も良好な金属（
例えば銅、ニッケル等）が好ましい。接続は銅金属ボー
ル等酸化物形成にともなう寸法変化を抑止する酸化防止
の目的から還元性ガス、または不活性ガス中で半田溶融
することが有効で、還元性ガスとしては水素、不活性ガ
スとしてはア”ルゴンまたは窒素を使用すると良い。ま
た、この種のガス中で半田溶融を行わない場合は、フラ
ックスを用いて、半田や微小金属球体の酸化防止または
酸化膜除去を行うことが可能であるが、半田溶融後に十
分な洗浄を行い、フラックス及びその残渣等を完全に除
去しておく必要がある。
なお、面積の広いパッドを有する半導体素子をこの方法
により接続するときは、微小金属球体を半田バンブ中に
複数個存在きせることが可能である。実験においても、
重なり合っていた金属球体が半田溶融中に一層になり、
高き方向で重なり合うこともなく、基板と半導体素子の
間隔は、常に一定に保たれている。この現象は狭い間隔
域で、錫、鉛、共晶半田材料中へ微小金属球体を混入し
半田を溶融した際、溶融半田の表面張力により微小金属
球体が分散する効果によるものと考えられる。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、半田バンブ中に
微小金属球体を混入させることにより、バンブの高きを
均一に保持し、かつ溶融の際に起き易いバンブ同士のタ
ッチをなくすことで、接続点数の多い半導体素子や隣接
するバンブ同士の間隔が小ざい半導体素子の接続におい
て、信頼性の高い半田バンブを行うのに好適である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による実施例の断面図、第２図は従来の
半田バンブによる接続構造を示す断面図である。 １・・・基板、２ａ、２ｂ、２ｃ＋　２ｄ　”　”　”
回路パターン、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ・・・半田バン
プ、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ・・・微小金属球体、５ａ
、５ｂ、５ｃ、５ｄ　・”　・パッド、６・・・半導体
素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　回路パターンと半導体素子を半田バンプを用いて接続
    を行う際、該半田バンプ中に、微小金属球体を混入させ
    たことを特徴とする半導体接続方法。
JP2004284A 1990-01-11 1990-01-11 半導体接続方法 Pending JPH03209734A (ja)

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