JPH03210315A - 熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物Info
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- JPH03210315A JPH03210315A JP589990A JP589990A JPH03210315A JP H03210315 A JPH03210315 A JP H03210315A JP 589990 A JP589990 A JP 589990A JP 589990 A JP589990 A JP 589990A JP H03210315 A JPH03210315 A JP H03210315A
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- formylphenoxy
- methylolphenoxy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は耐熱性および難燃性の優れた新規な熱硬化性樹
脂組成物に関するものであり、さらに詳しくは特定構造
のシクロホスファゼン誘導体と２価以上の第一アミンと
を必須成分とする耐熱性および難燃性の優れた熱硬化性
樹脂組成物に関するものであって、本発明の組成物は電
気、電子部品の被覆用または電気絶縁用として特に有用
である。
脂組成物に関するものであり、さらに詳しくは特定構造
のシクロホスファゼン誘導体と２価以上の第一アミンと
を必須成分とする耐熱性および難燃性の優れた熱硬化性
樹脂組成物に関するものであって、本発明の組成物は電
気、電子部品の被覆用または電気絶縁用として特に有用
である。
（従来の技術）
近年、電気、電子分野、航空、車両等の輸送機械分野に
おいては機器の高性能化、小型軽量化に伴い耐熱性のよ
り優れた材料の開発が望まれている。
おいては機器の高性能化、小型軽量化に伴い耐熱性のよ
り優れた材料の開発が望まれている。
従来この分野においてはエポキシ樹脂、マレイミド樹脂
、ポリイミド樹脂等が用いられてきた。
、ポリイミド樹脂等が用いられてきた。
しかし、エポキシ樹脂は機械的特性、電気的特性に優れ
ているが耐熱性が必ずしも充分ではない。
ているが耐熱性が必ずしも充分ではない。
Ｎ、 Ｎ’ −４、４’ −ジフェニルメタンビスマレ
イミドで代表されるマレイミド樹脂は、付加重合型であ
るため、硬化時にボイドの発生もなく、また耐熱性も良
好であるが、ビスマレイミド化合物を溶解する際、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の
極性の高い特殊な溶媒が必要であり、衛生上、経済上に
も問題がある。
イミドで代表されるマレイミド樹脂は、付加重合型であ
るため、硬化時にボイドの発生もなく、また耐熱性も良
好であるが、ビスマレイミド化合物を溶解する際、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の
極性の高い特殊な溶媒が必要であり、衛生上、経済上に
も問題がある。
一方、ポリイミド樹脂では、最近可溶性のものが各種提
案されているが、一般に溶解性の高いものほど耐熱性が
劣る傾向にある。
案されているが、一般に溶解性の高いものほど耐熱性が
劣る傾向にある。
またこれらマレイミド樹脂およびポリイミド樹脂は何れ
も硬化反応の際、２５０〜３５０Ｃの様な高温で、しか
も長時間熱処即しないと反応が完結せず、目的とする性
能が発揮されないという欠点を有している。
も硬化反応の際、２５０〜３５０Ｃの様な高温で、しか
も長時間熱処即しないと反応が完結せず、目的とする性
能が発揮されないという欠点を有している。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は比較的穏和な熱処理条件で、上記マレイ
ミド樹脂、ポリイミド樹脂と同等、またはそれ以上の耐
熱性および難燃性を有する、電気、電子部品の被覆用ま
たは電気絶縁用に特に適したシクロホスファゼン誘導体
および２価以上の第一アミン系の熱硬化性樹脂組成物の
提供にある。
ミド樹脂、ポリイミド樹脂と同等、またはそれ以上の耐
熱性および難燃性を有する、電気、電子部品の被覆用ま
たは電気絶縁用に特に適したシクロホスファゼン誘導体
および２価以上の第一アミン系の熱硬化性樹脂組成物の
提供にある。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、各種シクロホスファゼン誘導体および第
一アミンをぼ分とする樹脂組成物の特性について種々検
討してきた。そしてシクロホスファゼン誘導体としてホ
ルミルフェノキシ基を有する特定構造のシクロホスファ
ゼン誘導体を用いると、その組成物は室温ないし２５０
Ｃの温度で硬化し、耐熱性および難燃性の優れた樹脂が
得られることを既に提案した（特願昭６３−１７４４１
０号、以下光発明と記す）。
一アミンをぼ分とする樹脂組成物の特性について種々検
討してきた。そしてシクロホスファゼン誘導体としてホ
ルミルフェノキシ基を有する特定構造のシクロホスファ
ゼン誘導体を用いると、その組成物は室温ないし２５０
Ｃの温度で硬化し、耐熱性および難燃性の優れた樹脂が
得られることを既に提案した（特願昭６３−１７４４１
０号、以下光発明と記す）。
その後、さらに検討を１ねた結果、ホルミルフェノキシ
基の一部をメチロールフェノキシ基に代えたシクロホス
ファゼン誘導体、すなわちホルミルフェノキシ基および
メチロールフェノキシ基を含有する％定構造のホスファ
ゼン誘導体と第一アミンを組み合わせると、上記先発明
で提案したと同様に、穏和な条件で硬化反応が完結１−
１その硬化物は先発明の組成物の硬化物と同等本しくは
それ以上に優れた耐熱性と難燃性を有するとともに、先
発明の組成物の硬化物より密着性に優れ、電気、電子部
品の被覆材オたは絶縁材などとして適していることを見
いだｔ２て、本発明を完成し、た。
基の一部をメチロールフェノキシ基に代えたシクロホス
ファゼン誘導体、すなわちホルミルフェノキシ基および
メチロールフェノキシ基を含有する％定構造のホスファ
ゼン誘導体と第一アミンを組み合わせると、上記先発明
で提案したと同様に、穏和な条件で硬化反応が完結１−
１その硬化物は先発明の組成物の硬化物と同等本しくは
それ以上に優れた耐熱性と難燃性を有するとともに、先
発明の組成物の硬化物より密着性に優れ、電気、電子部
品の被覆材オたは絶縁材などとして適していることを見
いだｔ２て、本発明を完成し、た。
すなわち、本発明の要旨ｉ−ｈ、下記の一般式（Ｉ）で
表されるホルミルフェノキシ基およびメチロールフェノ
キシ基を含有するシクロホスファゼン誘導体； （り （ただし、ｎ ＝ ３または４、ｐ ＋ｑ ＝ ２、ｐ
＞ ０゜ｑ＞０１ｐｎおよびｑｎは正の整数であって
、ホルミル基およびメチロール基はベンゼン環のオルソ
、メタ、パラのいずれに位置してもよい。）またはこれ
らと一般式（ＩＩ）で表されるホルミルフェノキシシク
ロホスファゼン誘導体； （ただし、１１−３または４であって、ホルミル基はベ
ンゼン環のオルソ、メタ、パラのいずれに位置してもよ
い。） との混合物であって、ホルミルフェノキシ基およびメチ
ロールフェノキシ基の含有モル比が３０＝７０ないし９
８：２（ホルミルフェノキシ基：メチロールフェノキシ
基）である第一成分と、２価以Ｅの第一アミンである第
二成分とを必須成分とすることを特徴とする熱硬化性樹
脂組成物にある。
表されるホルミルフェノキシ基およびメチロールフェノ
キシ基を含有するシクロホスファゼン誘導体； （り （ただし、ｎ ＝ ３または４、ｐ ＋ｑ ＝ ２、ｐ
＞ ０゜ｑ＞０１ｐｎおよびｑｎは正の整数であって
、ホルミル基およびメチロール基はベンゼン環のオルソ
、メタ、パラのいずれに位置してもよい。）またはこれ
らと一般式（ＩＩ）で表されるホルミルフェノキシシク
ロホスファゼン誘導体； （ただし、１１−３または４であって、ホルミル基はベ
ンゼン環のオルソ、メタ、パラのいずれに位置してもよ
い。） との混合物であって、ホルミルフェノキシ基およびメチ
ロールフェノキシ基の含有モル比が３０＝７０ないし９
８：２（ホルミルフェノキシ基：メチロールフェノキシ
基）である第一成分と、２価以Ｅの第一アミンである第
二成分とを必須成分とすることを特徴とする熱硬化性樹
脂組成物にある。
本発明に於いて使用される上記第一成分のうち、一般式
（１）で表されるホルミルフェノキシ基およびメチロー
ルフェノキシ基を含有するシクロホスファゼン誘導体は
、０−ｌｍ−またはｐ−（ホルミルフェノキシ−メチロ
ールフェノキシ）シクロトリホスファゼン、ｏ −ｍ−
またはｐ−（ホルミルフェノキシ−メチロールフェノキ
シ）シクロテトラホスファゼンであり、それらは、第一
成分の他の任意的構成成分である一般式（ＩＩ）で表さ
れたホルミルフェノキシシクロホスファゼン誘導体を、
適当な遷元剤（たとえば水素化はう素ナトリウム、水素
化リチウムアルミニウムなど）で、ホルミル基の一部を
メチロール基に還元することによって容易に得られる。
（１）で表されるホルミルフェノキシ基およびメチロー
ルフェノキシ基を含有するシクロホスファゼン誘導体は
、０−ｌｍ−またはｐ−（ホルミルフェノキシ−メチロ
ールフェノキシ）シクロトリホスファゼン、ｏ −ｍ−
またはｐ−（ホルミルフェノキシ−メチロールフェノキ
シ）シクロテトラホスファゼンであり、それらは、第一
成分の他の任意的構成成分である一般式（ＩＩ）で表さ
れたホルミルフェノキシシクロホスファゼン誘導体を、
適当な遷元剤（たとえば水素化はう素ナトリウム、水素
化リチウムアルミニウムなど）で、ホルミル基の一部を
メチロール基に還元することによって容易に得られる。
また、ヒドロキシベンズアルデヒドとヒドロキシベンジ
ルアルコールトノ混合物に塩化シクロトリまたはテトラ
ホスファゼンを反応させても得ることができる。
ルアルコールトノ混合物に塩化シクロトリまたはテトラ
ホスファゼンを反応させても得ることができる。
上記の一般式（ＩＩ）で表されるホルミルフェノキシシ
クロホスファゼン誘導体は、ｏ−ｍ−４たはｐ−（ホル
ミルフェノキシ）シクロトリホスファゼン、０− ｍ−
またはｐ−（ホルミルフェノキシ）シクロテトラホスフ
ァゼンである。これらの化合物は、ヘキサクロロシクロ
トリホスファゼンまたはオクタクロロシクロテトラホス
ファゼントヒドロキシペンズアルデヒドを反応させるこ
とにより得ることができる。
クロホスファゼン誘導体は、ｏ−ｍ−４たはｐ−（ホル
ミルフェノキシ）シクロトリホスファゼン、０− ｍ−
またはｐ−（ホルミルフェノキシ）シクロテトラホスフ
ァゼンである。これらの化合物は、ヘキサクロロシクロ
トリホスファゼンまたはオクタクロロシクロテトラホス
ファゼントヒドロキシペンズアルデヒドを反応させるこ
とにより得ることができる。
本発明において使用される第一成分は、上記のような一
般式（１）で表されるホルミルフェノキシ基およびメチ
ロールフェノキシ基を有するシクロホスファゼン誘導体
を単独であるいは混合物として用い、あるいはそれにさ
らに上記のような一般式（ｔｌ）で表されるホルミルフ
ェノキシシクロホスファゼン誘導体を加えて、ホルミル
フェノキシ基とメチロールフェノキシ基の割合がモル比
で３０ニア０〜９８：２、好ましくは５０：５０〜９５
：５（ホルミルフェノキシ基：メチロールフェノキシ基
）となるよう調整されたものである。
般式（１）で表されるホルミルフェノキシ基およびメチ
ロールフェノキシ基を有するシクロホスファゼン誘導体
を単独であるいは混合物として用い、あるいはそれにさ
らに上記のような一般式（ｔｌ）で表されるホルミルフ
ェノキシシクロホスファゼン誘導体を加えて、ホルミル
フェノキシ基とメチロールフェノキシ基の割合がモル比
で３０ニア０〜９８：２、好ましくは５０：５０〜９５
：５（ホルミルフェノキシ基：メチロールフェノキシ基
）となるよう調整されたものである。
また第二成分である２価以上の第一アミンとしては第一
ジアミンまたは第一ポリアミンがあげられ、それらの代
表的なものとして、フェニレンジアミン、ジアミノジフ
ェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノ
ジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルスルフィド、
トリレンジアミン、キシリレンジアミン、ジアミノベン
ゾフェノン、ジアミノフルオレン、ジアミノフルオレノ
ン、ジアミノアントラキノン、ジアミノビフェニル、ジ
アミノナフタレン、アルキルジアミノビフヱニル、アル
キルジアミノフルオレン、トリアミノベンゼン、トリア
ミノビフェニル、テトラアミノビフェニル、ジアミノピ
リジン、ジアミノピラジン、ジアミノトリアジン、トリ
アミノトリアジン、ジアミノキノリン等芳香族またはヘ
テロ環アミン類等があげられ、中でもｏ −１ｍ−また
はｐ−フェニレンジアミン、 ４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン、４．４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４゜４′−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−キシ
リレンジアミン、トリレン−２，４−ジアミン、０−ト
リジン、２．６−ジアミツピリジン、１，５−ジアミノ
アントラキノン、および３，３′−ジアミノベンジジン
等が好ましいが、これらに限定されない。
ジアミンまたは第一ポリアミンがあげられ、それらの代
表的なものとして、フェニレンジアミン、ジアミノジフ
ェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノ
ジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルスルフィド、
トリレンジアミン、キシリレンジアミン、ジアミノベン
ゾフェノン、ジアミノフルオレン、ジアミノフルオレノ
ン、ジアミノアントラキノン、ジアミノビフェニル、ジ
アミノナフタレン、アルキルジアミノビフヱニル、アル
キルジアミノフルオレン、トリアミノベンゼン、トリア
ミノビフェニル、テトラアミノビフェニル、ジアミノピ
リジン、ジアミノピラジン、ジアミノトリアジン、トリ
アミノトリアジン、ジアミノキノリン等芳香族またはヘ
テロ環アミン類等があげられ、中でもｏ −１ｍ−また
はｐ−フェニレンジアミン、 ４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン、４．４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４゜４′−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−キシ
リレンジアミン、トリレン−２，４−ジアミン、０−ト
リジン、２．６−ジアミツピリジン、１，５−ジアミノ
アントラキノン、および３，３′−ジアミノベンジジン
等が好ましいが、これらに限定されない。
第一成分と第二成分との混合割合は、ホルミル基および
アミノ基の官能基基準で、０．５〜２．０（’−ＣＨ０
／−ＮＨ２）が適当であり、好ましくは０．８〜１．２
である。
アミノ基の官能基基準で、０．５〜２．０（’−ＣＨ０
／−ＮＨ２）が適当であり、好ましくは０．８〜１．２
である。
第一成分のシクロホスファゼン誘導体と第二成分の第一
アミンを反応させる際、使用する溶媒としては、これら
がいずれも溶解する溶媒、たとえばエーテル類、ケトン
類、エステル類、ハロゲン化炭化水素等汎用溶媒の使用
が可能である。もちろん、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等極性の高い特殊な溶媒の使
用も可能である。
アミンを反応させる際、使用する溶媒としては、これら
がいずれも溶解する溶媒、たとえばエーテル類、ケトン
類、エステル類、ハロゲン化炭化水素等汎用溶媒の使用
が可能である。もちろん、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等極性の高い特殊な溶媒の使
用も可能である。
本発明の樹脂組成物の硬化反応は室温でも容易に進行す
るが、反応を完結させるため、５０〜２５０Ｃ，好まし
くは１５０〜２５０Ｃで１分〜２０時間加熱するのが適
当である。
るが、反応を完結させるため、５０〜２５０Ｃ，好まし
くは１５０〜２５０Ｃで１分〜２０時間加熱するのが適
当である。
（発明の効果）
本発明の組成物は、汎用溶媒に可溶性で、比較的穏和な
条件で硬化反応が完結し、その硬化物は耐熱性、難燃性
および電気的性質に優れ、金属、ガラス等に対しても強
い密着性を有し、かつ熱分解開始温度も３５０Ｃ以上、
場合によっては５００Ｃ以上のような、極めて高い熱安
定性を示す硬化物を与えるものである。
条件で硬化反応が完結し、その硬化物は耐熱性、難燃性
および電気的性質に優れ、金属、ガラス等に対しても強
い密着性を有し、かつ熱分解開始温度も３５０Ｃ以上、
場合によっては５００Ｃ以上のような、極めて高い熱安
定性を示す硬化物を与えるものである。
（実施例）
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、
これらによって本発明が限定されるものではない。
これらによって本発明が限定されるものではない。
なお密着性の評価にはＪＩＳ Ｋ ５４００の基盤目試
験を用いた。
験を用いた。
実施例１
１）ｐ−（ホルミルフェノキシーメ千ロールフェノキシ
）シクロトリホスファゼンの合成ｐ−（ホルミルフェノ
キシ）シクロトリホスファゼン５０？を３００＋＋＋Ａ
’のテトラヒドロフランに溶解し、それに攪拌下、室温
で１１？の水素化はう素ナトリウムを加えた。３ （＞
ｍｌのメタノールを加え、その！！ま室温下で１２時
間攪拌を続けた。
）シクロトリホスファゼンの合成ｐ−（ホルミルフェノ
キシ）シクロトリホスファゼン５０？を３００＋＋＋Ａ
’のテトラヒドロフランに溶解し、それに攪拌下、室温
で１１？の水素化はう素ナトリウムを加えた。３ （＞
ｍｌのメタノールを加え、その！！ま室温下で１２時
間攪拌を続けた。
その後、塩酸を加えて内容物を中和１．、分離１−だ固
形物を水で充分洗浄した後、真空乾燥したところ目的物
が得られた。
形物を水で充分洗浄した後、真空乾燥したところ目的物
が得られた。
Ｎ Ｍ Ｒ分析の結果、平均組成としてホルミルフェノ
キ７基７６係およびメチロールフェノキシ基２４％から
成るｐ−（ホルミルフェノキシ−メチロールフェノキシ
）シクロトリホスファゼンであることがわかった。
キ７基７６係およびメチロールフェノキシ基２４％から
成るｐ−（ホルミルフェノキシ−メチロールフェノキシ
）シクロトリホスファゼンであることがわかった。
２）硬化反応：
上記１）で合成（、たｐ−（ホルミルフェノキシ−メチ
ロールフェノキシ）シクロトリホスファゼン２８８Ｐを
８０１ｙＩｌのジオキサンに溶解した（溶とする）。
ロールフェノキシ）シクロトリホスファゼン２８８Ｐを
８０１ｙＩｌのジオキサンに溶解した（溶とする）。
溶液Ａおよび溶液Ｂを室温で混合した後、それを直ちに
アルミニウム板上に均一に塗布し、室温下で溶媒をゆっ
くり蒸発させた。つぎにそれを８０Ｃで１時間、続いて
２００Ｃで６時間熱処理したところ、容易に剥すことが
できない塗膜が得られた。なおその膜厚は約８０μｍで
あり、基盤目試験の評価点は１０であった。
アルミニウム板上に均一に塗布し、室温下で溶媒をゆっ
くり蒸発させた。つぎにそれを８０Ｃで１時間、続いて
２００Ｃで６時間熱処理したところ、容易に剥すことが
できない塗膜が得られた。なおその膜厚は約８０μｍで
あり、基盤目試験の評価点は１０であった。
このものについて電気的性質を測定したところ、表面抵
抗率（ρｓ） １．５ Ｘ １０１５（Ω）、体積抵抗
率（ρｖ） １．４ ｘ １０’５ （Ωφ百）（いず
れも１００ｖＤ、 Ｃ１１分値）、絶縁破壊強さ６３
（ｋｖ／ｗ）（２５ｍ（２５平板、測定値４．２〜６．
０ｋｖ、昇圧速度０．５ｋｖ／５ｅｃ）であった。
抗率（ρｓ） １．５ Ｘ １０１５（Ω）、体積抵抗
率（ρｖ） １．４ ｘ １０’５ （Ωφ百）（いず
れも１００ｖＤ、 Ｃ１１分値）、絶縁破壊強さ６３
（ｋｖ／ｗ）（２５ｍ（２５平板、測定値４．２〜６．
０ｋｖ、昇圧速度０．５ｋｖ／５ｅｃ）であった。
実施例２
実施例１−２）において、溶液Ａおよび溶液Ｂとの混合
溶液をアルミニウム板上に塗布する代わりに、少１の離
型剤をぬったガラス板上に少し厚めに塗布し、同様の後
処坤を施して得られた硬化物／ガラス板を水中に漬け、
硬化物の薄膜をピンセットで注意深く剥し取り、それを
真空乾燥ｌ−た。
溶液をアルミニウム板上に塗布する代わりに、少１の離
型剤をぬったガラス板上に少し厚めに塗布し、同様の後
処坤を施して得られた硬化物／ガラス板を水中に漬け、
硬化物の薄膜をピンセットで注意深く剥し取り、それを
真空乾燥ｌ−た。
この様にして得られた厚さ約３００μｍの薄膜について
、熱的性質を測定した。
、熱的性質を測定した。
ＴＭＡ法で測定した収縮温度は２８８Ｃ，また線膨張係
数は８．５５Ｘ１０（１／Ｃ）（１０（１〜２５０Ｃの
平均値）であった。
数は８．５５Ｘ１０（１／Ｃ）（１０（１〜２５０Ｃの
平均値）であった。
一方、ＴＧＡ法で加熱減嬢を測定したところ（空気中、
昇温速度：１ｏ’ｃ／＝）、分解開始温度、１０％、２
０％、３０係、４０係および５０係減量を示す温度は、
それぞれ５３０．５６０．７００．７８０．８１０およ
び８４０ｔｌ’であった。すなわちこの硬化物は極めて
高い熱安定性を示すことがわかった。
昇温速度：１ｏ’ｃ／＝）、分解開始温度、１０％、２
０％、３０係、４０係および５０係減量を示す温度は、
それぞれ５３０．５６０．７００．７８０．８１０およ
び８４０ｔｌ’であった。すなわちこの硬化物は極めて
高い熱安定性を示すことがわかった。
実施例３
実施例２と同様の方法で得られた厚さ７０μｍの薄膜に
ついて、その吸水率（Ｅ−２４１５０、Ｄ−２４／２３
）を刈１定したところ、２．６係であった。
ついて、その吸水率（Ｅ−２４１５０、Ｄ−２４／２３
）を刈１定したところ、２．６係であった。
実施例４
実施例】−１）において、１．１？の水素化φ１う素ナ
トリウムの代わりしｒ、０４？の水素化はう素ナトリウ
ムを用いる以外は、同様な操作を繰り返し、平均組成と
して、ホルミルフェノキシ基９２％およびメチロールフ
ェノキシ基８％からなる、ｐ−（ポルミルフェノキシ）
シクロトリホスファゼン／ｐ−（ホルミルフェノキン−
メチロールフェノキシ）シクロトリホスファゼン混合物
を得た。
トリウムの代わりしｒ、０４？の水素化はう素ナトリウ
ムを用いる以外は、同様な操作を繰り返し、平均組成と
して、ホルミルフェノキシ基９２％およびメチロールフ
ェノキシ基８％からなる、ｐ−（ポルミルフェノキシ）
シクロトリホスファゼン／ｐ−（ホルミルフェノキン−
メチロールフェノキシ）シクロトリホスファゼン混合物
を得た。
つぎに上記の混合物１０１を含むジオキサン溶液３０ｍ
／と、４．４’−ジアミノジフェニルメタン６．９Ｆを
含むジオキサン溶液３０ｍ１を室温で混合し、ただちに
それをアルミニウム板上に塗布し、室温で溶媒を蒸発さ
せた後、１５０Ｃで１時間、続いて２００Ｃで１時間加
熱処理して密着性の良好な硬化物（厚さ約１００μｍ）
／アルミニウム板を得た。基盤目試験の評価点は１０で
あった。また、表面抵抗率は１．０Ｘ１０１５（Ω）、
体積抵抗率は３．ｌＸ１０１６（Ω・ｃｒｎ）であった
。
／と、４．４’−ジアミノジフェニルメタン６．９Ｆを
含むジオキサン溶液３０ｍ１を室温で混合し、ただちに
それをアルミニウム板上に塗布し、室温で溶媒を蒸発さ
せた後、１５０Ｃで１時間、続いて２００Ｃで１時間加
熱処理して密着性の良好な硬化物（厚さ約１００μｍ）
／アルミニウム板を得た。基盤目試験の評価点は１０で
あった。また、表面抵抗率は１．０Ｘ１０１５（Ω）、
体積抵抗率は３．ｌＸ１０１６（Ω・ｃｒｎ）であった
。
上記のシクロトリホスファゼン混合物１０Ｆを含むジオ
キサン溶液３０ｍ／と、４．４’−ジアミノジフェニル
メタン６９？を含むジオキサン溶液３０ｍ１を室温で混
合し、それを少量の離型剤をぬったガラス板上に塗布し
、室温で溶媒を蒸発させた後、１５０Ｃで１時間、続い
て２００Ｃで１時間加熱処理して得られた硬化物／ガラ
ス板より、厚さ約５０μｍの薄膜をはぎ取った。
キサン溶液３０ｍ／と、４．４’−ジアミノジフェニル
メタン６９？を含むジオキサン溶液３０ｍ１を室温で混
合し、それを少量の離型剤をぬったガラス板上に塗布し
、室温で溶媒を蒸発させた後、１５０Ｃで１時間、続い
て２００Ｃで１時間加熱処理して得られた硬化物／ガラ
ス板より、厚さ約５０μｍの薄膜をはぎ取った。
この薄膜の熱的性質を調べたところ、収縮温度３１０Ｃ
１線膨張係数５．０Ｘ１０ （］／Ｃ）（２ｓ〜２５
０Ｃの平均値）であった。またこの薄膜の吸水率（Ｅ−
２４１５０、Ｄ−２４／２３ ）は１．８係であった。
１線膨張係数５．０Ｘ１０ （］／Ｃ）（２ｓ〜２５
０Ｃの平均値）であった。またこの薄膜の吸水率（Ｅ−
２４１５０、Ｄ−２４／２３ ）は１．８係であった。
実施例５
１）ｍ−（ホルミルフェノキシ−メチロールフェノキシ
）シクロテトラホスファゼンの合成： 実施例１−１）において、ｐ−（ホルミルフェノキシ）
シクロトリホスファゼン５０５４の代わｈに、ｍ−（ホ
ルミルフェノキシ）シクロテトラホスファゼン５ｏｆＰ
を使用し、１．１？の水素化はう素ナトリウムの代わり
に、２．０？の水素化はう素ナトリウムを使用する以外
は、実施例１−１）と全く同じ操作を繰り返したところ
、平均組成としてホルミルフェノキシ基５２％およびメ
チロールフェノキシ基４８％からなるｍ−（ホルミルフ
ェノキシ−メチロールフェノキシ）シクロテトラホスフ
ァゼンが得られた。
）シクロテトラホスファゼンの合成： 実施例１−１）において、ｐ−（ホルミルフェノキシ）
シクロトリホスファゼン５０５４の代わｈに、ｍ−（ホ
ルミルフェノキシ）シクロテトラホスファゼン５ｏｆＰ
を使用し、１．１？の水素化はう素ナトリウムの代わり
に、２．０？の水素化はう素ナトリウムを使用する以外
は、実施例１−１）と全く同じ操作を繰り返したところ
、平均組成としてホルミルフェノキシ基５２％およびメ
チロールフェノキシ基４８％からなるｍ−（ホルミルフ
ェノキシ−メチロールフェノキシ）シクロテトラホスフ
ァゼンが得られた。
２）硬化反応：
上記で合放り、たｍ−（ポルミルフェノキシ−メチロー
ルフェノキシ）シクロテトラホスファゼン２８．９Ｐを
含むテトラヒドロフラン／モノクロルベンゼン（容量比
で１／１）混合溶液ＩＱＱｍＡ！と、ｐ−フェニレンジ
アミン５．５１を含むテトラヒドロンラン／モノクロル
ベンゼン混合浴１５０ｍ／を室温で混合し、それをアル
ミニウム板上に塗布し、室温で溶媒を蒸発させた後、１
５０Ｃで１時間、続いて２２０Ｃで１時間加熱処理して
硬化物（厚さ約８０μｍ）／アルミニウム板を得た。硬
化物はアルミニウム板に強固に密着し、容易に剥すこと
ができず、基盤目試験の評価点は１０であった。
ルフェノキシ）シクロテトラホスファゼン２８．９Ｐを
含むテトラヒドロフラン／モノクロルベンゼン（容量比
で１／１）混合溶液ＩＱＱｍＡ！と、ｐ−フェニレンジ
アミン５．５１を含むテトラヒドロンラン／モノクロル
ベンゼン混合浴１５０ｍ／を室温で混合し、それをアル
ミニウム板上に塗布し、室温で溶媒を蒸発させた後、１
５０Ｃで１時間、続いて２２０Ｃで１時間加熱処理して
硬化物（厚さ約８０μｍ）／アルミニウム板を得た。硬
化物はアルミニウム板に強固に密着し、容易に剥すこと
ができず、基盤目試験の評価点は１０であった。
また、表面抵抗率は２．３Ｘ１０１５（Ω）、体積抵抗
率は１．９Ｘ１０１６（Ω・閏）であったっ実施例６ 実施例５−２）において、混合溶液をアルミニウム板上
に塗布する代わりに、少量の離型剤をぬつたガラス板上
に塗布し、同様の後処理を施して得られた厚さ約２４０
μｍの薄膜について、熱的性質を測定した。
率は１．９Ｘ１０１６（Ω・閏）であったっ実施例６ 実施例５−２）において、混合溶液をアルミニウム板上
に塗布する代わりに、少量の離型剤をぬつたガラス板上
に塗布し、同様の後処理を施して得られた厚さ約２４０
μｍの薄膜について、熱的性質を測定した。
ＴＭＡ法で測定した収縮漏曳は２９０Ｃで、線膨張係数
は４．Ｉ Ｘ １０−” （１／’Ｃ） ＜２５〜２５
０Ｃの平均値）であった。
は４．Ｉ Ｘ １０−” （１／’Ｃ） ＜２５〜２５
０Ｃの平均値）であった。
特許用ＩＡｆ＋人 丸善石油化学株式会社手
続
補
正
書
平成
２年
２月λ乙日
平成２年特許願第５８９９号
２、発明の名称
熱硬化性樹脂組成物
３゜
補正をする者
事件との関係
Claims (5)
- （１）下記の一般式（ I ）で表されるホルミルフェノ
キシ基およびメチロールフェノキシ基を 含有するシクロホスファゼン誘導体； ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） （ただし、ｎ＝３または４、ｐ＋ｑ＝２、ｐ＞０、ｑ＞
０、ｐｎおよびｑｎは正の整数であって、ホルミル基お
よびメチロール基はベンゼン環のオルソ、メタ、パラの
いずれに位置してもよい。）またはこれらと一般式（I
I）で表されるホルミルフェノキシシクロホスファゼン
誘導体： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、ｎ＝３または４であって、ホルミル基はベン
ゼン環のオルソ、メタ、パラのいずれに位置してもよい
。） との混合物であって、ホルミルフェノキシ基およびメチ
ロールフェノキシ基の含有モル比が３０：７０〜９８：
２（ホルミルフェノキシ基：メチロールフェノキシ基）
である第一成分と、２価以上の第一アミンである第二成
分とを必須成分とすることを特徴とする熱硬化性樹脂組
成物。 - （２）第一成分のシクロホスファゼン誘導体においてホ
ルミルフェノキシ基およびメチロールフェノキシ基の含
有モル比が５０：５０〜９５：５（ホルミルフェノキシ
基：メチロールフェノキシ基）である請求項１に記載の
熱硬化性樹脂組成物。 - （３）第二成分である２価以上の第一アミンがｏ−、ｍ
−またはｐ−フェニレンジアミン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−キ
シリレンジアミン、トリレン−２，４−ジアミン、ｏ−
トリジンおよび２，６−ジアミノピリジンから成る群か
ら選ばれた芳香族ジアミンまたはヘテロ環ジアミンであ
る請求項１または２記載の熱硬化性樹脂組成物。 - （４）第一成分と第二成分との混合割合がホルミル基お
よびアミノ基の官能基基準で、０．５〜２．０（−ＣＨ
Ｏ／−ＮＨ＿２）である請求項１ないし３のいずれかに
記載の熱硬化性樹脂組成物。 - （５）電子、電気部品の被覆用または電気絶縁用である
請求項１ないし４のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP589990A JPH03210315A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 熱硬化性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP589990A JPH03210315A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 熱硬化性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210315A true JPH03210315A (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=11623742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP589990A Pending JPH03210315A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 熱硬化性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03210315A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487428A (en) * | 1993-06-23 | 1996-01-30 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Straight-ahead traveling control system for a bulldozer |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP589990A patent/JPH03210315A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487428A (en) * | 1993-06-23 | 1996-01-30 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Straight-ahead traveling control system for a bulldozer |
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