JPH03210789A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はキャラクタやグラフィック等の表示に用いる
薄膜ＥＬ素子に関するものであり、更に詳しくは、薄膜
ＥＬ素子の外部導出端子電極の構造に関するものである
。

従来の技術 従来より電場発光蛍光体を用いたＸ−Ｙマトリックス型
固体映像表示装置が知られている。この装置は、電場発
光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群とを互い
に直交するように配置し、それぞれの電極群に接続され
た給電線により外部駆動回路を通して信号を加えて、画
電極群の交点部分の電場発光層（以下ＥＬ発光体層と略
称する）を発光させ（この交点部分面を絵素と称する）
、発光した絵素の組合せによって文字記号、図形などを
表示させるものである。

第４図および第５図に従来の薄膜ＥＬ素子の断面構造を
示す、ここで用いられる固体映像表示装置の表示板とし
ては、通常ガラスなどの透光性基板ｌ上に透明な水平平
行電極群である透明電極２を形成し、その上に第１誘電
体層３、ＥＬ、発光体層４、第２誘電体層５を順次積層
し、さらにその上に垂直平行電極群である背面電極６を
下層の透明電極２に直交する配置で積層して形成する。

−般に透明電極２としては平滑な透光性基板ｌ上に酸化
錫や錫添加酸化インジウム（以下ＩＴＯと略称する）を
被着し、所望の形状にバターニングすることにより形成
される。これに直交し、対向する背面電極６としてはＡ
ｌなどの金属膜番真空蒸着などにより成膜し所望の形状
にパターニングすることにより形成される。ここで、透
明電極２と背面電極６とを外部回路と接続する方法とし
て半田付が一般に用いられている。ところが、透明電極
２のＩＴＯおよび背面電極６のＡｌともに半田付性が悪
い、そこで、透明電極２および背面電極６の外部導出端
子電極７の作り方として、１つの方法は、背面電極６の
バターニングが終了したのちにストライプ状の窓が形成
されたメタルマスクを用いて真空蒸着法によりストライ
プ状の金属膜７（たとえばＮｉ／Ｃｒ）を成膜する方法
（第４図）、また、別の方法として、背面電極６用のＡ
ｆ膜を成膜したのちに引続き周辺に外部導出端子電極用
の金属膜８（たとえばＮｉ）を成膜し、エツチング用の
レジストパターンを形成して湿式エツチングにより背面
電極６と外部導出端子電極のパターンを順次形成する（
第５図）といった方法がとられている。

発明が解決しようとする課題 メタルマスクを用いる方法では、（＋）精細度が高いも
のはできない、（２）大画面には向かない、（３）メタ
ルマスクの取扱いが難しい、（４）下部電極（透明電極
２および背面電極（６）との位置合わせが難しい、とい
った問題がある。また、湿式エツチング法では、（１）
外部導出端子電極７用の金属膜はＥＬ素子の周辺にのみ
成膜しなくてはならないので、背面電極６用の金属膜を
成膜したのちに有効表示部分を覆うような成膜用のマス
クに替えて外部導出端子電極７用の金属膜を成膜しなけ
ればならない、（２）エツチングを成膜した金属膜の数
だけ行わなければならないため工程が複雑になる、とい
った問題がある。

課題を解決するための手段 本発明によれば、透光性基板上に、透明電極、第１誘電
体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体層および背面電極を順
次積層してなる薄膜ＥＬ素子において、透明電極と背面
電極の両方の外部導出端子電極が、背面電極用の金属膜
を成膜するときに同時に同一膜を外部導出端子電極部分
にも成膜しパターンを形成したのち、無電解メツキ法に
よりＮｉを主成分とする膜を積層することにより形成す
ることができる。

作用 透明電極と背面電極の両方の外部導出端子電極を無電解
メツキ法により同時に形成することができる。しかも、
メツキにより形成された最上層膜は半田付は性のよいＮ
ｉを主成分とする膜であるから外部回路との接続を半田
付で行なうことができる。

実施例 第１図および第２図は本発明にかかる薄膜ＥＬ素子の背
面電極および透明電極の外部導出端子電極部分の構造を
表す断面図を、第３図は同じく平面図を示す、第１図、
第２図および第３図において、１は透光性基板であり、
２は透明電極である。

その上に第１誘電体層３、ＥＬ発光体層４、第２誘電体
層５、そして背面電極６が形成されている。

透明電極２の第１の外部導出端子電極９および背面電極
６の第２の外部導出端子電極１０は之透明電極２および
背面電極６にそれぞれ一部が重なるように形成されてい
る。そして、第１および第２の外部導出端子電極９．１
０の下層膜１１は背面電極６と同一膜であり、上層膜１
２は無電解メツキ法により形成されたＮｉを主成分とす
る膜である。

次に、具体的な例を示す、透光性基板１は、ガラス基板
であり、コーニング社の７０５９ガラスを用いた。なお
、透光性基板ｌの大きさは２４０■ｘｉｓｏ閣で厚さ１
．ｌ閣である。透光性基板１上に、直流スパッタリング
法により基板温度４００″Ｃ、ガス圧０．８Ｐａ（アル
ゴン対酸素の分圧比４：１）で厚さ６００ｎｍのＩＴＯ
膜を形成した。このときのＩＴｏｌｌｆｉの抵抗率は２
．２Ｘ１０“４Ω・ｃｍであった。その後ＩＴＯ膜をフ
ォトリソグラフィの技術によりストライプ状に加工した
。パターン間隔０．３閣で０゜２３閣幅のパターンを形
成した。このようにして、ストライプ状の透明電極２を
形成した。その上にチタン酸ジルコン酸ストロンチウム
［Ｓｒ　（ＴｉＸＺｒ＋−ｘ）０３］焼結体を基板温度
４００℃でスパッタリングすることにより、厚さ３００
　ｎｍの上記組成式の酸化物誘電体膜を第１誘電体層３
として形成した。さらに、その上に共蒸着法により、基
板温度２００　”Ｃで厚さ５００ｎｍのマンガン添加硫
化亜鉛膜からなるＥＬ発光体層４を形成した。真空中４
５０°Ｃで１時間熱処理の後、その上にタンタル酸バリ
ウム［ＢａＴａ２Ｏ６］焼結体を、基板温度１５０°Ｃ
でスパッタリングする事により厚さ３００ｎｍの酸化物
誘電体膜を第２誘電体層５として形成した。

さらに、その上に厚さ１５０ｎｍのＡｆｆｉ膜を有効表
示部と外部導出端子電極部の両方に真空蒸着し、蒸着し
たＡ！膜をフォトリソグラフィ技術によりストライプ状
に加工し、背面電極６と第１および第２の外部導出端子
電極９．ＩＯの下層＠１１を形成した。

第１および第２の外部導出端子電極９，１０の上層膜１
２は無電解メツキ法により形成した。用いた無電解Ｎｉ
メツキ液は、Ｂの含量が約１％である。メツキ温度３０
°Ｃで約８分間メツキを行ったところ３００ｎｍの厚み
のＮｉメツキ膜が得られた。なお、メツキ時にメツキの
不要な部分についてはレジストでマスキングした。

以上のようにして作成したｆｉｌ１４ＥＬ素子の外部導
出端子電極９，１０と外部回路の端子電極（Ｃｕ箔のパ
ターンにＳｎメツキを施しである）とを半田付により接
続したところ良好な接続を得ることができた。

なお、Ｂの含量については実施例では１％のものを用い
たがメツキ膜の安定性を考慮する場合少なくとも０．１
％含まれていればよい。

発明の効果 以上のように本発明によれば、透明電極と背面電極の両
方の外部導出端子電極を、背面電極用の金属膜を成膜す
るときに同時に同一膜を外部導出端子電極部分にも成膜
しパターンを形成したのち、無電解メツキ法によりＮｉ
を主成分とする膜を積層することにより形成することが
できるため、従来の方法に比ベニ程が簡素化でき薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造コストの低減に寄与できる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明にかかる薄膜ＥＬパネルの
断面図、第３図は同じく本発明にかかる薄膜ＥＬパネル
の平面図、第４図および第５図は従来の薄１ＩＥＬパネ
ルの断面図である。 １・・・・・・透光性基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・第１誘電体層、４・・・・・・ＥＬ発光
体層、５・・・・・・第２誘電体層、６・・・・・・背
面電極、９・・・・・・第１の外部導出端子電極、１０
・・・・・・第２外部導出端子電極、１１・・・・・・
最上Ｎ膜、１２・・・・・・最下層膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　透光性基板上に、透明電極、第１誘電体層、ＥＬ発光
   体層、第２誘電体層、及び背面電極を順次積層してなる
   薄膜ＥＬ素子において、前記透明電極および前記背面電
   極の外部導出端子電極が金属膜の積層膜でできており、
   かつ前記積層膜の最下層膜が前記背面電極と同一膜で形
   成され、最上層膜が無電解メツキ法により形成されＢを
   少なくとも０．１％含むＮｉを主成分とする膜で形成さ
   れていることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。