JPH03210802A - Msw filter - Google Patents
Msw filterInfo
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はＭＳＷフィルタに関し、特に平行ストリップ
トランスデユーサを用いたＭＳＷフィルタに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention This invention relates to MSW filters, and more particularly to MSW filters using parallel strip transducers.
（従来技術）
第６図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷフィルタの
一例を示す平面図である。このＭＳＷフィルタ１は、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ （イツトリウム、アイア
ン、ガーネット）ｆｊｌ膜２を含む。ＹＩＧ薄膜２は、
たとえばＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガーネッ
ト）基板上に形成される。(Prior Art) FIG. 6 is a plan view showing an example of a conventional MSW filter, which is the background of the present invention. This MSW filter 1 includes a YIG (yttrium, iron, garnet) fjl film 2 as a ferrimagnetic substrate. YIG thin film 2 is
For example, it is formed on a GGG (gadolinium, gallium, garnet) substrate.
ＹＩＧ薄膜２上には、その長手方向に間隔を隔てて、２
つの平行ストリップトランスデユーサ３ａ、３ｂが形成
される。平行ストリップトランスデユーサ３ａ、３ｂは
金属板で形成され、この金属板には互いに平行な複数の
スリットが形成される。On the YIG thin film 2, two are arranged at intervals in the longitudinal direction.
Two parallel strip transducers 3a, 3b are formed. The parallel strip transducers 3a, 3b are formed of a metal plate in which a plurality of mutually parallel slits are formed.
このＭＳＷフィルタ１では、たとえばＹ Ｉ Ｇｉｌ膜
２に直交する方向に直流磁界が印加される。そして、一
方の平行ストリップトランスデユーサ３ａに信号を入力
すれば、その信号が体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）とし
て励起され、その体積前進静磁波が、ＹＩＧ薄１ｌ１２
上に伝搬され他方の平行ストリップトランスデユーサ３
ｂで受信される。In this MSW filter 1, for example, a DC magnetic field is applied in a direction perpendicular to the Y I Gil film 2. When a signal is input to one of the parallel strip transducers 3a, the signal is excited as a volumetric forward magnetostatic wave (MSFVW), and the volumetric forward magnetostatic wave is
the other parallel strip transducer 3
received at b.
（発明が解決しようとする課題）
ところが、このＭＳＷフィルタでは、第７図に示すよう
に、その周波数特性が５ｉｎｘ／ｚの関数であられされ
る形状となり、理想的なフィルタ特性を得ることができ
ない。(Problem to be Solved by the Invention) However, with this MSW filter, as shown in Fig. 7, its frequency characteristics are shaped like a function of 5inx/z, making it impossible to obtain ideal filter characteristics. .
それゆえに、この発明の主たる目的は、帯域内偏差が小
さく、優れたフィルタ特性を得ることができるＭＳＷフ
ィルタを提供することであ−る。Therefore, the main object of the present invention is to provide an MSW filter that has a small in-band deviation and can obtain excellent filter characteristics.
（課題を解決するための手段）
この発明は、フェリ磁性基体と平行ストリップトランス
デユーサとを含むＭＳＷフィルタであって、平行ストリ
ップトランスデユーサのスリットの端部を結ぶ線が三角
関数であらわされる、ＭＳＷフィルタである。(Means for Solving the Problems) The present invention is an MSW filter including a ferrimagnetic substrate and a parallel strip transducer, in which a line connecting the ends of the slits of the parallel strip transducer is expressed by a trigonometric function. , MSW filter.
（作用）
スリットの端部を結ぶ線が三角関数であられされる形状
となるように、平行ストリップトランスデユーサを形成
することによって、帯域内偏差の小さい周波数特性が得
られる。(Function) By forming the parallel strip transducer so that the line connecting the ends of the slit has a shape drawn by a trigonometric function, frequency characteristics with small in-band deviation can be obtained.
（発明の効果）
この発明によれば、帯域内偏差が小さく、理想的な周波
数特性に近い特性を有するＭＳＷフィルタを得ることが
できる。(Effects of the Invention) According to the present invention, it is possible to obtain an MSW filter with small in-band deviation and characteristics close to ideal frequency characteristics.
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図である。この
ＭＳＷフィルタ１０は、台としてたとえば矩形板状のＧ
ＧＧ基板を含む。このＧＧＧ基板の一方主面上には、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜１２が形成される。(Embodiment) FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention. This MSW filter 10 has, for example, a rectangular plate-shaped G as a base.
Contains GG substrate. A YIG thin film 12 as a ferrimagnetic substrate is formed on one main surface of this GGG substrate.
ＹＩＧ薄膜１２上には、その長平方向に間隔を隔てて、
２つの平行ストリップトランスデユーサ１４および１６
が形成される。これらの平行ストリップトランスデユー
サ！４および１６のうち、たとえば一方のトランスデユ
ーサ１４が入カドランスデューサとして用いられ、他方
のトランスデユーサ１６が出カドランスデューサとして
用いられる。On the YIG thin film 12, at intervals in the long plane direction,
Two parallel strip transducers 14 and 16
is formed. These parallel strip transducers! Among the transducers 4 and 16, for example, one transducer 14 is used as an input transducer, and the other transducer 16 is used as an output transducer.
これらの平行ストリップトランスデユーサ１４および１
６はたとえば金属板で形成され、この金属板にはＹＩＧ
薄膜１２の幅方向に延びる複数のスリットが形成される
。これらのスリットは、互いに平行になるように形成さ
れる。入カドランスデューサ１４に形成されるスリット
は、ＹＩＧＩ膜１２膜幅２向の一方側の端部を結ぶ線が
正弦波を描くように形成される。また、出カドランスデ
ューサ１６に形成されるスリットは、ＹＩＧ薄膜１２の
幅方向の他方側の端部を結ぶ線が正弦波を描くように形
成される。These parallel strip transducers 14 and 1
6 is made of a metal plate, for example, and YIG
A plurality of slits extending in the width direction of the thin film 12 are formed. These slits are formed parallel to each other. The slit formed in the input quadrature transducer 14 is formed so that a line connecting one end of the YIGI film 12 in two film width directions draws a sine wave. Further, the slit formed in the output transducer 16 is formed so that a line connecting the other end of the YIG thin film 12 in the width direction draws a sine wave.
これらのトランスデユーサ１４および１６では、それら
の一端が接地され、それらの他端が入力端子（図示せず
）および出力端子（図示せず）にそれぞれ接続される。These transducers 14 and 16 have one end grounded and the other ends connected to an input terminal (not shown) and an output terminal (not shown), respectively.
ＧＧＧ基板およびＹＩＧ″ＦＡ膜１２の両側には、ＹＩ
Ｇ薄膜１２に直流磁界を印加するための磁石（図示せず
）が取り付けられる。そして、入カドランスデューサ１
４に信号を入力すれば、ＹＩＧ薄膜１２に静磁波が励起
され、出カドランスデューサ１６側に伝搬される。伝搬
された静磁波は、出カドランスデューサ１６で受信され
、出力端子から信号として出力される。On both sides of the GGG substrate and the YIG″FA film 12, YI
A magnet (not shown) for applying a DC magnetic field to the G thin film 12 is attached. And the input cadence transducer 1
When a signal is input to 4, a magnetostatic wave is excited in the YIG thin film 12 and propagated to the output transducer 16 side. The propagated magnetostatic wave is received by the output transducer 16 and output as a signal from the output terminal.
このＭＳＷフィルタ１０では、平行ストリップトランス
デユーサ１４．１６のスリットの端部を結ぶ線が正弦波
を描くように形成されているため、低損失で帯域内偏差
の少ない周波数特性を得ることができる。したがって、
第２図に示すように、理想的なフィルタに近い周波数特
性を有するＭＳＷフィルタを得ることができる。In this MSW filter 10, the line connecting the ends of the slits of the parallel strip transducers 14 and 16 is formed to draw a sine wave, so it is possible to obtain frequency characteristics with low loss and little deviation within the band. . therefore,
As shown in FIG. 2, an MSW filter having frequency characteristics close to an ideal filter can be obtained.
なお、平行ストリップトランスデユーサ１４゜１６に形
成されるスリットは、第３図に示すように、ＹＩＧ薄膜
１２の幅方向の両側において、それらの端部を結ぶ線が
正弦波を描くように形成されてもよい。As shown in FIG. 3, the slits formed in the parallel strip transducers 14 and 16 are formed so that the lines connecting their ends draw a sine wave on both sides of the YIG thin film 12 in the width direction. may be done.
また、平行ストリップトランスデユーサ１４゜１６は、
第４図または第５図に示すように、ＹＩＧＦｉＩ膜１２
上にある部分の一方側あるいは両側を紡錘状に形成して
もよい。この場合、紡錘状にされた平行ストリップトラ
ンスデユーサ１４．１６のＹＩＧ薄膜１２上にない部分
の幅は、小さ（なるように形成される。In addition, the parallel strip transducer 14°16 is
As shown in FIG. 4 or 5, the YIGFiI film 12
One or both sides of the overlying portion may be spindle-shaped. In this case, the width of the portion of the spindle-shaped parallel strip transducer 14, 16 that is not on the YIG thin film 12 is small.
これらのＭＳＷフィルタにおいても、低損失で帯域内偏
差の小さい、理想的なフィルタに近い周波数特性を得る
ことができる。These MSW filters also have low loss, small in-band deviation, and frequency characteristics close to those of ideal filters.
なお、ＹＩＧＩ膜１２に印加する直流磁界の方向は、任
意に変更してもよい。たとえば、ＹＩＧ薄膜１２の主面
に平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、Ｙ Ｉ Ｇｌ膜１２上
には、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは
、Ｙ Ｉ Ｇｍ膜１２の主面と平行でかつ静磁波の伝搬
方向と平行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、
ＹＩＧ薄膜１２上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）
が伝搬される。Note that the direction of the DC magnetic field applied to the YIGI film 12 may be changed arbitrarily. For example, a magnetic field may be applied in a direction parallel to the main surface of the YIG thin film 12 and perpendicular to the propagation direction of the magnetostatic waves. In this case, a surface magnetostatic wave (MSSW) is propagated on the Y I Gl film 12 . Alternatively, a magnetic field may be applied in a direction parallel to the main surface of the Y I Gm film 12 and parallel to the propagation direction of the magnetostatic waves. in this case,
On the YIG thin film 12, a volume recession magnetostatic wave (MSBVW)
is propagated.
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図である。
第２図は第１図に示すＭＳＷフィルタの周波数特性を示
すグラフである。
第３図は第１図に示すＭＳＷフィルタの変形例を示す平
面図である。
第４図は第１図に示すＭＳＷフィルタの他の実施例を示
す平面図である。
第５図は第４図に示すＭＳＷフィルタの変形例を示す平
面図である。
第６図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷフィルタの
一例を示す平面図である。
第７図は第６図に示す従来のＭＳＷフィルタの周波数特
性を示すグラフである。
図において、１０はＭＳＷフィルタ、１２はＹＩＧ薄膜
、１４および１６は平行ストリップトランスデユーサを
示す。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a graph showing the frequency characteristics of the MSW filter shown in FIG. FIG. 3 is a plan view showing a modification of the MSW filter shown in FIG. 1. FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the MSW filter shown in FIG. 1. FIG. 5 is a plan view showing a modification of the MSW filter shown in FIG. 4. FIG. 6 is a plan view showing an example of a conventional MSW filter, which is the background of the present invention. FIG. 7 is a graph showing the frequency characteristics of the conventional MSW filter shown in FIG. In the figure, 10 is an MSW filter, 12 is a YIG thin film, and 14 and 16 are parallel strip transducers.
Claims (1)
とを含むＭＳＷフィルタであって、前記平行ストリップ
トランスデューサのスリットの端部を結ぶ線が三角関数
であらわされる、ＭＳＷフィルタ。 ２ 前記平行ストリップトランスデューサの前記フェリ
磁性基体上にある部分の形状を紡錘状にし、前記平行ス
トリップトランスデューサの前記フェリ磁性基体上にな
い部分の幅を小さくした、特許請求の範囲第１項記載の
ＭＳＷフィルタ。Claims: 1. An MSW filter including a ferrimagnetic substrate and a parallel strip transducer, wherein a line connecting the ends of the slits of the parallel strip transducer is expressed by a trigonometric function. 2. The MSW according to claim 1, wherein a portion of the parallel strip transducer that is on the ferrimagnetic substrate has a spindle shape, and a portion of the parallel strip transducer that is not on the ferrimagnetic substrate has a reduced width. filter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP587390A JPH03210802A (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Msw filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP587390A JPH03210802A (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Msw filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210802A true JPH03210802A (en) | 1991-09-13 |
Family
ID=11623044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP587390A Pending JPH03210802A (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Msw filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03210802A (en) |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP587390A patent/JPH03210802A/en active Pending
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