JPH03210802A - Ｍｓｗフィルタ - Google Patents
ＭｓｗフィルタInfo
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- JPH03210802A JPH03210802A JP587390A JP587390A JPH03210802A JP H03210802 A JPH03210802 A JP H03210802A JP 587390 A JP587390 A JP 587390A JP 587390 A JP587390 A JP 587390A JP H03210802 A JPH03210802 A JP H03210802A
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- Japan
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- transducer
- slits
- thin film
- parallel strip
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- Pending
Links
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 5
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
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- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はＭＳＷフィルタに関し、特に平行ストリップ
トランスデユーサを用いたＭＳＷフィルタに関する。
トランスデユーサを用いたＭＳＷフィルタに関する。
（従来技術）
第６図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷフィルタの
一例を示す平面図である。このＭＳＷフィルタ１は、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ （イツトリウム、アイア
ン、ガーネット）ｆｊｌ膜２を含む。ＹＩＧ薄膜２は、
たとえばＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガーネッ
ト）基板上に形成される。
一例を示す平面図である。このＭＳＷフィルタ１は、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ （イツトリウム、アイア
ン、ガーネット）ｆｊｌ膜２を含む。ＹＩＧ薄膜２は、
たとえばＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガーネッ
ト）基板上に形成される。
ＹＩＧ薄膜２上には、その長手方向に間隔を隔てて、２
つの平行ストリップトランスデユーサ３ａ、３ｂが形成
される。平行ストリップトランスデユーサ３ａ、３ｂは
金属板で形成され、この金属板には互いに平行な複数の
スリットが形成される。
つの平行ストリップトランスデユーサ３ａ、３ｂが形成
される。平行ストリップトランスデユーサ３ａ、３ｂは
金属板で形成され、この金属板には互いに平行な複数の
スリットが形成される。
このＭＳＷフィルタ１では、たとえばＹ Ｉ Ｇｉｌ膜
２に直交する方向に直流磁界が印加される。そして、一
方の平行ストリップトランスデユーサ３ａに信号を入力
すれば、その信号が体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）とし
て励起され、その体積前進静磁波が、ＹＩＧ薄１ｌ１２
上に伝搬され他方の平行ストリップトランスデユーサ３
ｂで受信される。
２に直交する方向に直流磁界が印加される。そして、一
方の平行ストリップトランスデユーサ３ａに信号を入力
すれば、その信号が体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）とし
て励起され、その体積前進静磁波が、ＹＩＧ薄１ｌ１２
上に伝搬され他方の平行ストリップトランスデユーサ３
ｂで受信される。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、このＭＳＷフィルタでは、第７図に示すよう
に、その周波数特性が５ｉｎｘ／ｚの関数であられされ
る形状となり、理想的なフィルタ特性を得ることができ
ない。
に、その周波数特性が５ｉｎｘ／ｚの関数であられされ
る形状となり、理想的なフィルタ特性を得ることができ
ない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、帯域内偏差が小
さく、優れたフィルタ特性を得ることができるＭＳＷフ
ィルタを提供することであ−る。
さく、優れたフィルタ特性を得ることができるＭＳＷフ
ィルタを提供することであ−る。
（課題を解決するための手段）
この発明は、フェリ磁性基体と平行ストリップトランス
デユーサとを含むＭＳＷフィルタであって、平行ストリ
ップトランスデユーサのスリットの端部を結ぶ線が三角
関数であらわされる、ＭＳＷフィルタである。
デユーサとを含むＭＳＷフィルタであって、平行ストリ
ップトランスデユーサのスリットの端部を結ぶ線が三角
関数であらわされる、ＭＳＷフィルタである。
（作用）
スリットの端部を結ぶ線が三角関数であられされる形状
となるように、平行ストリップトランスデユーサを形成
することによって、帯域内偏差の小さい周波数特性が得
られる。
となるように、平行ストリップトランスデユーサを形成
することによって、帯域内偏差の小さい周波数特性が得
られる。
（発明の効果）
この発明によれば、帯域内偏差が小さく、理想的な周波
数特性に近い特性を有するＭＳＷフィルタを得ることが
できる。
数特性に近い特性を有するＭＳＷフィルタを得ることが
できる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図である。この
ＭＳＷフィルタ１０は、台としてたとえば矩形板状のＧ
ＧＧ基板を含む。このＧＧＧ基板の一方主面上には、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜１２が形成される。
ＭＳＷフィルタ１０は、台としてたとえば矩形板状のＧ
ＧＧ基板を含む。このＧＧＧ基板の一方主面上には、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜１２が形成される。
ＹＩＧ薄膜１２上には、その長平方向に間隔を隔てて、
２つの平行ストリップトランスデユーサ１４および１６
が形成される。これらの平行ストリップトランスデユー
サ！４および１６のうち、たとえば一方のトランスデユ
ーサ１４が入カドランスデューサとして用いられ、他方
のトランスデユーサ１６が出カドランスデューサとして
用いられる。
２つの平行ストリップトランスデユーサ１４および１６
が形成される。これらの平行ストリップトランスデユー
サ！４および１６のうち、たとえば一方のトランスデユ
ーサ１４が入カドランスデューサとして用いられ、他方
のトランスデユーサ１６が出カドランスデューサとして
用いられる。
これらの平行ストリップトランスデユーサ１４および１
６はたとえば金属板で形成され、この金属板にはＹＩＧ
薄膜１２の幅方向に延びる複数のスリットが形成される
。これらのスリットは、互いに平行になるように形成さ
れる。入カドランスデューサ１４に形成されるスリット
は、ＹＩＧＩ膜１２膜幅２向の一方側の端部を結ぶ線が
正弦波を描くように形成される。また、出カドランスデ
ューサ１６に形成されるスリットは、ＹＩＧ薄膜１２の
幅方向の他方側の端部を結ぶ線が正弦波を描くように形
成される。
６はたとえば金属板で形成され、この金属板にはＹＩＧ
薄膜１２の幅方向に延びる複数のスリットが形成される
。これらのスリットは、互いに平行になるように形成さ
れる。入カドランスデューサ１４に形成されるスリット
は、ＹＩＧＩ膜１２膜幅２向の一方側の端部を結ぶ線が
正弦波を描くように形成される。また、出カドランスデ
ューサ１６に形成されるスリットは、ＹＩＧ薄膜１２の
幅方向の他方側の端部を結ぶ線が正弦波を描くように形
成される。
これらのトランスデユーサ１４および１６では、それら
の一端が接地され、それらの他端が入力端子（図示せず
）および出力端子（図示せず）にそれぞれ接続される。
の一端が接地され、それらの他端が入力端子（図示せず
）および出力端子（図示せず）にそれぞれ接続される。
ＧＧＧ基板およびＹＩＧ″ＦＡ膜１２の両側には、ＹＩ
Ｇ薄膜１２に直流磁界を印加するための磁石（図示せず
）が取り付けられる。そして、入カドランスデューサ１
４に信号を入力すれば、ＹＩＧ薄膜１２に静磁波が励起
され、出カドランスデューサ１６側に伝搬される。伝搬
された静磁波は、出カドランスデューサ１６で受信され
、出力端子から信号として出力される。
Ｇ薄膜１２に直流磁界を印加するための磁石（図示せず
）が取り付けられる。そして、入カドランスデューサ１
４に信号を入力すれば、ＹＩＧ薄膜１２に静磁波が励起
され、出カドランスデューサ１６側に伝搬される。伝搬
された静磁波は、出カドランスデューサ１６で受信され
、出力端子から信号として出力される。
このＭＳＷフィルタ１０では、平行ストリップトランス
デユーサ１４．１６のスリットの端部を結ぶ線が正弦波
を描くように形成されているため、低損失で帯域内偏差
の少ない周波数特性を得ることができる。したがって、
第２図に示すように、理想的なフィルタに近い周波数特
性を有するＭＳＷフィルタを得ることができる。
デユーサ１４．１６のスリットの端部を結ぶ線が正弦波
を描くように形成されているため、低損失で帯域内偏差
の少ない周波数特性を得ることができる。したがって、
第２図に示すように、理想的なフィルタに近い周波数特
性を有するＭＳＷフィルタを得ることができる。
なお、平行ストリップトランスデユーサ１４゜１６に形
成されるスリットは、第３図に示すように、ＹＩＧ薄膜
１２の幅方向の両側において、それらの端部を結ぶ線が
正弦波を描くように形成されてもよい。
成されるスリットは、第３図に示すように、ＹＩＧ薄膜
１２の幅方向の両側において、それらの端部を結ぶ線が
正弦波を描くように形成されてもよい。
また、平行ストリップトランスデユーサ１４゜１６は、
第４図または第５図に示すように、ＹＩＧＦｉＩ膜１２
上にある部分の一方側あるいは両側を紡錘状に形成して
もよい。この場合、紡錘状にされた平行ストリップトラ
ンスデユーサ１４．１６のＹＩＧ薄膜１２上にない部分
の幅は、小さ（なるように形成される。
第４図または第５図に示すように、ＹＩＧＦｉＩ膜１２
上にある部分の一方側あるいは両側を紡錘状に形成して
もよい。この場合、紡錘状にされた平行ストリップトラ
ンスデユーサ１４．１６のＹＩＧ薄膜１２上にない部分
の幅は、小さ（なるように形成される。
これらのＭＳＷフィルタにおいても、低損失で帯域内偏
差の小さい、理想的なフィルタに近い周波数特性を得る
ことができる。
差の小さい、理想的なフィルタに近い周波数特性を得る
ことができる。
なお、ＹＩＧＩ膜１２に印加する直流磁界の方向は、任
意に変更してもよい。たとえば、ＹＩＧ薄膜１２の主面
に平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、Ｙ Ｉ Ｇｌ膜１２上
には、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは
、Ｙ Ｉ Ｇｍ膜１２の主面と平行でかつ静磁波の伝搬
方向と平行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、
ＹＩＧ薄膜１２上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）
が伝搬される。
意に変更してもよい。たとえば、ＹＩＧ薄膜１２の主面
に平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、Ｙ Ｉ Ｇｌ膜１２上
には、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは
、Ｙ Ｉ Ｇｍ膜１２の主面と平行でかつ静磁波の伝搬
方向と平行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、
ＹＩＧ薄膜１２上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）
が伝搬される。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図である。
第２図は第１図に示すＭＳＷフィルタの周波数特性を示
すグラフである。 第３図は第１図に示すＭＳＷフィルタの変形例を示す平
面図である。 第４図は第１図に示すＭＳＷフィルタの他の実施例を示
す平面図である。 第５図は第４図に示すＭＳＷフィルタの変形例を示す平
面図である。 第６図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷフィルタの
一例を示す平面図である。 第７図は第６図に示す従来のＭＳＷフィルタの周波数特
性を示すグラフである。 図において、１０はＭＳＷフィルタ、１２はＹＩＧ薄膜
、１４および１６は平行ストリップトランスデユーサを
示す。
すグラフである。 第３図は第１図に示すＭＳＷフィルタの変形例を示す平
面図である。 第４図は第１図に示すＭＳＷフィルタの他の実施例を示
す平面図である。 第５図は第４図に示すＭＳＷフィルタの変形例を示す平
面図である。 第６図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷフィルタの
一例を示す平面図である。 第７図は第６図に示す従来のＭＳＷフィルタの周波数特
性を示すグラフである。 図において、１０はＭＳＷフィルタ、１２はＹＩＧ薄膜
、１４および１６は平行ストリップトランスデユーサを
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フェリ磁性基体と平行ストリップトランスデューサ
とを含むＭＳＷフィルタであって、前記平行ストリップ
トランスデューサのスリットの端部を結ぶ線が三角関数
であらわされる、ＭＳＷフィルタ。 ２ 前記平行ストリップトランスデューサの前記フェリ
磁性基体上にある部分の形状を紡錘状にし、前記平行ス
トリップトランスデューサの前記フェリ磁性基体上にな
い部分の幅を小さくした、特許請求の範囲第１項記載の
ＭＳＷフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP587390A JPH03210802A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Ｍｓｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP587390A JPH03210802A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Ｍｓｗフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210802A true JPH03210802A (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=11623044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP587390A Pending JPH03210802A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Ｍｓｗフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03210802A (ja) |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP587390A patent/JPH03210802A/ja active Pending
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