JPH0321081B2 - - Google Patents
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- JPH0321081B2 JPH0321081B2 JP61089130A JP8913086A JPH0321081B2 JP H0321081 B2 JPH0321081 B2 JP H0321081B2 JP 61089130 A JP61089130 A JP 61089130A JP 8913086 A JP8913086 A JP 8913086A JP H0321081 B2 JPH0321081 B2 JP H0321081B2
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- temperature sensor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は温度検出器に関する。さらに詳しくは
100K以下の低温において温度変化に対する半導
体の抵抗値変化の線形性がよい半導体温度検出器
に関する。 〔従来の技術および発明が解決しようとする問題
点〕 一般に接触型の温度検出器としては熱電対、白
金などの金属を使用した測温抵抗体、半導体を使
用したサーミスタなどがある。 従来100K以下の低温において使用される温度
検出器としては、電子回路によく使われる炭素ソ
リツド抵抗を使用した温度検出器がある。このセ
ンサーは温度が変化することにより炭素ソリツド
抵抗の抵抗値が変化することを利用して温度の測
定を行うものであり、この抵抗はグラフアイトに
粘土、シリカ、タルクなどの絶縁物の粉末を加
え、さらに結合材としてフエノール樹脂などを加
えて加熱成形したものである。 しかしながらこのような炭素ソリツド抵抗はグ
ラフアイトが非常に大きい異方性を有する物質で
ありその結晶軸の方向によつて金属的であつた
り、半導体的であつたりするのでグラフアイトの
抵抗値の温度依存性が複雑であり、またその抵抗
値の再現性がよくないという問題がある。 さらにまた従来の温度検出器としてゲルマニウ
ムを使用したサーミスタがある。このサーミスタ
はリンなどの不純物を混入したゲルマニウムの単
結晶からなり温度の変化によつて抵抗値が変化
し、この抵抗値の変化を検知して温度が測定され
る。 しかしながらこのようなサーミスタは前記炭素
ソリツド抵抗と比較して前記抵抗値の再現性に優
れているが磁場の影響を受け易く、また広い温度
範囲にわたつて抵抗値の温度依存性を一つの式と
して表わすことができず、またサーミスタの価格
が高くなるという問題がある。 本発明は前記のような従来の問題点に鑑みなさ
れたもので100K以下の低温においても抵抗値の
温度依存の線形性がよい温度検出器を提供するこ
とを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の温度検出器は、半導体に不純物が添加
されてｐ型またはｎ型にドーピングされておりか
つ非晶質または一部に微結晶を含む非晶質となつ
ている半導体層を有するものであり、100K以下
の温度において従来の温度検出器と比較して感度
がよくまた広い温度範囲にわたつて温度変化に対
する抵抗値変化の線形性がよい。 そして前記不純物が添加される半導体は主とし
て第４族元素（Si，Sn，Ge，Ｃなど）からなる
もので、ａ−Si系またはμc−Si系のもの〔Siまた
は他元素を１〜90原子％含むSiの合金（SiGe，
SiC，SiSn，SiNなど）〕であり、とりわけSiGe
が抵抗が低いので好ましい。 〔実施例〕 以下本発明の実施例を図によつて説明する。 第１図は本発明の温度検出器の第１の実施例
（以下、実施例１）を示す。図において、１はガ
ラス製の絶縁性基板であり、この絶縁性基板１上
にはこれに固着して半導体層２がその上面が絶縁
性基板１の上面とほぼ平行となるように設けられ
ており、この半導体層２は不純物としてリンを添
加した微結晶を含む非結晶水素化シリコンからな
つている。 そして半導体層２の上面の一部であつて適宜の
距離だけ離れた２つの箇所の面積の部分には２つ
のアルミニウムの層状の電極３ａ，３ｂが固着さ
れている。ここで絶縁基板１の厚さは1μｍ〜
5000μｍ、半導体層２の厚さは0.003μｍ〜10μｍ、
電極３ａ，３ｂの厚さは0.01μｍ〜1μｍであるの
が好ましい。そして絶縁性基板１と半導体層２と
電極３ａ，３ｂとにより温度検出器４が構成され
ている。 以上のように構成された実施例１による温度検
出器４において、電極３ａと電極３ｂとを各々正
と負（これは逆であつてもよい）の電源電極にリ
ード線（図示せず）によつて接続し、半導体層２
に直流電流を流すことにより半導体層２の電極３
ａ、電極３ｂ間の抵抗値を測定し、これにより温
度が測定される。 次に実施例１の温度検出器の製造方法について
説明する。 第２図はその製造装置を示す。本装置は典型的
なCVD法による装置であり、図において２１は
真空容器であり、この中にはカソード電極２２と
これと対向してアノード電極２３が設けられてい
る。アノード電極２３内にはヒータ２４が設けら
れていて、このヒータ２４はヒータ電源２５によ
り通電されてアノード電極２３を加熱するように
なつている。 また真空容器２１内へは原料ガスボンベ２６に
より原料ガスが流量コントローラ２７を経て原料
ガス導入口３８から供給されるようになつてい
る。そして真空容器２１内のガスはポンプ３９に
より排ガス処理装置３９ａを経て排出されるよう
になつている。そしてカソード電極２２には高周
波電源４０により高周波電圧がマツチング回路４
０ａを経て印加されるようになつている。そして
アノード電極２３上に半導体層２を形成すべき絶
縁基板１が固定して置かれるようになつている。 以上のような装置によりSiH4，PH3，H2から
なる混合ガス中でグロー放電することにより厚さ
が700μｍのガラス製の絶縁性基板１（商品名：
コーニング7059、コーニング社製）上に厚さ1μ
ｍの微結晶を含む非晶質水素シリコンの半導体層
２が形成され、さらにその上に真空蒸着法により
厚さが0.3μｍのアルミニウムの電極３ａ，３ｂが
形成されて温度検出器４が製造される。 次に本発明による温度検出器の他の実施例につ
いて説明する。 第３図は本発明による温度検出器の第２の実施
例（以下実施例２）を示す。図において３１は実
施例１の絶縁性基板１と同様の絶縁性基板であ
り、この基板３１の上面の一部であつて適宜の距
離だけ離れた２つの箇所の適宜の面積の部分には
２つのアルミニウムの層状の電極３３ａ，３３ｂ
が固着されている。そしてさらに基板３１の上面
にはこれに固着されてかつ電極３３ａ，３３ｂを
覆う形で実施例１の半導体層２と同材質の半導体
層３２が形成されている。ここで絶縁基板３１の
厚さは1μｍ〜5000μｍ、半導体層３２の厚さは
0.003μｍ〜10μｍ、電極３３ａ，３３ｂの厚さは
0.05μｍ〜1μｍであるのが好ましい。そして絶縁
性基板３１と半導体層３２と電極３３ａ，３３ｂ
とにより温度検出器３４が構成されている。 そして実施例２においては電極３３ａ、電極３
３ｂを経て半導体層３２に直流電流を流すことに
より実施例１と同様にして温度の測定が行なわれ
る。 第４図は本発明による温度検出器の第３の実施
例（以下実施例３）を示す。図において４１は導
電性基板であり、ステンレン、Al、Cu、Feなど
の金属またはTCOまたは結晶Siなどが使用され
る。この導電性基板４１上にはこれに固着して実
施例１と同材質の半導体層４２がその上面が導電
性基板４１の上面とほぼ平行となるように設けら
れている。そしてこの半導体層４２の上面の適宜
の面積の中央部にはこれと接触してアルミニウム
の層状の電極４３が固着されている。ここで導電
性基板４１の厚さは50μｍ〜5000μｍ、導電体層
４２の厚さは0.1μｍ〜10μｍ、電極４３の厚さは
0.05μｍ〜1μｍであるのが好ましい。そして導電
性基板４１と半導体層４２と、電極４３とにより
温度検出器４４が構成されている。 実施例３においては、電極４３と導電性基板４
１とが実施例１の電極３ａと電極３ｂとに対応し
ており、電極４３と導電性基板４１を経て半導体
４２に直流電流を流すことにより実施例１と同様
にして温度の測定が行なわれる。 第５図は本発明による温度検出器の第４の実施
例（以下実施例４）を示す。図において５１は実
施例１と同材質の絶縁性基板である。そしてこの
基板５１の上面にはこれに固着してほぼこの上面
と同面積のアルミニウムの層状の電極５３ａが形
成されている。そして電極５３ａの上面にはこの
面積より少し小さい面積であつて実施例１と同材
質の半導体層５２が固着されている。そしてさら
に半導体層５２上面にはこの面積より少し小さい
面積のアルミニウムの層状の電極５３ｂが形成さ
れている。ここで絶縁性基板５１の厚さは50μｍ
〜5000μｍ、半導体層５２の厚さは0.1μｍ〜10μ
ｍ、電極５３ａの厚さは0.05μｍ〜1μｍ、電極５
３ｂの厚さは0.05μｍ〜1μｍであるのが好ましい。
そして絶縁性基板５１と電極５３ａと半導体層５
２と電極５３ｂとにより温度検出器５４が構成さ
れている。 そして実施例４においては電極５３ａと電極５
３ｂを経て半導体層５２に直流電流を流すことに
より実施例１と同様にして温度の測定が行なわれ
る。 なお前記実施例１〜実施例４においては、半導
体層が半導体に不純物として周期律表第５族のリ
ンを添加した微結晶を含む非晶質リンである場合
を示したが、これは周期律表第３族のホウ素を不
純物として添加したものであつてもよく、また微
結晶を含む非晶質水素化シリコンに替えて非晶質
シリコン、非晶質シリコンカーバイドまたはμc
−Siのような一部に微結晶領域を有するものであ
つてもよい。特に非晶質半導体層の抵抗値が大き
くなるばあいには非晶質半導体層の一部を微結晶
化することにより半導体層の抵抗値を小さくする
ことも可能である。 なお、本発明の温度検出器の一実施例について
温度と抵抗値との関係を調べた。 測定に用いた温度検出器は以下のようにして製
造した。すなわち、第２図に示されるような装置
を用い、SiH4，PH3およびH2からなる混合ガス
中でグロー放電することにより厚さが700μｍの
ガラス製の絶縁性基板（商品名コーニング7059、
コーニング社製）上に厚さ1μｍの微結晶を含む
非晶質水素シリコンの半導体層を形成した。つい
で、えられた半導体層の上に真空蒸着法により厚
さが0.3μｍのくし形アルミニウム電極を形成し、
温度検出器を製造した。 えられた温度検出器について、10μAの定電流
を印加して電極間の電圧を測定し、Ｖ／Ｉ＝Ｒ
（Ｖ：電圧、Ｉ：電流、Ｒ：抵抗）により抵抗値
を求めた。真空デユワーを用いて温度検出器を液
体Heにより徐々に冷却した（冷却速度：１℃／
min）。 結果を第６図に示す。第６図において横軸は温
度Ｔ(K)、縦軸は抵抗値Ｒ（Ω）をあらわしている。
抵抗値Ｒの対数値（logR）は温度Ｔの−1/4乗
（T-1/4）の一次関数としてあらわすことができ、
このことにより本発明の温度検出器は100K以下
の低温域において良好な線形性を示すことがわか
る。また、PH3に代えてジボランを用いて半導体
層を形成した温度検出器についても同様の測定を
行つたが、第６図に示されるのと同様の良好な線
形性を示した。 〔発明の効果〕 以上のように本発明による温度検出器は半導体
に不純物を添加してｐ型またはｎ型としかつ非晶
質または一部に微結晶を含む非晶質とした半導体
層を有するようにしたので、100K以下の低温に
おいて従来の温度検出器と比較して広い温度範囲
にわたつて温度変化に対する半導体層の抵抗値変
化の線形性が向上できる結果がある。以下の第１
表に本発明による温度検出器の線形性の効果を示
す。
100K以下の低温において温度変化に対する半導
体の抵抗値変化の線形性がよい半導体温度検出器
に関する。 〔従来の技術および発明が解決しようとする問題
点〕 一般に接触型の温度検出器としては熱電対、白
金などの金属を使用した測温抵抗体、半導体を使
用したサーミスタなどがある。 従来100K以下の低温において使用される温度
検出器としては、電子回路によく使われる炭素ソ
リツド抵抗を使用した温度検出器がある。このセ
ンサーは温度が変化することにより炭素ソリツド
抵抗の抵抗値が変化することを利用して温度の測
定を行うものであり、この抵抗はグラフアイトに
粘土、シリカ、タルクなどの絶縁物の粉末を加
え、さらに結合材としてフエノール樹脂などを加
えて加熱成形したものである。 しかしながらこのような炭素ソリツド抵抗はグ
ラフアイトが非常に大きい異方性を有する物質で
ありその結晶軸の方向によつて金属的であつた
り、半導体的であつたりするのでグラフアイトの
抵抗値の温度依存性が複雑であり、またその抵抗
値の再現性がよくないという問題がある。 さらにまた従来の温度検出器としてゲルマニウ
ムを使用したサーミスタがある。このサーミスタ
はリンなどの不純物を混入したゲルマニウムの単
結晶からなり温度の変化によつて抵抗値が変化
し、この抵抗値の変化を検知して温度が測定され
る。 しかしながらこのようなサーミスタは前記炭素
ソリツド抵抗と比較して前記抵抗値の再現性に優
れているが磁場の影響を受け易く、また広い温度
範囲にわたつて抵抗値の温度依存性を一つの式と
して表わすことができず、またサーミスタの価格
が高くなるという問題がある。 本発明は前記のような従来の問題点に鑑みなさ
れたもので100K以下の低温においても抵抗値の
温度依存の線形性がよい温度検出器を提供するこ
とを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の温度検出器は、半導体に不純物が添加
されてｐ型またはｎ型にドーピングされておりか
つ非晶質または一部に微結晶を含む非晶質となつ
ている半導体層を有するものであり、100K以下
の温度において従来の温度検出器と比較して感度
がよくまた広い温度範囲にわたつて温度変化に対
する抵抗値変化の線形性がよい。 そして前記不純物が添加される半導体は主とし
て第４族元素（Si，Sn，Ge，Ｃなど）からなる
もので、ａ−Si系またはμc−Si系のもの〔Siまた
は他元素を１〜90原子％含むSiの合金（SiGe，
SiC，SiSn，SiNなど）〕であり、とりわけSiGe
が抵抗が低いので好ましい。 〔実施例〕 以下本発明の実施例を図によつて説明する。 第１図は本発明の温度検出器の第１の実施例
（以下、実施例１）を示す。図において、１はガ
ラス製の絶縁性基板であり、この絶縁性基板１上
にはこれに固着して半導体層２がその上面が絶縁
性基板１の上面とほぼ平行となるように設けられ
ており、この半導体層２は不純物としてリンを添
加した微結晶を含む非結晶水素化シリコンからな
つている。 そして半導体層２の上面の一部であつて適宜の
距離だけ離れた２つの箇所の面積の部分には２つ
のアルミニウムの層状の電極３ａ，３ｂが固着さ
れている。ここで絶縁基板１の厚さは1μｍ〜
5000μｍ、半導体層２の厚さは0.003μｍ〜10μｍ、
電極３ａ，３ｂの厚さは0.01μｍ〜1μｍであるの
が好ましい。そして絶縁性基板１と半導体層２と
電極３ａ，３ｂとにより温度検出器４が構成され
ている。 以上のように構成された実施例１による温度検
出器４において、電極３ａと電極３ｂとを各々正
と負（これは逆であつてもよい）の電源電極にリ
ード線（図示せず）によつて接続し、半導体層２
に直流電流を流すことにより半導体層２の電極３
ａ、電極３ｂ間の抵抗値を測定し、これにより温
度が測定される。 次に実施例１の温度検出器の製造方法について
説明する。 第２図はその製造装置を示す。本装置は典型的
なCVD法による装置であり、図において２１は
真空容器であり、この中にはカソード電極２２と
これと対向してアノード電極２３が設けられてい
る。アノード電極２３内にはヒータ２４が設けら
れていて、このヒータ２４はヒータ電源２５によ
り通電されてアノード電極２３を加熱するように
なつている。 また真空容器２１内へは原料ガスボンベ２６に
より原料ガスが流量コントローラ２７を経て原料
ガス導入口３８から供給されるようになつてい
る。そして真空容器２１内のガスはポンプ３９に
より排ガス処理装置３９ａを経て排出されるよう
になつている。そしてカソード電極２２には高周
波電源４０により高周波電圧がマツチング回路４
０ａを経て印加されるようになつている。そして
アノード電極２３上に半導体層２を形成すべき絶
縁基板１が固定して置かれるようになつている。 以上のような装置によりSiH4，PH3，H2から
なる混合ガス中でグロー放電することにより厚さ
が700μｍのガラス製の絶縁性基板１（商品名：
コーニング7059、コーニング社製）上に厚さ1μ
ｍの微結晶を含む非晶質水素シリコンの半導体層
２が形成され、さらにその上に真空蒸着法により
厚さが0.3μｍのアルミニウムの電極３ａ，３ｂが
形成されて温度検出器４が製造される。 次に本発明による温度検出器の他の実施例につ
いて説明する。 第３図は本発明による温度検出器の第２の実施
例（以下実施例２）を示す。図において３１は実
施例１の絶縁性基板１と同様の絶縁性基板であ
り、この基板３１の上面の一部であつて適宜の距
離だけ離れた２つの箇所の適宜の面積の部分には
２つのアルミニウムの層状の電極３３ａ，３３ｂ
が固着されている。そしてさらに基板３１の上面
にはこれに固着されてかつ電極３３ａ，３３ｂを
覆う形で実施例１の半導体層２と同材質の半導体
層３２が形成されている。ここで絶縁基板３１の
厚さは1μｍ〜5000μｍ、半導体層３２の厚さは
0.003μｍ〜10μｍ、電極３３ａ，３３ｂの厚さは
0.05μｍ〜1μｍであるのが好ましい。そして絶縁
性基板３１と半導体層３２と電極３３ａ，３３ｂ
とにより温度検出器３４が構成されている。 そして実施例２においては電極３３ａ、電極３
３ｂを経て半導体層３２に直流電流を流すことに
より実施例１と同様にして温度の測定が行なわれ
る。 第４図は本発明による温度検出器の第３の実施
例（以下実施例３）を示す。図において４１は導
電性基板であり、ステンレン、Al、Cu、Feなど
の金属またはTCOまたは結晶Siなどが使用され
る。この導電性基板４１上にはこれに固着して実
施例１と同材質の半導体層４２がその上面が導電
性基板４１の上面とほぼ平行となるように設けら
れている。そしてこの半導体層４２の上面の適宜
の面積の中央部にはこれと接触してアルミニウム
の層状の電極４３が固着されている。ここで導電
性基板４１の厚さは50μｍ〜5000μｍ、導電体層
４２の厚さは0.1μｍ〜10μｍ、電極４３の厚さは
0.05μｍ〜1μｍであるのが好ましい。そして導電
性基板４１と半導体層４２と、電極４３とにより
温度検出器４４が構成されている。 実施例３においては、電極４３と導電性基板４
１とが実施例１の電極３ａと電極３ｂとに対応し
ており、電極４３と導電性基板４１を経て半導体
４２に直流電流を流すことにより実施例１と同様
にして温度の測定が行なわれる。 第５図は本発明による温度検出器の第４の実施
例（以下実施例４）を示す。図において５１は実
施例１と同材質の絶縁性基板である。そしてこの
基板５１の上面にはこれに固着してほぼこの上面
と同面積のアルミニウムの層状の電極５３ａが形
成されている。そして電極５３ａの上面にはこの
面積より少し小さい面積であつて実施例１と同材
質の半導体層５２が固着されている。そしてさら
に半導体層５２上面にはこの面積より少し小さい
面積のアルミニウムの層状の電極５３ｂが形成さ
れている。ここで絶縁性基板５１の厚さは50μｍ
〜5000μｍ、半導体層５２の厚さは0.1μｍ〜10μ
ｍ、電極５３ａの厚さは0.05μｍ〜1μｍ、電極５
３ｂの厚さは0.05μｍ〜1μｍであるのが好ましい。
そして絶縁性基板５１と電極５３ａと半導体層５
２と電極５３ｂとにより温度検出器５４が構成さ
れている。 そして実施例４においては電極５３ａと電極５
３ｂを経て半導体層５２に直流電流を流すことに
より実施例１と同様にして温度の測定が行なわれ
る。 なお前記実施例１〜実施例４においては、半導
体層が半導体に不純物として周期律表第５族のリ
ンを添加した微結晶を含む非晶質リンである場合
を示したが、これは周期律表第３族のホウ素を不
純物として添加したものであつてもよく、また微
結晶を含む非晶質水素化シリコンに替えて非晶質
シリコン、非晶質シリコンカーバイドまたはμc
−Siのような一部に微結晶領域を有するものであ
つてもよい。特に非晶質半導体層の抵抗値が大き
くなるばあいには非晶質半導体層の一部を微結晶
化することにより半導体層の抵抗値を小さくする
ことも可能である。 なお、本発明の温度検出器の一実施例について
温度と抵抗値との関係を調べた。 測定に用いた温度検出器は以下のようにして製
造した。すなわち、第２図に示されるような装置
を用い、SiH4，PH3およびH2からなる混合ガス
中でグロー放電することにより厚さが700μｍの
ガラス製の絶縁性基板（商品名コーニング7059、
コーニング社製）上に厚さ1μｍの微結晶を含む
非晶質水素シリコンの半導体層を形成した。つい
で、えられた半導体層の上に真空蒸着法により厚
さが0.3μｍのくし形アルミニウム電極を形成し、
温度検出器を製造した。 えられた温度検出器について、10μAの定電流
を印加して電極間の電圧を測定し、Ｖ／Ｉ＝Ｒ
（Ｖ：電圧、Ｉ：電流、Ｒ：抵抗）により抵抗値
を求めた。真空デユワーを用いて温度検出器を液
体Heにより徐々に冷却した（冷却速度：１℃／
min）。 結果を第６図に示す。第６図において横軸は温
度Ｔ(K)、縦軸は抵抗値Ｒ（Ω）をあらわしている。
抵抗値Ｒの対数値（logR）は温度Ｔの−1/4乗
（T-1/4）の一次関数としてあらわすことができ、
このことにより本発明の温度検出器は100K以下
の低温域において良好な線形性を示すことがわか
る。また、PH3に代えてジボランを用いて半導体
層を形成した温度検出器についても同様の測定を
行つたが、第６図に示されるのと同様の良好な線
形性を示した。 〔発明の効果〕 以上のように本発明による温度検出器は半導体
に不純物を添加してｐ型またはｎ型としかつ非晶
質または一部に微結晶を含む非晶質とした半導体
層を有するようにしたので、100K以下の低温に
おいて従来の温度検出器と比較して広い温度範囲
にわたつて温度変化に対する半導体層の抵抗値変
化の線形性が向上できる結果がある。以下の第１
表に本発明による温度検出器の線形性の効果を示
す。
【表】
第１表において◎は線形性がもつとも良いこと
を示し、〇は次に線形性が良いことを示し、△は
さらにその次に線形性が良いことを示している。
を示し、〇は次に線形性が良いことを示し、△は
さらにその次に線形性が良いことを示している。
第１図は本発明の実施例１に係る温度検出器の
断面図、第２図は本発明の実施例１に係る温度検
出器を製造する装置の概略図、第３図は本発明の
実施例２に係る温度検出器の断面図、第４図は本
発明の実施例３に係る温度検出器の断面図、第５
図は本発明の実施例４に係る温度検出器の断面
図、第６図は本発明の温度検出器の一実施例の線
形性をあらわす図である。 図面の主要符号、２，３２，４２，５２：半導
体層、３ａ，３ｂ，３３ａ，３３ｂ，５３ａ，５
３ｂ，４３：電極、４，３４，４４，５４：温度
検出器。
断面図、第２図は本発明の実施例１に係る温度検
出器を製造する装置の概略図、第３図は本発明の
実施例２に係る温度検出器の断面図、第４図は本
発明の実施例３に係る温度検出器の断面図、第５
図は本発明の実施例４に係る温度検出器の断面
図、第６図は本発明の温度検出器の一実施例の線
形性をあらわす図である。 図面の主要符号、２，３２，４２，５２：半導
体層、３ａ，３ｂ，３３ａ，３３ｂ，５３ａ，５
３ｂ，４３：電極、４，３４，４４，５４：温度
検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体に不純物が添加されてｐ型またはｎ型
にドーピングされておりかつ非晶質または一部に
微結晶を含む非晶質となつている半導体層を有す
る温度検出器。 ２ 前記半導体が周期律表第４族の元素またはそ
の化合物からなり、前記不純物が周期律表第３族
の元素からなる特許請求の範囲第１項記載の温度
検出器。 ３ 前記半導体が周期律表第４族の元素またはそ
の化合物からなり、前記不純物が周期律表第５族
の元素からなる特許請求の範囲第１項記載の温度
検出器。 ４ 前記半導体層の厚さが0.003〜100μｍである
特許請求の範囲第１項記載の温度検出器。 ５ 前記半導体層を介しこれと接触して対向する
２つの電極が設けられた特許請求の範囲第１項記
載の温度検出器。 ６ 前記半導体がシリコンまたはシリコン化合物
である特許請求の範囲第２項または第３項記載の
温度検出器。 ７ 前記半導体がゲルマニウムまたはゲルマニウ
ム化合物である特許請求の範囲第２項または第３
項記載の温度検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089130A JPS62245602A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 温度検出器 |
| US06/905,204 US4754254A (en) | 1986-04-17 | 1986-09-09 | Temperature detector |
| EP87105643A EP0241932A3 (en) | 1986-04-17 | 1987-04-16 | Temperature detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089130A JPS62245602A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 温度検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245602A JPS62245602A (ja) | 1987-10-26 |
| JPH0321081B2 true JPH0321081B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=13962295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61089130A Granted JPS62245602A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 温度検出器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4754254A (ja) |
| EP (1) | EP0241932A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62245602A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3784705T2 (de) * | 1986-10-24 | 1993-06-17 | Anritsu Corp | Mit einem duennschichtleiter versehener elektrischer widerstand und kraftsensor. |
| JP3180323B2 (ja) * | 1992-07-28 | 2001-06-25 | 松下電工株式会社 | 半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子 |
| US5426412A (en) * | 1992-10-27 | 1995-06-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Infrared detecting device and infrared detecting element for use in the device |
| CA2150502A1 (en) * | 1994-08-05 | 1996-02-06 | Michael F. Mattes | Method and apparatus for measuring temperature |
| DE19849471A1 (de) * | 1998-10-21 | 2000-04-27 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Integrierter hochohmiger polykristalliner Siliziumwiderstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US8710615B2 (en) * | 2011-08-31 | 2014-04-29 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with an amorphous semi-insulating layer, temperature sensor, and method of manufacturing a semiconductor device |
| DE102020122923A1 (de) | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Tdk Electronics Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1543297A (fr) * | 1967-08-09 | 1968-10-25 | Radiotechnique Coprim Rtc | Résistances en couche mince à coefficient de température négatif et leur procédé de fabrication |
| FR2123179B1 (ja) * | 1971-01-28 | 1974-02-15 | Commissariat Energie Atomique | |
| DE2724498C2 (de) * | 1977-05-31 | 1982-06-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrischer Schichtwiderstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US4276535A (en) * | 1977-08-23 | 1981-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermistor |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP61089130A patent/JPS62245602A/ja active Granted
- 1986-09-09 US US06/905,204 patent/US4754254A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-04-16 EP EP87105643A patent/EP0241932A3/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4754254A (en) | 1988-06-28 |
| EP0241932A3 (en) | 1989-06-07 |
| EP0241932A2 (en) | 1987-10-21 |
| JPS62245602A (ja) | 1987-10-26 |
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