JPH03211832A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03211832A JPH03211832A JP782690A JP782690A JPH03211832A JP H03211832 A JPH03211832 A JP H03211832A JP 782690 A JP782690 A JP 782690A JP 782690 A JP782690 A JP 782690A JP H03211832 A JPH03211832 A JP H03211832A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- fluorine atoms
- aqueous ammonia
- substrate
- semiconductor
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法に係り、特に半導体基板の清浄表
面形成方法に関し 表面に自然酸化膜やフッ素原子のない半導体基板を得る
ことを目的とし 表面に酸化膜の形成された半導体基板をフッ素原子を含
むガス中に曝す第１の工程と、該半導体基板をアンモニ
ア水に浸漬する第２の工程と、アンモニア水の付着した
該半導体基板を乾燥する第３の工程を有し、該第１の工
程、該第２の工程。
面形成方法に関し 表面に自然酸化膜やフッ素原子のない半導体基板を得る
ことを目的とし 表面に酸化膜の形成された半導体基板をフッ素原子を含
むガス中に曝す第１の工程と、該半導体基板をアンモニ
ア水に浸漬する第２の工程と、アンモニア水の付着した
該半導体基板を乾燥する第３の工程を有し、該第１の工
程、該第２の工程。
該第３の工程をこの順に行う半導体装置の製造方法によ
り構成する。
り構成する。
また、第２の工程と第３の工程間に、半導体基板を水洗
する工程を有する上記の半導体装置の製造方法により構
成する。
する工程を有する上記の半導体装置の製造方法により構
成する。
また、乾燥工程の後、残存するアンモニア成分を除去す
るアニールを行う半導体装置の製造方法により構成する
。
るアニールを行う半導体装置の製造方法により構成する
。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体基板
の清浄表面形成方法に関する。
の清浄表面形成方法に関する。
シリコンウェハーの自然酸化膜を除去する技術は、エピ
タキシャル成長の前処理やコンタクト形成の前処理環、
将来のＵＬＳＩ製造において重要な技術となる。自然酸
化膜を除去してシリコンの清浄表面を得るプロセスでは
、低温化が望まれている。
タキシャル成長の前処理やコンタクト形成の前処理環、
将来のＵＬＳＩ製造において重要な技術となる。自然酸
化膜を除去してシリコンの清浄表面を得るプロセスでは
、低温化が望まれている。
最近になって、ＨＦ等のフッ素系ガスを用いる方法が研
究されているが、この方法では自然酸化膜除去後にシリ
コン表面にフッ素原子が残留してしまい、このフッ素原
子が除去し難いという問題が生じていた。例えば、コン
タクト形成の前処理にフッ素系ガスを用いると、シリコ
ン表面に残留したフッ素原子がコンタクト特性を不安定
にしまた。劣化を引き起こす。
究されているが、この方法では自然酸化膜除去後にシリ
コン表面にフッ素原子が残留してしまい、このフッ素原
子が除去し難いという問題が生じていた。例えば、コン
タクト形成の前処理にフッ素系ガスを用いると、シリコ
ン表面に残留したフッ素原子がコンタクト特性を不安定
にしまた。劣化を引き起こす。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、フッ素系ガスを用いてシリコン表面を清浄化
した後残留するフッ素原子を、低温で除去する方法を提
供することを目的とする。
した後残留するフッ素原子を、低温で除去する方法を提
供することを目的とする。
上記課題は２表面に酸化膜の形成された半導体基板をフ
ッ素原子を含むガス中に曝す第１の工程と、該半導体基
板をアンモニア水に浸漬する第２の工程と２アンモニア
水の付着した該半導体基板を乾燥する第３の工程を有し
、該第１の工程、該第２の工程、該第３の工程をこの順
に行う半導体装置の製造方法によって解決される。
ッ素原子を含むガス中に曝す第１の工程と、該半導体基
板をアンモニア水に浸漬する第２の工程と２アンモニア
水の付着した該半導体基板を乾燥する第３の工程を有し
、該第１の工程、該第２の工程、該第３の工程をこの順
に行う半導体装置の製造方法によって解決される。
また、第２の工程と第３の工程間に、半導体基板を水洗
する工程を有する上記の半導体装置の製造方法によって
解決される。
する工程を有する上記の半導体装置の製造方法によって
解決される。
また、アンモニア水の付着した該半導体基板を乾燥する
第３の工程の後に、残存するアンモニア成分を除去する
アニールを行う半導体装置の製造方法によって解決され
る。
第３の工程の後に、残存するアンモニア成分を除去する
アニールを行う半導体装置の製造方法によって解決され
る。
半導体基板を、フッ素原子を含むガス中に曝す第１の工
程で表面の自然酸化膜が除去されるが。
程で表面の自然酸化膜が除去されるが。
その時表面にフッ素原子が残留する。その半導体基板を
アンモニア水に浸漬する第２の工程では。
アンモニア水に浸漬する第２の工程では。
アンモニアが残留しているフッ素原子と反応して。
ＮＨ，Ｆ、ＮＨ２Ｆ等の化合物を生成し、これらの化合
物が液相中に脱離する。
物が液相中に脱離する。
その後、アンモニア水の付着した半導体基板を乾燥する
第３の工程では、アンモニア水が蒸発し。
第３の工程では、アンモニア水が蒸発し。
清浄な半導体表面が得られる。
また、第２の工程と第３の工程間に、半導体基板を水洗
する工程を入れれば、半導体基板表面に付着しているの
はほとんど水分だけとなり、半導体基板を加熱する第３
の工程ではその水分が蒸発して清浄な半導体表面が得ら
れる。
する工程を入れれば、半導体基板表面に付着しているの
はほとんど水分だけとなり、半導体基板を加熱する第３
の工程ではその水分が蒸発して清浄な半導体表面が得ら
れる。
さらに、上述の乾燥工程後、よしんばアンモニア成分が
半導体基板表面に残存していたとしても。
半導体基板表面に残存していたとしても。
それを除去するアニールを行えば、極めて清浄な半導体
表面が得られる。
表面が得られる。
（実施例〕
実施例Ｉ
コンタクト用窓開けの終了したシリコン基板を。
ＨＦ処理槽に導入し、窒素で希釈した３％ＨＦガスに５
分間曝した。
分間曝した。
次に、シリコン基板をＨＦ処理槽から取り出し２直ちに
０．１％のアンモニア水に３０秒浸漬した。
０．１％のアンモニア水に３０秒浸漬した。
次に、スピンドライヤーで乾燥した。
第１図はこの状態におけるシリコン基板表面をＸ線光電
子分光法（ＸＰＳ）で分析した結果を示す。第１図は結
合エネルギーに対する光電子数の関係を示し、Ｆ’＋＊
はフッ素原子のＩｓ状態から放出される光電子数を示し
ている。この図に見るように、アンモニア水に浸漬する
前はフッ素原子によるピークがあるが、アンモニア水に
浸漬した後ではフッ素原子によるピークは見られない。
子分光法（ＸＰＳ）で分析した結果を示す。第１図は結
合エネルギーに対する光電子数の関係を示し、Ｆ’＋＊
はフッ素原子のＩｓ状態から放出される光電子数を示し
ている。この図に見るように、アンモニア水に浸漬する
前はフッ素原子によるピークがあるが、アンモニア水に
浸漬した後ではフッ素原子によるピークは見られない。
バツフグランドを差し引くと、フッ素原子による光電子
数は、アンモニア水に浸漬した後ではアンモニア水に浸
漬する前の十分の一以下であることが分かった。
数は、アンモニア水に浸漬した後ではアンモニア水に浸
漬する前の十分の一以下であることが分かった。
スピンドライヤーで乾燥した後、すぐこのシリコン基板
にＣＶＤ法によりタングステンシリサイドを堆積した。
にＣＶＤ法によりタングステンシリサイドを堆積した。
このようにして形成したコンタクトに特性の不安定性、
劣化は見られなかった。
劣化は見られなかった。
なお、残存するアンモニア成分をシリコン基板表面から
完全に除去するため、スピンドライヤーで乾燥した後、
熱処理炉に入れ、既に形成されている素子部分に影響を
与えない温度２例えば５００ ”Ｃ以下で熱処理しても
よい。
完全に除去するため、スピンドライヤーで乾燥した後、
熱処理炉に入れ、既に形成されている素子部分に影響を
与えない温度２例えば５００ ”Ｃ以下で熱処理しても
よい。
実施例■
コンタクト用窓開けの終了したシリコン基板を。
ＨＦ処理槽に導入し、窒素で希釈した３％ＨＦガスに５
分間曝した。
分間曝した。
次に、シリコン基板をＨＦ処理槽から取り出し直ちに０
．１％のアンモニア水に３０秒浸漬した。
．１％のアンモニア水に３０秒浸漬した。
次に、１０分間流水洗浄した。
次に、スピンドライヤーで乾燥した。
この場合も実施例Ｉと同様、Ｘ線光電子分光法（ｘｐｓ
）で分析した結果、フッ素原子によるピークは見られな
かった。
）で分析した結果、フッ素原子によるピークは見られな
かった。
なお、第１の工程のフッ素原子を含むガスとしては、フ
ッ化水素（ＨＦ）やフッ素ガス（Ｆ２）を不活性ガスで
希釈したガスを用いてもよく、さらにＨ，Ｏを混合して
もよい。
ッ化水素（ＨＦ）やフッ素ガス（Ｆ２）を不活性ガスで
希釈したガスを用いてもよく、さらにＨ，Ｏを混合して
もよい。
以上説明したように１本発明によれば、半導体基板表面
の自然酸化膜を除去し、さらにフッ素原子が残留するこ
とを防止して、清浄な表面を得ることができる。
の自然酸化膜を除去し、さらにフッ素原子が残留するこ
とを防止して、清浄な表面を得ることができる。
本発明を２例えば、コンタクト形成の前処理に応用した
場合、コンタクト特性の向上と安定化が達成される。
場合、コンタクト特性の向上と安定化が達成される。
４、
第１図はシリコン基板表面のＸＰｓ分析結果尤
電
千
敏（αＬＬ、）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕表面に酸化膜の形成された半導体基板をフッ素原
子を含むガス中に曝す第１の工程と、該半導体基板をア
ンモニア水に浸漬する第２の工程と、 アンモニア水の付着した該半導体基板を乾燥する第３の
工程を有し、 該第１の工程、該第２の工程、該第３の工程をこの順に
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 〔２〕第２の工程と第３の工程間に、半導体基板を水洗
する工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 〔３〕請求項１記載の工程或いは請求項２記載の工程の
後に、残存するアンモニア成分を除去するアニールを行
うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP782690A JPH03211832A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP782690A JPH03211832A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211832A true JPH03211832A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11676401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP782690A Pending JPH03211832A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211832A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871628A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6092621A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-24 | Tasu Gijutsu Kenkyusho:Kk | 精密洗浄方法 |
| JPS627133A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | 洗浄乾燥装置 |
| JPS62272541A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPS63234535A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Nec Corp | 半導体ウエ−ハの洗浄方法 |
| JPH01146330A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Res Dev Corp Of Japan | シリコン固体の表面清浄化方法 |
| JPH01244622A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Nec Corp | シリコン基板の処理装置 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP782690A patent/JPH03211832A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871628A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| JPH01146330A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Res Dev Corp Of Japan | シリコン固体の表面清浄化方法 |
| JPH01244622A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Nec Corp | シリコン基板の処理装置 |
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