JPH03211887A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH03211887A JPH03211887A JP2007631A JP763190A JPH03211887A JP H03211887 A JPH03211887 A JP H03211887A JP 2007631 A JP2007631 A JP 2007631A JP 763190 A JP763190 A JP 763190A JP H03211887 A JPH03211887 A JP H03211887A
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光が照射されることによって発生するキャリ
アが、光の照射される方向と交差する方向に走行する半
導体受光素子、いわゆる横型受光素子に関する。
アが、光の照射される方向と交差する方向に走行する半
導体受光素子、いわゆる横型受光素子に関する。
第３図にかかる半導体受光素子（Ｍｅｔａｌ−８ｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｍ Ｓ Ｍ受光素子
）の従来例を示す。図示した従来の半導体受光素子は、
ショットキ電極を表面に有するものであり、インジウム
・リンＩｎＰ等の基板１上にガリウム・インジウム・ヒ
素Ｇａ ＩｎＡｓ等のエピタキシャル成長層が受光層２
として形成され、さらに、この受光層２の上にアルミニ
ウム・インジウム・ヒ素ＡＮＩｎＡｓ等のエピタキシャ
ル成長層３が形成されている。そして、エピタキシャル
成長層３の上にはＴ ｉ ／ Ｐ ｔ ／ Ａ ｕのシ
ョットキ電極５が一対形成されている。この一対の電極
５は受光層２に照射される光の方向と交差する方向にお
いて互いに離間している。なお、エピタキシャル成長層
３は、Ｇａ１ｎＡｓの受光層２にはショットキ接続が取
れないため形成されるものである。
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｍ Ｓ Ｍ受光素子
）の従来例を示す。図示した従来の半導体受光素子は、
ショットキ電極を表面に有するものであり、インジウム
・リンＩｎＰ等の基板１上にガリウム・インジウム・ヒ
素Ｇａ ＩｎＡｓ等のエピタキシャル成長層が受光層２
として形成され、さらに、この受光層２の上にアルミニ
ウム・インジウム・ヒ素ＡＮＩｎＡｓ等のエピタキシャ
ル成長層３が形成されている。そして、エピタキシャル
成長層３の上にはＴ ｉ ／ Ｐ ｔ ／ Ａ ｕのシ
ョットキ電極５が一対形成されている。この一対の電極
５は受光層２に照射される光の方向と交差する方向にお
いて互いに離間している。なお、エピタキシャル成長層
３は、Ｇａ１ｎＡｓの受光層２にはショットキ接続が取
れないため形成されるものである。
かかる構造の半導体受光素子では、表面に形成されたシ
ョットキ電極５により受光素子の暗電流が低減されてい
た。
ョットキ電極５により受光素子の暗電流が低減されてい
た。
（発明が解決しようとする課題〕
しかし、上述した従来の半導体受光素子においては、電
極相互間に印加される電圧が一１〜＋ＩＶの範囲内では
ショットキ特性により、暗電流は１０ｎＡ以下となって
いるものの、電極相互間に印加される電圧が１．５Ｖ以
上になると、ショットキ特性が破壊（ブレークダウン）
され、急激に暗電流が増大し、約５ｖの電圧が印加され
た場合には、およそ２μＡ程度の暗電流が流れてしまう
そこで、上述の事情に鑑み、本発明は半導体受光素子に
流れる暗電流を低減することを目的としている。
極相互間に印加される電圧が一１〜＋ＩＶの範囲内では
ショットキ特性により、暗電流は１０ｎＡ以下となって
いるものの、電極相互間に印加される電圧が１．５Ｖ以
上になると、ショットキ特性が破壊（ブレークダウン）
され、急激に暗電流が増大し、約５ｖの電圧が印加され
た場合には、およそ２μＡ程度の暗電流が流れてしまう
そこで、上述の事情に鑑み、本発明は半導体受光素子に
流れる暗電流を低減することを目的としている。
上述の目的を達成するため、本発明による半導体受光素
子においては、前記受光層と反対導電形の半導体層をこ
の受光層の受光面と反対側の面に接合した構成となって
いる。
子においては、前記受光層と反対導電形の半導体層をこ
の受光層の受光面と反対側の面に接合した構成となって
いる。
このような構成とすることにより、受光層に存在するキ
ャリアが空乏化され、受光層の抵抗が増大する。
ャリアが空乏化され、受光層の抵抗が増大する。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について第１図を参照しつつ、説
明する。
明する。
第１図は本発明による半導体受光素子の一実施例の断面
を示している。図示した本発明の実施例においては、イ
ンジウム・リンＩｎＰ等の基板１１上にｐ−１ｎＰ若し
くはｐ−ＧａＩｎＡｓの半導体層１２が形成されており
、この半導体層１２の上にガリウム・インジウム争ヒ素
Ｇａ１ｎＡｓのエピタキシャル成長層が受光層１３とし
て形成されている。この受光層１３はドーピングされて
いないがｎ形となっている。Ｇａ１ｎＡｓの受光層１３
にはショットキ接続をとれないので、ショットキ接続を
得るため、さらにその上にアルミニウム・インジウム・
ヒ素Ａｊ７１ｎＡｓのエピタキシャル成長層１５が形成
されている。そして、エピタキシャル成長層１５の上面
には、一対のシＥｌ ットキ電極１６ （Ｔ ｉ ／
Ｐ ｔ ／ Ａ ｕ ）が形成されている。この一対の
電極１６は受光層１３に照射される光の方向と交差する
方向において互いにＭ間している。
を示している。図示した本発明の実施例においては、イ
ンジウム・リンＩｎＰ等の基板１１上にｐ−１ｎＰ若し
くはｐ−ＧａＩｎＡｓの半導体層１２が形成されており
、この半導体層１２の上にガリウム・インジウム争ヒ素
Ｇａ１ｎＡｓのエピタキシャル成長層が受光層１３とし
て形成されている。この受光層１３はドーピングされて
いないがｎ形となっている。Ｇａ１ｎＡｓの受光層１３
にはショットキ接続をとれないので、ショットキ接続を
得るため、さらにその上にアルミニウム・インジウム・
ヒ素Ａｊ７１ｎＡｓのエピタキシャル成長層１５が形成
されている。そして、エピタキシャル成長層１５の上面
には、一対のシＥｌ ットキ電極１６ （Ｔ ｉ ／
Ｐ ｔ ／ Ａ ｕ ）が形成されている。この一対の
電極１６は受光層１３に照射される光の方向と交差する
方向において互いにＭ間している。
このようにすると、受光層１３の光が照射される受光面
と反対側の面に、受光層１３と半休導電形の半導体層１
２が接合された構造となり、受光層１３に存在するキャ
リアが空乏化され、受光層１３の抵抗が増大する。した
がって、受光層１３を電流が流れ難くなり、暗電流が低
減される。
と反対側の面に、受光層１３と半休導電形の半導体層１
２が接合された構造となり、受光層１３に存在するキャ
リアが空乏化され、受光層１３の抵抗が増大する。した
がって、受光層１３を電流が流れ難くなり、暗電流が低
減される。
第２図に、本発明の実施例として上述した半導体受光素
子と従来の半導体受光素子の暗電流を測定した結果を比
較して示す。なお、比較した半導体受光素子の電極間隔
はいずれの場合も５μｍであった。同図において、鎖線
にて示されているのが本発明の実施例として上述した半
導体受光素子の暗電流であり、実線にて示されているの
が従来の半導体受光素子の暗電流である。同図から明ら
かなように、従来構造の半導体受光素子では電極相互間
に印加される電圧が１．５Ｖ以上になるとブレークダウ
ンし、暗電流が急激に増大する。このため、印加電圧が
ＩＶ以下では暗電流がＩｏｎＡ以下であるのに、印加電
圧が５■になると暗電流は２μＡに急激に増加してしま
う。これに対し、本発明の実施例として示した半導体受
光素子では、ブレークダウン電圧は従来と同様であるが
、ブレークダウン後の暗電流の急激な増加が抑制されて
おり、印加電圧が５Ｖ程度でも暗電流は１００ｎ八程度
しか流れず、暗電流が大幅に低減されていることが解る
。なお、印加電圧を５Ｖとしたとき半導体受光素子では
、従来のものに比べ暗電流が１／２０程度に低減されて
いる。
子と従来の半導体受光素子の暗電流を測定した結果を比
較して示す。なお、比較した半導体受光素子の電極間隔
はいずれの場合も５μｍであった。同図において、鎖線
にて示されているのが本発明の実施例として上述した半
導体受光素子の暗電流であり、実線にて示されているの
が従来の半導体受光素子の暗電流である。同図から明ら
かなように、従来構造の半導体受光素子では電極相互間
に印加される電圧が１．５Ｖ以上になるとブレークダウ
ンし、暗電流が急激に増大する。このため、印加電圧が
ＩＶ以下では暗電流がＩｏｎＡ以下であるのに、印加電
圧が５■になると暗電流は２μＡに急激に増加してしま
う。これに対し、本発明の実施例として示した半導体受
光素子では、ブレークダウン電圧は従来と同様であるが
、ブレークダウン後の暗電流の急激な増加が抑制されて
おり、印加電圧が５Ｖ程度でも暗電流は１００ｎ八程度
しか流れず、暗電流が大幅に低減されていることが解る
。なお、印加電圧を５Ｖとしたとき半導体受光素子では
、従来のものに比べ暗電流が１／２０程度に低減されて
いる。
以上説明したように、本発明によれば、受光層を空乏化
することにより、受光層の抵抗を増大させ、これにより
、半導体受光素子の暗電流を低減することができる。
することにより、受光層の抵抗を増大させ、これにより
、半導体受光素子の暗電流を低減することができる。
第１図は本発明による半導体受光素子の一実施例を示し
た断面図、第２図は第１図に示した構造の半導体受光素
子と従来構造の半導体受光素子の暗電流を比較して示し
た図表、第３図は従来の半導体受光素子を示した断面図
である。 １１・・・基板、１２・・・半導体層、１３・・・受光
層、１６・・・電極。
た断面図、第２図は第１図に示した構造の半導体受光素
子と従来構造の半導体受光素子の暗電流を比較して示し
た図表、第３図は従来の半導体受光素子を示した断面図
である。 １１・・・基板、１２・・・半導体層、１３・・・受光
層、１６・・・電極。
Claims (1)
- 光が照射されるとキャリアを生ずる受光層と、この受光
層上に光が照射される方向と交差する方向において互い
に離間して設けられた少なくとも一対の電極とを備えた
半導体受光素子であって、前記受光層と反対導電形の半
導体層がこの受光層の受光面と反対側の面に接合されて
いることを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007631A JPH03211887A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007631A JPH03211887A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211887A true JPH03211887A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11671179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007631A Pending JPH03211887A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211887A (ja) |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP2007631A patent/JPH03211887A/ja active Pending
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