JPH042177A - 横型受光素子 - Google Patents
横型受光素子Info
- Publication number
- JPH042177A JPH042177A JP2102606A JP10260690A JPH042177A JP H042177 A JPH042177 A JP H042177A JP 2102606 A JP2102606 A JP 2102606A JP 10260690 A JP10260690 A JP 10260690A JP H042177 A JPH042177 A JP H042177A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- light absorption
- type
- light
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- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光の入射方向とほぼ直交する方向に信号電流が
流れる横型受光素子に関する。
流れる横型受光素子に関する。
第３図は、従来技術に係る横型受光素子を示すものであ
る。同図（ａ）は光の入射方向に切断した縦断面図を示
すものであり、同図（ｂ）はその等価回路を示すもので
ある。この受光素子は高抵抗１ｎＰ基板１上にｐ形Ｉｎ
Ｐ層２を形成し、その上に光吸収層としてアンドープの
ｎ形ＧａＩｎＡｓ層３を形成している。このｎ形Ｇａ１
ｎＡｓ層３の上部には一対のｎ形オーミック電極４が形
成されている。この横型受光素子では、ｐ形ＩｎＰ層２
が光吸収層に接続されているので、ダイオードＤ１によ
りプラス電圧が印加される電極（左側電極）４の下方領
域が空乏化する。その為、入射光により発生した電子と
ホールの内、移動速度の遅いホールがｐｎ接合によりｐ
形１ｎＰ層２に吸収され、広帯域化が計られる。
る。同図（ａ）は光の入射方向に切断した縦断面図を示
すものであり、同図（ｂ）はその等価回路を示すもので
ある。この受光素子は高抵抗１ｎＰ基板１上にｐ形Ｉｎ
Ｐ層２を形成し、その上に光吸収層としてアンドープの
ｎ形ＧａＩｎＡｓ層３を形成している。このｎ形Ｇａ１
ｎＡｓ層３の上部には一対のｎ形オーミック電極４が形
成されている。この横型受光素子では、ｐ形ＩｎＰ層２
が光吸収層に接続されているので、ダイオードＤ１によ
りプラス電圧が印加される電極（左側電極）４の下方領
域が空乏化する。その為、入射光により発生した電子と
ホールの内、移動速度の遅いホールがｐｎ接合によりｐ
形１ｎＰ層２に吸収され、広帯域化が計られる。
しかし、第３図（ｂ）で示すように、従来の横型受光素
子ではダイオードＤ２が順方向にバイアスされ、この部
分の電界が弱くなるという欠点があった。
子ではダイオードＤ２が順方向にバイアスされ、この部
分の電界が弱くなるという欠点があった。
そこで本発明は、上記欠点を解決できる横型受光素子を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
上記課題を達成するため本発明は、入射光によりキャリ
アが生ずる第１導電形（例えばｎ形）光吸収層と、上記
光吸収層の一面に接合された第２導電形（例えばｐ形）
半導体層とを備えた横型受光素子であって、上記第１導
電形光吸収層の他面に形成されたバンドギャップの広い
エピタキシャル成長層と、上記入射光と交差する方向に
おいて上記エピタキシャル成長層上に互いに離間して設
けられた少なくとも一対のショットキ電極とを含んで構
成されていることを特徴とする。
アが生ずる第１導電形（例えばｎ形）光吸収層と、上記
光吸収層の一面に接合された第２導電形（例えばｐ形）
半導体層とを備えた横型受光素子であって、上記第１導
電形光吸収層の他面に形成されたバンドギャップの広い
エピタキシャル成長層と、上記入射光と交差する方向に
おいて上記エピタキシャル成長層上に互いに離間して設
けられた少なくとも一対のショットキ電極とを含んで構
成されていることを特徴とする。
本発明は以上のように構成されているので、光吸収層上
に形成されたエピタキシャル成長層の作用により、バイ
アス電圧のマイナス端子が接続されるショットキ電極の
設置領域が空乏化され、電界が高くなる。
に形成されたエピタキシャル成長層の作用により、バイ
アス電圧のマイナス端子が接続されるショットキ電極の
設置領域が空乏化され、電界が高くなる。
以下、この発明の一実施例に係る横型受光素子を添付図
面に基づき説明する。なお、説明にお０て同一要素には
同一符号を用い、重複する説明は省略する。
面に基づき説明する。なお、説明にお０て同一要素には
同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１図（ａ）は、実施例に係る横型受光素子を示す縦断
面図である。この横型受光素子は、高抵抗のＩｎＰ等の
基板５上にｐ形１ｎＰ層（第２導電形半導体層）６が形
成されている。材料としては、ＩｎＰの代わりにＧａ
Ｉ ｎＡｓを使用してもよい。このｐ形ＩｎＰ層６の上
部には、光吸収層としてｎ形Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層（第１
導電形光吸収層）７が形成されている。このｎ形ＧａＩ
ｎＡｓ層７の上部にはエピタキシャル成長層８が形成さ
れている。このエピタキシャル成長層８はノくンドギャ
ップが広い材料、例えばＡｌＩｎＡｓで構成されている
。さらに、エピタキシャル成長層８の上部には一対のシ
ョットキ電極９．１０が形成されている。ショットキ電
極９．１０は、例えばＴｉ／Ｐ ｔ ／ Ａ ｕで形成
することができる。
面図である。この横型受光素子は、高抵抗のＩｎＰ等の
基板５上にｐ形１ｎＰ層（第２導電形半導体層）６が形
成されている。材料としては、ＩｎＰの代わりにＧａ
Ｉ ｎＡｓを使用してもよい。このｐ形ＩｎＰ層６の上
部には、光吸収層としてｎ形Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層（第１
導電形光吸収層）７が形成されている。このｎ形ＧａＩ
ｎＡｓ層７の上部にはエピタキシャル成長層８が形成さ
れている。このエピタキシャル成長層８はノくンドギャ
ップが広い材料、例えばＡｌＩｎＡｓで構成されている
。さらに、エピタキシャル成長層８の上部には一対のシ
ョットキ電極９．１０が形成されている。ショットキ電
極９．１０は、例えばＴｉ／Ｐ ｔ ／ Ａ ｕで形成
することができる。
同図（ｂ）は、同図（ａ）に示す横型受光素子の等価回
路を示すものである。この横型受光素子によると、４つ
のダイオードＤ −Ｄ ＳＤｓ、Ｄ６が等価的に存
在する。その中で、ダイオードＤ３、ＤＢは電圧を印加
した時に逆方向バイアスとして作用するので、ショット
キ電極９の下方領域のみならず、ショットキ電極１０の
下部領域も空乏化され応答特性が向上する。
路を示すものである。この横型受光素子によると、４つ
のダイオードＤ −Ｄ ＳＤｓ、Ｄ６が等価的に存
在する。その中で、ダイオードＤ３、ＤＢは電圧を印加
した時に逆方向バイアスとして作用するので、ショット
キ電極９の下方領域のみならず、ショットキ電極１０の
下部領域も空乏化され応答特性が向上する。
第２図は、従来の横型受光素子と上記実施例に係る横型
受光素子の応答特性を比較した実験結果を示すグラフで
ある。同図（ａ）は従来の横型受光素子の応答特性を示
し、同図（ｂ）は上記実施例に係る横型受光素子の応答
特性を示すものである。光源として、波長１．３μｍ１
半値幅４０ｐＳｅｅの光パルスを使用した。また、バイ
アス電圧は２Ｖ、電極間隔を５μｍとした。
受光素子の応答特性を比較した実験結果を示すグラフで
ある。同図（ａ）は従来の横型受光素子の応答特性を示
し、同図（ｂ）は上記実施例に係る横型受光素子の応答
特性を示すものである。光源として、波長１．３μｍ１
半値幅４０ｐＳｅｅの光パルスを使用した。また、バイ
アス電圧は２Ｖ、電極間隔を５μｍとした。
この実験結果によると、立下り時間は従来の横型受光素
子では６００ ｐｓｅｃであったが、実施例に係る横型
受光素子ではわずか８０ ｐｓｅｃであり、応答特性が
一段と向上されたことがわかる。
子では６００ ｐｓｅｃであったが、実施例に係る横型
受光素子ではわずか８０ ｐｓｅｃであり、応答特性が
一段と向上されたことがわかる。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではない
。例えば、上記実施例では第１導電形としてｎ形、第２
導電形としてｐ形を使用しているが、第１導電形として
ｐ形、第２導電形としてｎ形を使用してもよい。
。例えば、上記実施例では第１導電形としてｎ形、第２
導電形としてｐ形を使用しているが、第１導電形として
ｐ形、第２導電形としてｎ形を使用してもよい。
また、光吸収層、エピタキシャル成長層、ショットキ電
極の材質、形状、数、配置例などは上記実施例に限定さ
れるものではなく、横型受光素子の使用条件により適切
な材質、形状、数、配置例などが選択される。
極の材質、形状、数、配置例などは上記実施例に限定さ
れるものではなく、横型受光素子の使用条件により適切
な材質、形状、数、配置例などが選択される。
この発明は、以上説明したように構成されているので、
従来の横型受光素子に比べて応答特性が向上し、広帯域
化を実現することができる。
従来の横型受光素子に比べて応答特性が向上し、広帯域
化を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例に係る横型受光素子を示す縦
断面図、第２図は従来の横型受光素子と上記実施例に係
る横型受光素子の応答特性を比較した実験結果を示すグ
ラフ、第３図は従来技術に係る横型受光素子を示す縦断
面図である。 １・・・ＩｎＰ基板、２・・・ｐ形ＩｎＰ層、３・・・
ｎ形Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層、４・・・ｎ形オーミック電極
、５・・・基板、６・・・ｐ形１ｎＰ層（第２導電形半
導体層）、７・・・ｎ形Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層（第１導電
形光吸収Ｊｌ） 、８・・・エピタキシャル成長層、９
．１０・・・ショットキ電極。
断面図、第２図は従来の横型受光素子と上記実施例に係
る横型受光素子の応答特性を比較した実験結果を示すグ
ラフ、第３図は従来技術に係る横型受光素子を示す縦断
面図である。 １・・・ＩｎＰ基板、２・・・ｐ形ＩｎＰ層、３・・・
ｎ形Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層、４・・・ｎ形オーミック電極
、５・・・基板、６・・・ｐ形１ｎＰ層（第２導電形半
導体層）、７・・・ｎ形Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層（第１導電
形光吸収Ｊｌ） 、８・・・エピタキシャル成長層、９
．１０・・・ショットキ電極。
Claims (1)
- 入射光によりキャリアが生ずる第１導電形光吸収層と
、前記光吸収層の一面に接合された第２導電形半導体層
とを備えた横型受光素子であって、前記第１導電形光吸
収層の他面に形成されたバンドギャップの広いエピタキ
シャル成長層と、前記入射光と交差する方向において前
記エピタキシャル成長層上に互いに離間して設けられた
少なくとも一対のショットキ電極とを含んで構成されて
いることを特徴とする横型受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102606A JPH042177A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 横型受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102606A JPH042177A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 横型受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042177A true JPH042177A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14331900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2102606A Pending JPH042177A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 横型受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042177A (ja) |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2102606A patent/JPH042177A/ja active Pending
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