JPH03211886A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH03211886A JPH03211886A JP2007630A JP763090A JPH03211886A JP H03211886 A JPH03211886 A JP H03211886A JP 2007630 A JP2007630 A JP 2007630A JP 763090 A JP763090 A JP 763090A JP H03211886 A JPH03211886 A JP H03211886A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光が照射されることによって発生するキャリ
アが、光の照射される方向と交差する方向に走行する半
導体受光素子、いわゆる横型受光素子に関する。
アが、光の照射される方向と交差する方向に走行する半
導体受光素子、いわゆる横型受光素子に関する。
第３図にかかる半導体受光素子の従来例を示す。
図示した従来の半導体受光素子においては、インジウム
・リンＩｎＰ等の基板１上にガリウム・インジウム・ヒ
素Ｇａ１ｎＡｓ等のエピタキシャル成長層を受光層２と
して形成し、この受光層２の表面上に互いに離間して一
対の電極３を形成した構造となっている。
・リンＩｎＰ等の基板１上にガリウム・インジウム・ヒ
素Ｇａ１ｎＡｓ等のエピタキシャル成長層を受光層２と
して形成し、この受光層２の表面上に互いに離間して一
対の電極３を形成した構造となっている。
かかる構造の半導体受光素子では、電極３相互間に電圧
を印加すると、図示したように、受光層２に接して対向
する電極の底面のエツジ部に電界が集中し、これが主た
る原因となって暗電流が生じる。
を印加すると、図示したように、受光層２に接して対向
する電極の底面のエツジ部に電界が集中し、これが主た
る原因となって暗電流が生じる。
そこで、上述の事情に鑑み、本発明は半導体受光素子に
流れる暗電流を低減することを目的としている。
流れる暗電流を低減することを目的としている。
上述の目的を達成するため、本発明による半導体受光素
子においては、受光層に形成される電極の少なくとも底
面が受光層の表面から受光層内に埋没した構成となって
いる。
子においては、受光層に形成される電極の少なくとも底
面が受光層の表面から受光層内に埋没した構成となって
いる。
このような構成とすることにより、電極底面のエツジ部
への電界集中が緩和される。
への電界集中が緩和される。
以下、本発明の実施例について第１図を参照しつつ、説
明する。
明する。
第１図は本発明による半導体受光素子の一実施例の断面
を示している。図示した本発明の実施例においては、イ
ンジウム・リンＩｎＰ等の基板１１上にガリウム・イン
ジウム・ヒ素Ｇａ１ｎＡｓのエピタキシャル成長層〕２
とアルミニウム・インジウム・ヒ＄Ａ、１７１ｎＡｓの
エピタキシャル成長層１３が順に形成されており、この
２つのエピタキシャル成長層１２および１３により受光
層１５が構成されている。なお、２つのエピタキシャル
成長層１２および１３の厚さは、それぞれ１μｍおよび
０．２μｍとなっている。そして、エピタキシャル成長
層１２および１３がら構成される受光層１５には、一対
のショットキ電極１６（Ｔ ｉ ／ Ｐ Ｌ ／ Ａ
ｕ ）が形成されている。この−対の電極１６は受光層
１５に照射される光の方向と交差する方向において互い
に離間しており、いずれも受光層１５内に埋め込まれて
形成されている。なお、電極１６を受光層１５内に埋め
込んで形成するには、電極を蒸着により形成する前に、
エツチング等により受光層１５の表面に電極が埋め込ま
れる四部を形成しておき、その中に電極を形成すればよ
い。このように、電極１６を受光層１５内に埋め込むこ
とによって、図示したように、電極底面のエツジ部への
電界集中を緩和することができ、暗電流を低減すること
ができる。
を示している。図示した本発明の実施例においては、イ
ンジウム・リンＩｎＰ等の基板１１上にガリウム・イン
ジウム・ヒ素Ｇａ１ｎＡｓのエピタキシャル成長層〕２
とアルミニウム・インジウム・ヒ＄Ａ、１７１ｎＡｓの
エピタキシャル成長層１３が順に形成されており、この
２つのエピタキシャル成長層１２および１３により受光
層１５が構成されている。なお、２つのエピタキシャル
成長層１２および１３の厚さは、それぞれ１μｍおよび
０．２μｍとなっている。そして、エピタキシャル成長
層１２および１３がら構成される受光層１５には、一対
のショットキ電極１６（Ｔ ｉ ／ Ｐ Ｌ ／ Ａ
ｕ ）が形成されている。この−対の電極１６は受光層
１５に照射される光の方向と交差する方向において互い
に離間しており、いずれも受光層１５内に埋め込まれて
形成されている。なお、電極１６を受光層１５内に埋め
込んで形成するには、電極を蒸着により形成する前に、
エツチング等により受光層１５の表面に電極が埋め込ま
れる四部を形成しておき、その中に電極を形成すればよ
い。このように、電極１６を受光層１５内に埋め込むこ
とによって、図示したように、電極底面のエツジ部への
電界集中を緩和することができ、暗電流を低減すること
ができる。
第２図に、本発明の実施例として上述した半導体受光素
子と従来の半導体受光素子の暗電流を測定した結果を比
較して示す。なお、比較した半導体受光素子の電極間隔
はいずれの場合も５μｍであった。同図において、鎖線
にて示されているのが本発明の実施例として上述した半
導体受光素子の暗電流であり、実線にて示されているの
が従来の半導体受光素子の暗電流である。同図から明ら
かなように、従来構造の半導体受光素子では電極相互間
に電圧が印加されると、電極底面のエツジ部への電界集
中が著しく、印加電圧が１．５Ｖ以上になるとブレーク
ダウンしてしまう。このため、印加電圧がＩＶ以下では
暗電流が１０ｎＡ以下であるのに、印加電圧が３Ｖにな
ると暗電流は１μＡに急激に増加してしまう。これに対
し、本発明の実施例として示した半導体受光素子では印
加電圧が４Ｖ程度でも暗電流は２５ｎＡ程度しか流れず
、暗電流が大幅に低減されていることが解る。
子と従来の半導体受光素子の暗電流を測定した結果を比
較して示す。なお、比較した半導体受光素子の電極間隔
はいずれの場合も５μｍであった。同図において、鎖線
にて示されているのが本発明の実施例として上述した半
導体受光素子の暗電流であり、実線にて示されているの
が従来の半導体受光素子の暗電流である。同図から明ら
かなように、従来構造の半導体受光素子では電極相互間
に電圧が印加されると、電極底面のエツジ部への電界集
中が著しく、印加電圧が１．５Ｖ以上になるとブレーク
ダウンしてしまう。このため、印加電圧がＩＶ以下では
暗電流が１０ｎＡ以下であるのに、印加電圧が３Ｖにな
ると暗電流は１μＡに急激に増加してしまう。これに対
し、本発明の実施例として示した半導体受光素子では印
加電圧が４Ｖ程度でも暗電流は２５ｎＡ程度しか流れず
、暗電流が大幅に低減されていることが解る。
なお、印加電圧を４Ｖとしたときの暗電流の比較結果を
下表に示す。
下表に示す。
ところで、第１図に示した実施例では、電極１６はその
全体が受光層１５内に埋没し、受光層１５の表面から外
部に突出していない構造となっているが、本発明におい
ては、電極の少なくとも底面が受光層内に埋没していれ
ばたり、電極の一部が受光層の表面から外部に突出して
いてもよい。
全体が受光層１５内に埋没し、受光層１５の表面から外
部に突出していない構造となっているが、本発明におい
ては、電極の少なくとも底面が受光層内に埋没していれ
ばたり、電極の一部が受光層の表面から外部に突出して
いてもよい。
また、第１図に示した本発明による半導体受光素子の実
施例では、受光層を２つのエピタキシャル成長層で構成
した構造となっているが、受光層を単一の層から構成す
ることとしてもよい。また、電極底面のエツジ部を丸め
ておけば、その部分への電界集中をさらに緩和すること
ができ好ましい。
施例では、受光層を２つのエピタキシャル成長層で構成
した構造となっているが、受光層を単一の層から構成す
ることとしてもよい。また、電極底面のエツジ部を丸め
ておけば、その部分への電界集中をさらに緩和すること
ができ好ましい。
以上説明したように、本発明によれば、電極底面のエツ
ジ部への電界集中を緩和でき、半導体受光素子の暗電流
を低減することができる。
ジ部への電界集中を緩和でき、半導体受光素子の暗電流
を低減することができる。
第１図は本発明による半導体受光素子の一実施例を示し
た断面図、第２図は第１図に示した構造の半導体受光素
子と従来構造の半導体受光素子の暗電流を比較して示し
た図表、第３図は従来の半導体受光素子を示した断面図
である。 １１・・・基板、１２．１３・・・エピタキシャル成長
層、１５・・・受光層、１６・・・電極。 死 天 凭 グＪ 第 図 箱」１尺の比較 第 ２ 回
た断面図、第２図は第１図に示した構造の半導体受光素
子と従来構造の半導体受光素子の暗電流を比較して示し
た図表、第３図は従来の半導体受光素子を示した断面図
である。 １１・・・基板、１２．１３・・・エピタキシャル成長
層、１５・・・受光層、１６・・・電極。 死 天 凭 グＪ 第 図 箱」１尺の比較 第 ２ 回
Claims (1)
- 光が照射されるとキャリアを生ずる受光層と、この受光
層上に光が照射される方向と交差する方向において互い
に離間して設けられた少なくとも一対の電極とを備えた
半導体受光素子であって、前記電極は少なくともその底
面が前記受光層の表面から受光層内に埋没していること
を特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007630A JPH03211886A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007630A JPH03211886A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211886A true JPH03211886A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11671152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007630A Pending JPH03211886A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211886A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008136479A1 (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Nec Corporation | 導波路結合型フォトダイオード |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP2007630A patent/JPH03211886A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008136479A1 (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Nec Corporation | 導波路結合型フォトダイオード |
| JPWO2008136479A1 (ja) * | 2007-05-01 | 2010-07-29 | 日本電気株式会社 | 導波路結合型フォトダイオード |
| US8467637B2 (en) | 2007-05-01 | 2013-06-18 | Nec Corporation | Waveguide path coupling-type photodiode |
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