JPH0321265A - 膜を透過するイオン移動の制御方法、および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本出願は．１９８６年１０月２７日付の米国特許出＠９
２３．７６０　“Ｔｅｃｌ＋ｎｉｇｕｅｓ　ｆｏｒ　Ｅ
ｎｈａｎｃｉｎｇ　ｔｈｅ　Ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ
　ｏｆ　Ｉｏｎｓ　Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｍｅｍｂｒａｎｅ
Ｓ″（膜を透過するイオンの透過率向上方法）の一部継
続出願であり、ここでも強力に引用される。

本発明は一般的に，イオンの膜透過移動および振動磁場
に関するものである．さらに特定すると、本発明は，？
．ＩＩＩ　ｌｍ膜などのような生化学的膜の通るイオン
の膜透過格動を制御する改良された方法および装置に関
するものである．本発明の方法および装置では，選択さ
れたイオンに対するあらかじめ定めた共振条件が，所定
の軸に沿った局地的な磁場或分の変化にかかわらず一定
値に保持され，これによってイオンの膜透過移動が一定
に制御されるようになっている． （従来の技術） 本発明の発明者は選択されたイオンの細胞膜を通る移動
を振動磁場を印加することによって制御する方法および
装置を工夫した。この著しい進歩は米国特許出願９２３
．７６０“Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ　ｆｏｒＩＥｎｈａｎ
ｃｉｎｇ　　ｔｈｅ　Ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ
　Ｉｏｎｓ”（Ｈｊ８Ｇ年１０／）２７ｕｌＪ）に開示
されており，ここでも引用されている。これには、選択
されたイオンの膜を透過する移動を選択されたイオンの
加速器共振エネルギ吸収周波数に同調して時間的に変化
す・る磁場を用いて磁気的に制御する方法および装置が
開示されている．この重要な発見は、局地的な磁場とイ
オン移送機構の周波数依存との相互作用を明らかにした
． 本発明者は，選択的なイオン移送を制御する方法を確立
した後，生組織のある種の特性が、非ゼロの平均値をも
った振動磁場を印加することによって制御できることを
発見した。特に、印加される磁場の周波数と、所定の軸
に沿って組織を貫通する全磁場の磁束密度との比を選択
することによって，目標とする組織の生長と発達を刺激
できることが判明した． このことは骨組織の生長の促進に有効であることが証明
された．その結果として、米国特許出願１７２．２６８
“Ｍｅｔｈｏｄ　ａｎｄ　Ａｐｐａｒａｔｕｓ　ｆｏｒ
　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ　Ｔｉｓｓｕｅ　Ｇｒｏｖｔ
ｌ＋　ｗｉｔｈ　ａｎ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｆｉｕｃｔｕ
ａｔｉｎｇ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｆｉｅｌｄ”　（脈動
する磁界の印加による組織生長の制御方法および装置）
が１９８８年３月２３日付で出願され，その開示はここ
でも引用されている． ここでは生組織の生長を制御する装置が設けられている
．この装置は，組織を貢通ずる制御された脈動磁場を発
生するための界磁コイルなどのような磁場発生手段、お
よび組織内の磁場の強さを測定するための関連した６Ｊ
＆場検知装置を含んでいる．１つの具体例として，この
ｌｉ！場発生手段および磁場検知装置は？１源と一緒に
１つのケース内に密閉されている． 組織生長Ｄ；Ｉ！ｔａｌｌに関する研究はさらに拡大さ
れ，組織発達の制御によって、骨以外および軟骨以外の
結合組織自体、および軟骨組織の生長特性も制御できる
ことを発見した．これらの発明はそれぞれ、米国特許出
願２５４，４３８“Ｍｅｔｌｉｏｄ　ａｎｄ　Ａｐｐａ
ｒａｔｕｓ　　ｆｏｒ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ　　ｔ
ｈｅ　Ｇｒｏｗｔｈ　　ｏｆ　Ｎｏｎ−Ｏｓｓｅｏｕｓ
，Ｎｏｎ−Ｃａｒｔｉｌａｇｉｎｏｕｓ　Ｓｏｌｉｄ　
　ＣｏｎｎｅｃｔｉｖｅＴｉｓｓｕｅ”　　（非骨、非
軟骨固体結合組織の生長制御力法および装ｉ）１９８８
年１０月６日出願，および米国特許出願２６５．２６５
“Ｍｅｔｈｏｄ　ａｎｄ　Ａｐｐａｒａｌ；ｕｓ　ｆｏ
ｒ　Ｃｏｎｔ．ｒｏｌｌｉｎｇ　ｔｈｅ　Ｇ　ｒｏｔｙ
ｔｂ　ｏｆ　ＣａｒＬｉ１ａｇｅ　”　（軟骨の生長制
御方法および装置）１９８８年１０月３１日出願、にＵ
η示されており，これらの開示は何れも引川されている
。

（発明が解決しようとする課題） 発明者はさらに，フィードバック系を用いて合成磁場の
局地磁楊或分をモニタすることによって、印加或分が適
当なバランスを保持するように調整され，イオンの膜透
過移動があらゆるイオン移送の応用に対して適合できる
ようにすることを発見した． 本廃明は一面において，生細胞膜などのような生化学的
ＩＩ情を貢通ずるイオンの膜透過移動を制御する装置を
堤伏するものであり、この装置は、磁揚須生手段，関連
する磁場検知手段、および磁場発生手段の磁束密度を自
動調整して，ｍ場検知手段で測定した合威磁場の平均値
と設定点の磁束密度との偏差を＋＋Ｏ償する自動ｍｕ手
段を含むものである． 作動時は，磁場発生手段は、移送すべき選択されたイオ
ンの存在下で生化学膜を含む所定の空間に近接して置か
れる．次に脈動する方向性のある磁場が磁場発生手段に
よって発生される．印加される磁束密度は膜を通る所定
の軸方向に通される．１つの実施例では，印加された軸
方向の磁束密度は，所定の軸に平行な局地ｍ場、すなわ
ち周囲磁場の成分に重畳されて脈動する合或磁場をつく
る．所定の軸に平行で、かつ膜を通過する合成磁束密度
は磁場センサで測定される．磁場センサは所定の軸に沿
って膜を貫通する磁束密度の平均値を求める．１つの実
施例では，脈動磁場の周波数は所定値にａ！Ｑ定され、
次で磁束密度の正味平均値が印加される磁場の大きさを
調整することによって制御され、あらかじめ選択したイ
オンの膜透過移動を起こす，あらかじめ選択した周波数
と磁場の大きさとの比をもった合成磁場がつくられる．
好ましい一実施例では、そのままにしておくと所定の軸
に平行な合成ａ場の磁束密度を変化させ、これによって
所望の比からのずれを生ずる恐れのある，所定の軸に沿
った局地磁場の大きさの変化が、印加される脈動磁場の
大きさを調整することによって補償される．この調整は
好ましくは、マイクロプロセッサをｌｔａｕ：１発生手
段および磁場センサと組合せることによって行われる．
好ましい周波数／磁場強さの此は下式を用いてあたえら
れる．ｆ　ｃ／Ｂ＝ｑ／　（２ｃｍ） ここにｆｃは合或磁場の周波数（ベルン）、ｎは軸に平
行な合成磁場の磁束密度の非ゼロ平均値゛（テスラ）、
ｑ／ｍは約５　Ｘ　１　０”−約ｉｏｏｘ１０６（クー
ロン／キログラム）であり、Ｄは好ましくは約ｓｘｉｏ
−’　　テスラ以下の値をもつものとする．１つの実施
例ではｑおよびｍは選択されたイオンの電荷および質量
を参照して選定される． もう１つの実施例では、そのままにしておくと周波数／
磁揚比を変える恐れのある周囲磁場の変化は、印加され
る磁場の周波数を，好ましい比を保持するように調整す
ることによって補償される．本発明はまた、周波数とｉ
場の大きさとの両方を調整して所定の好ましい比を維持
することを意図している．好ましくは、ＡＣ成分のピー
クツウピークの振幅は約２．ＯＸ１０−’〜約２，ＯＸ
．１０１テスラの範囲にある，波形は正弦波であること
が好ましいが、他の波形でも適合できる．本発明はもう
１つの面において，生化学的膜を貫通するイオンの膜透
過移動を制御する方法を提償しており、この方法は、方
向を指定された脈動磁場を発生すステップ、生化学膜お
よびあらがじめ選択した移送すべきイオンを脈動磁場内
に位置決めして，磁場が膜を貝通して延びている所定の
軸に平行に膜を貫通するよ）にするステップ、膜を貢通
ずる所定の軸に平行な合成磁束密度の正味平均値を測定
するステップ、ここで合成６Ｂ場は所定の軸に沿った局
地磁場と印加磁揚との和であるとし，さらに印加磁場の
周波数あるいは大きさの一方または両方を自動：ａｍし
、’選択されたイオンの膜を透過する移動を起こす所定
の周波数／大きさ比を有する、軸に沿った合戒磁場を発
生させるステップ，を含むものである． （課題を解決するための手段） ．第１図は、好例の生細胞を，直交座標軸系を限定する
と共に、電磁コイル、または等価な永久磁百列，あるい
は他の等価な磁束！Ａｔ度発生源によってつくられた磁
束密度に支配されている有界の活性領域内に置いたとき
の概略的な斜視図である．第２（ｉ！は、合成磁束密度
の脈動する非ゼロ平均値を図示したものである． 第３図は，本発明の一実施例を示すブロック図であり、
発明装置の回路は任意に、便宜上の機能セクションに分
割して示している． 第１図を参照して説明すると、本発明のイオン移送装置
１００は記号Ｚで示す長手軸方向の印加１ｉ！場を発生
するように配置された一対のへルムホルツコイルとして
のコイル１０２および１０４をもっている。コイルの巻
回数と直径、コイルの隔離、および電線ゲージはこれら
の設計パラメータに対して、本発明の好ましい実施で要
求される所定の磁束密度を得るための最適動作特性をあ
たえるのに通？：Ｉ゜の設計手法が要求する範囲に限っ
て厳密なものにすればよい．これら所定の磁束密度はへ
ルモホルッコイル以外の通常の装置、例えばソレノイド
，電磁石、永久磁石などを用いて得ることも可能である
． イオン移送装置１００は、活性領域１０６内に、予測可
能、測定可能かつ一様な磁束密度を発生する．この活性
領域は、合或磁揚内にある細胞あるいは組織の全容積を
包含している．合成磁束密度を表わす単極ベクトルは、
ベクトルの非ゼロ平均値を表わす′゛・”で区切られた
矢印ＡＩおよびＡ２で示されている．逆１〜きの２つの
矢印は，合或磁束の大きさが所定の周期で変化するとい
う事実を表わしている．しかし後で説明するように、磁
束の方向は変化しない．また説明のために，活性領＃２
１０６の中に１つだけの例示的な生細胞１０８が示され
ている． 細胞１０８は固有イオン種の特定補体を含んでおり、細
胞および組織の作川に必要なイオン種を含む液体または
組織媒質に囲まれている．第１表は、本発明で用いるの
に適したこのようなイオン種の典型的な、但し不完全な
グループの一覧表であり、各イオン種の電荷／ｆｆｉ量
比（　ｑ　／　ｍ　）をクーロン／キログラムの単位で
示すと共に、合或磁束密度が５Ｘ１０−’　　テスラと
いう特定なケースにおける各イオン種に対する好ましい
繰返し率，すなわち５周波数（ｆｃ）をヘルッで示して
いる。第１表に示されていない他のイウオン種に対して
、あるいは合或磁束密度が５Ｘ１０”−’テスラ以外の
場合に対して、好ましい周波数を求めるときは、加速器
共振関係式を用いればよい． 本　５Ｘ１０−’テスラにおける共振周波数第　　　１
　　　表 コイル１０２および１０４はコントローラ１０５で励磁
され、活性領域１０６内に、時間的に第２図に示すよう
に変化する磁束密度を発生する．活性領域全体を一様に
通過する非ゼロ平均磁束密度は、オフセッ１〜正弦波信
号または全波整流信号をコイル１０２および１０４に印
加することによって得られる． 一定の局地磁束密度は一般的に、活性領域１０６の中で
、コイル１０２および１０４でつくられた印加磁束密度
に重畳される．一般に地磁気による磁場から或る局地磁
束密度はＺ軸の方向に沿った１つの成分をもっている．
従って、局地磁束密度のＺ成分の影響によって，コイル
１０２および１０４によって活性領域１０６内につくら
れた非ゼロ平均磁束密度は，異った正味平均値、すなわ
ち合成磁場の値、あるいはＺ軸にそった局地磁場と印加
磁揚とを組合せた値に変化する。

イオン移動装１１００はさらに，ここでは磁力計１１０
として示した磁場検知装置を有し、これはコイル１０２
の中に配置され、所定のＺ軸に平行に所定の領域１０６
を貝通ずる全磁束あるいは合成磁束を２１１１１定する
．従って、磁力計１１０がＺ軸に沿った合或磁場を測定
するために設けられていることが理解される筈である．
，磁力計１１０は測定した信号をコン１・ローラ１０５
に送る。前述したように，局地磁場成分は、この局地磁
場或分がゼロでない限り、印加磁束を増加、または減少
させる．局地磁場が存在するということが本発明の重要
な考察点である．比較的低い印加磁束密度，および本発
明による合成磁束密度と周波数との間の比較的密度は所
定の関係は局地磁場の影響にかかわらず維持されなけれ
ばならない．これは以下さらに詳しく説明する基本的に
２つの好ましい方法によって達成される．このように磁
力計１１０は局地磁場の磁束密度の大きさを求めるため
に設けられている． 従って，本発明の一実施例によれば，所定の空間１０６
は生細胞１０８と選択されたイオンによって占められて
いる．所定の空１７ＩＩ１０６を貫通し，従って生細胞
１０８を貫通して突き出る所定のＺ軸は，装置１０’Ｏ
の細胞１０８に対する相対位置によって定義される．所
定のＺ軸は６ｊ１場コイル１０２および１０４によって
作られた所定の空間１０Ｇを貫通する印加磁場の方向で
ある．この過程で磁力計１１０が細胞１０８を貫通する
Ｚ軸に平行な全磁束密度を測定する．この全体あるいは
合成磁束密度は印加磁揚成分と局地磁場成分との和であ
る．局地成分は場合によっては印加磁束と同じ方向にな
り、その他の場合には印加磁束とは別の方向になる．ま
た場合によって局地成分がゼロに下ることもある． このように，Ｚ軸に沿った局地成分の変化が装ｇ１ｏｏ
の向きの変化によって生ずる．時点Ｔｌに磁場コイル１
０２および１０４でつくられた印加磁束が南北軸に平行
であるとすると、所定のＺ軸の方向は印加磁東の方向に
よって決まるので，この場合はＺ軸も南北方向になる．
時点Ｔ２に装１！！１００を北方向に回すと、磁場コイ
ル１０２および１０４が９０＠回転し，これによって印
加磁束は東西軸に平行になる．従って所定の２軸も同様
に東西方向になる．大ていの場合、問題となる局地威分
はその値が方向の関数となる．従って磁力計１１０で所
定のＺ軸に沿って測定した合成磁束は装′Ｅ１ｌｏｏの
局地磁場に対する位置の変化に対応して変化す゛る．従
って磁束密度の正味平均値は合成磁束の変化を補償する
ように制御される． 膜透過イオン移送は、所定の２軸に平行な磁束密度をも
った脈動する結果または合成磁場をつくることによって
達成され，ここでＺ軸に沿った合或磁束密度は脈動の周
波数に゛対して所定の関係に維持される．Ｚ軸に平行な
合成磁束密度は非ゼロ正味平均値をもっている。第２図
に示すように，本発明における合成磁場はｉＡ準レベル
’ｇ　Ａ　ｌ＃を有する定１；Ｉ′磁場に脈動磁場が重
畳したものと考えろことができる。これは振幅が変化す
るが方向は表化しない交流戊分と、交流或分が変化する
中心となる直流基準とから成り立っている．この基準レ
ベルＡが磁束密度の非ゼロ平均値となる．従って、Ｚ軸
に沿った合成磁束密度の非ゼロ平均値または正味平均値
が利用でき、これは合成磁束密度の大きさが、印加磁束
の振動または脈動によって所定の周期で変化するからで
あることが理解される筈である．このことは，軸に沿っ
た合或磁束密度が制御された周期で振動しても、合成磁
場は印加磁場の強さを関整することによって一定に制御
され，これによって合成＆＆揚は常に同一方向になると
いう事実．すなわち合成ｌＩＩ場はＺ軸に沿って常に同
方向であることを示している． 前述したように本発明では、合成磁場の磁束密度と脈動
の周波数とのかなり精密な関係が，膜透過イオン移送の
制御に用いられる． この周波数と合成磁束密度との比は下記に従って求めら
れる． ｆｃ／Ｂ＝ｑ／（２πｍ） ここにｆｃは合或磁場の周波数の周波数（ヘルッ）、Ｂ
は合成磁場のＺ軸方向の磁束密度の正味平均値（テスラ
）．ｑ／ｍは約５×１０５〜約１００ｘｌＯ’（クーロ
ン／キログラム）である．またＢは好ましくは約５×１
０″″４　テスラ以下の値をもつものとする．細ノｔｌ
　１　０　８をこれらの特性をもった制御された磁束密
度の中に置くと，細胞膜を通して所定のイオンが移送さ
れる． 本発明の好ましい実施例に関する上記の説明により、ま
た加速器共振関係を確立する上記の式から，脈動磁場の
周波数、または所定の軸に沿った磁束密度の大きさある
いは強さ、または周波数と磁束密度の強さの両方を調整
することによって、領域１０６の中に所望の特性をもっ
た磁場が得られることが分る。しかしながら一定の周波
数を保持することが好ましいので，この場合、周波数の
磁束密度に対する比を一定に保持するためには、印加磁
束密度の強さを！ｌ！Ｉｌｋして局地磁場の変化を補償
しなければならない．例えば、周波数を１５ヘルツに保
持する必要があり、かつイオン移送に１．９５Ｘ１’Ｏ
−’テスラの平均磁束密度が必要なときは、合成磁束密
度の好ましくない偏移を発生する恐れのある局地磁場の
変化は、印加磁束密度をこれに応じて増減することによ
って補正しなければならない．この動作は、磁場発生手
段および６Ｊ＆場検知装置と接続されたコントローラ１
０５内のマイクロコントローラによって行われる．一方
、イオン移送装置１００の既存局部磁場に対する設置方
ｒｊｖが変って軸に沿った合成磁束密度に変化が生じた
ときは、振動の周波数を変えることによって上記の好ま
しい比を保持することができる．周囲の局地磁場戊分の
変化による磁場の変化の検出は，周波数／磁場比を，局
地ｍ楊成分の変化にかかわらずほゾ一定に保つために，
十分に頻繁な間隔で行う必要がある． またある例では．　Ｉｌｌｌに平行でない局地磁場或分
を，コイル１０２および１０４に直角に置かれて互に反
対で等しい磁場を発生する補助コイル群を川いてゼロに
下げると共に，各補助コイルペアの一方のコイルに磁力
計を設ける（必ずしも必要ではない）ようにすることも
可能である．さらにＺ軸に沿った局地磁場成分を補助コ
イルなどを用いてゼロに下げることも可能である． （実施例） 第３図は、本発明の装置１００のＩつの好ましい回路構
或を機能区分に分けて示したブロック図である．本発明
の原理に忠実に従えば，他の多くの回路構成が可能であ
る．マイクロコン１一〇ーラあるいはマイクロプロセッ
サ２００によって，前述のように，周囲磁場或分の変動
にかかわらず，合或磁場は一定の所定レベルに維持され
る。このため入力端子２０２が設けられ，膜を通る所定
の軸に沿った所定の合成磁束密度に対する設定値がマイ
クロプロセッサに入力される。合成磁場の強さはこの設
定値と比較・され、設定値と軸に沿った合成磁束密度の
測定値との差に等しいエラー信号を発生する． ブロック２０４として設けられた磁場センサは、細胞１
０８をＺ軸に沿って通る合或磁揚をａ１ク定する。磁場
センサ２０４は好ましくはホール素子から構成され、等
業者の知るように、アナログ信号を出力する．磁場セン
サ２０４は都゜時合成磁場をモニタし、その信号をマイ
クロプロセッサ２００に送る．一般にホール効果磁気セ
ンサの出力はかなり小さいので，磁場センサ増幅器２０
６が設けられ、これによって磁場センサ２０４からの７
３号は例えば元の３千倍に増幅される．ホール素子はア
ナログ（ａ号を出力するので、アナログ／デイジタル変
換器２０７が設けられ、これによって磁場センサ２０４
からの増幅された信号は、マイクロプロセッサ２００で
使用できるディジタル信号に変換される．アナログ／デ
ィジタル変換器はマイクロプロセッサのチップと同じ取
付台上に設けることが望ましい。

一般に，磁場センサ信号の増幅では、好ましくないレベ
ルのノイズが発生する。また、磁場の強さは急激な変化
は起ると二合成磁束密度の正しい平均値を求めることが
困難になる．このため、アナログ／ディジタル変換器２
０Ｇからマイクロプロセッサ２００に入力された信号は
、ソフ１−ウエアフィルタ２０８によってフィルタされ
、磁場センサ２０４で検出した合成磁場内の突出ノイズ
や急峻脈動が除去される．フィルタ２０８はマイクロプ
ロセッサ２００内にソフ１へウエアで構或することが好
ましいが、別置のフィルタを用いることも可能である。

この実施例では，ソフトウエアフィルタ２０８はディジ
タルフィルタであり、好ましくは時定数が約Ｑ，５秒の
積分器である。言いかえると，印加磁場を増減させるこ
とによって補償される合成磁場の大きさの変化はＱ，５
秒以上の長期間の変化であり，これは主として′！Ａ置
１００の周囲磁場成分に対する配置に変化によって生ず
るものである．従ってフィルタ２０８の時定数は瞬間的
な脈動を除去できるものでなければならない． マイクロプロセッサ２００は合成磁束密度の非ゼロ平均
値を計算するロジックを含んでいる．この非ゼロ平均値
はマイクロプロセッサ２００内の比較器２１０で、入力
端子２０２を介してマイクロプロセッサ２００に入力さ
れた所定の直流基準値またはオフセ・ット値と比較され
る．この基準値は好ましくはマイクロプロセッサ２００
内の専用回路によって確立されるが，設定値を調整でき
る可変入力手段を設けてもよい．これによって，合或磁
束密度の測定値と設定値あるいは基増値との差を表わす
エラー信号が作成される．そこでマイクロプロセッサ２
００は、合成磁束密度が設定値Ｗに戻るように，ブロッ
ク２１２で示す磁場発生コイルを邸動するのに必要な出
力の大きさを決定し，ｒＪｊｉ束密度を増加または減少
させるための｛ｆｆ９を出力する． ソフトウエア磁場変調器あるいは発振器２１４は、ディ
ジタル／アナログ変換８ｉｉ２１６に入力されるディジ
タル出力信号にＡＣまたは脈動成分を重畳するために設
けられている．本発明に駕する上述の説明から分るよう
に、本発明の好ましい実施例におけるマイクロプロセッ
サ２００のソフトウエア磁場変調器２１４は周波数／磁
束密度というイオン移送比の値が所望の一定値になるよ
うに、固定した所定の周波数に設定される．もう１つの
実施例では、本発明のフィードバック系は，合成磁束密
度の変化を測定し、これに基づいてマイクロプロセッサ
２００が所定の関係を維持するために必要な周波数の変
化を決定するように構成されている．この実施例では，
ソフトウエア磁場変調器２１４が必要な交流周波数を決
定する．この場合も，ディジタル／アナログ変換器２１
６はマイクロプロセッサチップと同じ取付台上に設ける
ことが望ましい．従って，ソフトウエア磁ｇＩ変ｇ器２
１４はノード２１８にＡＣ成分を出力することになる． ディジタル／アナログＲ換器２１Ｇからの信号は電圧／
Ｗｉ流増幅器２２０に入力され，その出力が磁場発生コ
イル２１２を所望の方法で邸動する．これによって合或
磁揚は、周囲磁場戊分が変化してもほぼ一定に保持され
る． 電源としては色々な構成が可能であるが，電源２２２が
磁場センサ増幅器２０６、マイクロプロセッサ２００、
および磁揚センサ２０４のｆ４′ＩＡとなるようにする
ことが好ましく、この場合，磁場センサはバイアス回路
２２４を介して付勢される．また電圧／電流増幅器２２
０用としては別の電源２２Ｇを設ける． 以上本発明の装置を、その構成、動作，および用途を含
んで詳細に説明したので，次に本発明の方法を説明する
．本方法の説明は、本発明の装置に関する前述の説明を
参ＩＩ（（　シて行われている．この面において，本発
明は生細胞の細胞膜のような生化学的膜を貫通する選択
されたイオンの膜透過移動を制御する方法を捉偶するも
のである，これは１つの実施例においては，目標となる
生化学膜を貢通ずる方向性をもった脈動ａ場を発生する
ことによって達成される．この目的に適した磁場発生手
段としては多くのものがある，これによってつくられた
磁場は，組織を賞通した所定の軸に平行にｇ標の膜を貫
通する、精密に制御されたパラメータをもった磁束密度
をもっている．当業者の知る所であり，かつすでに明確
に説明したように，膜が受ける局地磁場は所定の軸に平
行な成分を有し，この成分がこの軸に沿った印加磁場あ
るいは発生磁場に対してプラス方向またはマイナス方向
に作川する．場合によっては、この局地成分はゼロの場
合もある． 本発明の方法では，この合成磁束の密度，さらに特定す
ると合成磁束＊ａの非ゼロ平均値が，軸に沿った磁束密
度と所定値で振動する印加磁場の周波数との間に精密な
関係が得られるように制御される．最も好ましいことは
，印加磁場の強さを，局地磁場の変化を補償するように
自動調整することによって，これを達成することである
。このように一実施例では、本発明は、目標となる膜を
貫通すると共に振動周波数と平均磁束密度との間に所定
の関係をもつＦａ場をつくることによって、選択された
イオンの膜透過移動を制御する方法を提供している，こ
の所定の関係、すなわち周波／磁揚強さの比，は次の式
に従って求められる。

ｆｃ／Ｂ　＝　ｑ　／　（　２　ｙｃ　ｍ）ここにｆｃ
は、所定軸に沿った合成磁場の周波数（ヘルツ），Ｂは
軸に平行な合成磁場の磁束密度の非ゼロ正味平均値（テ
スラ）．ｑ／ｍは，約５×１０ｓ〜約１００×１０６（
クー０．，／／キ０グラム）であり，Ｂは好ましくは約
５Ｘ１０”−’テスラ以下の値をもつものとする． 所望のパラメータをもった脈動磁場をつくるために，所
定の軸に平行な合成磁場が常時モニタされる．前述のよ
うに，これはアナログｆｃ号を出力するホール素子など
を用いて行われる．アナログ７３号はマイクロプロセッ
サによって周期的にサンプルされ，プログラムされた前
述のような所定比を維持するのに必要な印加磁場の周波
数，または大きさ、またはその両方が計算される。勿論
、磁場センサで検出されるのは合戊磁束である．ｍ場発
生手段は、適当な場合，合戒磁場の大きさを調整するの
に用いられる． １つの実施例では、この方法は所定軸に沿った印加磁束
密度の平均値を制御して、周波数と合成磁束密度との比
を所定値に維持することを含んでいる．もうｌつの実施
例では，この関係を維持するのに脈動周波数を制御して
おり，この場合は局地磁場の変化による合成磁束密度の
変化が検出されるようになっている．さらに、この２つ
の方法の組合せも使用でき、この場合は周波数と磁束密
度の大きさとの両方を調整して、本発明の所定の関係を
維持するようにしている． 従って、本発明の装置に加えて，本発明は生化学的膜を
１ｔ通する選択されたイオンの膜透過移動を制御する方
法を堤偶しており、この方法は、所定の領域を貫通する
軸に沿った所定の周波数および磁束密度の脈動磁場を発
生するステップ、および生細胞など目標とする生化学的
膜をこの所定空間に置いて脈動磁場にさらすステップを
含んでいる．脈動磁場の所定のパラメータは所定軸に平
行に組織を貫通する合或磁束密度の正味平均値を磁気検
知手段を川いて測定することによって求められ、ここに
合戒磁場は所定軸に沿った局地ｆｃ場と印加磁場との和
である．周波数、または印加磁束密度、またはこの両者
はマイクロプロセッサで自動的に制御され、所定の周波
数／６ｊ１束密度比を有する軸に沿った合或６Ｊｉ場を
発生する．この所定比が選択されたイオンの膜透過移動
を起こさせる．以上は本発明の特定の実施例を示してい
るが、本発明はこれらに限定されるものではなく、この
開示に基づいておおくの変形が可能なことは、特に当業
者にとづて明らかなことである．従って添付された特許
請求の範囲は、本発明のモツ神および範囲に入る如何な
る変形もカバーするものである．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本的な構成を示す概略斜視図、第２
図は本発明で用いられる合或磁束密度の脈動する非ゼロ
平均値を示す図、第３図は本発明の一実施例を示すブロ
ック図である． １００・・・イオン移送装置 １０２，１０４・・・磁場コイル １０５・・・コンｊ〜ローラ １０Ｇ・・・活性領域 １　０　８−％２ｍＪＩｍ １１０・・・磁力計 ２００・・・マイクロプロセッサ ２０２・・・入力 ２０４・・・磁場センサ ２０６．２２０・・・増φｌ器 ２０７・・・アナログ／ディジタル変換器２０８・・・
フィルタ ２１０・・・比較器 ２１２・・・磁場コイル ２１４・・・変調器 ２１６・・・ディジタル／アナログ変換器２１８・・・
ノード ２２２，２２６・・・電源 ２２４・・・バイアス

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の電荷／質量比を有する所定のイオンの、局地
   的な磁場を受けている空間内に置かれた膜を通る透過率
   を高める装置であり、この空間は膜を通過する少なくと
   も１つの基準パスを限定し、基準パスは第１の方向に延
   びると共に、第１の方向と反対の第２の方向にも延びて
   いる、膜を透過するイオン移動の制御装置において、 信号に応答して磁場を発生する磁場発生手段を備え、こ
   の磁場は局地的な磁場と組合わされて、少くとも１つの
   成分について、パスに沿った第１の方向に延びる方向を
   有すると共に一定の周期で脈動して非ゼロの平均値を発
   生する大きさを有する成分ベクトルによって表わされる
   磁束密度をもった合成磁場となり、さらに上記所定の周
   期の非ゼロ平均値に対する比は、所定のいおんの電荷／
   質量比に関して所定の関係をもっており、さらに少なく
   ともその一部が所定の周期で発生される上記信号を発生
   する信号発生手段。 上記合成磁場の上記１つの成分の大きさを測定する磁気
   検知手段、および 上記磁場発生手段と共同して上記合成磁場の上記１つの
   成分の大きさを自動的に調整して上記所定の関係を保持
   する手段、 を備えたことを特徴とする、膜を透過するイオン移動の
   制御装置。 ２、上記自動的に調整する手段がマイクロコントローラ
   を含む、請求項記載の装置。 ３、下記のステップ、すなわち 磁場発生手段を、所定イオンの存在する中で、生化学的
   膜に近接して配置する、ここで上記生化学的膜および上
   記所定のイオンは所定の空間を占めると共に、上記所定
   の空間は既存の局地的磁場を受けているものである、 上記磁場発生手段を用いて磁束を発生する、ここで上記
   磁束は上記生化学的膜を通過し、かつ上記所定の空間を
   通過して突き出た所定の軸に平行に延びており、さらに
   上記発生した磁束は上記既存の局地的磁場と共同して合
   成磁場を形成するものである、および 上記発生した磁束を脈動させ、上記合成磁束の密度を自
   動的に制御して上記脈動の周波数と上記合成磁束密度の
   大きさとの間に所定の関係を発生させてこれを保持する
   、ここで上記所定の関係は上記所定のイオンの上記生化
   学的膜を通過する膜透過移動を制御する役目をするもの
   である。 を備えたことを特徴とする、膜を透過するイオン移動の
   制御方法。 ４、上記周波数の上記合成磁束密度の上記大きさに対す
   る上記所定の関係が下記の方程式 ｆｃ／Ｂ＝ｑ／（２πｍ） ここにｆｃは上記の周波数（ヘルツ）、Ｂは上記磁束密
   度の上記所定の軸に平行な平均値（テスラ）、ｑ／ｍは
   約５×１０＾５〜約１００×１０＾６（クーロン／キロ
   グラム）、さらにＢは好ましくは約５×１０＾−＾４テ
   スラ以下の値をもつものとする。 を用いて決定される、請求項３記載の方法。 ５、ｑおよびｍはそれぞれ上記所定のイオンの電荷およ
   び質量に等しい、請求項３記載の方法。 ６、所定の電荷／質量比を有する所定のイオンの、局地
   的な磁場を受けている空間内に置かれた膜を通る透過率
   を高める装置であり、この空間は膜を通過する少なくと
   も１つの基準パスを限定し、基準パスは第１の方向に延
   びると共に、第１の方向と反対の第２の方向にも延びて
   いる、膜を透過するイオン移動の制御装置において、 信号に応答して磁場を発生する磁場発生手段を備え、こ
   の磁場は局地的は磁場を組合わされて、少くとも１つの
   成分について、パスに沿った第１の方向に延びる方向を
   有すると共に一定の周期で脈動して非ゼロの平均値へ発
   生する大きさを有する成分ベクトルによって表わされる
   磁束密度をもった合成磁場となり、さらに上記所定の周
   期の非ゼロ平均値に対する比は、所定のイオンの電荷／
   質量比に関して所定の関係をもっており、さらに少なく
   ともその一部が所定の周期で発生される上記信号を発生
   する信号発生手段、 上記合成磁場の上記１つの成分の大きさを測定する磁気
   検知手段、および 上記磁場発生手段と共同して上記脈動の周期数を自動的
   に調整して上記所定の関係を保持する手段、 を備えたことを特徴とする、膜を透過するイオン移動の
   制御装置。 ７、上記自動的に調整する手段がマイクロコントローラ
   を含む、請求項６記載の装置。 ８、下記のステップ、すなわち 磁場発生手段を、所定イオンの存在する中で、生化学的
   膜に近接して配置する、ここで上記生化学的膜および上
   記所定のイオンは所定の空間を占めると共に、上記所定
   の空間は既存の局地的磁場を受けているものである、 上記磁場発生手段を用いて磁束を発生する、ここで上記
   磁束は上記生化学的膜を通過し、かつ上記所定の空間を
   通過して突き出た所定の軸に平行に延びており、さらに
   上記発生した磁束は上記既存の局地的磁場と共同して合
   成磁場を形成するものである、および 上記発生した磁束を脈動させ、上記脈動の周波数を自動
   的に制御して上記脈動の周波数と上記合成磁束密度の大
   きさとの間に所定の関係を発生させてこれを保持する、
   ここで上記所定の関係は上記所定のイオンの上記生化学
   的膜を通過する膜透過移動を制御する役目をするもので
   ある。 を備えたことを特徴とする、膜を透過するイオン移動の
   制御方法。 ９、上記周波数の、上記合成磁束密度の上記大きさに対
   する上記所定の関係が下記の方程式ｆｃ／Ｂ＝ｑ／（２
   πｍ） ここにｆｃは上記の周波数（ヘルツ）、Ｂは上記磁束密
   度の上記所定の軸に平行な平均値（テスラ）、ｑ／ｍは
   約５×１０＾５〜約１００×１０＾６（クーロン／キロ
   グラム）、さらにＢは好ましくは約５×１０＾−＾４テ
   スラ以下の値をもつものとする、を用いて決定される、
   請求項８記載の方法。 １０、ｇおよびｍはそれぞれ上記所定のイオンの電荷お
   よび質量に等しい、請求項８記載の方法。