JPH03212959A - モールドパッケージ型ハイブリッドｉｃ - Google Patents
モールドパッケージ型ハイブリッドｉｃInfo
- Publication number
- JPH03212959A JPH03212959A JP2007230A JP723090A JPH03212959A JP H03212959 A JPH03212959 A JP H03212959A JP 2007230 A JP2007230 A JP 2007230A JP 723090 A JP723090 A JP 723090A JP H03212959 A JPH03212959 A JP H03212959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- board
- lead frame
- cut
- type hybrid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3405—Edge mounted components, e.g. terminals
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、モールドパッケージ型ハイブリッドＩＣに関
するものである。
するものである。
（従来の技術）
従来、ハイブリッドＩＣ（混成集積回路）のパッケージ
ングには、大別して気密封止法と樹脂封止法とがあり、
樹脂封止法としては注型法、浸漬法、滴下法、流動浸漬
法、トランスファーモールド法があった。そのうち、ト
ランスファーモールド法は溶融した樹脂を小孔を通じて
金型のキャビティ内に送り込んで硬化する方法であり、
樹脂封止法の中では電気的・機械的特性において最も高
い信鎖性が期待できるものである。
ングには、大別して気密封止法と樹脂封止法とがあり、
樹脂封止法としては注型法、浸漬法、滴下法、流動浸漬
法、トランスファーモールド法があった。そのうち、ト
ランスファーモールド法は溶融した樹脂を小孔を通じて
金型のキャビティ内に送り込んで硬化する方法であり、
樹脂封止法の中では電気的・機械的特性において最も高
い信鎖性が期待できるものである。
このような分野の技術としては、「トランスファーモー
ルド構造ハイブリッドＩＣの緒特性改善Ｊ （ＮＥＣ
，込山利男他、第３回マイクロエレクトロニクスシンポ
ジウム（Ｍ Ｅ Ｓ ′８９） １９８９年７月Ｐ、１
１３ ）に記載されるものがあった。
ルド構造ハイブリッドＩＣの緒特性改善Ｊ （ＮＥＣ
，込山利男他、第３回マイクロエレクトロニクスシンポ
ジウム（Ｍ Ｅ Ｓ ′８９） １９８９年７月Ｐ、１
１３ ）に記載されるものがあった。
以下、その構成を図を用いて説明する。
第２図は従来のモールドパッケージ型ハイブリッドＩＣ
の一構成例を示す断面図である。
の一構成例を示す断面図である。
この図に示すように、リードフレーム２の回路搭載フレ
ーム３には、接着剤９を介して回路基板５が接着固定さ
れ、更に、回路基板５上にはペアチップＩＣ７が搭載さ
れている。このペアチップＴＣ７と回路基板５上の導体
配線とがワイヤ８によってボンデングされると共に、リ
ードフレーム２もワイヤ８で接続されている。このよう
にしてリードフレーム２に接着固定された回路基板５は
、成形樹脂材料１によりトランスファーモールドされて
いる。
ーム３には、接着剤９を介して回路基板５が接着固定さ
れ、更に、回路基板５上にはペアチップＩＣ７が搭載さ
れている。このペアチップＴＣ７と回路基板５上の導体
配線とがワイヤ８によってボンデングされると共に、リ
ードフレーム２もワイヤ８で接続されている。このよう
にしてリードフレーム２に接着固定された回路基板５は
、成形樹脂材料１によりトランスファーモールドされて
いる。
このように、この種のモールドパッケージ型ハイブリッ
ドＩＣにおいて、基板とリードフレームは接着剤により
固定されていた。
ドＩＣにおいて、基板とリードフレームは接着剤により
固定されていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記のような接着剤による回路基板と基
板搭載フレームとの固定方法では、接着剤の量の制御が
難しく、量が多すぎると接着剤がはみ出してリードフレ
ームに付着したり、少なすぎると基板搭載フレームとの
間に空間ができて回路基板が浮き、いずれの場合もワイ
ヤボンディング不良となる。また、接着剤により基板と
リードフレームとを固着した場合は、両者の密着度が強
固であり、かつ接着剤による固着時に加熱されるので、
基板材料とリードフレーム材料の熱膨張係数の違いから
、接着剤固着時に基板に反りが生じる。その結果、マウ
ンティング装置及びボンディング装置において配線基板
の搬送不良が起こったり、基板に搭載されたペアチップ
ＩＣが歪むなど特性上悪影響を及ぼす、更にまた、ワイ
ヤボンディング時の加熱時に、既に固着されている基板
とリードフレームに反りが生じ、これらを接続するワイ
ヤにダメージを与えることになる。
板搭載フレームとの固定方法では、接着剤の量の制御が
難しく、量が多すぎると接着剤がはみ出してリードフレ
ームに付着したり、少なすぎると基板搭載フレームとの
間に空間ができて回路基板が浮き、いずれの場合もワイ
ヤボンディング不良となる。また、接着剤により基板と
リードフレームとを固着した場合は、両者の密着度が強
固であり、かつ接着剤による固着時に加熱されるので、
基板材料とリードフレーム材料の熱膨張係数の違いから
、接着剤固着時に基板に反りが生じる。その結果、マウ
ンティング装置及びボンディング装置において配線基板
の搬送不良が起こったり、基板に搭載されたペアチップ
ＩＣが歪むなど特性上悪影響を及ぼす、更にまた、ワイ
ヤボンディング時の加熱時に、既に固着されている基板
とリードフレームに反りが生じ、これらを接続するワイ
ヤにダメージを与えることになる。
本発明は、以上述べた問題点、つまり、接着剤の過多に
よるリードフレームへの付着、及び接着剤の過少による
基板の浮きのいずれからも発生するワイヤボンディング
不良等を除去すると共に、接着剤により強固に密着固定
された基板材料とリードフレーム材料の熱膨張係数の違
いから発生する反りを防止し、回路基板とリードフレー
ムとの固着に接着剤を用いることなく、品質が優れ、か
つ製造が簡単なモールドパッケージ型ハイブリッドＩＣ
を提供することを目的とする。
よるリードフレームへの付着、及び接着剤の過少による
基板の浮きのいずれからも発生するワイヤボンディング
不良等を除去すると共に、接着剤により強固に密着固定
された基板材料とリードフレーム材料の熱膨張係数の違
いから発生する反りを防止し、回路基板とリードフレー
ムとの固着に接着剤を用いることなく、品質が優れ、か
つ製造が簡単なモールドパッケージ型ハイブリッドＩＣ
を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、バイブ’７７ド
ＩＣを有する回路基板と、該回路基板を搭載した基板搭
載フレームを含むリードフレームとを有し、前記リード
フレームのリード部分を除いた全体がモールドされたモ
ールドパッケージ型ハイブリッドＩＣであって、前記回
路基板はその長手方向の両側辺の一端部近傍に位置決め
用の一対の切欠きを有し、前記リードフレームは基板搭
載フレームの長手方向の両側辺の各々数箇所に切起し片
を有し、前記一対の切欠きとこれに対応する一対の切起
し片とが嵌合されると共に、他の切起し片と同時に回路
基板にカシメ付けにより固定されるようにしたものであ
る。
ＩＣを有する回路基板と、該回路基板を搭載した基板搭
載フレームを含むリードフレームとを有し、前記リード
フレームのリード部分を除いた全体がモールドされたモ
ールドパッケージ型ハイブリッドＩＣであって、前記回
路基板はその長手方向の両側辺の一端部近傍に位置決め
用の一対の切欠きを有し、前記リードフレームは基板搭
載フレームの長手方向の両側辺の各々数箇所に切起し片
を有し、前記一対の切欠きとこれに対応する一対の切起
し片とが嵌合されると共に、他の切起し片と同時に回路
基板にカシメ付けにより固定されるようにしたものであ
る。
（作用）
本発明によれば、上記したように、回路基板と基板搭載
フレームとの固定を切起し片のカシメで行うため、両者
の固定は接着剤による場合はど密着が強固ではない、そ
のため、熱膨張係数の異なる回路基板と基板搭載フレー
ムとが加熱されても、回路基板の長手方向の一側辺一端
部近傍のみが位置決め固定されているだけであり、反対
側の端部は位置決め固定されていないので、回路基板は
矢印の方向Ｃ（第４図参照）に伸びるだけである。
フレームとの固定を切起し片のカシメで行うため、両者
の固定は接着剤による場合はど密着が強固ではない、そ
のため、熱膨張係数の異なる回路基板と基板搭載フレー
ムとが加熱されても、回路基板の長手方向の一側辺一端
部近傍のみが位置決め固定されているだけであり、反対
側の端部は位置決め固定されていないので、回路基板は
矢印の方向Ｃ（第４図参照）に伸びるだけである。
従って、基板の反りを防止することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すモールドパッケージ型ハ
イブリッドＩＣの断面図、第３図はそのモールドパッケ
ージ型ハイブリッドＩＣの一部破断斜視図、第４図は本
発明のモールドパッケージ型ハイブリッドＩＣの製造過
程（リードフレームに基板が固定される前）を示す斜視
図である。
イブリッドＩＣの断面図、第３図はそのモールドパッケ
ージ型ハイブリッドＩＣの一部破断斜視図、第４図は本
発明のモールドパッケージ型ハイブリッドＩＣの製造過
程（リードフレームに基板が固定される前）を示す斜視
図である。
第４図において、リードフレーム１２に一体に設けられ
た基板搭載フレーム１３の周囲に一例として、切起し片
１４ａ、 １４ｂ、 １４ｃ、 １４ｄ、 １４ｅ、
１４ｆを設ける。一方、回路基板１５の長手方向の両側
辺−端部近傍に位置決め用の一対の切欠き１６ａ、１６
ｂを設けておき、回路基板１５をリードフレームに搭載
する時に、この切欠き１６ａ、１６ｂを基板搭載フレー
ムＩ３の切起し片１４ｃ、１４ｆと嵌合させ、他の切起
し片１４ａ、１４ｂ、１４ｄ、１４ｅと共にそれぞれ矢
印Ａ、Ｂ方向にカシメて、回路基板１５を固定する。
た基板搭載フレーム１３の周囲に一例として、切起し片
１４ａ、 １４ｂ、 １４ｃ、 １４ｄ、 １４ｅ、
１４ｆを設ける。一方、回路基板１５の長手方向の両側
辺−端部近傍に位置決め用の一対の切欠き１６ａ、１６
ｂを設けておき、回路基板１５をリードフレームに搭載
する時に、この切欠き１６ａ、１６ｂを基板搭載フレー
ムＩ３の切起し片１４ｃ、１４ｆと嵌合させ、他の切起
し片１４ａ、１４ｂ、１４ｄ、１４ｅと共にそれぞれ矢
印Ａ、Ｂ方向にカシメて、回路基板１５を固定する。
このようにしてリードフレーム１２に固定された回路基
板１５上にペアチップＩＣ１７を搭載し、ワイヤ１８で
回路基板１５とペアチップＩＣ１７とをワイヤボンデン
グにより接続する。ここで、ワイヤボンディングする時
、リードフレーム１２と一体化された回路基板１５は加
熱されるが、切欠き１６ａ、１６ｂと切起し片１４Ｃ，
１４ｆとで位置決めされており、他の切起し片１４ ａ
、 １４ ｂ 、 １４ ｄ 、 １４ ｅは、回路
基板１５の上面を押さえているだけなので、回路基板１
５は加熱されても矢印Ｃ方向に伸びるだけであり、反る
ことはない。即ち、従来、回路基板１５の歪みが多大で
あった長手方向において、一端部近傍が位置決めされて
いるのみで他端部は自由となっているので、回路基板は
矢印Ｃ方向にただ伸びるだけであり、反りが防止できる
。
板１５上にペアチップＩＣ１７を搭載し、ワイヤ１８で
回路基板１５とペアチップＩＣ１７とをワイヤボンデン
グにより接続する。ここで、ワイヤボンディングする時
、リードフレーム１２と一体化された回路基板１５は加
熱されるが、切欠き１６ａ、１６ｂと切起し片１４Ｃ，
１４ｆとで位置決めされており、他の切起し片１４ ａ
、 １４ ｂ 、 １４ ｄ 、 １４ ｅは、回路
基板１５の上面を押さえているだけなので、回路基板１
５は加熱されても矢印Ｃ方向に伸びるだけであり、反る
ことはない。即ち、従来、回路基板１５の歪みが多大で
あった長手方向において、一端部近傍が位置決めされて
いるのみで他端部は自由となっているので、回路基板は
矢印Ｃ方向にただ伸びるだけであり、反りが防止できる
。
このように構成された回路基板１５は、第１図及び第３
図に示すように、成形材料１１によりトランスファーモ
ールドされる。
図に示すように、成形材料１１によりトランスファーモ
ールドされる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
（１）回路基板とリードフレームを接着剤を使用せずに
、カシメにより固定し、しかも回路基板の長手方向の両
側辺の一端部に位置決め用の切欠きを設けてカシメによ
り固定したので、他端部が自由となり、リードフレーム
より熱膨張係数の大きい回路基板を用いた場合でも、ワ
イヤボンディング時の加熱時に、回路基板は矢印Ｃ方向
（第４図参照）に伸びるだけである。その結果、回路基
板とリードフレームが異種材料で形成され、各々の加熱
膨張係数が異なっていても反りは防止できる。
、カシメにより固定し、しかも回路基板の長手方向の両
側辺の一端部に位置決め用の切欠きを設けてカシメによ
り固定したので、他端部が自由となり、リードフレーム
より熱膨張係数の大きい回路基板を用いた場合でも、ワ
イヤボンディング時の加熱時に、回路基板は矢印Ｃ方向
（第４図参照）に伸びるだけである。その結果、回路基
板とリードフレームが異種材料で形成され、各々の加熱
膨張係数が異なっていても反りは防止できる。
従って、ペアチップＩＣに歪みを与えず、ペアチップＩ
Ｃの性能に悪影響を与えることもない。
Ｃの性能に悪影響を与えることもない。
（２）また、カシメ工程は容易に自動化ができると共に
、接着剤が原因で発生する接着剤の過多、過少による歩
留り低下を防止することができる。
、接着剤が原因で発生する接着剤の過多、過少による歩
留り低下を防止することができる。
（３）更に、接着剤を硬化させるための加熱炉も不要と
なるため、低価格で高品質の製品を得ることができる。
なるため、低価格で高品質の製品を得ることができる。
第１図は本発明の実施例を示すモールドパッケージ型ハ
イブリッドＩＣ（ＨＩＣ）の断面図、第２図は従来のモ
ールドパッケージ型ハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）の断面
図、第３図は本発明のモールドパッケージ型ハイブリッ
ドＩＣ（ＨＩＣ）の一部破断斜視図、第４図は本発明の
モールドパッケージ型ハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）の製
造過程を示す斜視図の斜視図を示す。 １１・・・成形材料、１２・・・リードフレーム、１３
・・・ｉｆ搭載フレーム、１４ａ〜１４ｆ・・・切起し
片、１５・・・回路基板、１６ａ、１６ｂ・・・切欠き
、１７・・・ペアチップＩＣ１１８・・・ワイヤ。
イブリッドＩＣ（ＨＩＣ）の断面図、第２図は従来のモ
ールドパッケージ型ハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）の断面
図、第３図は本発明のモールドパッケージ型ハイブリッ
ドＩＣ（ＨＩＣ）の一部破断斜視図、第４図は本発明の
モールドパッケージ型ハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）の製
造過程を示す斜視図の斜視図を示す。 １１・・・成形材料、１２・・・リードフレーム、１３
・・・ｉｆ搭載フレーム、１４ａ〜１４ｆ・・・切起し
片、１５・・・回路基板、１６ａ、１６ｂ・・・切欠き
、１７・・・ペアチップＩＣ１１８・・・ワイヤ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ハイブリッドＩＣを有する回路基板と、該回路基板を
搭載した基板搭載フレームを含むリードフレームとを有
し、前記リードフレームのリード部分を除いた全体がモ
ールドされるモールドパッケージ型ハイブリッドＩＣで
あって、 前記回路基板はその長手方向の両側辺の一端部近傍に位
置決め用の一対の切欠きを有し、前記リードフレームは
基板搭載フレームの長手方向の両側辺の各々数箇所に切
起し片を有し、前記一対の切欠きとこれに対応する一対
の切起し片とが嵌合されると共に、他の切起し片と同時
に前記回路基板にカシメ付け固定されることを特徴とす
るモールドパッケージ型ハイブリッドＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007230A JPH03212959A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | モールドパッケージ型ハイブリッドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007230A JPH03212959A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | モールドパッケージ型ハイブリッドｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212959A true JPH03212959A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11660193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007230A Pending JPH03212959A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | モールドパッケージ型ハイブリッドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212959A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534344B2 (en) * | 1998-10-27 | 2003-03-18 | Ming-Tung Shen | Integrated circuit chip and method for fabricating the same |
| JP2015019106A (ja) * | 2009-07-06 | 2015-01-29 | 株式会社東芝 | 素子搭載用セラミックス基板並びに電子部品 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP2007230A patent/JPH03212959A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534344B2 (en) * | 1998-10-27 | 2003-03-18 | Ming-Tung Shen | Integrated circuit chip and method for fabricating the same |
| JP2015019106A (ja) * | 2009-07-06 | 2015-01-29 | 株式会社東芝 | 素子搭載用セラミックス基板並びに電子部品 |
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