JPH03213265A - ラップ盤の定盤 - Google Patents
ラップ盤の定盤Info
- Publication number
- JPH03213265A JPH03213265A JP2005751A JP575190A JPH03213265A JP H03213265 A JPH03213265 A JP H03213265A JP 2005751 A JP2005751 A JP 2005751A JP 575190 A JP575190 A JP 575190A JP H03213265 A JPH03213265 A JP H03213265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface plate
- groove
- depth
- width
- abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D2203/00—Tool surfaces formed with a pattern
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
難加工材のラップ盤の定盤に関し、
定盤の平面度を損なうことなく研磨レートを高めること
を目的とし、 上面に所定の幅と所定の深さを有する放射状または渦巻
き状の研磨屑排出用の溝を形成したラップ盤の定盤にお
いて、上記溝の間のランド部の上面に深さ及び幅が１０
０ないし２００μｍ程度の浅溝を形成した構成とした。
を目的とし、 上面に所定の幅と所定の深さを有する放射状または渦巻
き状の研磨屑排出用の溝を形成したラップ盤の定盤にお
いて、上記溝の間のランド部の上面に深さ及び幅が１０
０ないし２００μｍ程度の浅溝を形成した構成とした。
本発明は、ラップ盤の定盤に関し、特に難加工材のラッ
プ盤の定盤に関するものである。
プ盤の定盤に関するものである。
近年、特に電子部品等においてシリコン、セラミックス
等の加工性の低い難加工材が使用されるようになってお
り、このような難加工材の形状寸法を精密に加工するた
めにラップ盤が使用されている。
等の加工性の低い難加工材が使用されるようになってお
り、このような難加工材の形状寸法を精密に加工するた
めにラップ盤が使用されている。
ラップ盤は、例えば第２図に示すように、水平回転する
定盤１の上方に逆り字形の支柱１２を介してバキューム
チャック１３を配置し、このバキュームチャック１３の
下面に被加工材を支持する一方、被加工材の下面を定盤
１の上面に接触させながら、バキュームチャック１３及
び被加工材（第４図のＷで示す）をその中心軸心のまわ
りに回転させるとともに、支柱ｒ２の縦軸部の回りに支
柱１２を揺動させて、バキュームチャック１３及び被加
工材Ｗが定盤１上を水平に横切って移動するように構成
されている。そして、定盤１の上面にはスラリー状の研
磨剤（ラッピング剤）が供給され、定盤１と被加工材Ｗ
との間に挟まれた研磨剤によって被加工材Ｗの下面が研
磨される。
定盤１の上方に逆り字形の支柱１２を介してバキューム
チャック１３を配置し、このバキュームチャック１３の
下面に被加工材を支持する一方、被加工材の下面を定盤
１の上面に接触させながら、バキュームチャック１３及
び被加工材（第４図のＷで示す）をその中心軸心のまわ
りに回転させるとともに、支柱ｒ２の縦軸部の回りに支
柱１２を揺動させて、バキュームチャック１３及び被加
工材Ｗが定盤１上を水平に横切って移動するように構成
されている。そして、定盤１の上面にはスラリー状の研
磨剤（ラッピング剤）が供給され、定盤１と被加工材Ｗ
との間に挟まれた研磨剤によって被加工材Ｗの下面が研
磨される。
定盤１の上面には、例えば第３図、第４図に示すように
、研摩屑を研磨剤ととも排出するために定盤１の中心か
ら放射状あるいは図示しない渦巻き状に展開する溝２が
形成される。この溝２は、定期的にあるいは必要に応じ
て、例えば第２図に示す修正用バイト１７をバイト駆動
装置１８で、定盤１の一横外側の上側から定盤ｌの中央
部上側に進退させながら、定盤１を間欠的にあるいは連
続して回転させることにより、溝２の深さ及び幅を所定
の範囲（例えば、深さｌ ｍｕ程度、幅１０龍程度）に
保持するように修正される。
、研摩屑を研磨剤ととも排出するために定盤１の中心か
ら放射状あるいは図示しない渦巻き状に展開する溝２が
形成される。この溝２は、定期的にあるいは必要に応じ
て、例えば第２図に示す修正用バイト１７をバイト駆動
装置１８で、定盤１の一横外側の上側から定盤ｌの中央
部上側に進退させながら、定盤１を間欠的にあるいは連
続して回転させることにより、溝２の深さ及び幅を所定
の範囲（例えば、深さｌ ｍｕ程度、幅１０龍程度）に
保持するように修正される。
上記溝２は、研摩屑及び研磨剤の排出に役立つとともに
、そのエツジ部５が、研磨剤に含まれた砥粒が被加工材
Ｗに食い込むことを促し、研磨し一トを高めることに役
立つことが知られている。
、そのエツジ部５が、研磨剤に含まれた砥粒が被加工材
Ｗに食い込むことを促し、研磨し一トを高めることに役
立つことが知られている。
従って、定盤１の上面に形成される溝２の密度を高める
ことは研磨レー１−（研磨効率）を高める上で有利にな
ると考えられている。
ことは研磨レー１−（研磨効率）を高める上で有利にな
ると考えられている。
しかしながら、溝２の密度があまりにも高くなると、定
盤１からの研磨剤の排出量が多くなるので、研磨剤の供
給量を多くする必要がある上、溝２と溝２との間のラン
ド部３の表面積が小さくなり、被加工材Ｗから加えられ
る圧力でランド部３が押さえられて変形し、定盤ｌの上
面の平面度が損なわれて加工精度が低下するおそれが生
じる。
盤１からの研磨剤の排出量が多くなるので、研磨剤の供
給量を多くする必要がある上、溝２と溝２との間のラン
ド部３の表面積が小さくなり、被加工材Ｗから加えられ
る圧力でランド部３が押さえられて変形し、定盤ｌの上
面の平面度が損なわれて加工精度が低下するおそれが生
じる。
従って、実際には溝２の密度を高めることには限界があ
り、研磨レートを高めることにも限界がある。
り、研磨レートを高めることにも限界がある。
本発明は、上記の事情を考慮してなされたものであり、
定盤の平面度を損なうことなく研磨レートを高められる
ようにしたラップ盤の定盤を提供することを目的とする
ものである。
定盤の平面度を損なうことなく研磨レートを高められる
ようにしたラップ盤の定盤を提供することを目的とする
ものである。
本発明は、例えば第１図に示すように、上面に所定の幅
と所定の深さを有する放射状または渦巻き状の研磨屑排
出用の溝２を形成したラップ盤の定盤１において、上記
溝２の間のランド部３の上面に深さ及び幅が１００ない
し２００μｍ程度の浅溝４を形成する。
と所定の深さを有する放射状または渦巻き状の研磨屑排
出用の溝２を形成したラップ盤の定盤１において、上記
溝２の間のランド部３の上面に深さ及び幅が１００ない
し２００μｍ程度の浅溝４を形成する。
本発明においては、溝２の密度は従来と同様に一定以下
にしであるのでバキュームチャック１３から被加工材Ｗ
を介してランド部３に作用する圧力が十分に分散され、
その圧力でランド部３が変形することを防止できる。し
かも、ランド部３の上面に深さ及び幅がｌＯＯないし２
００．ｕｍ程度の浅溝４が形成されているので、この浅
溝４のエツジ部により、研磨屑排出用の溝２のエツジ部
５と同様に、研磨剤に含まれた砥粒が被加工材Ｗに食い
込むことが促され、研磨レートが高められる。
にしであるのでバキュームチャック１３から被加工材Ｗ
を介してランド部３に作用する圧力が十分に分散され、
その圧力でランド部３が変形することを防止できる。し
かも、ランド部３の上面に深さ及び幅がｌＯＯないし２
００．ｕｍ程度の浅溝４が形成されているので、この浅
溝４のエツジ部により、研磨屑排出用の溝２のエツジ部
５と同様に、研磨剤に含まれた砥粒が被加工材Ｗに食い
込むことが促され、研磨レートが高められる。
本発明の一実施例に係るラップ盤の定盤を第１図に基づ
き説明すれば以下の通りである。
き説明すれば以下の通りである。
定盤１の上面には、幅約２龍、深さ約１鶴の研磨屑排出
用の溝２が例えば渦巻き状に形成されている。この溝２
と溝２との間のランド部３の幅は約５鰭とし、ランド部
３の上面には深さ及び幅が約１００μｍの■字形の浅溝
４が密に形成される。
用の溝２が例えば渦巻き状に形成されている。この溝２
と溝２との間のランド部３の幅は約５鰭とし、ランド部
３の上面には深さ及び幅が約１００μｍの■字形の浅溝
４が密に形成される。
浅溝４は定盤１の中心から放射状に形成してもよいが、
ここでは、定盤１の中心から渦巻き状に展開するように
形成されている。なお、第１図において符号Ｗは被加工
材を示す。
ここでは、定盤１の中心から渦巻き状に展開するように
形成されている。なお、第１図において符号Ｗは被加工
材を示す。
定盤ｌの上面を修正する場合には、まず、公知の修正リ
ングをバキュウムチャック１３に支持させて、上面を所
定の平面度以下の平面精度に研削した後、修正用バイト
１７で溝２を形成し、更に、修正用バイト１７で浅溝４
を形成する。
ングをバキュウムチャック１３に支持させて、上面を所
定の平面度以下の平面精度に研削した後、修正用バイト
１７で溝２を形成し、更に、修正用バイト１７で浅溝４
を形成する。
この定盤１においては、溝２の密度は従来と同様に一定
以下にしであるのでバキュームチャック１３から被加工
材Ｗを介してランド部３に作用する圧力が十分に分散さ
れ、その圧力でランド部３が変形することを防止でき、
定盤１の上面の平面度が低下することを防止して、加工
精度を高めることかできる。
以下にしであるのでバキュームチャック１３から被加工
材Ｗを介してランド部３に作用する圧力が十分に分散さ
れ、その圧力でランド部３が変形することを防止でき、
定盤１の上面の平面度が低下することを防止して、加工
精度を高めることかできる。
しかも、ランド部３の上面に深さ及び幅が１００ないし
２００μｍ程度の浅溝４が形成されているので、この浅
／ｓ４のエツジ部により、研磨屑排出用の溝２のエツジ
部５と同様に、研磨剤に含まれた砥粒が被加工材Ｗに食
い込むことが促され、研磨レートが高められる。例えば
、従来では８時間程度必要としていた幅３０１１、長さ
３０ｍｍ、厚さ１０−勇の大型゛アルミナ基板の研磨が
３時間程度の短時間で研磨することがでる。
２００μｍ程度の浅溝４が形成されているので、この浅
／ｓ４のエツジ部により、研磨屑排出用の溝２のエツジ
部５と同様に、研磨剤に含まれた砥粒が被加工材Ｗに食
い込むことが促され、研磨レートが高められる。例えば
、従来では８時間程度必要としていた幅３０１１、長さ
３０ｍｍ、厚さ１０−勇の大型゛アルミナ基板の研磨が
３時間程度の短時間で研磨することがでる。
加えて、浅溝４が有する溝面積が非常に小さいので、浅
溝４は殆ど研磨剤の排出を促すことはなく、また、溝２
の密度が従来と同様に一定以下にしであるので、定盤１
上から研磨剤が多量に排出されることを防止でき、研磨
剤の供給量を増大させずに済む。
溝４は殆ど研磨剤の排出を促すことはなく、また、溝２
の密度が従来と同様に一定以下にしであるので、定盤１
上から研磨剤が多量に排出されることを防止でき、研磨
剤の供給量を増大させずに済む。
以上のように、本発明によれば、定盤の研磨屑排出用溝
を従来と同様の密度で設けることができるので、被加工
材から圧力が作用した時にランド部が変形して定盤の平
面度が損なわれることはない。 しかも、そのランド部
の上面に浅溝を形成しであるので、溝のエツジ部に加え
て浅溝のエツジ部によって研磨剤に含まれた砥粒が被加
工材Ｗに食い込むことが促され、研磨レートが高められ
る。
を従来と同様の密度で設けることができるので、被加工
材から圧力が作用した時にランド部が変形して定盤の平
面度が損なわれることはない。 しかも、そのランド部
の上面に浅溝を形成しであるので、溝のエツジ部に加え
て浅溝のエツジ部によって研磨剤に含まれた砥粒が被加
工材Ｗに食い込むことが促され、研磨レートが高められ
る。
更に、浅溝が研磨剤の排出を殆ど促さないので、研磨屑
排出用の溝の密度を一定以下にすることにより、定盤上
から研磨剤が多量に排出されることを防止でき、研磨剤
の供給量を増大させる必要はなくなる。
排出用の溝の密度を一定以下にすることにより、定盤上
から研磨剤が多量に排出されることを防止でき、研磨剤
の供給量を増大させる必要はなくなる。
第１図は本発明の一実施例に係る定盤の縦断面図、第２
図は一般的なラップ盤の平面図、第３図は従来の定盤の
縦断面図、第４図はランド形状を示す平面図である。 図中、 １・・・定盤、 ２・・・溝、 ３・・・ランド部、 ４・・・浅溝。 第１図 ィｌイク・］ の秀−−と−しＢｔｉ 丁２］第３．閃 冷し釆ｊランドで＋（食１１千重■Ａ 第４図
図は一般的なラップ盤の平面図、第３図は従来の定盤の
縦断面図、第４図はランド形状を示す平面図である。 図中、 １・・・定盤、 ２・・・溝、 ３・・・ランド部、 ４・・・浅溝。 第１図 ィｌイク・］ の秀−−と−しＢｔｉ 丁２］第３．閃 冷し釆ｊランドで＋（食１１千重■Ａ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕上面に所定の幅と所定の深さを有する放射状また
は渦巻き状の研磨屑排出用の溝（２）を形成したラップ
盤の定盤において、 上記溝（２）の間のランド部（３）の上面に深さ及び幅
が１００ないし２００μｍ程度の浅溝（４）を形成した
ことを特徴とする、ラップ盤の定盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005751A JPH03213265A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | ラップ盤の定盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005751A JPH03213265A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | ラップ盤の定盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03213265A true JPH03213265A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11619822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005751A Pending JPH03213265A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | ラップ盤の定盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03213265A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5329734A (en) * | 1993-04-30 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate |
| US5441598A (en) * | 1993-12-16 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate |
| EP0701499A4 (en) * | 1994-04-08 | 1997-08-20 | Rodel Inc | IMPROVED POLISHING CUSHION AND METHOD FOR USE THEREOF |
| EP0846040A4 (en) * | 1995-08-21 | 1998-09-30 | Rodel Inc | POLISHING PAD |
| US6012970A (en) * | 1997-01-15 | 2000-01-11 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP2005751A patent/JPH03213265A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5329734A (en) * | 1993-04-30 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate |
| US5441598A (en) * | 1993-12-16 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate |
| US5628862A (en) * | 1993-12-16 | 1997-05-13 | Motorola, Inc. | Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate |
| EP0701499A4 (en) * | 1994-04-08 | 1997-08-20 | Rodel Inc | IMPROVED POLISHING CUSHION AND METHOD FOR USE THEREOF |
| EP0846040A4 (en) * | 1995-08-21 | 1998-09-30 | Rodel Inc | POLISHING PAD |
| EP1281477A1 (en) * | 1995-08-21 | 2003-02-05 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing pads |
| US6012970A (en) * | 1997-01-15 | 2000-01-11 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
| US6146250A (en) * | 1997-01-15 | 2000-11-14 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
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