JPH03214722A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH03214722A JPH03214722A JP2011101A JP1110190A JPH03214722A JP H03214722 A JPH03214722 A JP H03214722A JP 2011101 A JP2011101 A JP 2011101A JP 1110190 A JP1110190 A JP 1110190A JP H03214722 A JPH03214722 A JP H03214722A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- cover plate
- solvent
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置等製造用のレジスト回転塗布装置に関し、
膜厚均一性の良好な塗布膜を得ることが出来るレジスト
塗布装置を提供することを目的とし、被塗布体である基
板１の上方に近接対向してこれを覆うカバー板１５が配
設され、該カバー板１５は少なくともその中央部に開孔
１５Ａを有し、該開孔１５Ａは溶剤蒸気供給手段ｌ７に
連通ずるように構成する。
塗布装置を提供することを目的とし、被塗布体である基
板１の上方に近接対向してこれを覆うカバー板１５が配
設され、該カバー板１５は少なくともその中央部に開孔
１５Ａを有し、該開孔１５Ａは溶剤蒸気供給手段ｌ７に
連通ずるように構成する。
本発明は、半導体装置等製造用のレジスト回転塗布装置
に関する。
に関する。
半導体装置の電極や配線はウェーハ処理工程においてウ
ェーハに塗布したレジス１・を紫外線や電子線等で露光
した後現像して得られるレジストパターンを基にして形
成される。従ってこの電極や配線のパターン精度はレジ
ストパターンの精度に依存するが、このレジストパター
ンの幅精度に対してはレジスト膜厚精度が大きな影響を
与えることが知られている。又、ウエーハ周縁部に生ず
るレジストの盛り上がりは、ウェーハのハンドリング時
の発塵の原因となることも知られている。
ェーハに塗布したレジス１・を紫外線や電子線等で露光
した後現像して得られるレジストパターンを基にして形
成される。従ってこの電極や配線のパターン精度はレジ
ストパターンの精度に依存するが、このレジストパター
ンの幅精度に対してはレジスト膜厚精度が大きな影響を
与えることが知られている。又、ウエーハ周縁部に生ず
るレジストの盛り上がりは、ウェーハのハンドリング時
の発塵の原因となることも知られている。
これらのレジスト膜厚のバラツキを抑制するためにはプ
ロセス条件の厳しい管理が必要であるが、近時、半導体
装置のパターンの微細化が進み、プロセス条件の管理だ
けでは所望の膜厚均一性を得ることが困難になって来て
いる。今後もより一層の微細化が見込まれるため、良好
な膜厚均一性の得られるレジスト塗布装置の開発が望ま
れている。
ロセス条件の厳しい管理が必要であるが、近時、半導体
装置のパターンの微細化が進み、プロセス条件の管理だ
けでは所望の膜厚均一性を得ることが困難になって来て
いる。今後もより一層の微細化が見込まれるため、良好
な膜厚均一性の得られるレジスト塗布装置の開発が望ま
れている。
従来のレジスト塗布装置を第２図により説明する。第２
図は従来の一般的な装置を示す模式断面図である。図中
、ｌは被塗布物のウェーハである。
図は従来の一般的な装置を示す模式断面図である。図中
、ｌは被塗布物のウェーハである。
１１はチャックであり、ウエーハ１を真空吸着する。
■２はモータ等からなる回転手段であり、ウェーハ１を
真空吸着したチャック１１を所望の回転数で回転させる
。２３はレジストノズルであり、一端がレジスト供給手
段（図示は省略）に連通しており、他端からレジストを
ウェーハｌ上に滴下する。２４はカップであり、ウエー
ハ１の回転時に飛散する余分のレジストを収容する。こ
のカップ２４の下部には排気口２４Ａが設けられており
、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。
真空吸着したチャック１１を所望の回転数で回転させる
。２３はレジストノズルであり、一端がレジスト供給手
段（図示は省略）に連通しており、他端からレジストを
ウェーハｌ上に滴下する。２４はカップであり、ウエー
ハ１の回転時に飛散する余分のレジストを収容する。こ
のカップ２４の下部には排気口２４Ａが設けられており
、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。
この装置でレジストを塗布するには、先ず静止状態のウ
エーハ１上にレジストノズル２３からレジストを滴下さ
せ、次いでウェーハ１を低速で回転してレジストをウェ
ーハｌの表面に拡げ、更に高速回転するとレジストは所
望の膜厚に向けて徐々に拡がりを続ける。この間ウェー
ハｌ表面に拡がったレジストは次第に溶剤が蒸発して粘
度を増し、やがて拡がりは停止する。この時点でウェー
ハｌの回転を停止し、レジスト塗布を完了する。
エーハ１上にレジストノズル２３からレジストを滴下さ
せ、次いでウェーハ１を低速で回転してレジストをウェ
ーハｌの表面に拡げ、更に高速回転するとレジストは所
望の膜厚に向けて徐々に拡がりを続ける。この間ウェー
ハｌ表面に拡がったレジストは次第に溶剤が蒸発して粘
度を増し、やがて拡がりは停止する。この時点でウェー
ハｌの回転を停止し、レジスト塗布を完了する。
ところでこのウエーハ１の回転中、ウェーハ１上のレジ
ストはウェーハｌの周速度に応じた風を受けることにな
るが、この風速はウェーハｌの中心がゼロで、周辺に行
くに従って大となるため、周辺部の方が中心部より速《
粘度が高くなり、その結果、最終的には周辺部の膜厚が
中心部のそれより大となる。しかも表層部から粘度が高
まるので、特に周縁部ではレジスト膜の盛り上がりを生
ずる。又、ウエーハｌは完全な円形ではなく、結晶方位
を示すためにオリエンテーションフラット（以後「オリ
フラ」と記す）を有しているため、回転時にはウェーハ
１周縁部で気流の乱れを生じ、これも周縁部にレジスト
膜の盛り上がりを生ずる原因となる。
ストはウェーハｌの周速度に応じた風を受けることにな
るが、この風速はウェーハｌの中心がゼロで、周辺に行
くに従って大となるため、周辺部の方が中心部より速《
粘度が高くなり、その結果、最終的には周辺部の膜厚が
中心部のそれより大となる。しかも表層部から粘度が高
まるので、特に周縁部ではレジスト膜の盛り上がりを生
ずる。又、ウエーハｌは完全な円形ではなく、結晶方位
を示すためにオリエンテーションフラット（以後「オリ
フラ」と記す）を有しているため、回転時にはウェーハ
１周縁部で気流の乱れを生じ、これも周縁部にレジスト
膜の盛り上がりを生ずる原因となる。
一般的なレジスト塗布装置における上記のような現象を
抑制するために、被塗布物の上方に近接対向して中央部
に開孔を有するカバー板を配設した装置の具体例が特開
昭６２−１４０６７４公報に開示されている。これは、
レジストの溶剤蒸気を被塗布物とカバー板との間に停滞
させて溶剤の気化を抑制すると共に、ウエーハ中央部と
周辺部からその溶剤蒸気の一部を外部に拡散させること
によりウ工−ハ上の溶剤蒸気圧の均一化を図ったもので
ある。
抑制するために、被塗布物の上方に近接対向して中央部
に開孔を有するカバー板を配設した装置の具体例が特開
昭６２−１４０６７４公報に開示されている。これは、
レジストの溶剤蒸気を被塗布物とカバー板との間に停滞
させて溶剤の気化を抑制すると共に、ウエーハ中央部と
周辺部からその溶剤蒸気の一部を外部に拡散させること
によりウ工−ハ上の溶剤蒸気圧の均一化を図ったもので
ある。
ところが特に微細なパターンを精密に転写する目的の場
合には、一般的な装置は勿論のこと、上記の改良された
装置であっても、充分に膜厚が均一な塗布膜が得られな
いという問題があった。本発明は、このような問題を解
決して、膜厚均一性の良好な塗布膜を得ることが出来る
レジスト塗布装置を提供することを目的とする。
合には、一般的な装置は勿論のこと、上記の改良された
装置であっても、充分に膜厚が均一な塗布膜が得られな
いという問題があった。本発明は、このような問題を解
決して、膜厚均一性の良好な塗布膜を得ることが出来る
レジスト塗布装置を提供することを目的とする。
この目的は、本発明によれば、被塗布体である基板１の
上方に近接対向してこれを覆うカバー板ｌ５が配設され
、該カバー板１５は少なくともその中央部に開孔１５Ａ
を有し、該開孔１５Ａは溶剤蒸気供給手段１７に連通し
ていることを特徴とするレジスト塗布装置とすることで
、達成される。
上方に近接対向してこれを覆うカバー板ｌ５が配設され
、該カバー板１５は少なくともその中央部に開孔１５Ａ
を有し、該開孔１５Ａは溶剤蒸気供給手段１７に連通し
ていることを特徴とするレジスト塗布装置とすることで
、達成される。
本発明では、被塗布物であるウエーハの直上に対向して
カバー板を配設したため、ウェーハ上のレジストから蒸
発した溶剤蒸気はウエーハとカバー板との間の狭い空間
に停滞し、溶剤の気化が抑制される。更にこの空間に溶
剤蒸気供給手段ｌ７から溶剤蒸気を供給することにより
ウエーノ＼の中央部、中間部、周辺部における溶剤蒸気
圧が略均一になる。その結果、レジストは充分に拡がっ
てから略全面一様に乾燥し、膜厚均一性の良いレジスト
膜が得られることになる。
カバー板を配設したため、ウェーハ上のレジストから蒸
発した溶剤蒸気はウエーハとカバー板との間の狭い空間
に停滞し、溶剤の気化が抑制される。更にこの空間に溶
剤蒸気供給手段ｌ７から溶剤蒸気を供給することにより
ウエーノ＼の中央部、中間部、周辺部における溶剤蒸気
圧が略均一になる。その結果、レジストは充分に拡がっ
てから略全面一様に乾燥し、膜厚均一性の良いレジスト
膜が得られることになる。
本発明に基づくレジスト塗布装置の実施例を第１図によ
り説明する。第１図は本発明の一実施例を示す模式図断
面図である。同図中、１は被塗布物のウェーハである。
り説明する。第１図は本発明の一実施例を示す模式図断
面図である。同図中、１は被塗布物のウェーハである。
１１はチャックであり、ウエーハ１を真空吸着する。ｌ
２はモータ等からなる回転手段であり、ウェーハｌを真
空吸着したチャック１１を所望の回転数で回転させる。
２はモータ等からなる回転手段であり、ウェーハｌを真
空吸着したチャック１１を所望の回転数で回転させる。
１３はレジストノズルであり、一端がレジスト供給手段
（図示は省略）に連通しており、他端からレジストをウ
工−ハ１上に滴下する。１４はカップであり、ウエーハ
１の回転時に飛散する余分のレジストを収容するための
ものであり、上下移動機構（図示は省略）により上下動
する。このカップｌ４の下部には排気口１４Ａが設けら
れており、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。
（図示は省略）に連通しており、他端からレジストをウ
工−ハ１上に滴下する。１４はカップであり、ウエーハ
１の回転時に飛散する余分のレジストを収容するための
ものであり、上下移動機構（図示は省略）により上下動
する。このカップｌ４の下部には排気口１４Ａが設けら
れており、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。
１５はカバー板であり、外径は被塗布物のウエーハ１よ
りも大きく （約１．３倍とした）、その中央部には開
孔１５Ａを有する円板である。１６はハウジングであり
、カバー板ｌ５上に固着されており、内部に空所１６Ａ
を有し、この空所１６Ａはカバー板ｌ５の開孔１５Ａに
通じている。前記のレジストノズル１３はこのハウジン
グ１６に固着されている。このハウジング１６は上下移
動機構（図示は省略）により上下動して、カバー板１５
及びレジストノズル１３とウェーハ１との距離を変える
ことが出来る。
りも大きく （約１．３倍とした）、その中央部には開
孔１５Ａを有する円板である。１６はハウジングであり
、カバー板ｌ５上に固着されており、内部に空所１６Ａ
を有し、この空所１６Ａはカバー板ｌ５の開孔１５Ａに
通じている。前記のレジストノズル１３はこのハウジン
グ１６に固着されている。このハウジング１６は上下移
動機構（図示は省略）により上下動して、カバー板１５
及びレジストノズル１３とウェーハ１との距離を変える
ことが出来る。
ｌ７は溶剤蒸気供給手段であり、容器１７Ａ、ガス管１
７Ｂ、チューブ１７Ｃ等からなり、容器１７Ａにレジス
トの溶剤と同等の溶剤を半量程度入れ、その蒸気をチュ
ーブ１７ｃによりハウジングｌ６の空所１６Ａに導き、
カバー板１５の開孔１５Ａから放出する。
７Ｂ、チューブ１７Ｃ等からなり、容器１７Ａにレジス
トの溶剤と同等の溶剤を半量程度入れ、その蒸気をチュ
ーブ１７ｃによりハウジングｌ６の空所１６Ａに導き、
カバー板１５の開孔１５Ａから放出する。
容器１７Ａにはガス管１７Ｂが導入されており、加圧窒
素等を溶剤中に注入することにより、パブリングによる
溶剤蒸発の促進やその蒸気の送気が出来る。
素等を溶剤中に注入することにより、パブリングによる
溶剤蒸発の促進やその蒸気の送気が出来る。
この装置でレジストを塗布するには、先ずカップ１２を
下げ、カバー板ｌ５及びレジストノズル１３を上げた状
態でウェーハｌをチャック１１上に載置して真空吸着し
、次にカバー板１５及びレジストノズル１３をウェーハ
１に近接対向せしめ（ウェーハｌとカバー１５との間隔
は１０ｍｍ以下）、カップ１２を上げ、ウェーハｌの静
止状態でレジストノズルｌ３からレジストを滴下させる
。次いでウェーハ１を低速で回転してレジストをウエー
ハｌ上に拡げ、更に高速回転するとレジストは所望の膜
厚に向けて徐々に拡がりを続ける。ウェーハ１表面に拡
がったレジストは次第に溶剤が蒸発して粘度を増し、や
がて拡がりは停止する。この間、レジストから蒸発した
溶剤蒸気がウエーハ１とカバー板ｌ５との間の狭い空間
Ｓに停滞し、更に溶剤蒸気供給手段１７から溶剤蒸気の
供給を受けるため、溶剤の気化が抑制される。その結果
、レジストは充分に拡がってから乾燥し、膜厚均一性の
良いレジスト膜が得られる。特にウェーハ１周縁部のレ
ジスト盛り上がりはオリフラ部の一部を除いて殆ど消滅
した。
下げ、カバー板ｌ５及びレジストノズル１３を上げた状
態でウェーハｌをチャック１１上に載置して真空吸着し
、次にカバー板１５及びレジストノズル１３をウェーハ
１に近接対向せしめ（ウェーハｌとカバー１５との間隔
は１０ｍｍ以下）、カップ１２を上げ、ウェーハｌの静
止状態でレジストノズルｌ３からレジストを滴下させる
。次いでウェーハ１を低速で回転してレジストをウエー
ハｌ上に拡げ、更に高速回転するとレジストは所望の膜
厚に向けて徐々に拡がりを続ける。ウェーハ１表面に拡
がったレジストは次第に溶剤が蒸発して粘度を増し、や
がて拡がりは停止する。この間、レジストから蒸発した
溶剤蒸気がウエーハ１とカバー板ｌ５との間の狭い空間
Ｓに停滞し、更に溶剤蒸気供給手段１７から溶剤蒸気の
供給を受けるため、溶剤の気化が抑制される。その結果
、レジストは充分に拡がってから乾燥し、膜厚均一性の
良いレジスト膜が得られる。特にウェーハ１周縁部のレ
ジスト盛り上がりはオリフラ部の一部を除いて殆ど消滅
した。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。例えば被塗布物はウエーハとは限
らず、他の円板状の物体、或いはフォトマスク等の角板
状物体であっても有効である。又、カバー板の間孔は中
央部の一個だけでなく、他に例えば放射状に複数個設け
てもよい。
変形して実施出来る。例えば被塗布物はウエーハとは限
らず、他の円板状の物体、或いはフォトマスク等の角板
状物体であっても有効である。又、カバー板の間孔は中
央部の一個だけでなく、他に例えば放射状に複数個設け
てもよい。
以上説明したように、本発明によれば、発塵源となるウ
エーハ周縁部のレジスト盛り上がりが少なく、膜厚均一
性の良好な塗布膜を得ることが出来るレジスト塗布装置
を提供することが出来、半導体装遊製造工程の歩留り向
上に寄与するところが大である。
エーハ周縁部のレジスト盛り上がりが少なく、膜厚均一
性の良好な塗布膜を得ることが出来るレジスト塗布装置
を提供することが出来、半導体装遊製造工程の歩留り向
上に寄与するところが大である。
第１図は本発明の実施例を示す模式断面図、第２図は従
来の一般的な装置を示す模式断面図、である。 図中、■はウェーハ（基板）、 １０ １１はチャック、 １２は回転手段、 １３． ２３はレジストノズル、 １４． ２４はカップ、 ｌ５はカバー板、 １５Ａは開孔、 ｌ７は溶剤蒸気供給手段、 である。 ｌ １ 口
来の一般的な装置を示す模式断面図、である。 図中、■はウェーハ（基板）、 １０ １１はチャック、 １２は回転手段、 １３． ２３はレジストノズル、 １４． ２４はカップ、 ｌ５はカバー板、 １５Ａは開孔、 ｌ７は溶剤蒸気供給手段、 である。 ｌ １ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１）上にレジストを回転塗布する装置において、 被塗布体である該基板（１）の上方に近接対向してこれ
を覆うカバー板（１５）が配設され、該カバー板（１５
）は少なくともその中央部に開孔（１５Ａ）を有し、 該開孔（１５Ａ）は溶剤蒸気供給手段（１７）に連通し
ていることを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011101A JPH03214722A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011101A JPH03214722A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214722A true JPH03214722A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11768620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011101A Pending JPH03214722A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214722A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169680A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-07-04 | Semiconductor Syst Inc | ウエハ等のスピンコーティング装置及び方法 |
| JP2004160336A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corp | 膜形成装置及び膜形成方法、有機ｅｌ装置の製造方法、並びに液体吐出装置 |
| US7335604B2 (en) | 2002-02-22 | 2008-02-26 | Seiko Epson Corporation | Thin-film coating apparatus |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011101A patent/JPH03214722A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169680A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-07-04 | Semiconductor Syst Inc | ウエハ等のスピンコーティング装置及び方法 |
| US7335604B2 (en) | 2002-02-22 | 2008-02-26 | Seiko Epson Corporation | Thin-film coating apparatus |
| JP2004160336A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corp | 膜形成装置及び膜形成方法、有機ｅｌ装置の製造方法、並びに液体吐出装置 |
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