JPH04340217A - 液処理方法及び液処理装置 - Google Patents
液処理方法及び液処理装置Info
- Publication number
- JPH04340217A JPH04340217A JP3058578A JP5857891A JPH04340217A JP H04340217 A JPH04340217 A JP H04340217A JP 3058578 A JP3058578 A JP 3058578A JP 5857891 A JP5857891 A JP 5857891A JP H04340217 A JPH04340217 A JP H04340217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- semiconductor wafer
- resist solution
- cup
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造のレジスト塗
布工程に係り、特に均一にレジストを塗布する塗布方法
に関する。
布工程に係り、特に均一にレジストを塗布する塗布方法
に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から半導体ウェハ上に薄膜状の電子回
路パターンを形成するパターン形成工程では、半導体ウ
ェハ上に薄膜状に塗布されたレジスト膜を所望のパター
ンが形成されたマスクを通して露光し、現像してネガ型
またはポジ型のレジストパターンを形成する。その後こ
のレジストパターンをマスクとしてエッチングして下地
の薄膜に所望の電子回路パターンを形成した後、マスク
として使用したレジストを除去している。この工程にお
いて半導体ウェハ上にレジスト塗布する際に、レジスト
膜厚はレジストパターンの精度に関係するため、均一に
塗布する必要があり、例えば半導体ウェハの中心上に滴
下されたレジストを半導体ウェハを高速回転させて、周
辺部まで延伸させて塗布を行うスピンコータが多用され
ている。
路パターンを形成するパターン形成工程では、半導体ウ
ェハ上に薄膜状に塗布されたレジスト膜を所望のパター
ンが形成されたマスクを通して露光し、現像してネガ型
またはポジ型のレジストパターンを形成する。その後こ
のレジストパターンをマスクとしてエッチングして下地
の薄膜に所望の電子回路パターンを形成した後、マスク
として使用したレジストを除去している。この工程にお
いて半導体ウェハ上にレジスト塗布する際に、レジスト
膜厚はレジストパターンの精度に関係するため、均一に
塗布する必要があり、例えば半導体ウェハの中心上に滴
下されたレジストを半導体ウェハを高速回転させて、周
辺部まで延伸させて塗布を行うスピンコータが多用され
ている。
【０００３】しかしながら、レジストの溶剤は気化しや
すく、均一なレジスト膜を形成するには滴下後短時間で
塗布しなければならない。そのため半導体ウェハを２０
００〜３０００回転／分の高速で回転させて回転塗布を
短時間で行おうとすると、図２に示すように半導体ウェ
ハ１の径方向にレジスト２が放射状に波状に厚さが異な
って塗布されるいわゆるストリエーション３が発生して
しまう。そのため、不均一な膜厚に塗布されたレジスト
膜により形成されるレジストパターンは不均一なパター
ンに形成されてしまった。
すく、均一なレジスト膜を形成するには滴下後短時間で
塗布しなければならない。そのため半導体ウェハを２０
００〜３０００回転／分の高速で回転させて回転塗布を
短時間で行おうとすると、図２に示すように半導体ウェ
ハ１の径方向にレジスト２が放射状に波状に厚さが異な
って塗布されるいわゆるストリエーション３が発生して
しまう。そのため、不均一な膜厚に塗布されたレジスト
膜により形成されるレジストパターンは不均一なパター
ンに形成されてしまった。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】そのため、ストリエーション
の発生を防止するため、半導体ウェハ１を載置して高速
回転する載置台を包囲するカップ中にレジストの溶剤雰
囲気を形成し、レジストの気化を抑制して半導体ウェハ
の回転を低速にして塗布を行ったり（特開昭５０−６８
４７５号、特開昭５６−５２７４５号、特開昭５７−７
６８３５号、特開昭５８−２０６１２４号、特開昭５９
−５０５２５号、特開昭６０−１０２４８号、特開昭６
１−２９１２５号公報）、レジスト液に界面活性材を添
加してレジスト溶剤の延伸を速くしたり（特開昭６０−
７４６２１号公報）、レジスト液の温度を低温にしてレ
ジスト溶剤の気化を抑制したり（特開昭６０−１６０１
４号、特開昭６０−２３５１３０号、特開昭６０−８６
５４２号公報）、あるいはレジスト塗布前の半導体ウェ
ハの疎水化処理を行わずレジスト液が延伸されやすいよ
うにしていた。
の発生を防止するため、半導体ウェハ１を載置して高速
回転する載置台を包囲するカップ中にレジストの溶剤雰
囲気を形成し、レジストの気化を抑制して半導体ウェハ
の回転を低速にして塗布を行ったり（特開昭５０−６８
４７５号、特開昭５６−５２７４５号、特開昭５７−７
６８３５号、特開昭５８−２０６１２４号、特開昭５９
−５０５２５号、特開昭６０−１０２４８号、特開昭６
１−２９１２５号公報）、レジスト液に界面活性材を添
加してレジスト溶剤の延伸を速くしたり（特開昭６０−
７４６２１号公報）、レジスト液の温度を低温にしてレ
ジスト溶剤の気化を抑制したり（特開昭６０−１６０１
４号、特開昭６０−２３５１３０号、特開昭６０−８６
５４２号公報）、あるいはレジスト塗布前の半導体ウェ
ハの疎水化処理を行わずレジスト液が延伸されやすいよ
うにしていた。
【０００５】しかしながら、これらの処理を行っても半
導体ウェハの大口径化に伴い例えば８インチ径のものに
は対応できず、ストリエーション発生を防止することは
できなかった。本発明は上記の欠点を解消するためにな
されたものであって、大口径の半導体ウェハにおいても
ストリエーション発生することなく均一な膜厚のレジス
ト塗布が行える半導体ウェハのレジスト塗布方法を提供
することを目的とする。
導体ウェハの大口径化に伴い例えば８インチ径のものに
は対応できず、ストリエーション発生を防止することは
できなかった。本発明は上記の欠点を解消するためにな
されたものであって、大口径の半導体ウェハにおいても
ストリエーション発生することなく均一な膜厚のレジス
ト塗布が行える半導体ウェハのレジスト塗布方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のレジスト塗布方法は、レジストが滴下され
た半導体ウェハを回転して前記半導体ウェハ面にレジス
トを塗布する際に、前記半導体ウェハ上に滴下された前
記レジストに音波を照射して前記レジストを均一の膜厚
に塗布するものである。
め、本発明のレジスト塗布方法は、レジストが滴下され
た半導体ウェハを回転して前記半導体ウェハ面にレジス
トを塗布する際に、前記半導体ウェハ上に滴下された前
記レジストに音波を照射して前記レジストを均一の膜厚
に塗布するものである。
【０００７】
【作用】一般に、平面を有する回転体をこの平面の垂直
軸を中心として回転させた時、この平面上には空気の層
流域と乱流域が発生し、さらに、この回転体の平面に音
波を照射することによって、空気の乱流が生じる領域を
回転の中心から離れた領域に移せることが知られている
。そこで、このことを応用して半導体ウェハにレジスト
を回転塗布する際に、空気の動粘度に近い半導体ウェハ
上に滴下されたレジスト液に音波を照射する。これによ
りレジスト液面の乱れが生じる領域を半導体ウェハの中
心から離れたところ、つまり半導体ウェハより外部に移
動させることができ、半導体ウェハ上は層流域となるの
でレジスト液面の乱れが生じることはなく均一な膜厚に
塗布することができる。
軸を中心として回転させた時、この平面上には空気の層
流域と乱流域が発生し、さらに、この回転体の平面に音
波を照射することによって、空気の乱流が生じる領域を
回転の中心から離れた領域に移せることが知られている
。そこで、このことを応用して半導体ウェハにレジスト
を回転塗布する際に、空気の動粘度に近い半導体ウェハ
上に滴下されたレジスト液に音波を照射する。これによ
りレジスト液面の乱れが生じる領域を半導体ウェハの中
心から離れたところ、つまり半導体ウェハより外部に移
動させることができ、半導体ウェハ上は層流域となるの
でレジスト液面の乱れが生じることはなく均一な膜厚に
塗布することができる。
【０００８】
【実施例】本発明のレジスト塗布方法を半導体ウェハの
レジスト塗布装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。図１に示すレジスト塗布装置４は、真空吸着
等によって半導体ウェハ１を載置固定し、モータ５の回
転軸に固定される上面円盤状のチャック６を備える。チ
ャック６の上方にはレジスト液吐出ノズル７が図示しな
い移動機構に接続されて設けられ、チャック６の上方か
ら半導体ウェハ１の周縁部外側位置に退避できるように
なっている。レジスト液吐出ノズル７はフィルタ、ベロ
ーズポンプ、サックバックバルブ等を備えたレジスト液
供給系８に接続される。チャック６の周囲にはレジスト
塗布時に回転する半導体ウェハ１の周縁から振切られた
余剰のレジスト液が周囲に飛散しないようカップ９が設
けられる。カップ９は上下動可能であって、半導体ウェ
ハ１の搬入出時に図示の位置より下降してチャック６が
カップ９中央上部より露出し、搬入出を容易にする。さ
らに、カップ９の下部には廃液処理装置１０に接続され
た排液口１１及び回転する半導体ウェハ１の周縁から飛
散したレジスト液がカップ９の内壁に当ってはね返って
再び半導体ウェハ１上に付着しないようカップ９の下部
に向って気体流を生じさせるため排気装置１２に接続さ
れる排気口１３を備える。
レジスト塗布装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。図１に示すレジスト塗布装置４は、真空吸着
等によって半導体ウェハ１を載置固定し、モータ５の回
転軸に固定される上面円盤状のチャック６を備える。チ
ャック６の上方にはレジスト液吐出ノズル７が図示しな
い移動機構に接続されて設けられ、チャック６の上方か
ら半導体ウェハ１の周縁部外側位置に退避できるように
なっている。レジスト液吐出ノズル７はフィルタ、ベロ
ーズポンプ、サックバックバルブ等を備えたレジスト液
供給系８に接続される。チャック６の周囲にはレジスト
塗布時に回転する半導体ウェハ１の周縁から振切られた
余剰のレジスト液が周囲に飛散しないようカップ９が設
けられる。カップ９は上下動可能であって、半導体ウェ
ハ１の搬入出時に図示の位置より下降してチャック６が
カップ９中央上部より露出し、搬入出を容易にする。さ
らに、カップ９の下部には廃液処理装置１０に接続され
た排液口１１及び回転する半導体ウェハ１の周縁から飛
散したレジスト液がカップ９の内壁に当ってはね返って
再び半導体ウェハ１上に付着しないようカップ９の下部
に向って気体流を生じさせるため排気装置１２に接続さ
れる排気口１３を備える。
【０００９】このようなレジスト塗布装置４のカップ９
の上方には音波発生器であるスピーカ１４が設けられる
。尚、このスピーカ１４は図示しない音波発生装置に接
続されている。スピーカ１４から発生される音波は空気
により伝達されチャック６上の半導体ウェハ１上に滴下
されたレジスト液Ｒをチャック６が回転して延伸させる
間レジスト液Ｒに照射されるようになっている。
の上方には音波発生器であるスピーカ１４が設けられる
。尚、このスピーカ１４は図示しない音波発生装置に接
続されている。スピーカ１４から発生される音波は空気
により伝達されチャック６上の半導体ウェハ１上に滴下
されたレジスト液Ｒをチャック６が回転して延伸させる
間レジスト液Ｒに照射されるようになっている。
【００１０】このようなレジスト塗布装置４を用いて半
導体ウェハ１上にレジスト液Ｒを塗布する塗布方法を説
明する。カップ９を図１の位置より下降させ、チャック
６上に半導体ウェハ１を図示しない搬送装置により載置
する。次にカップ９が図の位置に上昇されると、レジス
ト液吐出ノズル７を半導体ウェハ１の中心部上方まで移
動させ、レジスト液供給系８より所定量のレジスト液Ｒ
を半導体ウェハ１に滴下する。そしてチャック６を回転
し、レジスト液Ｒが遠心力により半導体ウェハ１の全面
に延伸される際、スピーカ１４を作動させ音波を発生さ
せて半導体ウェハ１上のレジスト液Ｒにあてる。
導体ウェハ１上にレジスト液Ｒを塗布する塗布方法を説
明する。カップ９を図１の位置より下降させ、チャック
６上に半導体ウェハ１を図示しない搬送装置により載置
する。次にカップ９が図の位置に上昇されると、レジス
ト液吐出ノズル７を半導体ウェハ１の中心部上方まで移
動させ、レジスト液供給系８より所定量のレジスト液Ｒ
を半導体ウェハ１に滴下する。そしてチャック６を回転
し、レジスト液Ｒが遠心力により半導体ウェハ１の全面
に延伸される際、スピーカ１４を作動させ音波を発生さ
せて半導体ウェハ１上のレジスト液Ｒにあてる。
【００１１】ここで回転する円盤の半径が円盤が接して
移動する空気の層の厚さより非常に大きい場合、その移
動する流体の先端の角速度ωと回転半径ｒと流体の動粘
度νとの関係を示す数値としてＲｅｙｎｏｌｄｓ数が知
られている。Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数Ｒは Ｒ＝γ２ων−１ で示される。ここでｒ：円盤上の回転半径、ω：移動す
る空気の先端の速度即ち回転体の角速度、ν：流体の動
粘度を示す。このＲｅｙｎｏｌｄｓ数Ｒがある値より小
さければ回転円盤上の流体の層上面は平坦な層流域であ
り、ある値より大きくなると回転円盤上の流体の層上面
は凸凹のある乱流域となることが実験によって確認され
ている。 このような関係は常温の動粘度が１５〜１６ｃｐの空気
と近似する動粘度２０ｃｐを有するレジストにも共通す
るものである。そしてこのＲｅｙｎｏｌｄｓ数を有する
流域を半導体ウェハの半径以上のところまで遷移させる
ため６３０Ｈｚの周波数の音波をあてる。音波は例えば
正弦波、短形波、三角波、鋸歯波、あるいはこれらの複
合波等であり、実際のプロセスに応じて適宜選択でき、
その出力強度も最適値に設定する。
移動する空気の層の厚さより非常に大きい場合、その移
動する流体の先端の角速度ωと回転半径ｒと流体の動粘
度νとの関係を示す数値としてＲｅｙｎｏｌｄｓ数が知
られている。Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数Ｒは Ｒ＝γ２ων−１ で示される。ここでｒ：円盤上の回転半径、ω：移動す
る空気の先端の速度即ち回転体の角速度、ν：流体の動
粘度を示す。このＲｅｙｎｏｌｄｓ数Ｒがある値より小
さければ回転円盤上の流体の層上面は平坦な層流域であ
り、ある値より大きくなると回転円盤上の流体の層上面
は凸凹のある乱流域となることが実験によって確認され
ている。 このような関係は常温の動粘度が１５〜１６ｃｐの空気
と近似する動粘度２０ｃｐを有するレジストにも共通す
るものである。そしてこのＲｅｙｎｏｌｄｓ数を有する
流域を半導体ウェハの半径以上のところまで遷移させる
ため６３０Ｈｚの周波数の音波をあてる。音波は例えば
正弦波、短形波、三角波、鋸歯波、あるいはこれらの複
合波等であり、実際のプロセスに応じて適宜選択でき、
その出力強度も最適値に設定する。
【００１２】ここで前述のＲｅｙｎｏｌｄｓ数及び層流
域の遷移について詳述する。Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数Ｒの値
は前式の右辺の諸変数の値によって種々の値をとる。例
えば角速度ω＝２π・１００（ｒａｄ／ｓｅｃ）［６０
００ＲＰＭ時］、レジストの動粘度ν＝２０・１０−６
（ｍ２／ｓｅｃ）及びこの条件下で回転時に確認された
層流域と乱流域との境界位置の回転半径をｒ＝０．０９
５（ｍ）とすれば、Ｒ＝２．８３・１０５となる。
域の遷移について詳述する。Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数Ｒの値
は前式の右辺の諸変数の値によって種々の値をとる。例
えば角速度ω＝２π・１００（ｒａｄ／ｓｅｃ）［６０
００ＲＰＭ時］、レジストの動粘度ν＝２０・１０−６
（ｍ２／ｓｅｃ）及びこの条件下で回転時に確認された
層流域と乱流域との境界位置の回転半径をｒ＝０．０９
５（ｍ）とすれば、Ｒ＝２．８３・１０５となる。
【００１３】ここで、Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数がこの値より
小さい時は層流域にあり、大きい時は乱流域にあること
が実験により確認されている。従ってＲ値を目安として
、回転円盤上の任意の位置における状態をＲｅｙｎｏｌ
ｄｓ数を求めることにより知ることができる。つまり、
前記回転条件下では回転半径ｒが０．０９５ｍより小さ
い範囲ならば層流域であり、回転半径ｒが０．０９５ｍ
より大きい範囲は乱流域となる。従って大口径の半導体
ウェハ全面にストリエーションを発生させず均一な膜厚
のレジスト膜を塗布するためには層流域で塗布を行なう
ようにすればよい。
小さい時は層流域にあり、大きい時は乱流域にあること
が実験により確認されている。従ってＲ値を目安として
、回転円盤上の任意の位置における状態をＲｅｙｎｏｌ
ｄｓ数を求めることにより知ることができる。つまり、
前記回転条件下では回転半径ｒが０．０９５ｍより小さ
い範囲ならば層流域であり、回転半径ｒが０．０９５ｍ
より大きい範囲は乱流域となる。従って大口径の半導体
ウェハ全面にストリエーションを発生させず均一な膜厚
のレジスト膜を塗布するためには層流域で塗布を行なう
ようにすればよい。
【００１４】一方回転中に回転円盤の表面に向けて音波
を照射することにより層流中の乱流の成長を抑制でき、
その結果Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数を大きくできることが分か
っている。そのため回転塗布条件の関係上回転体の角速
度ω及び動粘度νは一定となれば、Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数
が大きくなるということは、Ｒ＝ｒ２ων−１から回転
半径ｒ即ち層流域半径が大きくできる。例えばＲｅｙｎ
ｏｌｄｓ数Ｒ＝３．２の場合、ｒ＝０．１８０（ｍ）と
なり、８インチ（１０ｃｍ）径の半導体ウェハ全面を層
流域とすることが可能となる。
を照射することにより層流中の乱流の成長を抑制でき、
その結果Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数を大きくできることが分か
っている。そのため回転塗布条件の関係上回転体の角速
度ω及び動粘度νは一定となれば、Ｒｅｙｎｏｌｄｓ数
が大きくなるということは、Ｒ＝ｒ２ων−１から回転
半径ｒ即ち層流域半径が大きくできる。例えばＲｅｙｎ
ｏｌｄｓ数Ｒ＝３．２の場合、ｒ＝０．１８０（ｍ）と
なり、８インチ（１０ｃｍ）径の半導体ウェハ全面を層
流域とすることが可能となる。
【００１５】このように回転するレジスト液に空気によ
り伝達される音波をあてることにより、レジスト波の乱
流の発生を半導体ウェハより大きな半径のところまで遷
移させることができ、そのためレジスト膜はストリエー
ションの発生がなく均一に塗布を行うことができる。以
上の説明は本発明の一実施例の説明であって、音波発生
器はスピーカに限らず、音波を発生させるものならば何
れのものをも用いることができ、本発明はレジスト塗布
のみでなく、他の回転盤に塗布する塗布装置にも適用で
きる。
り伝達される音波をあてることにより、レジスト波の乱
流の発生を半導体ウェハより大きな半径のところまで遷
移させることができ、そのためレジスト膜はストリエー
ションの発生がなく均一に塗布を行うことができる。以
上の説明は本発明の一実施例の説明であって、音波発生
器はスピーカに限らず、音波を発生させるものならば何
れのものをも用いることができ、本発明はレジスト塗布
のみでなく、他の回転盤に塗布する塗布装置にも適用で
きる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体ウェハのレジスト塗布方法によれば、レジスト
液に音波をあてることにより、乱流域を半導体ウェハ領
域より外部に移動させることができるため、半導体ウェ
ハ上にはストリエーションの発生しない均一な膜厚のレ
ジスト塗布を行うことができ、従って高精度に均一なパ
ターン形成により高品位な半導体ウェハを製造すること
ができる。
の半導体ウェハのレジスト塗布方法によれば、レジスト
液に音波をあてることにより、乱流域を半導体ウェハ領
域より外部に移動させることができるため、半導体ウェ
ハ上にはストリエーションの発生しない均一な膜厚のレ
ジスト塗布を行うことができ、従って高精度に均一なパ
ターン形成により高品位な半導体ウェハを製造すること
ができる。
【図１】本発明のレジスト塗布方法を適用した一実施例
の構成図
の構成図
【図２】従来例により形成されるレジスト塗布膜を示す
斜視図
斜視図
１・・・・・・半導体ウェハ
４・・・・・・レジスト塗布装置
Claims (1)
- 【請求項１】レジストが滴下された半導体ウェハを回転
して前記半導体ウェハ面に前記レジストを塗布する際に
、前記半導体ウェハ上に滴下された前記レジストに音波
を照射して前記レジストを均一の膜厚に塗布することを
特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058578A JPH04340217A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 液処理方法及び液処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058578A JPH04340217A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 液処理方法及び液処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340217A true JPH04340217A (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=13088334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3058578A Pending JPH04340217A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 液処理方法及び液処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340217A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008200674A (ja) * | 2002-09-20 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法及び塗布装置 |
| KR101026279B1 (ko) * | 2002-09-20 | 2011-03-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포방법 및 도포장치 |
| JP2012061403A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイス |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3058578A patent/JPH04340217A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008200674A (ja) * | 2002-09-20 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法及び塗布装置 |
| KR101026279B1 (ko) * | 2002-09-20 | 2011-03-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포방법 및 도포장치 |
| KR101025192B1 (ko) * | 2002-09-20 | 2011-04-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 |
| JP2012061403A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイス |
| US8677933B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming apparatus forming a coating film using spiral coating while adjusting sound wave projected onto the coating film |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990119 |