JPH03214746A - Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 - Google Patents
Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法Info
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- JPH03214746A JPH03214746A JP1025390A JP1025390A JPH03214746A JP H03214746 A JPH03214746 A JP H03214746A JP 1025390 A JP1025390 A JP 1025390A JP 1025390 A JP1025390 A JP 1025390A JP H03214746 A JPH03214746 A JP H03214746A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子の実装に用いられるＴＡＢ （Ｔ
ａｐｅ Ａｕｔｏｌａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テー
プ−４ヤリアのインナーリード先端部へのバンプ形成方
法に関する。
ａｐｅ Ａｕｔｏｌａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テー
プ−４ヤリアのインナーリード先端部へのバンプ形成方
法に関する。
一般に、半導体素子をＴＡＢ用テープキャリアに実装す
るには、半導体素子の電極部またはテープキャリアのイ
ンナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突
起を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ
形成する方法には、例えば、［アイビーエムジャーナル
（ＩＢＭＪｏｕｒｎａｌ） Ｊ第８巻（１９６４年）１
０２頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突起を
メッキ法により形成する方法、「昭和６０年度電子通信
学会半導体・材料部門全国大会論文集、講演番号２」（
１９８５年１１月）に記載のようにガラス基板にバン
プを形成した後、電極部にバンプを移し換える方法の転
写バンプ法や、「エレクトロニック・パッゲージング・
アンド・プロダクション（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉＣ Ｐａ
ｃｋａｇｉｎｇ ＆ ｐｒｏｄｕｃｔｉＧｎ） ３ 、
１９８４年１２月号、３３〜３９頁に記載のようにエッ
チング技術を用いたべデスタル法、すなわちバンプを形
成する部分をマスキングしておき、他のインナーリード
部分をハーフエッチングすることにより、３０〜４０μ
ｍの高さの突起を形成する方法がある。しかし、これら
の方法でバンプを形成するには、高価な露光装置やメッ
キ装置などの設備か必要となるばかりでなく、パターン
ニングのためのリングラフィ工程やエッチング工程が必
要になるなめバンプ形成工程が長くなるという課題があ
る。
るには、半導体素子の電極部またはテープキャリアのイ
ンナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突
起を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ
形成する方法には、例えば、［アイビーエムジャーナル
（ＩＢＭＪｏｕｒｎａｌ） Ｊ第８巻（１９６４年）１
０２頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突起を
メッキ法により形成する方法、「昭和６０年度電子通信
学会半導体・材料部門全国大会論文集、講演番号２」（
１９８５年１１月）に記載のようにガラス基板にバン
プを形成した後、電極部にバンプを移し換える方法の転
写バンプ法や、「エレクトロニック・パッゲージング・
アンド・プロダクション（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉＣ Ｐａ
ｃｋａｇｉｎｇ ＆ ｐｒｏｄｕｃｔｉＧｎ） ３ 、
１９８４年１２月号、３３〜３９頁に記載のようにエッ
チング技術を用いたべデスタル法、すなわちバンプを形
成する部分をマスキングしておき、他のインナーリード
部分をハーフエッチングすることにより、３０〜４０μ
ｍの高さの突起を形成する方法がある。しかし、これら
の方法でバンプを形成するには、高価な露光装置やメッ
キ装置などの設備か必要となるばかりでなく、パターン
ニングのためのリングラフィ工程やエッチング工程が必
要になるなめバンプ形成工程が長くなるという課題があ
る。
このなめ、特公昭６４− １００９４号公報に記載のよ
うに、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用い
てインナーリード先端部にバンプを製作する方法が提案
されている。この方法は、第２図（ａ） ， （ｂ）
， （ｃ）に示すように、下型２４ヘフィルム１２とイ
ンナーリード１１が一体となったテープキャリアを装着
し、上方からインナーリード１１の幅よりも大きな凸部
２５を有する上型２３を降下させてインナーリード１１
の先端部に凸部（バンプ）２８をプレス加工によって形
成する方法である。なお、上型２３の凸部により押圧さ
れたインナーリード１１の凹部１５の材料の逃げのなめ
、幅方向に切欠き２７が設けられている。
うに、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用い
てインナーリード先端部にバンプを製作する方法が提案
されている。この方法は、第２図（ａ） ， （ｂ）
， （ｃ）に示すように、下型２４ヘフィルム１２とイ
ンナーリード１１が一体となったテープキャリアを装着
し、上方からインナーリード１１の幅よりも大きな凸部
２５を有する上型２３を降下させてインナーリード１１
の先端部に凸部（バンプ）２８をプレス加工によって形
成する方法である。なお、上型２３の凸部により押圧さ
れたインナーリード１１の凹部１５の材料の逃げのなめ
、幅方向に切欠き２７が設けられている。
上述したようなプレス加工方法によりインナーリード先
端部に成形されたバンプは、インナーリードの外形部分
を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバンプの
ため、半導体素子とバンプを熱圧着で接合する工程にお
いて作用させる圧縮荷重に対して、ほぼ剛体として作用
する。このなめ個々のバンプの高さにバラツキがあると
、半導体素子とバンプを接合するとき、すべてのバンプ
を均一に接合することかできず、電気的に接続不良か発
生するという課題かある。接続不良を発生させないため
には、バンプの高さのバラツキを少なくとも０．５μｍ
以下とすることが必要であり、極めて高精度にバンプを
形成することが要求される。また、インナーリードの四
部には、事前に切欠きを設ける加工を行う必要がある等
の課題がある。
端部に成形されたバンプは、インナーリードの外形部分
を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバンプの
ため、半導体素子とバンプを熱圧着で接合する工程にお
いて作用させる圧縮荷重に対して、ほぼ剛体として作用
する。このなめ個々のバンプの高さにバラツキがあると
、半導体素子とバンプを接合するとき、すべてのバンプ
を均一に接合することかできず、電気的に接続不良か発
生するという課題かある。接続不良を発生させないため
には、バンプの高さのバラツキを少なくとも０．５μｍ
以下とすることが必要であり、極めて高精度にバンプを
形成することが要求される。また、インナーリードの四
部には、事前に切欠きを設ける加工を行う必要がある等
の課題がある。
本発明の目的は、このような従来の課題を解決し、形成
工程か簡単なＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法を
提供することにある。
工程か簡単なＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法を
提供することにある。
前記目的を達成するなめ、本発明に係るＴＡＢインナー
リードのバンプ形成方法においては、ＴＡＢ用テープキ
ャリアのインナーリード先端部近傍にプレス加工により
中空構造のバンプを形成する方法であって、 インナーリードの一部をポンチによりダイスの貫通孔内
に圧入して該インナーリードに中空構造のバンプを形成
するプレス加工工程と、プレス加工後、ダイスの貫通孔
内に気体を圧送してインナーリードをダイスの貫通孔よ
り抜き取る工程とを有するものである。
リードのバンプ形成方法においては、ＴＡＢ用テープキ
ャリアのインナーリード先端部近傍にプレス加工により
中空構造のバンプを形成する方法であって、 インナーリードの一部をポンチによりダイスの貫通孔内
に圧入して該インナーリードに中空構造のバンプを形成
するプレス加工工程と、プレス加工後、ダイスの貫通孔
内に気体を圧送してインナーリードをダイスの貫通孔よ
り抜き取る工程とを有するものである。
本発明によれば、ポンチとダイスを用いた機械的プレス
法により、インナーリード先端部近傍にドーム状中空構
造のバンプを形成するため、従来のプレス加工で必要で
あったバンプ形成のための前加工が不用となりバンプ形
成工程を大幅に簡略化できる利点がある。しかも中実構
造に比べ圧縮力に対して変形し易いバンプｍ造となるな
め、バンプの高さにバラツキか存在しても熱圧着時の圧
５ 縮荷重によりバンプが塑性変形し均一な高さに矯正する
ことができる。このなめ、バンプ高さにバラツキが存在
しても、中空バンプを半導体素子の全ての電極部と均一
に密着させ、良好な接合を達成できることが期待できる
。また、ポンチでインナーリードをダイスに押し込んで
バンプを形成した際にバンプ表面がダイス貫通孔の壁面
に密着してしまい、高速連続バンプ形成に必須なインナ
ーリードの早送り動作を妨げる問題は、ダイスの貫通孔
を通して空気をインナーリードに吹き付けることにより
容易に解決できる。
法により、インナーリード先端部近傍にドーム状中空構
造のバンプを形成するため、従来のプレス加工で必要で
あったバンプ形成のための前加工が不用となりバンプ形
成工程を大幅に簡略化できる利点がある。しかも中実構
造に比べ圧縮力に対して変形し易いバンプｍ造となるな
め、バンプの高さにバラツキか存在しても熱圧着時の圧
５ 縮荷重によりバンプが塑性変形し均一な高さに矯正する
ことができる。このなめ、バンプ高さにバラツキが存在
しても、中空バンプを半導体素子の全ての電極部と均一
に密着させ、良好な接合を達成できることが期待できる
。また、ポンチでインナーリードをダイスに押し込んで
バンプを形成した際にバンプ表面がダイス貫通孔の壁面
に密着してしまい、高速連続バンプ形成に必須なインナ
ーリードの早送り動作を妨げる問題は、ダイスの貫通孔
を通して空気をインナーリードに吹き付けることにより
容易に解決できる。
以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明のバンプ形成方法を示す概略図、
（ｂ） ． （Ｃ）は本発明によるインナーリードのバ
ンプ横造の一実施例を示す平面図、および部分断面した
側面図である。
（ｂ） ． （Ｃ）は本発明によるインナーリードのバ
ンプ横造の一実施例を示す平面図、および部分断面した
側面図である。
図において、１１はインナーリード、１７はインチーリ
ード先端部のバンプ形成位置に合致する場所６ に貫通孔７８か形成されたダイスで、インナーリード１
１とプラスチックフィルム１２が一体となったテープキ
ャリアがダイス１７上に装着される。ダイス１７にテー
プキャリアを装着し、貫通孔１８とインナーリード１１
の位置合わせを行った後、ポンチ１つをインナーリード
１１のバンプ形成部分に位置台わぜし、ポンチ１９を上
方から降下させインナーリード１１の一部をダイス１７
の貫通孔１８内に圧入してインナーリード先端部を機械
的なプレス加工することによりインナーリード１１にド
ーム状中空構造のバンプ１３の形成が行われる。例えば
外径３０μｍのボンチ１９を約８０ｇの荷重１６をかけ
て内径５０μｍのダイス１９に押し込み、幅７０ＪＪ．
ｍ、厚さ３５μｍの銅製インナーリード１１（表面に０
．５μｍのＡｕメッキ処理）にバンプ１３を形成する。
ード先端部のバンプ形成位置に合致する場所６ に貫通孔７８か形成されたダイスで、インナーリード１
１とプラスチックフィルム１２が一体となったテープキ
ャリアがダイス１７上に装着される。ダイス１７にテー
プキャリアを装着し、貫通孔１８とインナーリード１１
の位置合わせを行った後、ポンチ１つをインナーリード
１１のバンプ形成部分に位置台わぜし、ポンチ１９を上
方から降下させインナーリード１１の一部をダイス１７
の貫通孔１８内に圧入してインナーリード先端部を機械
的なプレス加工することによりインナーリード１１にド
ーム状中空構造のバンプ１３の形成が行われる。例えば
外径３０μｍのボンチ１９を約８０ｇの荷重１６をかけ
て内径５０μｍのダイス１９に押し込み、幅７０ＪＪ．
ｍ、厚さ３５μｍの銅製インナーリード１１（表面に０
．５μｍのＡｕメッキ処理）にバンプ１３を形成する。
リード先端部の幅方向の中央部に形成された中空バンプ
１３は、空間が形成された中空構造であるため、中空バ
ンプ１３は上方からの圧縮に対して変形しやすい性質が
あり、バンプ高さのバラツキが存在しても矯正されて同
一平面上で接合できるという特長がある。さらに、プレ
ス加工後、ダイス１７の貫通孔１８に接続したパイプ２
０を通して、例えば１〜２ｋｇ／一の高圧の空気や窒素
カス２１をタイス１７の貫通孔１８内に圧送し、その圧
力を、貫通孔１８内に圧下されたインナーリード１１に
作用させ、インナーリード１１をダイス１７より抜き取
る。しながって、プレス加工後、インナーリード１１を
ダイス１７から容易に離脱することができる。
１３は、空間が形成された中空構造であるため、中空バ
ンプ１３は上方からの圧縮に対して変形しやすい性質が
あり、バンプ高さのバラツキが存在しても矯正されて同
一平面上で接合できるという特長がある。さらに、プレ
ス加工後、ダイス１７の貫通孔１８に接続したパイプ２
０を通して、例えば１〜２ｋｇ／一の高圧の空気や窒素
カス２１をタイス１７の貫通孔１８内に圧送し、その圧
力を、貫通孔１８内に圧下されたインナーリード１１に
作用させ、インナーリード１１をダイス１７より抜き取
る。しながって、プレス加工後、インナーリード１１を
ダイス１７から容易に離脱することができる。
以上説明したように本発明によれば、形成工程が簡単で
製造コストが安く、生産性が高いＴＡＢインナーリード
のバンプ構遣の形成を実現できる。
製造コストが安く、生産性が高いＴＡＢインナーリード
のバンプ構遣の形成を実現できる。
さらに、プレス加工後にインナーリードに気体圧を作川
さぜてこれをタイスの貫通孔より強制的に抜き取るため
、高速連続バンプ形成に必要なインナーリードの早送り
を行うことができる効果を有する。
さぜてこれをタイスの貫通孔より強制的に抜き取るため
、高速連続バンプ形成に必要なインナーリードの早送り
を行うことができる効果を有する。
第１図ｆａ）は本発明のバンプ形成方法を示す概略図、
（［〕）は本発明によるインナーリードのバンプ′ＷＩ
造の一実施例を示す平面図、（Ｃ）は部分断面した側面
図、第２図（ａ） ， （ｂ） ， （ｃ）は従来の企
型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用いたバンプ
形成方法を示す図である。 １１・・・インナーリード １２・・・フィルム１３
・・・中空バンプ １５・・・リード凹部１６・
・・荷重 １７・・・タイス１８・・・貫
通孔 １９・・・ポンチ２０・・・パイプ
２１・・・高圧空気２３・・・上型
２４・・・下型２５・・・凸部 ２
７・・・リード切欠き２８・・・バンプ 特ボ「出１ｑＩ’ｉ人 ［」木電気株式ｊｉ社代
理 人 弁理士 菅 野
中９ （α） 第１図 （ｂ） （り 第１図 （α） 第２図 （ｂ） （Ｃ）
（［〕）は本発明によるインナーリードのバンプ′ＷＩ
造の一実施例を示す平面図、（Ｃ）は部分断面した側面
図、第２図（ａ） ， （ｂ） ， （ｃ）は従来の企
型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用いたバンプ
形成方法を示す図である。 １１・・・インナーリード １２・・・フィルム１３
・・・中空バンプ １５・・・リード凹部１６・
・・荷重 １７・・・タイス１８・・・貫
通孔 １９・・・ポンチ２０・・・パイプ
２１・・・高圧空気２３・・・上型
２４・・・下型２５・・・凸部 ２
７・・・リード切欠き２８・・・バンプ 特ボ「出１ｑＩ’ｉ人 ［」木電気株式ｊｉ社代
理 人 弁理士 菅 野
中９ （α） 第１図 （ｂ） （り 第１図 （α） 第２図 （ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- （１）ＴＡＢ用テープキャリアのインナーリード先端部
近傍にプレス加工により中空構造のバンプを形成する方
法であって、 インナーリードの一部をポンチによりダイスの貫通孔内
に圧入して該インナーリードに中空構造のバンプを形成
するプレス加工工程と、 プレス加工後、ダイスの貫通孔内に気体を圧送してイン
ナーリードをダイスの貫通孔より抜き取る工程とを有す
ることを特徴とするＴＡＢインナーリードのバンプ形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025390A JPH03214746A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025390A JPH03214746A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214746A true JPH03214746A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11745155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025390A Pending JPH03214746A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214746A (ja) |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1025390A patent/JPH03214746A/ja active Pending
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