JPH03214747A - Tabインナーリードのバンプ形成装置 - Google Patents
Tabインナーリードのバンプ形成装置Info
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- JPH03214747A JPH03214747A JP1025590A JP1025590A JPH03214747A JP H03214747 A JPH03214747 A JP H03214747A JP 1025590 A JP1025590 A JP 1025590A JP 1025590 A JP1025590 A JP 1025590A JP H03214747 A JPH03214747 A JP H03214747A
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- Pending
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の実装に用いられるTAB(Tap
e Autolated Bonding)用テープキ
ャリアのインナーリード先端部へのバンプ形成装置に関
する, 〔従来の技術〕 一般に、半導体素子をTAB用テープキャリアに実装す
るには、半導体素子の電極部またはテープキャリアのイ
ンナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突
起を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ
形成する方法には、例えば、「アイビーエムジャーナル
(IBMJournal) J第8巻( 1964年)
102頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突起
をメッキ法により形成する方法、「昭和60年度電子通
信学会半導体・材料部門全国大会論文集、講演番号2」
( 1985年11月)に記載のようにガラス基板にバ
ンプを形成した後、電極部にバンプを移し替える方式の
転写バンプ法や、「エレクトロニック・パッゲージング
・アンド・プロダクション( E lectronic
Packaoinq & Production)
J 、1984年12月号、33〜39頁に記載のよう
にエッチング技術を用いたべデスタル法、すなわちバン
プを形成する部分をマスキングしておき、他のインナー
リード部分をハーフエッチングすることにより、30〜
40μmの高さの突起を形成する方法がある。しかし、
これらの方法でバンプを形成するには、高価な露光装置
やメッキ装置などの設備が必要となるばかりでなく、パ
ターンニングのなめのりソグラフイ工程やエッチング工
程が必要になるためバンプ形成工程が長くなるという課
題がある。
e Autolated Bonding)用テープキ
ャリアのインナーリード先端部へのバンプ形成装置に関
する, 〔従来の技術〕 一般に、半導体素子をTAB用テープキャリアに実装す
るには、半導体素子の電極部またはテープキャリアのイ
ンナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突
起を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ
形成する方法には、例えば、「アイビーエムジャーナル
(IBMJournal) J第8巻( 1964年)
102頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突起
をメッキ法により形成する方法、「昭和60年度電子通
信学会半導体・材料部門全国大会論文集、講演番号2」
( 1985年11月)に記載のようにガラス基板にバ
ンプを形成した後、電極部にバンプを移し替える方式の
転写バンプ法や、「エレクトロニック・パッゲージング
・アンド・プロダクション( E lectronic
Packaoinq & Production)
J 、1984年12月号、33〜39頁に記載のよう
にエッチング技術を用いたべデスタル法、すなわちバン
プを形成する部分をマスキングしておき、他のインナー
リード部分をハーフエッチングすることにより、30〜
40μmの高さの突起を形成する方法がある。しかし、
これらの方法でバンプを形成するには、高価な露光装置
やメッキ装置などの設備が必要となるばかりでなく、パ
ターンニングのなめのりソグラフイ工程やエッチング工
程が必要になるためバンプ形成工程が長くなるという課
題がある。
このため、特公昭64− 10094号公報に記載のよ
うに、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用い
てインナーリード先端部にバンプを製作する方法が提案
されている。この方法は、第2図(a) . (b)
, (C)に示すように、下型24ヘフィルム12とイ
ンナーリード11が一体となったテープキャリアを装着
し、上方からインナーリード11の幅よりも大きな凸部
25を有する上型23を降下させてインナーリード11
の先端部に凸部(バンプ)28をプレス加工によって形
成する方法である。なお、上型23の凸部により押圧さ
れたインナーリード11の凹部15の材料の逃げのなめ
、幅方向に切欠き27が設けられている。
うに、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用い
てインナーリード先端部にバンプを製作する方法が提案
されている。この方法は、第2図(a) . (b)
, (C)に示すように、下型24ヘフィルム12とイ
ンナーリード11が一体となったテープキャリアを装着
し、上方からインナーリード11の幅よりも大きな凸部
25を有する上型23を降下させてインナーリード11
の先端部に凸部(バンプ)28をプレス加工によって形
成する方法である。なお、上型23の凸部により押圧さ
れたインナーリード11の凹部15の材料の逃げのなめ
、幅方向に切欠き27が設けられている。
上述したようなプレス加工方法によりインナーリード先
端部に成形されたバンプは、インナーリードの外形部分
を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバンプの
なめ、半導体素子とバンプを熱圧着で接合する工程にお
いて作用させる圧縮荷重に対して、ほぼ關体として作用
する。このため個々のバンプの高さにバラツキがあると
、半導体素子とバンプを接合するとき、すべてのバンプ
を均一に接合することができす、電気的に接続不良が発
生するという課題がある。接続不良を発生させないなめ
には、バンプの高さのバラツキを少なくとも0.5μm
以下とすることが必要であり、極めて高精度にバンプを
形成することが要求される。また、インナーリードの凹
部には、事前に切欠きを設ける加工を行う必要かある等
の課題がある。
端部に成形されたバンプは、インナーリードの外形部分
を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバンプの
なめ、半導体素子とバンプを熱圧着で接合する工程にお
いて作用させる圧縮荷重に対して、ほぼ關体として作用
する。このため個々のバンプの高さにバラツキがあると
、半導体素子とバンプを接合するとき、すべてのバンプ
を均一に接合することができす、電気的に接続不良が発
生するという課題がある。接続不良を発生させないなめ
には、バンプの高さのバラツキを少なくとも0.5μm
以下とすることが必要であり、極めて高精度にバンプを
形成することが要求される。また、インナーリードの凹
部には、事前に切欠きを設ける加工を行う必要かある等
の課題がある。
本発明の目的は、このような従来の課題を解決し、形成
工程が簡単なTABインナーリードのバング形成装置を
提供することにある。
工程が簡単なTABインナーリードのバング形成装置を
提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係るTABインナー
リードのバンプ形成装置においては、TAB用テープキ
ャリアのインナーリード先端部近傍にプレス加工により
中空構造のバンプを形成する装置であって、 貫通孔を備えたダイスと、 インナーリードの一部をダイスの貫通孔内に圧下して中
空構造のバンブを形成するポンチと、ダイスの貫通孔に
対するポンチの位置を光学的に観察する光学手段とを有
するものである。
リードのバンプ形成装置においては、TAB用テープキ
ャリアのインナーリード先端部近傍にプレス加工により
中空構造のバンプを形成する装置であって、 貫通孔を備えたダイスと、 インナーリードの一部をダイスの貫通孔内に圧下して中
空構造のバンブを形成するポンチと、ダイスの貫通孔に
対するポンチの位置を光学的に観察する光学手段とを有
するものである。
本発明によれば、ポンチとダイスを用いた機械的プレス
法により、インナーリード先端部近傍にドーム状中空構
造のバンプを形成するなめ、従来のプレス加工で必要で
あったバンプ形成のための前加工が不用となりバンプ形
成工程を大幅に簡略化できる利点がある。しかも中実構
造に比べ圧縮力に対して変形し易いバンプ構造となるた
め、バンプの高さにバラツキが存在しても熱圧着時の圧
縮荷重によりバンプが塑性変形し均一な高さに矯正ずる
ことかできる。このなめ、バンプ高さにバ5 ラツキが存在しても、中空バンプを半導体素子の全ての
電極部と均一に密着させ、良好な接合を達成できること
が期待できる。また、ダイスの貫通孔に設置したイメー
ジファイバによってダイスの正確な位置をモニタできる
ので、ポンチとダイスの軸ずれによるバンプ形成の失敗
はなくなり、インナーリードへのバンプ形成の歩留まり
を向上できる。
法により、インナーリード先端部近傍にドーム状中空構
造のバンプを形成するなめ、従来のプレス加工で必要で
あったバンプ形成のための前加工が不用となりバンプ形
成工程を大幅に簡略化できる利点がある。しかも中実構
造に比べ圧縮力に対して変形し易いバンプ構造となるた
め、バンプの高さにバラツキが存在しても熱圧着時の圧
縮荷重によりバンプが塑性変形し均一な高さに矯正ずる
ことかできる。このなめ、バンプ高さにバ5 ラツキが存在しても、中空バンプを半導体素子の全ての
電極部と均一に密着させ、良好な接合を達成できること
が期待できる。また、ダイスの貫通孔に設置したイメー
ジファイバによってダイスの正確な位置をモニタできる
ので、ポンチとダイスの軸ずれによるバンプ形成の失敗
はなくなり、インナーリードへのバンプ形成の歩留まり
を向上できる。
以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。
第1図(a)は本発明のバンプ形成装置を示す概略図、
(1:l) , (C)は本発明によるインナーリード
のバンプ構造の一実施例を示す平面図、および部分断面
した側面図である9 図において、11はインナーリード、17はインナーリ
ード先端部のバンプ形成位置に合致する場所に貫通孔1
8が形成されたタイスで、インナーリード11とプラス
チックフィルム12か一体となったテープキャリアがダ
イス17上に装着される。また、6 ダイス17の貫通孔18内にはその下側よりイメージフ
ァイバ20の一端がプレス加工に支障を与えない高さ位
置まで差込んであり、イメージファイバ2oの他端は貫
通孔18より外部に導出してあり、その端部に1゛Vカ
メラ21が接続してあり、TVカメラ21にはTVモニ
タ22が接続してある。ここで、イメージファイバ20
の視野の中心がダイス17の貫通孔18の中心に一致す
るようにしてあり、イメージファイバ20の視野はほぼ
ダイス17の貫通孔18の開口面積に相当する大きさに
設定してあり、ダイス17の貫通孔18に対するポンチ
19の像がイメージファイバ20の視野より一部欠けた
ときにボンチ19とダイス17とが軸ずれを生じたもの
として検出するようにしてある。ダイス17にテープキ
ャリアを装着する前にダイス17の貫通孔18とインナ
ーリード11の位置合わせを行う。貫通孔18に設置さ
れたイメージファイバ20によって導いたボンチ19の
像をTVカメラ21に結像させ、TVモニタ22上で観
測する。従って、図のごとく、TVモニタ22で、ボン
チ19の拡大@19′がイメージファイバの視野のほぼ
中心に位置するようにボンチ19あるいはダイス17を
移動させて容易に位置合わせを行うことができ、バンプ
形成の歩留りを向上させるとともに、位置合わせ工数を
大巾に低減できる。
(1:l) , (C)は本発明によるインナーリード
のバンプ構造の一実施例を示す平面図、および部分断面
した側面図である9 図において、11はインナーリード、17はインナーリ
ード先端部のバンプ形成位置に合致する場所に貫通孔1
8が形成されたタイスで、インナーリード11とプラス
チックフィルム12か一体となったテープキャリアがダ
イス17上に装着される。また、6 ダイス17の貫通孔18内にはその下側よりイメージフ
ァイバ20の一端がプレス加工に支障を与えない高さ位
置まで差込んであり、イメージファイバ2oの他端は貫
通孔18より外部に導出してあり、その端部に1゛Vカ
メラ21が接続してあり、TVカメラ21にはTVモニ
タ22が接続してある。ここで、イメージファイバ20
の視野の中心がダイス17の貫通孔18の中心に一致す
るようにしてあり、イメージファイバ20の視野はほぼ
ダイス17の貫通孔18の開口面積に相当する大きさに
設定してあり、ダイス17の貫通孔18に対するポンチ
19の像がイメージファイバ20の視野より一部欠けた
ときにボンチ19とダイス17とが軸ずれを生じたもの
として検出するようにしてある。ダイス17にテープキ
ャリアを装着する前にダイス17の貫通孔18とインナ
ーリード11の位置合わせを行う。貫通孔18に設置さ
れたイメージファイバ20によって導いたボンチ19の
像をTVカメラ21に結像させ、TVモニタ22上で観
測する。従って、図のごとく、TVモニタ22で、ボン
チ19の拡大@19′がイメージファイバの視野のほぼ
中心に位置するようにボンチ19あるいはダイス17を
移動させて容易に位置合わせを行うことができ、バンプ
形成の歩留りを向上させるとともに、位置合わせ工数を
大巾に低減できる。
上述した位置合わせをした後に、インナーリード11を
ダイス17上に装着し、ポンチ19を上方から降下させ
てインナーリード先端部を機械的なプレス加工すること
によりバンプ形成か行われる。例えば外径30μmのポ
ンチ19に約80gの荷重をかけ、幅70μm、厚さ3
5μmの銅製インナーリード11(表面に0.5μmの
Auメッキ処理、表面あらさはRHAX =0.5μm
)にバンプ13を形成する。リード先端部の幅方向の中
央部に形成された中空バンプ13は、空間が形成された
中空構造であるため、中空バンプ13は上方からの圧縮
に対して変形しやすい性質があり、バンプ高さのバラツ
キが存在しても矯正されて同一平面上で接合できるとい
う特長がある。
ダイス17上に装着し、ポンチ19を上方から降下させ
てインナーリード先端部を機械的なプレス加工すること
によりバンプ形成か行われる。例えば外径30μmのポ
ンチ19に約80gの荷重をかけ、幅70μm、厚さ3
5μmの銅製インナーリード11(表面に0.5μmの
Auメッキ処理、表面あらさはRHAX =0.5μm
)にバンプ13を形成する。リード先端部の幅方向の中
央部に形成された中空バンプ13は、空間が形成された
中空構造であるため、中空バンプ13は上方からの圧縮
に対して変形しやすい性質があり、バンプ高さのバラツ
キが存在しても矯正されて同一平面上で接合できるとい
う特長がある。
以上説明したように本発明によれば、形成工程が簡単で
製造コストが安く、生産性が高いTABインナーリード
のバンプ形成を実現できる。さらに、イメージファイバ
によりポンチとダイスの軸ずれを画像化して出力するな
め、軸ずれによる不良品の発生をなくして歩留りを向上
できる効果を有する。
製造コストが安く、生産性が高いTABインナーリード
のバンプ形成を実現できる。さらに、イメージファイバ
によりポンチとダイスの軸ずれを画像化して出力するな
め、軸ずれによる不良品の発生をなくして歩留りを向上
できる効果を有する。
第1図(a)は本発明のバンプ形成装置を示す概略図、
(b)は本発明によるインナーリードのバンプ構造の一
実施例を示す平面図、(C)は部分断面した側面図、第
2図(a) , (b) , (c)は従来の金型を用
いた機械的なプレス成形加工技術を用いたバンプ形成方
法を示す図である。
(b)は本発明によるインナーリードのバンプ構造の一
実施例を示す平面図、(C)は部分断面した側面図、第
2図(a) , (b) , (c)は従来の金型を用
いた機械的なプレス成形加工技術を用いたバンプ形成方
法を示す図である。
Claims (1)
- (1)TAB用テープキャリアのインナーリード先端部
近傍にプレス加工により中空構造のバンプを形成する装
置であって、 貫通孔を備えたダイスと、 インナーリードの一部をダイスの貫通孔内に圧下して中
空構造のバンプを形成するポンチと、ダイスの貫通孔に
対するポンチの位置を光学的に観察する光学手段とを有
することを特徴とするTABインナーリードのバンプ形
成装置、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025590A JPH03214747A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Tabインナーリードのバンプ形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025590A JPH03214747A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Tabインナーリードのバンプ形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214747A true JPH03214747A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11745212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025590A Pending JPH03214747A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Tabインナーリードのバンプ形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214747A (ja) |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1025590A patent/JPH03214747A/ja active Pending
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