JPH03215675A - プラスチックメッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般にプラスチック表面上に金属模様を形成
することに関し、特にプリント回路板の製造に関するが
、それに限定されるものではない．〔従来の技術〕 プリント回路板及び集積回路の如き用途で導電性路を形
成するために現在行われている方法は二つの範噛に分類
される。一つは完全に導電性のシートから、非導電性に
したい領域を食刻することであり、それは一般に削減法
と一般に呼ばれている．他方の方法は一最に付加法とし
て知られており、非導電性領域が金属と接触しない■よ
うにしながら、基体を金属で被覆する方法である。その
ような被覆方法は、通常金属のメッキ又は真空蒸着を含
んでいる．そのような用途のために一層簡単な方法及び
一層安価な材料が常に求められているそのようなプリン
ト回路板のための基体として用いるのに有望であること
が見出されている材料の一つの特別な種類はポリ（アリ
ーレンスルフィド）材料であり、それは高温での安定性
及び種々の化学物質に対する抵抗性のため、益々広く利
用されるようになってきている。

本発明の譲受け人に譲渡されている、ベーケ（Ｂｏｅｋ
ｅ）その他による米国特許第４，６１５，９０７号明細
書には、レーザー処理によって水で濡れるようにされた
ボリ（アリーレンスルフィド）表面を無電解メッキする
一つの方法が記載されている．ＧＴＥラボラトリーズ社
に譲渡されているルブナー（Ｒｕｂｎｅｒ）その他によ
る米国特許第４，４８６，４６３号明細書には、ボリ（
フェニレンスルフィド）物品をメッキする別の方法が記
載されている。ルブナーその他による方法は、本発明の
ようにポリ（フ丁二レン７ル７ｌド）紺！−１め裏面Ｌ
ご遣釈的姑晶イＰ模様を作ることに基づいているが、そ
の方法自体は非常に異なったでいる。ルブナーその他の
方法は表面の結晶質領域をメッキするのに対し、以下に
記載する本発明は非常に異なった方法により表面の非結
晶質領域をメッキする。

本発明の譲受け人に両方共譲渡されているジョンソン（
Ｊｏｈｎｓｏｎ）その他による米国特許第４，５４０，
６２０号及び第４，５２７，２１９号明細書は、ポリ（
アリーレンスルフィド）表面の無定形領域を、溶媒キャ
リャー中に約１〜１ｙ２％程度の濃度で存在するヘキサ
フルオ口燐酸ニトロソニウムでそれをドーピング（ｄｏ
ｐｉｎｇ）することにより導電性にすることができるこ
とを述べている。米国特許第４，５４０，６２０号明細
書の実施例５には、ドーピングの前に無定形領域を形成
するため電子ビームを用いることが記載されている。上
記第４，５４０，６２０号及び第４，５２７，２１９号
の特許では、無定形領域のドーピングは、比較的低い濃
度のヘキサフルオロ燐酸ニトロソニウムでしか行われて
おらず、それは基体の無定形領域を実際に食刻するには
不充分である．ドーピングは導電性表面を作る目的で行
われている。上記二つの特許の方法では、それらがメッ
キする必要のない回路を与えるために材料に導電性模様
を形成することに関係しているので、どのような種類の
メッキも適用されていない。

本発明の譲受け人に両方共譲渡されているボウルティン
グハウス（Ｂｏｕ　ｌ　ｔ　ｉｎｇｈｏｕｓｅ）による
米国特許第４　，５４０　，６３１号及びボウルティン
グハウスその他による米国特許第４，５３２，０１５号
明細書は、一般に無電解メッキ法を取り扱っている． 〔本発明の要約〕 本発明は、物品上にメッキされた路を形成するための方
法を与え、そのような方法によって製造された物品を与
える。

結晶性の低い領域と、結晶性の高い領域との模様をポリ
（アリーレンスルフィド）物品の表面の重合体形態中に
つくり出す。次にその表面を、低結晶性領域に選択的に
作用する化学的食刻剤に曝し、それによって低結晶性領
域を食刻し、高結晶性領域は実質的に元のままに残して
おく。次に無電解メッキ法により導電性金属を、食刻さ
れた低結晶性領域上に付着させる． 低結晶性領域と高結晶性領域との模様は、最初に結晶質
の領域を持つ物品から始め、次にその表面を電子ビーム
に選択的に曝すことにより低結晶性領域を形成すること
により形成するのが好ましい． 化学的食刻は、ニトロメタン／塩化メチレンフ０／３０
混合物中に入れた４％（重量／体積）（ａｔ／ｖｏｌ）
の濃度のヘキサフルオロ燐酸ニトロソニウムで行うのが
好ましい． 無電解メッキ法は化学的食刻後に行われ、表面を触媒浴
に曝す工程を含んでいる．次に表面を拭って高結晶性領
域から触媒を除去し、低結晶性食刻領域中の触媒は残し
ておく．次に触媒を含む低結晶性食刻領域上にメッキ溶
液から導電性金属を付着させる。

これらの方法によって形成されたポリ（アリーレンスル
フィド）物品の表面には、低結晶性領域と高結晶性領域
との模様が定められている．低結品性領域を導電性金属
でメッキし、高結晶性領域は金属を含まない電気絶縁性
領域になっている．本発明の多くの目的、特徴及び利点
は、次の記載を読むことによって当業者に容易に明らか
になるであろう。

〔本発明の詳細な記述〕

本発明によりメッキ路は次のようにしてポリ（アリーレ
ンスルフィド）物品上に形成される．先ず物品の表面の
重合体形態に低結晶性領域と高結晶性領域との模様を形
成する。次にその表面を、低結晶性領域に選択的に作用
する化学的食刻剤に曝し、それによって低結晶性領域を
食刻し、高結晶性領域を実質的に未変化のまま残してお
く。食刻工程後、無電解メッキ法により低結晶性食刻領
域上に導電性金属を付着させる．付加的電気メッキを追
加してもよい。得られた生成物は、例えばプリント回路
板として有用である。

ボリ（アリーレンスルフィド 本発明の目的から基体は、例えばボード、シート、ブロ
ック、板、円盤等の如きポリ（アリーレンスルワイド》
物品である．用いられた基体がボードの形をしている場
合、それは、例えばプリント回路板を製造するのに有用
な穴を伴って射出成形されたボードであるのが好ましい
．ポリ（アリーレンスルフィド）とは、ここではアリー
レンスルフィド重合体を指すのに用いられている．本発
明を実施するのに、単独重合体、共重合体、三元重合体
等、又はそのような重合体の混合物であっても、未硬化
又は部分的硬化ポリ（アリーレンスルフィド）を用いる
ことができるが、それらに限定されるものではない．未
硬化又は部分的硬化重合体とは、熱の如き充分なエネル
ギーをそれに加えることにより、分子鎖の延長、架橋、
又はそれらの組合せにより分子量を増大することができ
る重合体のことである．適当なポリ（アリーレンスルフ
ィド）重合体には、米国特許第３，３５４，１２９号明
細書（参考のためここに入れてある）に記載されたもの
が含まれるが、それに限定されるものではない。本発明
の目的に適したポリ（アリーレンスルフィド）重合体の
例には、ボリ（２，４−｝リレンスルフイド）、ポリ（
４．４’−ビフエニレンスノレフイド）、及びポリ（フ
エニレンスルフイド）が含まれる．入手性及び望ましい
性質（大きな化学的耐久性、不燃性、及び大きな強度及
び堅さの如き性質）のため、ポリ（フエニレンスルフイ
ド）が現在好ましいポリ（アリーレンスルフィド）であ
る．種々のポリ（アリーレンスルフィド）が、オクラホ
マ州ノ｛ルトレスビルのフイリツプス・ベトロリアム社
（Ｐｈｉｌｌｉｐｓ　Ｐｅｔｒｏｅｌｕｍ　Ｃｏ．）か
ら商標名リトン（Ｒｙｔｏｎ）として市販されている．
び　の゛、■ 種々の充填剤を本発明の実施に有効な組成物中に用いる
ことができる．典型的な充填剤には、ガラス繊維、タル
ク、雲母、シリカ、炭酸カルシウム及び硫酸カルシウム
が含まれる． 本発明の方法にとって、充填剤を材料に含ませる必要は
ないが、それを行う場合、充填剤によってひどく阻害さ
れることのない材料上に滑らかな樹脂質表面が存在する
ことが重要である．本発明を実施するのに必要な訳では
ないが、付加的組成物成分がメルカブトシラン、加工助
剤（例えば離型剤）、腐食防止剤、安定化剤等を含んで
いてもよい． ポリエチレン及びステアリン酸亜鉛は有用な離型剤の例
である。腐食防止剤の一例は炭酸リチウムである． ．４ＩＥ３　　の冫 本発明は一般にヘキサフルオ口燐酸ニトロソニウム又は
ヘキサフルオ口燐酸二トロシルと呼ばれているＮＯＰＦ
．が比較的高い濃度で、ポリ（アリーレンスルフィド）
表面、特にポリ（フェニレンスルフィド）表面の低結晶
性領域である無定形領域を選択的に食刻し、結晶質領域
を未変化のまま残すと言う発見を利用するものである。

その場合、これらの食刻された無定形領域は無電解メッ
キ法による選択的メッキを特に受け易い． この現象を利用するために、最初にそのような表面の重
合体形態中に結晶性の低い領域である無定形領域と、結
晶質領域、即ち、一層一般的には結晶性の高い領域との
模様をつくり出すことが必要である． これは多くの方法で達成することがて゛きる．その方法
は最初結晶質表面である表面から始め、次に表面の或る
領域を選択的に処理して無定形領域を形成してもよい．
またその方法は最初に無定形である表面から始め、選択
された領域を処理してそれら処理領域を結晶質にし、希
望の無定形模様を残すようにしてもよい。

ｌ五旦二込 無定形領域と結晶質領域との模様をつくり出す好ましい
方法は、最初結晶質の性質を持つ表面を有するポリ（フ
エニレンスルフイド）物品から始め、次にその表面に電
子ビームを選択的に当て、その電子ビームを予め定めら
れた模様に従って特定の速度で重合体表面を横切って走
査する．或る条件下で走査電子顕微鏡で電子ビームから
ボリ（フエニレンスルフイド》の試料によって吸収され
たエネルギーは、結晶質から無定形へ形態を変化させる
のに充分である．電子ビームが加速される電圧はＡ型的
Ｇ．ｍ　ハ１０　，０００　〜３０　，０００　Ｖ　（
ボルト）テある．電流は典型的には、１０−７〜１０−
’Ａ（アンペア）である． 多くの場合、電子ビームは実際には材料上に伝導性黒色
の線を形成することが観察されている．幅０．ＯＯｉｉ
ｎ位の細さからの線が観察されているが、電子ビームに
より形成することができる一層典型的な線の幅は０．０
０３〜０．００８ｉｎの範囲にある．典型的には、電子
ビームは表面から約０．００４〜０．００６ｉｎ浸透す
るであろう．電子ビームがポリ（フエニレンスルフィド
）に当たった時、二つの明確な領域からなる線又は路を
生ずる。中心領域は黒化した炭素質軌跡であり、それは
断面で見るとおおよそ球形である．第二の領域は黒色軌
跡と試料の残りの部分との間に横たわる無定形領域であ
る。これらの二つの領域、黒色領域とそれを取り巻く中
間領域とは、両方共後でヘキサフルオ口燐酸ニトロソニ
ウム食刻溶液によって食刻され、後で無電解メッキ法に
より金属を付着させるための部位を与える． 倍率及び走査速度を変え、走査電子顕微鏡の外部マイク
ロメーターを用いて電子ビーム下のポリ（フェニレンス
ルフィド）構造体を動かすことにより、直線及び直角屈
曲点を持つ線からなる複雑な模様をつくることができる
．他の因子の他に、ビームの走査性により、生ずる線の
品質に対する移動方向の依存性も存在する。或る観察で
は、夫々明確に解像された走査電子ビームの軌跡がボリ
（フェニレンスルフィド》表面に見ることができるであ
ろう。

本発明の方法で用いるのに適していることが判明してい
る走査電子顕微鏡の一つは、日立Ｓ　−４５０走査電子
顕微鏡である．模様の形成を行うために、電流及び他の
因子を最大電流出力を与えるように調節する．電子顕微
鏡ステージ上の適当なＢＮＣコネクタに接続されたカイ
スリー（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ）Ｂｌｏｃ電位計を用いて測
定した典型的な電流は、１０−７〜１０−’Ａの範囲に
あることが必要である。収束レンズはＯに設定するのが
よい．大略１０ｍｍの加工距離が適切である．試料は約
１ｗｍ／秒の速度で動かすことができる．加速電圧は２
５ｋＶに設定された．飽和電流は１００である．絞り口
径は４００μ直径の穴に設定された．線の幅は、倍率に
よって調節され、電力が大きくなる程線は狭くなる．今
述べた装置では、倍率は４，ＯＯＯＸに設定されるのが
典型的であるが、種々の他の設定を同様に用いてもよい
．電子ビームは試料の一番上の表面に焦点を結ばせるの
が典型的である。

鉦　　　　　　　　　　つ　ｔ・めの　のポリ（アリー
レンスルフィド）材料に無定形及び結晶質模様をつくる
のに幾つかの他の方法を用いることもできる． 一つの方法は溶媒誘導結晶化である．適切なマスク系統
を用いて、溶媒によりポリ（アリーレンスルフィド）材
料を予め定められた模様状に結晶化させることができる
．マスクは、無定形のままにしておきたい領域に液体又
は蒸気が接触するのを防止しなければならない。マスク
は接着剤テープから作られていてもよい．結晶化させる
目的に好ましい一つの溶媒は塩化メチレンである．ポリ
（フェニレンスルフィド）を結晶化させる他の溶媒には
、トルエン、キシレン、ジクロ口メタン、ジクロ口メタ
ン、クロロホルム、トリクロロベンゼン、及びテトラヒ
ド口フランが含まれる．浸透速度は、室温で１５〜２０
分の液体への露出が完全に適切になるような速度である
。しかし、露出時間は、溶媒を熱くすれば著しく減少さ
せることができる．別の方法はレーザーを用いることで
ある．ポリ（フェニレンスルフィド）の領域を約１３０
℃の結晶化温度より高く加熱することにより選択的に結
晶化するのに、パルス高電力ＣＯ２レーザーを用いるこ
とができる。最初無定形の表面から出発して、レーザー
によって処理された領域は結晶化され、それによって無
定形の領域が残る．続く化学的食刻工程は無定形領域、
即ちレーザーによって処理されなかった領域に選択的に
作用する．後の金属メッキも、レーザーによって処理さ
れなかった領域である無定形領域に選択的に適用される
．無定形・結晶質模様を形成するための別の方法は、最
初無定形の構造体から出発し、次に表面を熱物体と接触
させることにより直接熱を適用することである．種々の
形及び大きさの金属物体又ははんだ付け用鉄こての如き
加熱材料を用いて形態の変化を生じさせることができる
．無定形ポリ（フェニレンスルフイド）片を３５０〜４
００゜Ｆに加熱された金属ワッシャーと接触させると、
それに影響された領域は結晶質になることが観察されて
いる．無定形領域を形成する別の方法は、ポリ（フェニ
レンスルフィド）の溶融点より高くレーザーで急速に加
熱し、次に急冷してその処理された領域を無定形状態の
まま冷却することである．鉦多の ポリ（フェニレンスルフィド）材料のための好ましい化
学的食刻剤はＮＯＰＦ．である。以前に本発明者は、こ
の化学物質は１％〜１＋Ａ％程度の濃度でポリ（フェニ
レンスルフィド）の無定形領域にドープされ、電気伝導
度の増大をもたらすと言うことを米国特許第４，５２７
，２１９号及び第４，５４０，６４０号明細書に記述し
ておいたが、今度同じ化学物質が一層高い濃度ではポリ
（フェニレンスルフィド）の無定形領域を選択的に食刻
し、最初滑らかであった表面に微小な空洞、溝、及び球
状に見える構造体を生ずることが発見された。

ヘキサフルオ口燐酸ニトロソニウムは、ニトロメタン／
塩化メチレン７０／　３Ｑ　（体積／体積）（Ｖ／Ｖ）
混合物の溶媒溶液中好ましくは少なくとも約３％、一層
好ましくは少なくとも約４％（重量／体ｆｆ）、例えば
、ニトロメタン／塩化メチレン７０／　３０　（体積／
体積》混合物１００ｚＮに４ｇのヘキサフルオロ燐酸ニ
トロソニウムを添加した濃度で用いられる．ヘキサフル
オ口燐酸ニトロソニウムは塩化メチレンに不溶性であり
、従ってニトロメタンはヘキサフルオロ燐酸ニトロソニ
ウムのための溶媒として必要である．一方塩化メチレン
はポリ（フェニレンスルフィド）を膨潤させ、ヘキサフ
ルオ口燐酸ニトロソニウムの浸透を促進する助剤として
働く。

一般に室温で約１０分の食刻時間で充分である．今述べ
たやり方で食刻したポリ（フェニレンスルフィド）材料
の試料を走査電子顕微鏡で調べると、屡々処理表面の多
くに薄い皮膜が存在することが分かる．食刻用溶液はそ
の皮膜を透過し、そのすぐ下にある材料を食刻するであ
ろう。皮膜はヘキサフルオロ燐酸ニトロソニウムによっ
て影響されないように見えるが、その皮膜は薄い結晶質
、又は恐らく空気酸化又は架橋された物質であると思わ
れる。それにも拘わらずその皮膜は弱い境界層として働
き、除去される方がよい。食刻し、純粋二トロメタン中
で濯いだ後、ポリ（フェニレンスルフィド）材料の表面
を布片又はチーズクロス（ｃｈｅｅｓｅｃ　ｌｏｔｈ）
で拭うことにより皮膜は除去され、損傷されていない下
の食刻された材料が露出されるであろう． ヘキサフルオ口燐酸ニトロソニウムは、オクラホマ州ツ
ルサのオザーク・マホーニング（Ｏｚａｒｋ−Ｎａｈｏ
ｎｉｎｇ）から白色結晶質固体として得ることができる
。ヘキサフルオロｔ４Ｍニトロソニウムは水と反応して
毒性のＮＯガス及びＰＦ６塩を生ずる。

それは更に分解してＨＦを生ずるので、注意して取り扱
われなければならない。全ての食刻浴の調製及び反応は
、アルゴン雰囲気の乾燥箱又は同様な装置で行われるべ
きである。

展１ｐ４Ｚ」ヨＬ法 多くの無電解メッキ法を商業的に利用することができる
．これらの方法は溶液中金属塩と化学的還元剤との相互
作用により基体上に金属メッキ又はフイルムを付着させ
る結果になり、その場合化学的還元は付着される金属又
は合金によって触媒作用が及ぼされる．本発明を実施す
る場合、無電解金属は無電解メッキ掻作で用いることが
できるどのような導電性金属でもよい．銅及びニッケル
は二つのそのような金属であり、夫々この目的に特によ
く適している．導電性金属と言う言葉は導電性合金を含
むものとして用いられている。

次の好ましい無電解メッキ法は慣用的なものである．但
し触媒への露出及び最初の濯ぎ工程に続く重要な工程（
ｃ）、拭き取り工程が追加されている．この拭き取り工
程は本発明の全工程の中で非常に重要である。なぜなら
、前に食刻されたポリ《フェニレンスルフィド）表面の
無定形領域は、後で食刻領域の金属メッキを起こすため
の触媒の保存域として用いられなければならないがらで
ある．拭き取り工程は滑らかな結晶質の非食刻領域から
触媒を除去する働きをし、それによってメッキすべき食
刻された無定形領域中に触媒を残し、それによって食刻
無定形領域の選択的メッキを与えることになる． 好ましい無電解メッキ法は次の工程を含んでいる． （ａ）　Ｐ　ｄ／　Ｓ　ｎ触媒洛中に浸漬し、触媒の層
を沈着させる．それは後の工程で銅を還元し、それを表
面上に沈着即ちメッキさせる； （ｂ）過剰の触媒を除去する濯ぎ工程；（ｃ）滑らかな
結晶質非食刻領域から触媒を除去する布による重要な拭
き取り工程で、工程（ａ）で食刻領域に付着させた触媒
を残す； （ｄ）別々の水浴中での更に二度の濯ぎ：（ｃ）触媒を
活性化するための促進剤溶液中への浸漬； （ｆ）別の濯ぎ水への浸漬； （ｇ＞銅前段階浸漬；及び （ｈ）銅メッキ浴への浸漬で、それによって触媒被覆食
刻無定形領域上に銅の層が付着される．無電解メッキ後
の銅の厚さは、処理物が最終的洛中に存在する長さに依
存する６もし望むならば、無電解メッキ後、電気メッキ
法を用いて必要な厚さの銅を付着させてもよい。

無電解メッキ用溶液は多くの所から市販されているが、
下に記載する実施例で用いられた溶液はマクギーン・ロ
ーコ社（ＭｃＧｅａｎ−Ｒｏｈｃｏ，　Ｉｎｃ．）から
得られたものである。典型的な配合、浸漬時間、及び他
の詳細な点は次の表Ｉに示されている。

艮』゜・゛ ゜全ての溶液を混合し、室温で用いた。それらを１１の
広口瓶に入れた。

゜マクギーン・ローコ社の銅メッキ溶液に基づく． ゜マクギーン・ローコ社の製品番号 １タ１仁ＬＡ 無電解メッキされたポリ（フェニレンスルフィド）材料
片をＤＣ電力源の負端子に接続し、銅イオンを含むメッ
キ洛中に浸漬した。銅金属の厚い片は他方の電極及び浴
のための銅イオン源の両方として働く．電力を供給する
と洛中の銅イオンはボリ（フェニレンスルフィド）材料
の方へ引かれ、無電解メッキされた銅線と接触して還元
され、メッキされる。この工程は電力を供給している限
り継続し、必要な厚さの銅層を付着させる一つの方法で
ある。

電気メッキ法ではメッキすべき表面が電気的によく接触
していることが必須である。この条件は正と負の両方に
意味をもっている．正の側では、望ましくない少量の残
留銅が処理片から浴によって除去される。これはその処
理片を清浄にし、望ましくない銅を除去する効果を有す
る．負の側では、それはメッキすべき全ての回路素子が
電気メッキ工程中電気的に接続されなければならないこ
とを意味するか、さもなければそれらが除去されること
を意味する． 下に記載した実施例では電気メッキのために１ＯＡ及び
９ｖに設定されたＨＢＳ　　ＤＣ電源が用いられた。一
つの電極、正極は厚い銅片（３　Ｘ　６　Ｘ八ｉｎ）で
あり、それはその長さの約３八が浸漬されるように吊さ
れた。他方の電極はメッキすべき物品である．メッキ溶
液は次のようにしてつくられた。

ｅ３ｏｙノ試薬級濃硫酸を、２Ｚ（７）水、２７０ｙノ
Ｃ　ｕＳ　Ｏ　４　・５　Ｈ　２０、１５１ｌのマクギ
ーン・ローコＥ−３３９光沢剤（Ｂｒｉｇｈｔｅｎｅｒ
）及び０．３ｇのＮａＣｌの入った大きな磁気撹拌ビー
カーへ非常にゆっくり添加した．これらすべてを混合し
た後、合計３１になるまで水で希釈した． この溶液の入った肉厚ポリエチレン容器を磁気撹拌器上
に置いた．次に試料及び電極をその容器中に入れ、電力
をゆっくり上昇させた．小さな開始電流を用い、次に２
０〜３０Ａ／ｆｔ”の作動電流に達成するまで電流を増
大させた．余りにも大きな電流は焼け及び（又は）銅サ
ンドボール（ｓａｎｄｂａｌｌ）を生ずる．これは大略
３八ｉｎの長さの線について０．５〜０．８ｚＡに相当
する．そのような小さな電流を測定するためには、電流
計を回路に直列に置く．メッキ時間及び電流の一般的範
囲は０．２５〜５．０ｍＡ　テ’Ａ　〜２　Ｚ時間であ
った。

実施例１ この最初の例は、本発明の方法が無定形ポリ（フェニレ
ンスルフィド）を銅メッキするが、結晶質ボリ（フェニ
レンスルフイド）は銅メッキしないことを示すために設
計された。夫々約Ｉ　Ｘ　’Ａ　Ｘ　０．０２０ｉｎの
無定形押し出しポリ（フェニレンスルフイド）フイルム
の６枚の片を用いた．それらの片の三つをプレス中滑ら
かな金属板の間で３５０゜Ｆで５分間加熱することによ
り結晶化した。一つの無定形の片と一つの結晶質の片と
を次の如く処理し、記載した結果を得た． 最初の試験では最初の二つの片は前処理せず、直接無電
解メッキした．どの片にも銅のメッキは起きなかった． ２番目の試験では二つの片の各々を、ニトロメタン／塩
化メ４・レン７０／３０（体積／体積）からなる溶媒系
中に１０分間浸漬した．この場合も通常の無電解メッキ
工程後、これらの片のいずれにも銅は付着していなかっ
た。

３番目の試験では二つの片の各々を、ニトロメタン／塩
化メチレン７０／　３０　（体積／体積》混合物中に４
％（重量／体積）のヘキサフルオロ燐酸ニトロソニウム
を入れた溶液中で１０分間食刻し、次に無電解メッキし
た．結晶質の片は滑らかで銅が付いていなかったのに対
し、最初無定形であった片は完全に銅でメッキされてい
た。

実施例２ 別の実験では、メッキすべき模様をつくるのに電子ビー
ムを用いた方法を最初から終わりまで例示する。５枚の
厚い（１　ｙ２Ｘ　Ｉ　Ｘ　０．０２０ｉｎ）フイルム
を３００〜３５０゜Ｆで熱処理し、２枚の磨いた金属板
の間で５分間穏やかにプレスし、滑らかな表面を持つ結
晶質試料を作った，これらの試料の各々を、上の表題「
電子ビーム」の所で記述した条件の下で走査電子顕微鏡
でそれらの上に数本の直線を書いた．得られた暗い線は
明らかに目で見ることができ、約０．００３〜０．００
８ｉｎの幅を持っていた．各片を種々の電子ビーム後処
理に掛け、線の剥離強度を測定した．実験処理及び剥離
強度を下の表■に列挙する．本発明の方法のすべてを受
けた片、即ち試料５だけが商業的回路板で用いるのに要
求される範囲の剥離強度を持っていた． 表■は種々の・試料の剥離強度を示している。金属線の
剥離強度は幅１ｉｎ当たりのボンドで与えられており、
金属の基体結合に対する品質を表している。試料番号５
に与えられた２〜７１ｂ／ｉｎの値はかなりの変動を示
しているが、少なくとも時々、同じやり方で試験された
市販の回路板の線についての４〜８ｌｂ／ｉｎの値に匹
敵していて好ましい。

線の幅を正確に決定することは厳しくて困難であり、最
終的計算値に大きな影響を与えることに注意すべきであ
る。

剥離強度を測定するために、回路をインストロン試験機
の一つの把手に固定した．他方の把手を、改良わに口ク
リップにより導線に注意深く取付けた。５０〜１００ｇ
の全スケールに亙り、２　ｉｎ／分の剥離速度を用いた
。得られたチャート値を表■に記録した。線の幅は経線
及び光学的顕微鏡によって測定した。最終的剥離強度値
は、チャートからの値を幅で割り、ｇを１ｂへ変換する
ことにより計算した。

本発明の物品及び方法は、それに固有の目的及び利点と
同様、言及した目的及び利点を容易に達成することが分
かる．本発明の或る好ましい態様について本記載の目的
から記述してきたが、特許請求の範囲に規定した本発明
の範囲及び本質内に入る多くの変更が当業者には行える
であろう。

代 理 人 浅 村 皓

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. （１）物品上にメッキされた路を形成する方法において
   、 （ａ）ポリ（アリーレンスルフィド）物品の表面の重合
   体形態に低結晶性の領域と高結晶性の領域を模様状につ
   くり、 （ｂ）前記表面を前記低結晶性領域に選択的に作用する
   化学的食刻剤に曝し、それによって前記低結晶性領域を
   食刻し、前記高結晶性領域は実質的に元のまま残し、そ
   して （ｃ）工程（ｂ）の後で、前記食刻された低結晶性領域
   の上に導電性金属を無電解メッキにより付着する、 ことからなるメッキ路形成方法。
2. （２）表面が最初結晶質表面であり、工程（ａ）で前記
   表面を選択的に処理し、処理された表面の所に低結晶性
   領域を形成する請求項１に記載の方法。
3. （３）選択的処理を、表面に電子ビームを選択的に当て
   ることにより行い、該電子ビームに曝された表面の所に
   低結晶性領域を形成する請求項２に記載の方法。
4. （４）表面が最初非結晶質表面であり、工程（ａ）で前
   記表面を選択的に処理し、その処理された表面の所に高
   結晶性領域を形成する請求項３に記載の方法。
5. （５）選択的処理が、表面を選択的に加熱することによ
   り行われ、加熱された表面の所に高結晶性領域を形成す
   る請求項４に記載の方法。
6. （６）加熱がレーザービームで行われる請求項５に記載
   の方法。
7. （７）選択的処理が、表面を溶媒に選択的に曝すことに
   より行われ、その溶媒に曝された表面の所に高結晶性領
   域を形成する請求項４に記載の方法。
8. （８）化学的食刻剤がヘキサフルオロ燐酸ニトロソニウ
   ムである請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. （９）ヘキサフルオロ燐酸ニトロソニウムが溶媒に入れ
   られている請求項８に記載の方法。
10. （１０）ヘキサフルオロ燐酸ニトロソニウムが溶媒中少
    なくとも約３％（重量／体積）の濃度で存在する請求項
    ９に記載の方法。
11. （１１）ヘキサフルオロ燐酸ニトロソニウムが溶媒中少
    なくとも約４％（重量／体積）の濃度で存在する請求項
    １０に記載の方法。
12. （１２）溶媒がニトロメタン／塩化メチレン７０／３０
    混合物である請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方
    法。
13. （１３）工程（ｃ）の金属が銅である請求項１〜１２の
    いずれか１項に記載の方法。
14. （１４）工程（ｃ）が、 （ｃ）（１）表面を触媒浴に曝し、 （ｃ）（２）前記表面を拭って高結晶性領域から触媒を
    除去し、食刻された低結晶性領域中には触媒を残し、そ
    して （ｃ）（３）前記触媒を含む低結晶性食刻領域上にメッ
    キ溶液から導電性金属を付着させる、ことからなる請求
    項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
15. （１５）ポリ（アリーレンスルフィド）がポリ（フェニ
    レンスルフィド）である請求項１〜１４のいずれか１項
    に記載の方法。