JPH03215867A - ポジレジストの現像処理方法 - Google Patents
ポジレジストの現像処理方法Info
- Publication number
- JPH03215867A JPH03215867A JP2011127A JP1112790A JPH03215867A JP H03215867 A JPH03215867 A JP H03215867A JP 2011127 A JP2011127 A JP 2011127A JP 1112790 A JP1112790 A JP 1112790A JP H03215867 A JPH03215867 A JP H03215867A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- pure water
- dust
- pattern
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- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
現像後のリンス処理の改善に関し、
ゴミの少ない清浄なレジストパターンを設けた被処理基
板面を形成することを目的とし、ボジレジストを塗布し
た被処理基板を選択的に露光した後、現像してリンスす
る現像処理方法において、 現像後の前記被処理基板を、純水とアルコールとを混合
したリンス液を用いて現像停止・洗浄するようにしたこ
とを特徴とする。
板面を形成することを目的とし、ボジレジストを塗布し
た被処理基板を選択的に露光した後、現像してリンスす
る現像処理方法において、 現像後の前記被処理基板を、純水とアルコールとを混合
したリンス液を用いて現像停止・洗浄するようにしたこ
とを特徴とする。
本発明はポジレジストの現像処理方法のうち、現像後の
リンス処理の改善に関する。
リンス処理の改善に関する。
半導体デバイスの製造工程ではりソグラフイ技術が重用
されており、そのリソグラフィ技術における現像・リン
ス処理も高精度なパターンニングのためには極めて重要
である。
されており、そのリソグラフィ技術における現像・リン
ス処理も高精度なパターンニングのためには極めて重要
である。
リソグラフィ技術は被処理基板（ウエハー）の上にレジ
ストを塗布して、これを選択的に所定パターンを露光し
、それを現像した後、リンス液にリンス（ｒｉｎｓ ；
ゆすぐ）して現像停止・洗浄してレジストパターンを形
成させている。且つ、最近には、その効率化のために自
動化処理がおこなわれており、それは被処理基板を１枚
ずつ処理する枚葉式処理システムである。
ストを塗布して、これを選択的に所定パターンを露光し
、それを現像した後、リンス液にリンス（ｒｉｎｓ ；
ゆすぐ）して現像停止・洗浄してレジストパターンを形
成させている。且つ、最近には、その効率化のために自
動化処理がおこなわれており、それは被処理基板を１枚
ずつ処理する枚葉式処理システムである。
従って、現像処理にも枚葉式のものが用いられて、第１
図に現像処理装置（ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）の要部概要図
を図示している。図中の記号１は被処理基板．２は被処
理基板をチャッキング（真空吸着）して回転する回転ス
テージ，３はカバー，４は現像液ノズル，５はリンス液
ノズルである。
図に現像処理装置（ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）の要部概要図
を図示している。図中の記号１は被処理基板．２は被処
理基板をチャッキング（真空吸着）して回転する回転ス
テージ，３はカバー，４は現像液ノズル，５はリンス液
ノズルである。
図のような現像装置は回転・停止のできる回転式パドル
現像装置と呼び、最近汎用されている構造で、下記にそ
の現像処理方法を説明する。
現像装置と呼び、最近汎用されている構造で、下記にそ
の現像処理方法を説明する。
■被処理基板１を回転ステージ２にチャッキングする。
■被処理基板１を回転させながら、被処理基板の中心に
位置した現像液ノズル４から被処理基板面に現像液を滴
下して被処理基板面に現像液を盛る。
位置した現像液ノズル４から被処理基板面に現像液を滴
下して被処理基板面に現像液を盛る。
■盛ったままで約１分間静止した状態に保持する。
■次いで、再度回転させて現像液を振り飛ばし、現像液
ノズル４と入れ替えて中心に位置させた＝３ リンス液ノズル５から被処理基板１を回転させながらリ
ンス液を流下する。
ノズル４と入れ替えて中心に位置させた＝３ リンス液ノズル５から被処理基板１を回転させながらリ
ンス液を流下する。
■次に、リンス液の流下を停止し、高速に回転させて乾
燥させる。
燥させる。
この時、例えば、リンス液を流下した状態の回転数を数
百ｒｐｍとすると、乾燥時の回転を３０００ｒｐｍ程度
に高速にする。
百ｒｐｍとすると、乾燥時の回転を３０００ｒｐｍ程度
に高速にする。
なお、公知のように、被処理基板に塗布するレジストに
はポジレジストとネガレジス１−とがあって、ポジレジ
ストは露光部分が現像のために除去される形式のレジス
トであり、ネガレジストは反対に未露光部分が現像によ
って除去される形式のレジストである。且つ、連常、ネ
ガレジストは現像液やリンス液に有機溶剤が用いられる
が、ポジレジストの方は現像液にアルカリ水溶液、リン
ス液に水（純水）が使用される。
はポジレジストとネガレジス１−とがあって、ポジレジ
ストは露光部分が現像のために除去される形式のレジス
トであり、ネガレジストは反対に未露光部分が現像によ
って除去される形式のレジストである。且つ、連常、ネ
ガレジストは現像液やリンス液に有機溶剤が用いられる
が、ポジレジストの方は現像液にアルカリ水溶液、リン
ス液に水（純水）が使用される。
ところが、最近、半導体デバイスが微細化されてサブミ
クロン級のパターンが増加してきたために微細化に適し
た電子ビーム露光法が重用されており、そのような電子
ビーム露光用のレジストに４− は解像度の良いポジレジストが用いられることが多い。
クロン級のパターンが増加してきたために微細化に適し
た電子ビーム露光法が重用されており、そのような電子
ビーム露光用のレジストに４− は解像度の良いポジレジストが用いられることが多い。
上記のように、ボジレジストのリンス液に純水が汎用さ
れており、■の工程においては現像液を洗い流して現像
を停止することができても、ゴミを除去することが難し
いという問題が起っている。
れており、■の工程においては現像液を洗い流して現像
を停止することができても、ゴミを除去することが難し
いという問題が起っている。
それは、レジストが絶縁体で表面に静電気を生じてゴミ
を吸着し易く、また、リンス液ノズルから流下する純水
とレジストとの間に摩擦が生じ、その摩擦のために静電
気が発生して、そのためにゴミが吸着され、現像後のレ
ジストパターンからゴミを除去しクリーニング（洗浄）
することが難しいと考えられる。そうすれば、パターン
短絡などが起こり易くて、半導体デバイスの品質・歩留
を低下させることになる。
を吸着し易く、また、リンス液ノズルから流下する純水
とレジストとの間に摩擦が生じ、その摩擦のために静電
気が発生して、そのためにゴミが吸着され、現像後のレ
ジストパターンからゴミを除去しクリーニング（洗浄）
することが難しいと考えられる。そうすれば、パターン
短絡などが起こり易くて、半導体デバイスの品質・歩留
を低下させることになる。
本発明はこのような問題点を解消させて、ゴミの少ない
清浄なレジストパターンを設けた被処理基板面を形成す
ることを目的としたポジレジスト５ の現像処理方法を提案するものである。
清浄なレジストパターンを設けた被処理基板面を形成す
ることを目的としたポジレジスト５ の現像処理方法を提案するものである。
その課題は、現像後の被処理基板を、純水とアルコール
とを混合したリンス液に浸漬して現像停止・洗浄するよ
うにしたポジレジストの現像処理方法によって解決され
る。
とを混合したリンス液に浸漬して現像停止・洗浄するよ
うにしたポジレジストの現像処理方法によって解決され
る。
即ち、本発明は、従来の水（純水）だけによるリンスの
代わりに、アルコールを水に混合したリンス液を用いる
。そうすると、アルコールは帯電防止効果があるために
、水とレジストとの摩擦による帯電を防止して、ゴミの
吸着を防ぎ、且つ、既に帯電によって吸着していたゴミ
をも除去できて、清浄なレジストパターンを形成するこ
とができる。
代わりに、アルコールを水に混合したリンス液を用いる
。そうすると、アルコールは帯電防止効果があるために
、水とレジストとの摩擦による帯電を防止して、ゴミの
吸着を防ぎ、且つ、既に帯電によって吸着していたゴミ
をも除去できて、清浄なレジストパターンを形成するこ
とができる。
以下、実施例によって詳細に説明すると、例え６
ば、ボジレジストとしてＴＳＭＲ−Ｖ３ （東京応化製
；商品名）を塗布した被処理基板を縮小露光装置（ステ
ッパ）で選択的に露光した後、第１図に示す現像処理装
置にセッＩ− Ｌ、アルカリ水溶液（現像液）で１分間
静止現像する。次いで、被処理基板を８００ｒｐｍで回
転しながらリンス液ノズルから純水とイソプロビルアル
コールとの混合液（リンス液）を３０秒流下し、次いで
回転数を３０００ｒｐｍに上げてスピン乾燥させる。こ
の時、リンス液は１０％のイソブロビルアルコールを混
合した純水を用いる。
；商品名）を塗布した被処理基板を縮小露光装置（ステ
ッパ）で選択的に露光した後、第１図に示す現像処理装
置にセッＩ− Ｌ、アルカリ水溶液（現像液）で１分間
静止現像する。次いで、被処理基板を８００ｒｐｍで回
転しながらリンス液ノズルから純水とイソプロビルアル
コールとの混合液（リンス液）を３０秒流下し、次いで
回転数を３０００ｒｐｍに上げてスピン乾燥させる。こ
の時、リンス液は１０％のイソブロビルアルコールを混
合した純水を用いる。
このようにして実施した後に被処理基板を１時間放置し
、ウエハー表面検査装置によって大きさ０．３μｍ以上
のゴミを観測した結果、ゴミ数を約３０％滅少させるこ
とかできた。従って、本発明による現像処理方法によれ
ば、パターン上のゴミが除去できて、且つ、その後もゴ
ミが付着し難く、微細パターンを高精度に形成できて、
半導体装置の歩留，品質の向上に役立たせることができ
る。
、ウエハー表面検査装置によって大きさ０．３μｍ以上
のゴミを観測した結果、ゴミ数を約３０％滅少させるこ
とかできた。従って、本発明による現像処理方法によれ
ば、パターン上のゴミが除去できて、且つ、その後もゴ
ミが付着し難く、微細パターンを高精度に形成できて、
半導体装置の歩留，品質の向上に役立たせることができ
る。
この実施例は１０％のイソブロビルアルコールを混合し
た純水をリンス液とした例であるが、その混合量は４０
％以下にすることが望ましく、それはアルコール量が増
加するとレジストが少し溶解する恐れがあるためで、適
量は１０〜２０％程度と考えられる。
た純水をリンス液とした例であるが、その混合量は４０
％以下にすることが望ましく、それはアルコール量が増
加するとレジストが少し溶解する恐れがあるためで、適
量は１０〜２０％程度と考えられる。
また、アルコールは実施例のイソプロビルアルコールに
限るものではなく、エチルアルコールやメチルアルコー
ルを使用しても良い。
限るものではなく、エチルアルコールやメチルアルコー
ルを使用しても良い。
以上の説明のように、本発明にかかる現像処理によれば
レジストパターンのゴミを減少できて、微細パターンを
高精度に形成でき、半導体デバイスの歩留向上，高品質
化に大きな効果があるものである。
レジストパターンのゴミを減少できて、微細パターンを
高精度に形成でき、半導体デバイスの歩留向上，高品質
化に大きな効果があるものである。
なお、本発明は被処理基板が半導体ウエハーのみならず
、プリン１・基板など電子部品のパターン形成にも適用
できることば云うまでもない。
、プリン１・基板など電子部品のパターン形成にも適用
できることば云うまでもない。
第１図は現像装置の要部概要図である。
図において、
１は被処理基板、 ２は回転ステージ、３はカハ
ー、 ４は現像液ノズル、５はリンス液ノズ
ル、 を示している。 ９ 第
ー、 ４は現像液ノズル、５はリンス液ノズ
ル、 を示している。 ９ 第
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ポジレジストを塗布した被処理基板を選択的に露光した
後、現像してリンスする現像処理方法において、 現像後の前記被処理基板を、純水とアルコールとを混合
したリンス液を用いて現像停止・洗浄するようにしたこ
とを特徴とするポジレジストの現像処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011127A JPH03215867A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | ポジレジストの現像処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011127A JPH03215867A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | ポジレジストの現像処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215867A true JPH03215867A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11769355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011127A Pending JPH03215867A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | ポジレジストの現像処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215867A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163391A (ja) * | 1992-05-13 | 1994-06-10 | Soltec:Kk | レジストパターン形成方法 |
| CN1090817C (zh) * | 1995-06-26 | 2002-09-11 | 现代电子产业株式会社 | 在半导体器件上形成微细图形的方法 |
| JP2005101487A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| CN100382241C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-04-16 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光系统 |
| US7428907B2 (en) * | 2000-09-22 | 2008-09-30 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2009105473A (ja) * | 2002-12-10 | 2009-05-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011127A patent/JPH03215867A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163391A (ja) * | 1992-05-13 | 1994-06-10 | Soltec:Kk | レジストパターン形成方法 |
| CN1090817C (zh) * | 1995-06-26 | 2002-09-11 | 现代电子产业株式会社 | 在半导体器件上形成微细图形的方法 |
| US7428907B2 (en) * | 2000-09-22 | 2008-09-30 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2005101487A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| CN100382241C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-04-16 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光系统 |
| JP2009105473A (ja) * | 2002-12-10 | 2009-05-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| US8034539B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-10-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
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