JPH03216016A - Tri-state circuit - Google Patents
Tri-state circuitInfo
- Publication number
- JPH03216016A JPH03216016A JP2012382A JP1238290A JPH03216016A JP H03216016 A JPH03216016 A JP H03216016A JP 2012382 A JP2012382 A JP 2012382A JP 1238290 A JP1238290 A JP 1238290A JP H03216016 A JPH03216016 A JP H03216016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channel transistor
- transistor
- signal
- input
- turned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(概!!)
例えばCMOS (相補型MOS)からなるゲート?レ
イに有効なトライステート@路に関し、集積度の向上を
目的とし、
第1のPチャンネルトランジスタと第1のNチャンネル
トランジスタの各ドレインを出力端子に共通接続し、該
第1のPチャンネルトランジスタ及び該第1のNチャン
ネルトランジスタをスイッチング糾蓼する構成のトライ
スアート回路において、第2のPfヤンネルトランジス
タと第2のNチャンネルトランジスタとがらなり、各々
のゲートにコントロール信号が入力されると共に、該第
2のNチャンネルトランジスタのソースに入カ信号が供
給され、其通接続されたドレインから出力信号を前記第
1のPチャンネルトランジスタのゲートに供給する第1
のインバータと、第3のPチャンネルトランジスタと第
3のNチャンネルトランジスタとからなり、各々のゲー
トにコントロール信号の反転信号が入力されると共に、
該第3のPチャンネルトランジスタのソースに入力信号
が供給され、共通接続されたドレインから出力信号を前
記第1のNチャンネルトランジスタのゲートに供給する
第2のインパータとを具備するよう構成する。[Detailed Description of the Invention] (Overview!!) For example, a gate made of CMOS (complementary MOS)? Regarding the tri-state @ path that is effective for arrays, for the purpose of improving the degree of integration, the drains of the first P-channel transistor and the first N-channel transistor are commonly connected to the output terminal, and the drains of the first P-channel transistor and the first N-channel transistor are In the trice art circuit configured to perform switching of the first N-channel transistor, a second Pf channel transistor and a second N-channel transistor are connected, a control signal is input to each gate, and a control signal is input to the gate of each transistor. a first P-channel transistor whose input signal is supplied to the source of the second N-channel transistor, and which supplies an output signal from the connected drain to the gate of the first P-channel transistor;
an inverter, a third P-channel transistor, and a third N-channel transistor, each of which has an inverted control signal input to its gate.
The second inverter is configured such that an input signal is supplied to the source of the third P-channel transistor, and a second inverter supplies an output signal from commonly connected drains to the gate of the first N-channel transistor.
本発明はトライステート回路に係り、特にCMOSゲー
トアレイに有効なトライステート回路に関する。The present invention relates to a tri-state circuit, and particularly to a tri-state circuit effective for CMOS gate arrays.
出力がハイレベル、ローレベル及びハイインピーダンス
状態の3つの状態のどれか一つをとり得るトライステー
ト回路(スリーステート回路)は、集積回路内に広く用
いられており、よって集積回路の集積度向上のためのD
路構成が必要とされる。Tri-state circuits (three-state circuits) whose output can take one of three states: high level, low level, and high impedance state are widely used in integrated circuits, and are therefore used to improve the integration density of integrated circuits. D for
path configuration is required.
(従来の技術〕
第1!)は従来のトライステート回路の一例の回路図を
示す。同図中、2人力NAND回路1及び2人力NOR
M路2は各々の一方の入カ端子に入力信号■が入力され
、また2人力NAND回路1の他方の入力端子にはコン
ト0−ル信号Cが入カされ、2人力NOR回路2の他方
の入力端子にはイ’:バ−タ3により極性反転されたコ
ントロール信号Cが入力される。(Prior Art) Part 1!) shows a circuit diagram of an example of a conventional tri-state circuit. In the same figure, two-man powered NAND circuit 1 and two-man powered NOR circuit
The input signal ■ is input to one input terminal of each M path 2, and the control signal C is input to the other input terminal of the two-person NAND circuit 1, and the other input terminal of the two-person NOR circuit 2 A control signal C whose polarity has been inverted by the inverter 3 is input to the input terminal of the control signal C.
またPチャンネルMOS型電界効果トランジスタ4とN
チャンネルMOS型電界効果トランジスタ5の各ドレイ
ンは出カ端子に共通接続され、がつ、トランジスタ4の
ゲートにはNAND回路1の出力信号が供給され、トラ
ンジスタ5のゲートにはNOR回路2の出力信号が供給
される。In addition, P channel MOS type field effect transistor 4 and N
The drains of the channel MOS field effect transistors 5 are commonly connected to the output terminal, the gate of the transistor 4 is supplied with the output signal of the NAND circuit 1, and the gate of the transistor 5 is supplied with the output signal of the NOR circuit 2. is supplied.
かかる構成の従来のトライステート回路によれば、コン
トロール信号Cが論理“1″のときはNAND回路1か
らは入力信号の論理反転信号が取り出され、NORli
D路2からも入力信号の論理反転信号が取り出されるた
め、入力信号が論理“0″のときトランジスタ4がオフ
、トランジスタ5がオンとなり、出力Oは論理“0″と
なり、同様に入力@号が論理“1′のときは出力0も論
理“1“となる。According to the conventional tri-state circuit having such a configuration, when the control signal C is logic "1", the logic inversion signal of the input signal is taken out from the NAND circuit 1, and the NORli
Since the logical inversion signal of the input signal is also taken out from the D path 2, when the input signal is logic "0", transistor 4 is turned off and transistor 5 is turned on, and the output O becomes logic "0". When is logic "1", output 0 also becomes logic "1".
他方、コントロール信号Cが論理“0″のときはNAN
O回路1の出力信号の論理は“1”でトランジスタ4が
オフとされ、かつ、NOR回路2の出力信号の論理は“
0″でトランジスタ5もオフとされるため、出力0はハ
イインピーダンス状態となる。従って、以上の動作をま
とめると、入力信号!.コントロール信号C及び出力信
号0の閤には、第5図に示す如き関係がある。On the other hand, when control signal C is logic “0”, NAN
The logic of the output signal of the O circuit 1 is "1", which turns off the transistor 4, and the logic of the output signal of the NOR circuit 2 is "1".
0", the transistor 5 is also turned off, so the output 0 is in a high impedance state. Therefore, to summarize the above operation, the input signal! control signal C and the output signal 0 are as shown in Fig. 5. There is a relationship as shown.
しかるに、上記の従来のトライステート回路は、NAN
OO路1及びNORO路2の各素子数が“4”で、イン
バータ3の素子数が“2″であるから、全部で12素子
から構成されており、素子数が多く、集積変向上にとっ
て問題である。However, the above conventional tri-state circuit
The number of elements in each of the OO path 1 and the NORO path 2 is "4", and the number of elements in the inverter 3 is "2", so the number of elements in the inverter 3 is 12 in total, which is a large number of elements and poses a problem for integration. It is.
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、集積度向上
を実現できるトライステートθ路を提供することを目的
とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a tri-state θ path that can improve the degree of integration.
CRtliを解決するための手段〕
第1図は本発明の原理構成図を示す。同図中、第1のP
チャンネルトランジスタP1と第1のNチャンネルトラ
ンジスタN1とが夫々ドレイン同士接続され、スイッチ
ング糾一されるトライステート回路において、第1のイ
ンバータ11と第2のインバータ12とが夫々設けられ
ている。第1のCMOSインバータ11は、ゲート同士
とドレイン同士とが夫々接続された第2のPチャンネル
トランジスタP2と第2のNチャンネルトランジスタN
2とからなり、トランジスタP2及びN2の両ゲートに
コント0−ル信号が入力され、かつ、トランジスタN2
のソースに入力信号が供給され、出力信号をトランジス
タP+のゲートへ供給する。Means for Solving CRtli] FIG. 1 shows a diagram of the principle configuration of the present invention. In the same figure, the first P
A tri-state circuit in which the drains of a channel transistor P1 and a first N-channel transistor N1 are connected to each other and switching is unified is provided with a first inverter 11 and a second inverter 12, respectively. The first CMOS inverter 11 includes a second P-channel transistor P2 and a second N-channel transistor N whose gates and drains are connected to each other.
2, a control signal is input to both gates of transistors P2 and N2, and transistor N2
An input signal is supplied to the source of P+, and an output signal is supplied to the gate of transistor P+.
また、第2のインバータ12は、ゲート同士とドレイン
間士とが夫々接続された第3のPチャンネルトランジス
タP3及び第3のNチャンネルトランジスタN3とから
なり、トランジスタP3及びN3の両ゲートに上記コン
トロール信号の反転信号が入力され、かつ、トランジス
タP1のソースに入力信号が供給され、出力信号をトラ
ンジスタN1のゲートへ供給する。The second inverter 12 includes a third P-channel transistor P3 and a third N-channel transistor N3 whose gates and drains are connected to each other, and the gates of the transistors P3 and N3 are connected to the above-mentioned control. An inverted signal of the signal is input, the input signal is supplied to the source of the transistor P1, and the output signal is supplied to the gate of the transistor N1.
第1及び第2のインバータ11及び12には互いに逆論
理のコントロール信号が入力されるから、トランジスタ
N2とP8は一方がオンのときは他方もオン、一方がオ
フのときは他方もオフとなる。Since control signals with opposite logics are input to the first and second inverters 11 and 12, when one of the transistors N2 and P8 is on, the other is also on, and when one is off, the other is also off. .
従って、入力端子13に入力された入力信号はトランジ
スタN2及びP3が夫々オンのときはトランジスタP1
とN1のゲートには同一の入力信号が供給されることに
なり、このときは出力蝙子14には人力信号の反転信号
が取り出される。Therefore, when the transistors N2 and P3 are on, the input signal input to the input terminal 13 is transmitted to the transistor P1.
The same input signal is supplied to the gates of N1 and N1, and in this case, an inverted signal of the human input signal is outputted to the output terminal 14.
一方、トランジスタN2とP3が共にオフのときは、ト
ランジスタP1及びN1は夫々オフとなるため、出力靖
子14はハイインピーダンスとなる。On the other hand, when transistors N2 and P3 are both off, transistors P1 and N1 are off, respectively, so the output Yasuko 14 becomes high impedance.
このような本発明のトライステート回路では、素子数が
“6”で構成できる。Such a tri-state circuit of the present invention can be configured with "6" elements.
第2図は本発明の一実施例の回路図を示す。同図中、第
1図と同一構成部分には同一符号を付してある。第2図
において、コントロール信号Cが入力される入力端子2
1はトランジスタP2及びN2の両ゲートに夫々接続さ
れる一方、CMOSインバータ22を介してトランジス
タP3及びN3の両ゲートに夫々接続されている。CM
OSインバータ22はPチャンネルトランジスタP4と
NチャンネルトランジスタN4とからなり、トランジス
タP4及びN4の両ゲートからコントロール信号人力端
子21に共通接続され、かつ、トランジスタP4及びN
4の両ドレインがトランジスタP3及びN3の両ゲート
に夫々共通接続されている。FIG. 2 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention. In the figure, the same components as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. In Fig. 2, input terminal 2 to which control signal C is input.
1 is connected to both gates of transistors P2 and N2, respectively, and connected to both gates of transistors P3 and N3 via a CMOS inverter 22, respectively. CM
The OS inverter 22 consists of a P-channel transistor P4 and an N-channel transistor N4, and the gates of the transistors P4 and N4 are commonly connected to the control signal input terminal 21, and the gates of the transistors P4 and N4 are connected in common to the control signal input terminal 21.
Both drains of transistors P3 and N3 are commonly connected to both gates of transistors P3 and N3, respectively.
次に本実施例の動作について説明する。第2図において
、」ント0−ル信号Cが論理″1”のときはトランジス
タPzがオフ、N2がオンとなり、またCMOSインバ
ータ22の出力コントロール信号Cが論理“0”となる
からトランジスタP3がオン、N3がオフとなる。従っ
て、端子13に入力された入力信号はトランジスタN2
のソース、ドレインを介してトランジスタP1のゲート
に入力されると同時に、トランジスタP3のソース、ト
レインを介してトランジスタN1のゲートに入力される
。従って、このときは入力信号の論理が“0”のときは
トランジスタP1がオン、N1がオフとなるため、層子
14の出力信号の論理は“1″となり、入力信号の論理
が″1″のときはトランジスタP+がオフ、N+がオン
であるから出力信号の論理は“0”となる。Next, the operation of this embodiment will be explained. In FIG. 2, when the control signal C is logic "1", the transistor Pz is turned off and N2 is turned on, and since the output control signal C of the CMOS inverter 22 is logic "0", the transistor P3 is turned off. ON, N3 is OFF. Therefore, the input signal input to the terminal 13 is transmitted to the transistor N2.
The signal is input to the gate of the transistor P1 via the source and drain of the transistor P1, and at the same time, the signal is input to the gate of the transistor N1 via the source and train of the transistor P3. Therefore, at this time, when the logic of the input signal is "0", the transistor P1 is on and the transistor N1 is off, so the logic of the output signal of the layer 14 is "1", and the logic of the input signal is "1". When , the transistor P+ is off and the transistor N+ is on, so the logic of the output signal becomes "0".
次にコント0−ル信号Cが論理“0”の場合について説
明する。この場合はトランジスタP2がオン、トランジ
スタN2がオフ、またCMOSインバータ22の出力信
号Cが論理“1”であるからトランジスタP3がオフ、
トランジスタN3がオンとなる。従って、入力信号の論
理が何であろうとも、トランジスタNZ及びP3のオフ
により、入力信号に閤係なくトランジスタP1のゲート
入力信号aは論理“1”.トランジスタN1のゲート入
力信号bは論理“0”となる。これにより、コントロー
ル信号Cが論理“0″のときは、トランジスタP1及び
N+は夫々オフとなるため、端子14はハイインピーダ
ンス(ハイ2)の状態となる。Next, the case where the control signal C is logic "0" will be explained. In this case, the transistor P2 is on, the transistor N2 is off, and since the output signal C of the CMOS inverter 22 is logic "1", the transistor P3 is off.
Transistor N3 turns on. Therefore, no matter what the logic of the input signal is, by turning off the transistors NZ and P3, the gate input signal a of the transistor P1 becomes logic "1" regardless of the input signal. The gate input signal b of the transistor N1 becomes logic "0". As a result, when the control signal C is logic "0", the transistors P1 and N+ are each turned off, so that the terminal 14 is in a high impedance state (high 2).
以上の本実施例の動作を表にまとめると第3WJに示す
如くになる。同図中、「入力」は端子21の人力信号を
示し、rXJは論理“0”1″のどちらでもよい《換言
すると入力信号に無関係である》ことを示す。The operations of this embodiment described above are summarized in a table as shown in the third WJ. In the figure, "input" indicates a human input signal at the terminal 21, and rXJ may be either logic "0" or "1" (in other words, it is unrelated to the input signal).
本実施例によれば、全部で8素子から構成することがで
き、第4図に示した従来のトライステート回路に比べて
素子数を削減することができ、よって集積度を改善する
ことができる。According to this embodiment, it can be constructed from eight elements in total, and the number of elements can be reduced compared to the conventional tri-state circuit shown in FIG. 4, thereby improving the degree of integration. .
なお、従来より知られている同様の回路として、クロツ
クドインバータ回路があるが、このものは最終出力段が
、入力信号が供給されるCMOSインバータと、そのC
MOSインバータの上下に直列に接続され、コント0−
ル信号がゲートに接続される全部で2つのトランジスタ
とから構成されるため、駆動能力を高めようとすると、
それだけCMOSインバータを構成するトランジスタの
面積を大きくする必要があり、素子数が少なくても集積
度が下がる。A similar circuit that has been known in the past is a clocked inverter circuit, in which the final output stage consists of a CMOS inverter to which an input signal is supplied and its CMOS inverter.
Connected in series above and below the MOS inverter, the control 0-
Since it consists of a total of two transistors with the gate signal connected to the gate, if you try to increase the driving ability,
It is necessary to increase the area of the transistors constituting the CMOS inverter accordingly, and even if the number of elements is small, the degree of integration is reduced.
これに対し、本発明によれば、最終出力段は2個のトラ
ンジスタP+ .N+からなり、駆動能力を高めても、
集積度は素子数の削減に対応して向上できる。In contrast, according to the invention, the final output stage consists of two transistors P+ . Even if it is made of N+ and increases the driving ability,
The degree of integration can be improved by reducing the number of elements.
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、例えばCMOSインバータを使用する代りに、他のF
ETによりインバータを構成するようにしてもよいこと
は勿論である。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and for example, instead of using a CMOS inverter, other F
Of course, the inverter may be configured by ET.
〔発明の911果〕
上述の如く、本発明によれば、従来回路に比べて素子数
を低減できるため、従来@路に比べて回路規模を縮小す
ることができ、よって集積度を向上することができ、特
にCMOSゲートアレイに適用して有効である等の特長
を有するものである。[911 results of the invention] As described above, according to the present invention, the number of elements can be reduced compared to the conventional circuit, so the circuit scale can be reduced compared to the conventional @ circuit, and the degree of integration can therefore be improved. It has the advantage of being particularly effective when applied to CMOS gate arrays.
第1図は本発明の原理構成図、
第2図は本発明の一実施例の回路図、
第3WJは第2図の動作説明図、
第4図は従来のトライステート回路の一例の回路図、
第5図は第4WJの動作説明図である。
図において、
11は第1のインバータ、
12は第2のインバータ、
P+−Pzは第1乃至第3のPチャンネルトランジスタ
、
N1〜N3は第1乃至第3のNチャンネルトランジスタ
を示す。Fig. 1 is a diagram of the principle configuration of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, 3WJ is an explanatory diagram of the operation of Fig. 2, and Fig. 4 is a circuit diagram of an example of a conventional tri-state circuit. , FIG. 5 is an explanatory diagram of the operation of the fourth WJ. In the figure, 11 is a first inverter, 12 is a second inverter, P+-Pz are first to third P-channel transistors, and N1 to N3 are first to third N-channel transistors.
Claims (1)
チャンネルトランジスタ(N_1)の各ドレインを出力
端子に共通接続し、該第1のPチャンネルトランジスタ
(P_1)及び該第1のNチャンネルトランジスタ(N
_1)をスイッチング制御する構成のトライステート回
路において、 第2のPチャンネルトランジスタ(P_2)と第2のN
チャンネルトランジスタ(N_2)とからなり、各々の
ゲートにコントロール信号が入力されると共に、該第2
のNチャンネルトランジスタ(N_2)のソースに入力
信号が供給され、共通接続されたドレインから出力信号
を前記第1のPチャンネルトランジスタ(P_1)のゲ
ートに供給する第1のインバータ(11)と、 第3のPチャンネルトランジスタ(P_3)と第3のN
チャンネルトランジスタ(N_3)とからなり、各々の
ゲートにコントロール信号の反転信号が入力されると共
に、該第3のPチャンネルトランジスタ(P_3)のソ
ースに入力信号が供給され、共通接続されたドレインか
ら出力信号を前記第1のNチャンネルトランジスタ(N
_1)のゲートに供給する第2のインバータ(12)と
、 を具備したことを特徴とするトライステート回路。[Claims] A first P-channel transistor (P_1) and a first N-channel transistor (P_1)
The drains of the channel transistors (N_1) are commonly connected to the output terminal, and the first P-channel transistor (P_1) and the first N-channel transistor (N
_1) In a tri-state circuit configured to control switching, a second P-channel transistor (P_2) and a second N
a channel transistor (N_2), a control signal is input to each gate, and the second
an input signal is supplied to the source of the N-channel transistor (N_2) of the first inverter (11), and a first inverter (11) supplies an output signal from the commonly connected drains to the gate of the first P-channel transistor (P_1); 3 P channel transistor (P_3) and 3rd N
channel transistor (N_3), an inverted signal of the control signal is input to each gate, an input signal is supplied to the source of the third P-channel transistor (P_3), and output from the commonly connected drains. The signal is passed through the first N-channel transistor (N
A tri-state circuit comprising: a second inverter (12) that supplies power to the gate of _1);
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012382A JPH03216016A (en) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | Tri-state circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012382A JPH03216016A (en) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | Tri-state circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216016A true JPH03216016A (en) | 1991-09-24 |
Family
ID=11803721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012382A Pending JPH03216016A (en) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | Tri-state circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03216016A (en) |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP2012382A patent/JPH03216016A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63125017A (en) | Tri-state complementary mos integrated circuit | |
| JPH05291942A (en) | Composite logic circuit | |
| JPH03216016A (en) | Tri-state circuit | |
| JPH02254814A (en) | Tri-state output buffer circuit | |
| KR100278992B1 (en) | Full adder | |
| JP2735268B2 (en) | LSI output buffer | |
| JPH08116252A (en) | Exclusive-OR circuit and exclusive-OR negation circuit | |
| JPS59205818A (en) | Output circuit | |
| JPH04271516A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPH022206A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JP2752778B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPH0254617A (en) | Input/output buffer circuit | |
| JPH03213017A (en) | Semiconductor device | |
| JP2674910B2 (en) | Three-state buffer circuit | |
| JPS62231521A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS59200524A (en) | Cmos multiplexer | |
| KR200155047Y1 (en) | Address decoder circuit | |
| KR930004307Y1 (en) | Schmit triger circuit | |
| JPH03283815A (en) | Output buffer circuit | |
| JPH0431630Y2 (en) | ||
| JPH04162822A (en) | Tri-state buffer circuit | |
| JP2574756B2 (en) | Complementary MOS integrated circuit | |
| JPH04290010A (en) | Logic circuit | |
| JPH05197347A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS6125257B2 (en) |