JPH03216582A - 多チャンネル電離箱型ｘ線検出器 - Google Patents
多チャンネル電離箱型ｘ線検出器Info
- Publication number
- JPH03216582A JPH03216582A JP1301390A JP1301390A JPH03216582A JP H03216582 A JPH03216582 A JP H03216582A JP 1301390 A JP1301390 A JP 1301390A JP 1301390 A JP1301390 A JP 1301390A JP H03216582 A JPH03216582 A JP H03216582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- ray detector
- ionization chamber
- insulating layer
- chamber type
- Prior art date
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、Ｘ＠ＣＴ装置等に用いられる多チャンネル電
離箱型Ｘ線検出器及び多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器
用電極板に関するものである．さらに詳しくは、ベース
となる金属モリブデン板と導体箔の間の絶縁層の改良に
関するものである．［従来の技術］ Ｘ線ＣＴ装１に用いられる多チャンネル電離箱型Ｘ線検
出器は、第２図に示すようにキセノンガスを封入した容
器４の中に信号検出用の電極板１０とバイアス印加用の
電極板１１が交互に配置されている．これらの電極板１
０． １１は共に金属モリブデン等のＸ線遮蔽性金属で
構成される．電極板１０の両面には信号を検出するため
の絶縁された￥ｈ極が形成されている．Ｔ４極板１０は
第４図に断面図で示すように、金属モリブデン板１がベ
ースとなっていて、その両面に絶縁層２４を介在して銅
箔３が接着されている．絶縁層２４の比誘電率が大きい
場合には、入射Ｘ線に対するＸ線検出器の出力信号の応
答が遅くなるので、絶縁層２４にはポリイミド系樹脂、
フッ素系樹脂、珪素樹脂等の比誘電率が３．５以下の合
成樹脂が用いられる． ところで、この様な多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器の
電極板１０は、半重合状態の合成樹脂を金属モリブデン
板１及び導体箔３に塗布し、それぞれを合わせてプレス
し合成樹脂を重合させることにより絶縁層２４の形成、
並びに金属モリブデン板１及び導体箔３の接着を同時に
行って製造される。
離箱型Ｘ線検出器及び多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器
用電極板に関するものである．さらに詳しくは、ベース
となる金属モリブデン板と導体箔の間の絶縁層の改良に
関するものである．［従来の技術］ Ｘ線ＣＴ装１に用いられる多チャンネル電離箱型Ｘ線検
出器は、第２図に示すようにキセノンガスを封入した容
器４の中に信号検出用の電極板１０とバイアス印加用の
電極板１１が交互に配置されている．これらの電極板１
０． １１は共に金属モリブデン等のＸ線遮蔽性金属で
構成される．電極板１０の両面には信号を検出するため
の絶縁された￥ｈ極が形成されている．Ｔ４極板１０は
第４図に断面図で示すように、金属モリブデン板１がベ
ースとなっていて、その両面に絶縁層２４を介在して銅
箔３が接着されている．絶縁層２４の比誘電率が大きい
場合には、入射Ｘ線に対するＸ線検出器の出力信号の応
答が遅くなるので、絶縁層２４にはポリイミド系樹脂、
フッ素系樹脂、珪素樹脂等の比誘電率が３．５以下の合
成樹脂が用いられる． ところで、この様な多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器の
電極板１０は、半重合状態の合成樹脂を金属モリブデン
板１及び導体箔３に塗布し、それぞれを合わせてプレス
し合成樹脂を重合させることにより絶縁層２４の形成、
並びに金属モリブデン板１及び導体箔３の接着を同時に
行って製造される。
［発明が解決しようとする課！！］
しかし、従来の多チャンネル電ｌｗ箱型ＸｆＩＡ検出器
の電極板１０は、その絶縁層２４が、金属モリブデンベ
ース１及び導体箔３に半重合の合成樹脂を塗布し合わせ
て加熱加圧して重合することにより形成したものである
ため、塗布又はプレスの最中に絶縁層２４に異物が混入
することがあった．又、合成樹脂のフローにより絶縁層
２４の厚さに不均一が発生することがあった．又、重合
時に溶剤の分布が不均一になり局部的に重合不良箇所が
形成されることがあった．この様な、異物の混入、厚さ
の不均一、重合不良箇所の形成等により、電気特性の低
下や絶縁不良が起きて多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器
に不良チャンネルが生じてしまうという問題があった． 本発明は上記に鑑みて成されたもので、その目的は、絶
縁層の比誘電率が３．５以下のもので絶縁不良が生じな
い多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器用電極板を提供する
ことにあり、更に、電極板の絶縁不良による不良チャン
ネルの発生のない多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器を提
供することにある． ［課題を解決するための手段］ 上記の課題を解決する本発明の多チャンネル電離箱型Ｘ
線検出器用電極板は、絶縁層を介在して金属モリブデン
板の少なくとも１つの面に導体箔を形成して構成された
ものであって、絶縁層が、比誘電率が３、５以下、ガラ
ス転移温度が１８０℃以上の合成樹脂からなる絶縁フィ
ルムと、金属モリブデン板と絶縁フィルムを接着する比
誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が１８０℃以上の
合成樹脂からなる接着層で構成されることを特徴とする
ものである． 又、上記の課題を解決する本発明の多チャンネル電離箱
型Ｘ線検出器は、複数の電極板を備えたものであって、
電極板は上記の多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器用電極
板であることを特徴とするものである． 又、これらの電極板の絶縁層は、絶縁フィルムと導体箔
を接着する比誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が１
８０℃以上の合成樹脂からなる第２の接着層を積層して
構成されることが好ましい。
の電極板１０は、その絶縁層２４が、金属モリブデンベ
ース１及び導体箔３に半重合の合成樹脂を塗布し合わせ
て加熱加圧して重合することにより形成したものである
ため、塗布又はプレスの最中に絶縁層２４に異物が混入
することがあった．又、合成樹脂のフローにより絶縁層
２４の厚さに不均一が発生することがあった．又、重合
時に溶剤の分布が不均一になり局部的に重合不良箇所が
形成されることがあった．この様な、異物の混入、厚さ
の不均一、重合不良箇所の形成等により、電気特性の低
下や絶縁不良が起きて多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器
に不良チャンネルが生じてしまうという問題があった． 本発明は上記に鑑みて成されたもので、その目的は、絶
縁層の比誘電率が３．５以下のもので絶縁不良が生じな
い多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器用電極板を提供する
ことにあり、更に、電極板の絶縁不良による不良チャン
ネルの発生のない多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器を提
供することにある． ［課題を解決するための手段］ 上記の課題を解決する本発明の多チャンネル電離箱型Ｘ
線検出器用電極板は、絶縁層を介在して金属モリブデン
板の少なくとも１つの面に導体箔を形成して構成された
ものであって、絶縁層が、比誘電率が３、５以下、ガラ
ス転移温度が１８０℃以上の合成樹脂からなる絶縁フィ
ルムと、金属モリブデン板と絶縁フィルムを接着する比
誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が１８０℃以上の
合成樹脂からなる接着層で構成されることを特徴とする
ものである． 又、上記の課題を解決する本発明の多チャンネル電離箱
型Ｘ線検出器は、複数の電極板を備えたものであって、
電極板は上記の多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器用電極
板であることを特徴とするものである． 又、これらの電極板の絶縁層は、絶縁フィルムと導体箔
を接着する比誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が１
８０℃以上の合成樹脂からなる第２の接着層を積層して
構成されることが好ましい。
又、これらのｔｔｉ板はその両面に絶縁層を介して導体
箔を形成したものであることが好ましい．又、これらの
電極板の絶縁層を構成する絶縁フィルム及び接着層は、
ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂及び珪素樹脂のうちの
いずれか１つ又は複数のものからなることが好ましい． ［作用］ 本発明によれば、電極板の絶縁層の厚さが均一で、しか
も、比誘電率が低いままで、導体箔の高い絶縁性が保た
れる。
箔を形成したものであることが好ましい．又、これらの
電極板の絶縁層を構成する絶縁フィルム及び接着層は、
ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂及び珪素樹脂のうちの
いずれか１つ又は複数のものからなることが好ましい． ［作用］ 本発明によれば、電極板の絶縁層の厚さが均一で、しか
も、比誘電率が低いままで、導体箔の高い絶縁性が保た
れる。
［実施例］
本発明の実施例を説明する．多チャンネル電離箱型Ｘ線
検出器の概要は第２図に示した従来のものと同様である
が、電極板１０の構造が異なっている．その電極板を第
１図に断面図で示して説明する．１はベースとなる金属
モリブデン板、２は絶縁層であり、３は銅箔である．絶
縁層２は、絶縁フィルム２０、絶縁フィルム２０と金属
モリブデン板１を接着する接着層２１、絶縁フィルム２
０と銅箔３を接着する第２の接着層２２からなる．絶縁
フィルム２０、接着層２１、第２の接着層２２はそれぞ
れ比誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が１８０℃以
上の合成樹脂材料からなる． そして、絶縁フィルム２０があるため、絶縁フィルム２
０と金属モリブデン板１との接着中または絶縁フィルム
２０と銅箔３との接着中に接着層２１又は第２の接着層
２２に導電性の異物が混入したり、重合不良箇所が形成
されても、金属モリブデン板１と銅箔３の間の絶縁は確
保され高い耐電圧を維持できる。更に、絶縁フィルム２
０があるため、接着層２１． ２２の加熱融着時の合成
樹脂のフローを最少限に押さえられるので、厚さの均一
性が大幅に向上する． 又、絶縁層２の比誘電率が３．５以下であるため、誘電
吸収が小さく、帯電時間及び放電時間が短くなり入射Ｘ
線に対するＸ線検出器の出力信号の応答が早く好都合で
ある。比誘電率が３．５を越えると信号の応答が遅くな
る．又、絶縁フィルム２０のガラス転移温度が接着層２
１。２２のガラス転移温度寄りも高いので、加熱融着す
る際に絶縁フィルム２０が熔融したり物性的な変性を生
じない．又、ガラス転移温度が１８０℃を下回ると、は
んだ付けなどによって熱が加わるときに絶縁層２が歪ん
で、金属モリブテン板１との接着が弱くなったり基板が
反ったりするおそれがある．これらの条件を満たし、金
属モリブデンとの接着性、耐電圧性、耐放射線性、耐環
境性に優れた絶縁材料としては、１つにはポリイミド系
樹脂すなわち、例えば、ボリアミ・ｌク酸より縮合反応
によって形成される全芳香族ポリイミド、ポリアミノビ
スマレイド、ボリゲトンイミド、ポリイミド変成したエ
ボキシ樹脂やフェノール樹脂などが適当であり、次には
フッ素系樹脂すなわち、例えば、ポリテトラフルオ口エ
チレン、ポリビニリデンフロライド、テトラフルオ口エ
チレンへキサフルオ口プロピレン コボリマーなどが適
当であり、その他には珪素樹脂ボリマーなどを使用する
ことができる．絶縁層２の絶縁フィルム２０、接着層２
１及び第２接着層２２は、上記材料のいずれか１種類の
ものばかりでなく、それぞれ異なる材料のもので構成し
てもよい。このような接着層２１と金属モリブデン板１
との接着の信頼性を高めるためには、金属モリブデン板
１の表面を機械的な表面処理であるサンドブラスト処理
や化学的な表面処理を施して、表面積を大きくしたり表
面を活性化したりするとよい．第２の接着層２２はなく
てもよい．この場合、絶縁層２の上に設ける銅箔３の層
は、絶縁シート２０上に銅等をメッキしてもよい．そし
て、適宜のパターンをサブトラクテイブ法あるいはアデ
ィテイブ法によって形成することができる。導体層の材
料としては銅を用いるのが背通であるが、それに限るも
のではない． 又、電極板１０の両面に絶縁層２を介在して銅箔３が形
成されているので、電極板１０の両面がそれぞれ独立し
たチャンネルにすることができ、Ｘ線利用効率及び分解
能の向上に寄与できる。銅箔３を電極板の片面にのみに
形成した場合、これらのメリットはない。
検出器の概要は第２図に示した従来のものと同様である
が、電極板１０の構造が異なっている．その電極板を第
１図に断面図で示して説明する．１はベースとなる金属
モリブデン板、２は絶縁層であり、３は銅箔である．絶
縁層２は、絶縁フィルム２０、絶縁フィルム２０と金属
モリブデン板１を接着する接着層２１、絶縁フィルム２
０と銅箔３を接着する第２の接着層２２からなる．絶縁
フィルム２０、接着層２１、第２の接着層２２はそれぞ
れ比誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が１８０℃以
上の合成樹脂材料からなる． そして、絶縁フィルム２０があるため、絶縁フィルム２
０と金属モリブデン板１との接着中または絶縁フィルム
２０と銅箔３との接着中に接着層２１又は第２の接着層
２２に導電性の異物が混入したり、重合不良箇所が形成
されても、金属モリブデン板１と銅箔３の間の絶縁は確
保され高い耐電圧を維持できる。更に、絶縁フィルム２
０があるため、接着層２１． ２２の加熱融着時の合成
樹脂のフローを最少限に押さえられるので、厚さの均一
性が大幅に向上する． 又、絶縁層２の比誘電率が３．５以下であるため、誘電
吸収が小さく、帯電時間及び放電時間が短くなり入射Ｘ
線に対するＸ線検出器の出力信号の応答が早く好都合で
ある。比誘電率が３．５を越えると信号の応答が遅くな
る．又、絶縁フィルム２０のガラス転移温度が接着層２
１。２２のガラス転移温度寄りも高いので、加熱融着す
る際に絶縁フィルム２０が熔融したり物性的な変性を生
じない．又、ガラス転移温度が１８０℃を下回ると、は
んだ付けなどによって熱が加わるときに絶縁層２が歪ん
で、金属モリブテン板１との接着が弱くなったり基板が
反ったりするおそれがある．これらの条件を満たし、金
属モリブデンとの接着性、耐電圧性、耐放射線性、耐環
境性に優れた絶縁材料としては、１つにはポリイミド系
樹脂すなわち、例えば、ボリアミ・ｌク酸より縮合反応
によって形成される全芳香族ポリイミド、ポリアミノビ
スマレイド、ボリゲトンイミド、ポリイミド変成したエ
ボキシ樹脂やフェノール樹脂などが適当であり、次には
フッ素系樹脂すなわち、例えば、ポリテトラフルオ口エ
チレン、ポリビニリデンフロライド、テトラフルオ口エ
チレンへキサフルオ口プロピレン コボリマーなどが適
当であり、その他には珪素樹脂ボリマーなどを使用する
ことができる．絶縁層２の絶縁フィルム２０、接着層２
１及び第２接着層２２は、上記材料のいずれか１種類の
ものばかりでなく、それぞれ異なる材料のもので構成し
てもよい。このような接着層２１と金属モリブデン板１
との接着の信頼性を高めるためには、金属モリブデン板
１の表面を機械的な表面処理であるサンドブラスト処理
や化学的な表面処理を施して、表面積を大きくしたり表
面を活性化したりするとよい．第２の接着層２２はなく
てもよい．この場合、絶縁層２の上に設ける銅箔３の層
は、絶縁シート２０上に銅等をメッキしてもよい．そし
て、適宜のパターンをサブトラクテイブ法あるいはアデ
ィテイブ法によって形成することができる。導体層の材
料としては銅を用いるのが背通であるが、それに限るも
のではない． 又、電極板１０の両面に絶縁層２を介在して銅箔３が形
成されているので、電極板１０の両面がそれぞれ独立し
たチャンネルにすることができ、Ｘ線利用効率及び分解
能の向上に寄与できる。銅箔３を電極板の片面にのみに
形成した場合、これらのメリットはない。
又一誘電率の差異による誘電吸収の差異をｆＡ３図にグ
ラフで示す。グラフの横軸は時間を示す．縦軸は電極板
に現れる電圧を示し、その値は充電の初期値で正規化さ
れている。グラフの曲線は、対向電極との間に一定の電
荷を充電した状態から放電し、その後に電極板に吸収さ
れた電離イオンの放出に伴い電極間に現れる電圧の推移
を示している．放電によりその後の電極板電圧は零にな
るべきであるが、誘電体に吸収された電離イオンの湧き
出しにより電圧が発生する．そのような電圧は、誘電率
４，０のエボキシ樹脂を絶縁層に用いた電極板では曲線
ａの様になり、これに対し、誘電率３．１のポリイミド
樹脂を絶縁層に用いた本発明実繕例の電極板は曲線ｂの
様に大幅に減少する． 尚、本実施例の多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器では、
絶縁層２および銅箔３の伴わないバイアス印加用の電極
板１１が、電極板１０と交互に設置されているが、全て
の電極板を両面に絶縁層２と銅箔３の伴った１種類のも
ので構成してもよい．この場合、バイアス印加用に使用
するものは、金属モリブデン板１及び両面の銅箔３を共
通にしてバイアスを印加すればよい，このようにすれば
、製造段階で２Ｐｌ！類の電極板を扱わなくてもよく製
造手順が簡素化される。
ラフで示す。グラフの横軸は時間を示す．縦軸は電極板
に現れる電圧を示し、その値は充電の初期値で正規化さ
れている。グラフの曲線は、対向電極との間に一定の電
荷を充電した状態から放電し、その後に電極板に吸収さ
れた電離イオンの放出に伴い電極間に現れる電圧の推移
を示している．放電によりその後の電極板電圧は零にな
るべきであるが、誘電体に吸収された電離イオンの湧き
出しにより電圧が発生する．そのような電圧は、誘電率
４，０のエボキシ樹脂を絶縁層に用いた電極板では曲線
ａの様になり、これに対し、誘電率３．１のポリイミド
樹脂を絶縁層に用いた本発明実繕例の電極板は曲線ｂの
様に大幅に減少する． 尚、本実施例の多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器では、
絶縁層２および銅箔３の伴わないバイアス印加用の電極
板１１が、電極板１０と交互に設置されているが、全て
の電極板を両面に絶縁層２と銅箔３の伴った１種類のも
ので構成してもよい．この場合、バイアス印加用に使用
するものは、金属モリブデン板１及び両面の銅箔３を共
通にしてバイアスを印加すればよい，このようにすれば
、製造段階で２Ｐｌ！類の電極板を扱わなくてもよく製
造手順が簡素化される。
［発明の効果］
以上のように本発明の多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器
及び多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器用電極板は、絶縁
層を介在して金属モリブデン板の少なくとも１つの面に
導体箔を形成して構成されたものであって、絶縁層が、
比誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が１８０゜Ｃ以
上の合成樹脂からなる絶縁フィルムと、金属モリブデン
板と絶縁フィルムを接着する比誘電率が３．５以下、ガ
ラス転移温度が１８０℃以上の合成樹脂からなる接着層
で構成されているので、絶縁層の厚さが均一で、しかも
、耐熱性が高く、絶縁不良が生じることはない。
及び多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器用電極板は、絶縁
層を介在して金属モリブデン板の少なくとも１つの面に
導体箔を形成して構成されたものであって、絶縁層が、
比誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が１８０゜Ｃ以
上の合成樹脂からなる絶縁フィルムと、金属モリブデン
板と絶縁フィルムを接着する比誘電率が３．５以下、ガ
ラス転移温度が１８０℃以上の合成樹脂からなる接着層
で構成されているので、絶縁層の厚さが均一で、しかも
、耐熱性が高く、絶縁不良が生じることはない。
又、多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器は、複数の電極板
を備えたものであって、電極板は上記の多チャンネルｔ
ａ箱型Ｘ＆！検出器用電極板であるので、電極の絶縁不
良等による不良チャンネルの発生がなく各チャンネルで
信号の検出が確実にできる。又、Ｘ線の入射に対する応
答も早い。
を備えたものであって、電極板は上記の多チャンネルｔ
ａ箱型Ｘ＆！検出器用電極板であるので、電極の絶縁不
良等による不良チャンネルの発生がなく各チャンネルで
信号の検出が確実にできる。又、Ｘ線の入射に対する応
答も早い。
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図は本発明の実
施例及び従来例を示す構成図、第３図は誘電吸収の影響
を示すグラフである．第４図は従来例の断面図である． １・・・金属モリブデン板、１０・・・電極板、２．２
４・・・絶縁層、２０・・・絶縁フイルム、２１・・・
接着層、２２・・・第２の接着層、３・・・銅箔。
施例及び従来例を示す構成図、第３図は誘電吸収の影響
を示すグラフである．第４図は従来例の断面図である． １・・・金属モリブデン板、１０・・・電極板、２．２
４・・・絶縁層、２０・・・絶縁フイルム、２１・・・
接着層、２２・・・第２の接着層、３・・・銅箔。
Claims (8)
- （１）絶縁層を介在して金属モリブデン板の少なくとも
１つの面に導体箔を形成して構成された複数の電極板を
備えた多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器において、電極
板の絶縁層は、比誘電率が３．５以下、ガラス転移温度
が１８０℃以上の合成樹脂からなる絶縁フィルムと、金
属モリブデン板と絶縁フィルムを接着する比誘電率が３
．５以下、ガラス転移温度が１８０℃以上の合成樹脂か
らなる接着層で構成されることを特徴とする多チャンネ
ル電離箱型Ｘ線検出器。 - （２）請求項（１）記載の多チャンネル電離箱型Ｘ線検
出器において、電極板の絶縁層は、更に、絶縁フィルム
と導体箔を接着する比誘電率が３．５以下、ガラス転移
温度が１８０℃以上の合成樹脂からなる第２の接着層を
積層して構成されることを特徴とする多チャンネル電離
箱型Ｘ線検出器。 - （３）電極板は導体箔が絶縁層を介在して金属モリブデ
ン板の両面に形成されたものであることを特徴とする請
求項（１）又は（２）記載の多チャンネル電離箱型Ｘ線
検出器。 - （４）電極板の絶縁層を構成する絶縁フィルム及び接着
層は、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂及び珪素樹脂の
うちのいずれか１つ又は複数のものからなることを特徴
とする請求項（１）、（２）又は（３）記載の多チャン
ネル電離箱型Ｘ線検出器。 - （５）金属モリブデン板の少なくとも１つの面に絶縁層
を介して導体箔が設けられる多チャンネル電離箱型Ｘ線
検出器用電極板において、前記絶縁層は、比誘電率が３
．５以下、ガラス転移温度が１８０℃以上の合成樹脂か
らなる絶縁フィルムと、絶縁フィルムと金属モリブデン
板を接着する比誘電率が３．５以下、ガラス転移温度が
１８０℃以上の合成樹脂からなる接着層を備えることを
特徴とする多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器用電極板。 - （６）請求項（５）記載の多チャンネル電離箱型Ｘ線検
出器用電極板において、絶縁層は、更に、絶縁フィルム
と導体箔を接着する比誘電率が３．５以下、ガラス転移
温度が１８０℃以上の合成樹脂からなる第２の接着層を
積層して構成されることを特徴とする多チャンネル電離
箱型Ｘ線検出器用電極板。 - （７）導体箔が絶縁層を介在して金属モリブデン板の両
面に形成されたものであることを特徴とする請求項（５
）又は（６）記載の多チャンネル電離箱型Ｘ線検出器用
電極板。 - （８）絶縁層を構成する絶縁フィルム及び接着層は、ポ
リイミド系樹脂、フッ素系樹脂及び珪素樹脂のうちのい
ずれか１つ又は複数のものからなることを特徴とする請
求項（５）、（６）又は（７）記載の多チャンネル電離
箱型Ｘ線検出器用電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013013A JP2686836B2 (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 多チャンネル電離箱型ｘ線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013013A JP2686836B2 (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 多チャンネル電離箱型ｘ線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216582A true JPH03216582A (ja) | 1991-09-24 |
| JP2686836B2 JP2686836B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=11821278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013013A Expired - Fee Related JP2686836B2 (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 多チャンネル電離箱型ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686836B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102126941B1 (ko) * | 2013-12-04 | 2020-06-25 | 주식회사 레이언스 | 엑스선 디텍터 및 이의 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55137656A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-27 | Toshiba Corp | Radiation detector |
| JPS5763254A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-16 | Nasa | Method of laminating heatproof polyimide film |
| JPS58165689U (ja) * | 1982-03-26 | 1983-11-04 | 横河電機株式会社 | Ｘ線検出器 |
| JPS6253827A (ja) * | 1985-05-30 | 1987-03-09 | 三井東圧化学株式会社 | 金属ベ−スプリント配線基板及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP2013013A patent/JP2686836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS55137656A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-27 | Toshiba Corp | Radiation detector |
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| JP2686836B2 (ja) | 1997-12-08 |
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