JPS6044813B2 - 磁気記録用合金薄膜の製造法 - Google Patents
磁気記録用合金薄膜の製造法Info
- Publication number
- JPS6044813B2 JPS6044813B2 JP14763680A JP14763680A JPS6044813B2 JP S6044813 B2 JPS6044813 B2 JP S6044813B2 JP 14763680 A JP14763680 A JP 14763680A JP 14763680 A JP14763680 A JP 14763680A JP S6044813 B2 JPS6044813 B2 JP S6044813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- atomic
- alloy
- magnetic recording
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 34
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006297 γ-Fe2O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録用合金薄膜の製造法に関する。
磁気記録は現在使用されている記録方式の中で最も重要
で、録画、電子計算機の磁気テープ、磁気ディスク等情
報処理分野におて大量に使用されている。
で、録画、電子計算機の磁気テープ、磁気ディスク等情
報処理分野におて大量に使用されている。
特に磁気ディスクはコンピュータシステムの大容量記録
装置として重要な位置をしめてお＝コー 曹 一置口
ｌｉ−ボり−−ｊ；ＩＴ−１３ユ“ ノ 六目−）−４
っ ーアー１ 、る。この大容量化（高密度記録化）、
高速化を達成するために、媒体の薄層化、高保磁力化、
高残留磁束密度化が要求される。この要求に対して、現
在使用されている針状の酸化鉄（γ−Ｆｅ。へ）微粒子
塗布膜はバインダーを含むために、残留磁束密度Ｂｒ（
８５０ガウスＧ）が低く、ある一定（Ｏ、７μｍ）以上
の媒体厚さが必要とされ、現在、技術的にも性能的にも
ほぼ限界に達している。本発明は従来の磁気記録用材料
の問題点を解決しようとするものであり、その目的は保
磁力Ｈｃ（以下Ｈｃと記載する）が５Ｏ００ｅ（エルス
テッド）以上、残留磁束密度Ｂｒ（以下Ｂｒと記載する
）が５Ｏ０ＯＧ（ガウス）以上、角型比Ｓ＊（以下Ｓ＊
と記載する）が０．８５以上当の諸磁気特性を持つ高保
磁力の薄膜の製造を提供するにある。本発明者は前記目
的を達成すべく研究の結果、窒素ガスを１〜１００％を
含むアルゴン、ヘリウム等の雰囲気中で、スパッター法
またはイオンブレーティング法によつて、窒素３〜４０
原子％、残部Ｊコバルトよりなる合金、または窒素３〜
４０原子％、ニッケル０．１〜４８．５原子％、残部コ
バルトを含み、かつＮｉの含有量がＣｏの含有量を越え
ない範囲の組成からなる合金の薄膜を基板上に生成させ
、得られた薄膜を２５０〜７０００Ｃで熱処理すると、
丁それぞれ薄膜中に若干の微細な非磁性のＣｏの窒化物
、ＣＯ及びＮｉの窒化物が析出し、さらに稠密六方晶構
造（以下ＨＣｐと記載する）のＣ軸が膜面に平行に優先
配向し、保磁力、残留磁束密度、角型比等の優れた磁気
特性を持つ薄膜が得られることを究明し得た。
装置として重要な位置をしめてお＝コー 曹 一置口
ｌｉ−ボり−−ｊ；ＩＴ−１３ユ“ ノ 六目−）−４
っ ーアー１ 、る。この大容量化（高密度記録化）、
高速化を達成するために、媒体の薄層化、高保磁力化、
高残留磁束密度化が要求される。この要求に対して、現
在使用されている針状の酸化鉄（γ−Ｆｅ。へ）微粒子
塗布膜はバインダーを含むために、残留磁束密度Ｂｒ（
８５０ガウスＧ）が低く、ある一定（Ｏ、７μｍ）以上
の媒体厚さが必要とされ、現在、技術的にも性能的にも
ほぼ限界に達している。本発明は従来の磁気記録用材料
の問題点を解決しようとするものであり、その目的は保
磁力Ｈｃ（以下Ｈｃと記載する）が５Ｏ００ｅ（エルス
テッド）以上、残留磁束密度Ｂｒ（以下Ｂｒと記載する
）が５Ｏ０ＯＧ（ガウス）以上、角型比Ｓ＊（以下Ｓ＊
と記載する）が０．８５以上当の諸磁気特性を持つ高保
磁力の薄膜の製造を提供するにある。本発明者は前記目
的を達成すべく研究の結果、窒素ガスを１〜１００％を
含むアルゴン、ヘリウム等の雰囲気中で、スパッター法
またはイオンブレーティング法によつて、窒素３〜４０
原子％、残部Ｊコバルトよりなる合金、または窒素３〜
４０原子％、ニッケル０．１〜４８．５原子％、残部コ
バルトを含み、かつＮｉの含有量がＣｏの含有量を越え
ない範囲の組成からなる合金の薄膜を基板上に生成させ
、得られた薄膜を２５０〜７０００Ｃで熱処理すると、
丁それぞれ薄膜中に若干の微細な非磁性のＣｏの窒化物
、ＣＯ及びＮｉの窒化物が析出し、さらに稠密六方晶構
造（以下ＨＣｐと記載する）のＣ軸が膜面に平行に優先
配向し、保磁力、残留磁束密度、角型比等の優れた磁気
特性を持つ薄膜が得られることを究明し得た。
この知見に基いて本発明を完成した。本発明の要旨は、
１窒素ガスを含んだ不活性ガス雰囲気中でスパツタ一法
またはイオンプレーテイング法によつて、窒素３〜４０
原子％、残部コバルトよりなる合金の薄膜を基板上に生
成させ、該薄膜を２５０〜７００℃非酸化性雰囲気下で
１分〜２０叫間熱処理することを特徴とする磁気記録用
合金薄膜の製造法。
またはイオンプレーテイング法によつて、窒素３〜４０
原子％、残部コバルトよりなる合金の薄膜を基板上に生
成させ、該薄膜を２５０〜７００℃非酸化性雰囲気下で
１分〜２０叫間熱処理することを特徴とする磁気記録用
合金薄膜の製造法。
及び
２窒素ガスを含んだ不活性ガス雰囲気中でスパツタ一法
またはイオンプレーテイング法によつて、窒素３〜４０
原子％、ニツケル０．１〜４８．５原子％、残部コバル
トを含み、かつニツケルの含有量がコバルトの含有量を
越えない範囲の組成よりなる合金の薄膜を基板上に生成
させ、該薄膜を２５０〜７００℃非酸化性雰囲気下で１
分〜２００時間熱処理することを特徴とする磁気記録用
合金薄膜の製造法にある。
またはイオンプレーテイング法によつて、窒素３〜４０
原子％、ニツケル０．１〜４８．５原子％、残部コバル
トを含み、かつニツケルの含有量がコバルトの含有量を
越えない範囲の組成よりなる合金の薄膜を基板上に生成
させ、該薄膜を２５０〜７００℃非酸化性雰囲気下で１
分〜２００時間熱処理することを特徴とする磁気記録用
合金薄膜の製造法にある。
前記組成の合金薄膜を作成するには、窒素１〜１００％
含むアルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中でスパ
ツタ一法またはイオンプレーテイング法によつて行う。
合金のいずれかの組成においても、未熱処理薄膜中の窒
素含有量が３原子％より低いと熱処理後の膜面内に強い
Ｃ軸配向性が得られず、．Ｈｃ，Ｓ※等の磁気特性が著
しく低下する。また窒素含有量が４０％を越えると、熱
処理後の膜中のＨｃｐ構造中に磁気特性を低下させる異
方性の極めて小さい面心立方晶構造（以下Ｆｃｃと記載
する）が混在するようになり、Ｈｃ，Ｓ※等！の磁気特
性が悪くなる。従つて、未熱処理膜中の窒素は３〜４０
原子％であることが必要である。未熱処理膜中の窒素が
３〜４０原子％てあるＣＯ−Ｎｊ合金の場合においては
、Ｎｉの含有量は０．１〜４８．５原子％で、かつＮｉ
の含有量がＣＯ含有く量を越えてはならない。Ｎｉ含有
量が０．１原子％より少ないと、Ｎｉを加えた効果が少
なく、また４８．５原子％を超え、またＮｉの含有量を
越えると、熱処理後の膜の構造がＨｃｐ構造よりもＦＣ
Ｃ構造となり易くなり、Ｈｃ，Ｂｒ，Ｓ※等の磁気特性
が低下する。生成した薄膜は、酸化を防ぐために、真空
中あるいは窒素を含んだアルゴン、ヘリウム等の不活性
ガス雰囲気中で行うことが必要である。この熱処理は２
５０〜７００分〜２０（転）間行う。温度が２５０℃未
満あるいは１分より短いと結晶化が十分行われないため
、十分な磁気特性が得られない。一方温度が７００℃を
越え、あるいは２０叫間を越えると結晶粒がノ 粗大化
し、さらに下地基板と反応したりして磁気特性が低下す
る。従つて、熱処理は前記条件で行うことが必要である
。本発明の方法で得られる薄膜は、従来使用されている
酸化膜（γ−Ｆｅ２Ｏ３）微粒子塗布膜や現在．検討中
の酸化物薄膜と比較して、Ｂｒ，Ｈｃ，Ｓ＊等の磁気特
性においてはるかに優れているため、記録媒体の薄層化
が可能となり、その結果高記録密度が達成され、磁気デ
イスク等の記録媒体の大容量化に貢献するものと考えら
れる。
含むアルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中でスパ
ツタ一法またはイオンプレーテイング法によつて行う。
合金のいずれかの組成においても、未熱処理薄膜中の窒
素含有量が３原子％より低いと熱処理後の膜面内に強い
Ｃ軸配向性が得られず、．Ｈｃ，Ｓ※等の磁気特性が著
しく低下する。また窒素含有量が４０％を越えると、熱
処理後の膜中のＨｃｐ構造中に磁気特性を低下させる異
方性の極めて小さい面心立方晶構造（以下Ｆｃｃと記載
する）が混在するようになり、Ｈｃ，Ｓ※等！の磁気特
性が悪くなる。従つて、未熱処理膜中の窒素は３〜４０
原子％であることが必要である。未熱処理膜中の窒素が
３〜４０原子％てあるＣＯ−Ｎｊ合金の場合においては
、Ｎｉの含有量は０．１〜４８．５原子％で、かつＮｉ
の含有量がＣＯ含有く量を越えてはならない。Ｎｉ含有
量が０．１原子％より少ないと、Ｎｉを加えた効果が少
なく、また４８．５原子％を超え、またＮｉの含有量を
越えると、熱処理後の膜の構造がＨｃｐ構造よりもＦＣ
Ｃ構造となり易くなり、Ｈｃ，Ｂｒ，Ｓ※等の磁気特性
が低下する。生成した薄膜は、酸化を防ぐために、真空
中あるいは窒素を含んだアルゴン、ヘリウム等の不活性
ガス雰囲気中で行うことが必要である。この熱処理は２
５０〜７００分〜２０（転）間行う。温度が２５０℃未
満あるいは１分より短いと結晶化が十分行われないため
、十分な磁気特性が得られない。一方温度が７００℃を
越え、あるいは２０叫間を越えると結晶粒がノ 粗大化
し、さらに下地基板と反応したりして磁気特性が低下す
る。従つて、熱処理は前記条件で行うことが必要である
。本発明の方法で得られる薄膜は、従来使用されている
酸化膜（γ−Ｆｅ２Ｏ３）微粒子塗布膜や現在．検討中
の酸化物薄膜と比較して、Ｂｒ，Ｈｃ，Ｓ＊等の磁気特
性においてはるかに優れているため、記録媒体の薄層化
が可能となり、その結果高記録密度が達成され、磁気デ
イスク等の記録媒体の大容量化に貢献するものと考えら
れる。
さらに本発゛明の方法で得られる膜は安定な結晶構造を
もち熱的に安定で、しかも薄膜中のＣＯあるいはＣＯ−
Ｎｊ合金のキユ一り温度Ｔｃが高いため、磁気特性の温
度変化や経時変化がきわめて小さく、ＣＯ−Ｐ（リン）
、ＣＯ−Ｎｉ−Ｐメツキ膜における．ような熱的不安定
性の問題も解消される。一方本発明における合金薄膜の
ような金属記録媒体には酸化や摩耗を防止するためのＳ
ｉＯ，ＳｌＯ２等の保護膜を被覆する必要があるが、本
発明の製造法では記録媒体および保護膜の作製および熱
処理を同一槽内で連続して行ないえるので、作業が単純
化でき、その技術的ならびに経済的効果はきわめて大き
い。また熱処理温度が比較的低いため、磁気デイスク用
に通常使用されているに合金基板の使用も可能である。
以上のように本発明の方法で得られる合金薄膜は優れた
磁気特性をもち、しかも熱的にきわめて安定なため、磁
気デイスク等の高記録密度化、大容量化、高速化を可能
にし、情報処理分野に多いに貢献するものと考える。
もち熱的に安定で、しかも薄膜中のＣＯあるいはＣＯ−
Ｎｊ合金のキユ一り温度Ｔｃが高いため、磁気特性の温
度変化や経時変化がきわめて小さく、ＣＯ−Ｐ（リン）
、ＣＯ−Ｎｉ−Ｐメツキ膜における．ような熱的不安定
性の問題も解消される。一方本発明における合金薄膜の
ような金属記録媒体には酸化や摩耗を防止するためのＳ
ｉＯ，ＳｌＯ２等の保護膜を被覆する必要があるが、本
発明の製造法では記録媒体および保護膜の作製および熱
処理を同一槽内で連続して行ないえるので、作業が単純
化でき、その技術的ならびに経済的効果はきわめて大き
い。また熱処理温度が比較的低いため、磁気デイスク用
に通常使用されているに合金基板の使用も可能である。
以上のように本発明の方法で得られる合金薄膜は優れた
磁気特性をもち、しかも熱的にきわめて安定なため、磁
気デイスク等の高記録密度化、大容量化、高速化を可能
にし、情報処理分野に多いに貢献するものと考える。
実施例 １
窒素ガス（Ｎ２ガス）濃度７，２４，５０％を含むアル
ゴン（ＡＯガス雰囲気中で８０ＴｗｔφのＣＯターゲツ
トおよびＣＯ−３０原子％Ｎｉ合金ターゲツトを用い、
雰囲気圧７×１０−２Ｔ０ｒｒ、極間電圧０．８ＫＶ、
極間隔４ｈ等の条件のもとで、スパツタ一法によつて液
体窒素で冷却した石英（１４ｗ！ｎφ）およびガラス（
１８×１８ＴＩ０ｎ）基板上に厚さ０．１μの窒素（Ｎ
）１０，２５，３５原子％を含むＣＯ合金薄膜およびＣ
Ｏ−３０原子％Ｎｉ合金薄膜、さらに厚さ０．０５およ
び０．４μのＮ２４原子％を含むＣＯ−３０原子％Ｎｉ
合金薄膜を作製し、真空中、２９０℃、２０時間の熱処
理をおこなつた。
ゴン（ＡＯガス雰囲気中で８０ＴｗｔφのＣＯターゲツ
トおよびＣＯ−３０原子％Ｎｉ合金ターゲツトを用い、
雰囲気圧７×１０−２Ｔ０ｒｒ、極間電圧０．８ＫＶ、
極間隔４ｈ等の条件のもとで、スパツタ一法によつて液
体窒素で冷却した石英（１４ｗ！ｎφ）およびガラス（
１８×１８ＴＩ０ｎ）基板上に厚さ０．１μの窒素（Ｎ
）１０，２５，３５原子％を含むＣＯ合金薄膜およびＣ
Ｏ−３０原子％Ｎｉ合金薄膜、さらに厚さ０．０５およ
び０．４μのＮ２４原子％を含むＣＯ−３０原子％Ｎｉ
合金薄膜を作製し、真空中、２９０℃、２０時間の熱処
理をおこなつた。
これらの試料の保磁力ＨＣｌ残留磁束密度Ｂｒｌ角型比
Ｓ＊等の磁気特性を第１表に示す。未熱処理膜中のＮ含
有量の増加とともにＳ＊は大きくなるが、Ｂｒは減少す
る傾向を示す。また膜厚が薄くなると磁気特性は漸次良
くなる。いずれの未熱処理膜中のＮ組成および厚さにお
いても磁気記録に要求さる磁気特性を満たしている。な
お、スパツタ一法に代え、イオンプレーテイング法によ
つて同様に行つたところ、ほぼ同様な結果が得られた。
Ｓ＊等の磁気特性を第１表に示す。未熱処理膜中のＮ含
有量の増加とともにＳ＊は大きくなるが、Ｂｒは減少す
る傾向を示す。また膜厚が薄くなると磁気特性は漸次良
くなる。いずれの未熱処理膜中のＮ組成および厚さにお
いても磁気記録に要求さる磁気特性を満たしている。な
お、スパツタ一法に代え、イオンプレーテイング法によ
つて同様に行つたところ、ほぼ同様な結果が得られた。
実施例 ２
Ｎ２ガス濃度２４％を含むＡｒガス雰囲気中て８０ｗｒ
ｍφのＣＯ−１０原子％Ｎｉ．．ＣＯ−２０原子％Ｎｉ
．．ＣＯ−３０原子％Ｎｉ．．ＣＯ−４０原子％Ｎｉ．
ＣＯ−５０原子％Ｎｉ合金ターゲツトを用い、実施例１
と同じスパツタ一条件でＮ２４原子％含むＣＯ−Ｎｉ合
金薄膜を作製したγのち、真空中、２９０℃、２０時間
の熱処理をおこなつた。
ｍφのＣＯ−１０原子％Ｎｉ．．ＣＯ−２０原子％Ｎｉ
．．ＣＯ−３０原子％Ｎｉ．．ＣＯ−４０原子％Ｎｉ．
ＣＯ−５０原子％Ｎｉ合金ターゲツトを用い、実施例１
と同じスパツタ一条件でＮ２４原子％含むＣＯ−Ｎｉ合
金薄膜を作製したγのち、真空中、２９０℃、２０時間
の熱処理をおこなつた。
これらの試料の磁気特性を第２表に示す。この場合薄膜
中のＣＯ．５Ｎｉの組成比はターゲツトのＣＯ（５Ｎｉ
の組成比に等しい。いずれのＮｉ組成においても、優え
た磁気特性を示すが、特にＣＯ−３０原子％Ｎｉにおい
て最高値を示すことがわかる。このことからＮｉの組成
を変えることによつて所定の特性を容易に選択できるこ
とがわかる。実施例 ３８０ｍｍφのＣＯ−３０原子％
Ｎｉ合金ターゲットを用い実施例２と同一のスパツタ一
条件で作製した厚さ０．１μのＮ２４原子％を含むＣＯ
−３０原子％Ｎｉ合金薄膜を真空中２７０℃、１００時
間、２９０℃、２０時間、４００゜Ｃ１１時間、５００
′Ｃｌｌ扮間の熱処理をおこなつた。
中のＣＯ．５Ｎｉの組成比はターゲツトのＣＯ（５Ｎｉ
の組成比に等しい。いずれのＮｉ組成においても、優え
た磁気特性を示すが、特にＣＯ−３０原子％Ｎｉにおい
て最高値を示すことがわかる。このことからＮｉの組成
を変えることによつて所定の特性を容易に選択できるこ
とがわかる。実施例 ３８０ｍｍφのＣＯ−３０原子％
Ｎｉ合金ターゲットを用い実施例２と同一のスパツタ一
条件で作製した厚さ０．１μのＮ２４原子％を含むＣＯ
−３０原子％Ｎｉ合金薄膜を真空中２７０℃、１００時
間、２９０℃、２０時間、４００゜Ｃ１１時間、５００
′Ｃｌｌ扮間の熱処理をおこなつた。
これらの試料の磁気特性を第３表に示す。熱処理温度の
上昇とともにＨｃ，Ｓ＊等の磁気特性は漸次低下する。
これは生成膜中の結晶粒が熱処理温度の上昇とともに大
くなるために考えられる。しかしいずれの熱処理温度に
おいても磁気記録材料に適合する特性が得られることが
わかる。また熱処理時間は熱処理温度が高くなるにした
がつて短かくて良い。このように熱処理温度を変えるこ
とによつても所定の特性を選択することができる。なお
実施例３０５方法古作製した合金薄膜の上に、同一装置
内で、薄膜の酸化？よび摩耗を防止する目的で厚さ０．
０５および０．１μの石英（ＳｉＯ２）薄膜をスパツタ
一方法によつて被覆し、その後真空中、２９０℃、２０
時間の熱処理を施した。
上昇とともにＨｃ，Ｓ＊等の磁気特性は漸次低下する。
これは生成膜中の結晶粒が熱処理温度の上昇とともに大
くなるために考えられる。しかしいずれの熱処理温度に
おいても磁気記録材料に適合する特性が得られることが
わかる。また熱処理時間は熱処理温度が高くなるにした
がつて短かくて良い。このように熱処理温度を変えるこ
とによつても所定の特性を選択することができる。なお
実施例３０５方法古作製した合金薄膜の上に、同一装置
内で、薄膜の酸化？よび摩耗を防止する目的で厚さ０．
０５および０．１μの石英（ＳｉＯ２）薄膜をスパツタ
一方法によつて被覆し、その後真空中、２９０℃、２０
時間の熱処理を施した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒素ガスを含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッター
法またはイオンプレーティング法によつて、窒素３〜４
０原子％、残部コバルトよりなる合金の薄膜を基板上に
生成させ、該薄膜を２５０〜７００℃非酸化性雰囲気下
で１分〜２００時間熱処理することを特徴とする磁気記
録用合金薄膜の製造法。 ２ 窒素ガスを含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッター
法またはイオンプレーティング法によつて、窒素３〜４
０原子％、ニッケル０．１〜４８．５原子％、残部コバ
ルトを含み、かつニッケルの含有量がコバルトの含有量
を越えない範囲の組成よりなる合金の薄膜を基板上に生
成させ、該薄膜を２５０〜７００℃非酸化性雰囲下で１
分〜２００時間熱処理することを特徴とする磁気記録用
合金薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14763680A JPS6044813B2 (ja) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | 磁気記録用合金薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14763680A JPS6044813B2 (ja) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | 磁気記録用合金薄膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5772307A JPS5772307A (en) | 1982-05-06 |
| JPS6044813B2 true JPS6044813B2 (ja) | 1985-10-05 |
Family
ID=15434807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14763680A Expired JPS6044813B2 (ja) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | 磁気記録用合金薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044813B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57153411A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-22 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
| JPS61175920A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-07 | Hitachi Metals Ltd | 磁気デイスク基板 |
| JPS62208412A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPS62269306A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 軟質磁性薄膜およびその製造方法 |
-
1980
- 1980-10-23 JP JP14763680A patent/JPS6044813B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5772307A (en) | 1982-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0416848B2 (ja) | ||
| JPS63187414A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH03216811A (ja) | 薄膜磁気ディスクの製造方法 | |
| JP3298893B2 (ja) | 双結晶クラスタ磁気記録媒体 | |
| JP2911782B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| WO1991006948A1 (fr) | Procede de production d'un support d'enregistrement magnetique | |
| JPH01263910A (ja) | 垂直磁気記録媒体および磁気ディスク装置 | |
| JPS63237210A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US4663193A (en) | Process for manufacturing magnetic recording medium | |
| JP2991672B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2006502522A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JPS61276116A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0719372B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS62117143A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6313256B2 (ja) | ||
| JPS61246914A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH02216609A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JP2989820B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2911783B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2935606B2 (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
| JP2989821B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS62141628A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0268712A (ja) | 薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH0653041A (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
| JPS59119533A (ja) | 垂直磁化記録用磁気記録媒体 |