JPH03216831A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は記録装置等に用いられる光磁気記録媒体に関す
る。

【従来の技術】 光磁気記録は，情報の記録・再生・消去が可能な光記録
である．これらの機能につけ加えて、近年，オーバライ
トができるようにした新しい光磁気記録方式が提案され
ている。オーバライトが可能な光磁気記録方式は、磁界
変調方式と光強度変調方式とに大きく２つに分けられる
。両者の方式を比較した場合、高速変調・高速記録が可
能である点や、２枚の光磁気記録媒体を貼り合わせた構
造を取ることができる点等から、後者の方式の方が有利
である。 光強度変調方式を実現するためには、特開昭６２−１７
５９４８に記載されているような光磁気記録媒体を用い
る。すなわち、記録媒体に用いる磁性層としては、磁気
的な結合をもたせた交換結合二層膜を用いる。 第２図から第５図は、従来より知られている交換結合二
層膜を用いた光強度変調方式の説明図である。記録に用
いる磁性膜は補助層と記録層の二層膜からなる。第２図
に示すように、室温Ｔｒにおいては記録層の保磁力８は
、補助層の保磁力９よりも大きく、また補助層のキュリ
ー温度Ｔ，は記録層のキュリー温度Ｔ０よりも高いよう
に構成する．記録に当たってはまず第３図に示すように
初期化磁石１７により補助層１５の磁化１８を初期化磁
界１３の方向にそろえる。ここで初期化磁界１３の大き
さは、第２図に示すように室温における補助層１５の保
磁力９よりも大きく、しかも記録層４の保磁力８よりも
小さく設定してあるため、初期化磁界１３が印加されて
も記録層４の磁化１９の向きは変わらない。 情報を記録する際には、第２図に示す一定強度のバイア
ス磁界１４のもとでレーザ光の強度を、第６図に示すよ
うに、高いレーザパワーレベル（以後Ｐ｝ｌと記す）２
３と低いレーザパワーレベル（以後ＰＬと記す）２４と
の間で変調させる。第４図（ａ）あるいは第５図（ａ）
に示すようにレーザ光２０は絞り込みレンズ２１により
絞り込まれ、磁性膜上に照射される。レーザ光強度がＰ
Ｉ４のときは、第４図（ａ）に示すようにレーザ光２０
により照射される領域の温度は、補助層１５のキュリー
温度Ｔ，近くになるため、記録層４の磁化は消滅し、補
助層１５の磁化は永久磁石２２によって印加されるバイ
アス磁界１４の方向に向く。レーザ光の照射が終了し磁
性膜が冷却する際には、第４図（ｂ）に示すように、記
録層４の磁化もバイアス磁界１４の方向に発生する。 一方レーザ光強度がＰしのときは、第５図（ａ）に示す
ように、、レーザ光２０により照射される領域の温度は
、記録層４のキュリー温度ＴＩｌ近くになる。このため
、補助層１５の保磁力９は、第２図に示すように，バイ
アス磁界１４よりも大きいから磁化の反転は起こらない
。レーザ光の照射が終了し磁性膜が冷却する際には、記
録層４の磁化は補助層１５の磁化とバイアス磁界１４よ
りも大きな交換結合力を有しているため、記録層４の磁
化もバイアス磁界１４とは逆方向に向く。

【発明が解決しようとする課題］ しかしながら上記従来技術では、ＰＬ照射時に交換結合
力を利用して記録層４の磁化を補助層１５の磁化にそろ
えるために、補助層１５の膜厚は記録層４の膜厚よりも
厚い必要があり、およそ１０００人？２０００人の厚さ
が必要であった．従って記録層４と合わせた膜厚は１５
００人〜３０００人　にもなってしまうため、ＰＬ．　
ＰＨのパワーが著しく大きいという問題があった。 本発明の目的は、交換結合二層膜を有し、記録感度を向
上させた光磁気記録媒体を提供することにある．本発明
の他の目的は、記録感度を向上させた、オーバライト可
能な光磁気記録媒体を提供することにある。 【課題を解決するための手段】 上記目的は、（１）基板と、該基板上に設けられた磁性
層とを少なくとも有する光磁気記録媒体において，該磁
性層は記録層、第１補助層、第２補助層からなり、該記
録層、第１補助層、第２補助層のキュリー温度をそれぞ
れＴ■、Ｔ２、Ｔ，としたとき、 Ｔエ〈Ｔ２、　　　Ｔ４≧Ｔ， の関係を満足することを特徴とする光磁気記録媒体、（
２）上記第１補助層、第２補助層のキュリー温度Ｔ２、
Ｔ）は Ｔ　ｘ　＞　Ｔ　ｓ の関係を満足することを特徴とする上記１記載の光磁気
記録媒体、（３）上記記録層、第１補助層、第２補助層
のキュリー温度Ｔ１、Ｔ２、Ｔ，はそれぞれ １００℃≦Ｔユ≦２５０℃、 １５０℃≦Ｔ２≦３５０℃、 １００℃≦Ｔ，≦３００℃、 の範囲にあることを特徴とする上記１又は２記載の光磁
気記録媒体、（４）上記第１補助層と第２補助層とは室
温において一体となって磁化反転し、そのときの第１補
助層と第２補助層の保磁力は、記録層の保磁力よりも小
さいことを特徴とする上記１、２又は３記載の光磁気記
録媒体、（５）上記第２補助層は，その組成が膜厚方向
に連続的に変化することを特徴とする上記４記載の光磁
気記録媒体、（６）上記第２補助層は、組成の異なる複
数の層からなることを特徴とする上記４記載の光磁気記
録媒体、（７）上記第２補助層の保磁力を上記第１補助
層の保磁力より小さくしたことを？徴とする上記４記載
の光磁気記録媒体、（８）基板と、該基板上に少なくと
も磁性層を有する光磁気記録媒体において、該磁性層は
記録層、第１補助層、第２補助層からなり，該記録層、
第１補助層のキュリー温度をそれぞれＴ■、Ｔ２とした
とき、 Ｔよ＜Ｔ， の関係を満足し、該第１補助層、第２補助層のキュリー
温度はは実質的に同一であり、該キュリー温度近くの温
度における該第２補助層の保磁力が該第１補助層の保磁
力より小さいことを特徴とする光磁気記録媒体、（９）
上記第１補助層と第２補助層とは室温において一体とな
って磁化反転し、そのときの第１補助層と第２補助層の
保磁力は、記録層の保磁力よりも小さいことを特徴とす
る上記８記載の光磁気記録媒体により達成される。 本発明は、磁性層を三層とし、例えば第７図に示すよう
に基板に近い側から記録層４、第１補助層５、第２補助
層６とする。さらに各層のキュリー温度を上記の関係を
満足するよう構成する。 ？録層のキュリー温度Ｔ■は、力一回転角をある程度大
きくするために、１００℃以上２５０℃以下であること
が望ましい。第１補助層のキュリー温度Ｔ２は、記録層
のキュリー温度Ｔ．よりも高く設定しなければならない
ため、１５０℃以上３５０℃以下が望ましい。第２補助
層のキュリー温度Ｔ，は第１補助層のキュリー温度Ｔ２
よりも低くなければならないため、１００℃以上３００
℃以下が望ましい。さらにそれぞれのキュリー温度が１
５０℃≦Ｔ１≦２１０℃、２００℃≦Ｔ２≦３００℃、
１５０℃≦Ｔ，≦２５０℃の範囲であることがより好ま
しい。 記録層の厚みは、１００〜８００人の範囲であることが
好ましく、第１補助層の厚みは，４００〜１５００人の
範囲であることが好ましく、さらに第２補助層の厚みは
、１００〜１０００人の範囲であることが好ましい。 さらに、記録層と第１補助層及び第１補助層と第２補助
層は各々磁気的な結合力が作用しており、しかも第８図
の磁化一磁界曲線に示すように、室温において第１、第
２補助層は一体となって磁化反転し、そのときの保磁力
２５は，記録層の保磁カ２６よりも小さくすることが好
ましい。 磁性層には、Ｒを希土類元素，ＴをＦｅ．　Ｃｏ、Ｎｉ
から選ばれる１種以上の元素、Ｍを遷移金属としたとき
、一般式が （ＲＸＴＩ−ｘ）ｘ−ＹＭＹ． ０．１≦Ｘ≦０．４、　　Ｏ≦Ｙ≦０．２で表わされる
材料を用いることが好ましい。例えばＴｂ−Ｆｅ，　Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ．　Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ．　Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ及びこれらに少量のＣｕ．　Ｗ．　Ｔ１、　
Ｖ．　Ｃｒ．　Ｓｎ．　Ｐｂ、ＭＯ、Ｎｂ．　Ｐｔ．　
Ｐｄ．　Ｒｈ等の少なくとも一種を添加したものが用い
られる。記録層は情報の記録・再生を担う層であるため
、力一回転角が大きくなるように材料組成を決定するの
が好ましい。このためには、例えばＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、
Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ．　Ｔｂ−Ｄｙ−ＦｅＣｏ等の組成が
好ましい。また第１補助層は初期化磁界により磁化の向
きが容易に反転しなければならないため、室温において
比較的小さな保磁力を持つように材料組成を決定するの
が好ましい。このためには、例えばＴｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ及び
これらに少量の３１、ｐｂ等を添加した材料を用いる。 第２補助層はＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ．　　Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
．　Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ．　Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ．　
Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等の組成が用いられる。第２補
助層を構成する元素は、第１補助層を構成する元素と同
じであることが好ましい。例えば第１補助層にＴｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏを用いたならば、第２補助層には第１補
助層よりもキュリー温度の低いＴｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ
を用いる。ただし、構成する元素が異なっても、第１補
助層と第２補助層が室温において一体となって磁化反転
するような特性を得ることができる。例えば第１補助層
をＴｂ−Ｆｅとし、第２補助層をＤｙ−Ｆｅとすること
も可能である。 また第２補助層はその組成が連続的に変わるようにして
構成してもよい。さらには第２補助層を更にいくつかの
積層膜から構成してもよい。いづれの場合にも、第２補
助層のキュリー温度は、第１補助層のキュリー温度と実
質的に同じが又はそれよりも低いことが必要である。 基板としては、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート等が用いられる。また、三層の磁性層の
片面又は両面に誘電体層を設けることが好ましい。誘電
体層としては窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化シ
リコン、酸化アルミニウム等が用いられる。

【作用１ レーザ光が記録層側から入射すると、第９図に示すよう
に磁性層が加熱され、記録層側では温度が高く、第２補
助層側では温度が低いような温度分布２７が生じる。Ｐ
Ｈレベルのレーザ光が照射された際にはこの温度分布は
、記録層の部分では該磁性層のキュリー温度Ｔ１よりも
高く、第１補助層の部分では該磁性層のキュリー温度Ｔ
２よりも高く，さらに、第２補助層の部分では該磁性層
のキュリー温度Ｔ３よりも高くなるように形づくられる
。従って第２補助層の温度の絶対値がそれほど高くなく
とも、第１１図（ａ）に示すように、記録層４、第１補
助層５、第２補助層６のそれぞれの磁化１９、２９、３
０がいずれも消滅し、レーザ光の照射が終了し各層が冷
却する際に、第１１図（ｂ）に？すようにそれぞれの磁
化がバイアス磁界１４の方向を向き、その初期状態から
反転する。Ｔよ、Ｔ２，Ｔ３の上下関係は第９図に示さ
れた場合（Ｔ３＜Ｔ，＜Ｔ２）だけでな＜　　Ｔ１＜Ｔ
．＜７２であっても同様な作用が得られるのはもちろん
である。 以上はＰＨ照射時の記録についての説明であるが、磁性
層の初期化及びＰＬ照射時の記録（正確には消去）動作
も従来と原理的に同じである。すなわち、第１０図に示
すように記録にあたっては事前に初期化磁石１７により
、第１、第２補助層５、６の磁化２９、３０を、初期化
磁界ｌ３の方向にそろえる。ここで初期化磁界１３の大
きさは、第８図に示すように、室温における第１、第２
補助層の保磁力２５よりも大きく、しかも記録層の保磁
力２６よりも小さく設定しておく。そのため、第１０図
に示すように、初期化磁界１３が印加されても記録層の
磁化１９の向きは変わらない。 レーザ光強度がＰＬのときは第１２図（ａ）に示すよう
に、レーザ光２０により照射され゛る領域の温度は．記
録層のキュリー温度Ｔ■近くになる。このとき、第１、
第２補助層の保磁力は、従来の光磁気記録媒体における
補助層の保磁力９と同様に、バイアス磁界１４よりも大
きく設定してあるため磁化の反転は起こらない。レーザ
光の照射が終了し磁性膜が冷却する際には、記録層の磁
化ｌ９は第１補助層の磁化２９と、バイアス磁界１４よ
りも大きな交換結合力を有しているため、第１２図（ｂ
）に示すように、記録層４の磁化１９もバイアス磁界１
４とは逆方向に向く。 なお交換結合力の大きさは各磁性層の飽和磁化、膜厚を
ＭＳ，、ｈ１、Ｍｓ２、ｈ２．Ｍｓ．，、ｈ３とし記録
層、第１補助層界面及び第１、第２補助層界面の磁壁エ
ネルギーをσ冒い　σ−とじたとき、磁界Ｈｅｘｃとし
て 記録層に働く交換結合力・・・・・・ Ｈｅｘｃ，　＝　ａ　ｗ．　／　２　Ｍ　ｓ．　ｈ．、
第１補助層に働く交換結合力・・・・・Ｈｅｘｃ２，　
＝　ａ　ｗ１／　２　Ｍｓｚｈｚ　（記録層に対して）
Ｈｅｘｃ２３＝：　ａ　Ｗ，　／　２　Ｍｓｚｈｚ　（
第２補助層に対して）第２補助層に働く交換結合力・・
・・・・Ｈｅｘｃ，＝　　ａ　ｗ．／　２　Ｍ　Ｓ，ｈ
ｌのように表わされる。従って、交換結合力の大きさを
制御するためには、磁壁エネルギーσＷや記録層、第１
、第２補助層のＭｓやｈを制御すればよい。磁壁エネル
ギーを制御するためには、例えば、（１）各層形成後に
窒素ガスを含んだアルゴンガス雰囲気中に一定時間保持
し、磁壁エネルギーを減少させる、（２）各層表面をス
パッタエッチし，磁壁エネルギーを増加させる等の手法
が用いられる。また飽和磁化の制御のためには、Ｖ．　
Ｃｒ．　Ｍｎ、Ｃｕ．　Ｓｎ．　Ｓｂ等の微量元素を添
加する等の手法が用いられる。 第１補助層と第２補助層とが同一のキュリー温度を持つ
材料から構成されている場合であっても、キュリー温度
近くの保磁力が、第１補助層よりも第２補助層の方が小
さくなるように構成しておけば上述したのと同様な作用
を得ることができる。 【実施例］ 以下、本発明の実施例を第１図により説明する。 実施例１ 円板上のガラス基板１上には、１．６μｍのピッチでグ
ループが形成された紫外線硬化樹脂層２が、厚さ３０μ
ｍだけ設けられている。この上にスパッタリングにより
以下の膜を製膜した。まず窒化シリコン膜３を８５０人
だけ積層した。スパッタリングに際してはシリコンをタ
ーケゲットとしアルゴンと窒素との混合ガスをスパツタ
ガスとし１×１０−２Ｔｏｒｒの圧力で行なった。窒素
ガスの混合比を変えることにより、窒化シリコンの屈折
率を制御することが可能である。ここでは屈折率が２．
０となるように、窒素ガス混合比を１０％とした。次に
記録層としてキュリー温度Ｔエが１７０℃のＴｂ２，Ｆ
ｅ，２Ｃｏ，膜を４００人、第１補助層５としてＴ２が
２５０℃のＴｂｘｔＤｙｘｃＦｅｓｏＣＯｉｔ膜を１０
００人，第２補助層６としてＴ，が２００℃のＴＥｌｘ
ｓＤｙｚｏＦｅｓｓＣＯｔｏ膜を５００人、それぞれ積
層した。ターゲットとしてはＦｅの板の上にＴｂ．　Ｄ
ｙ．　Ｃｏ等のチップを配置した複合ターゲットを用い
た。もちろん合金ターゲットを用いてもよい。最後に磁
性層４、５、６が酸化・腐食されるのを防ぐために、窒
化シリコン膜７を１０００人だけ形成した。 こうして完成した光磁気記録媒体２５にレーザ光を照射
して記録を行なったところ、表１に示すような特性が得
られた。比較例として、記録層の上に補助層としてＴｃ
が２５０℃のＴｔ）ｘｔＤｙｔｉＦｅｓｏｃＯｘｔ膜を
１５００人の厚さだけ設けた光磁気記録媒体を示した。 両光磁気記録媒体とも磁性層の厚さは１９００人である
が、線速１１ｍ／ｓｅｅでＩＭＨｚの信号（ｄｕｔｙ５
０％）を記録するのに要する最小記録パワー及び１３ｎ
＋Ｗのレーザ光で記録した際の信号再生時の搬送波対雑
音比Ｃ／Ｎは、本発明の光磁気記録媒体において各々８
ｍＷ．５５ｄＢであった。これに対し比較例における光
磁気記録媒体では各々１０ｍＷ、５０ｄ　Ｂにとどまっ
た。本光磁気記録媒体においては記録パワーにして２Ｉ
ｏＷもの高感度化が図られており、このため同一記録パ
ワー（１３ｎ＋Ｗ）で記録したときには、より大きな記
録磁区（マーク）が形成されるため、Ｃ／Ｎも良くなっ
ている。 （以下余白） 表 １ 実施例２〜６ 記録層、第１、第２補助層の材料を表２に示すような材
料を用いて、他は実施例ｌと同様にして光磁気記録媒体
を作成した。例えば実施例２では記録層としてＴｂ，　
，　ＦｅＧＩＣｏ，膜（Ｔ，　＝　２００℃、ｈ１＝　
５００人）を、第１補助層としてＧｄ２４ＦｅＧ．ｃｏ
．膜（Ｔ２＝３００℃、ｈ　，　：５００人）を、第２
補助層としてＧｄ，。 ｒｂｌ２Ｆｅ７．ｃｏ．膜（ち＝１７０℃、ｈ３＝５０
０人）を用いている。この実施例２では、記録層，第１
補助層ともにキュリー温度が高く設定してあるため、周
囲環境温度の変動に対しても安定なオーバライト特性を
得ることができる。また実施例３では、記録層？カー回
転角の大きなＧｄエ。丁ｂ，　Ｆｅ，■を用いているた
め、再生性能の向上が図れる。実施例４では、記録層に
Ｎｂが添加されているため、磁性層の高耐食化を図るこ
とができる。Ｎｂに変えてＣｒを用いることもできる。 他の媒体構成例として。例えば第１補助層と第２補助層
とを、連続的に組成が変化するひとつの磁性層で構成し
てもよい。実施例５では記録層にＴｂ１，Ｆｅ，。Ｃｏ
，Ｃｒ，膜（Ｔ，　＝　１９０℃、ｈ，　＝　３００人
）を用いその上に、記録層に近い側ではＴｂｚＪｅＧ４
ｃｏ１■（Ｔ２＝　２２０℃）、遠い側ではＴｂ２　ｚ
　Ｄ）’ｚ　Ｆｅ６ｓ　Ｃｏｔ　ｏ　（Ｔｚ　＝２００
℃）の組成となるように、第１，第２補助層中に組成勾
配を設けてある。第１、第２補助層の合計の厚みは１１
００人である。更に実施例６では，記録層にＴｂｘｏＤ
ＹｓＦｅ７＠Ｃｏ６膜（Ｔ．　＝　２１０℃、ｈ．　＝
　２００人）を、第１補助層にＴｂｚＪｅｉａＣＯ１ｅ
Ｃｕ＊膜（Ｔ２＝　２６０℃、ｈ２＝ｓｏｏ人）を形成
したのち，第２補助層をＴｂエ，Ｆｅ，　，　Ｃｏ，　
，膜（Ｔ，　＝　２５０℃、ｌ１３＝３００人）とＴｂ
１．ＦｅｓａＣｏｉ，膜（Ｔ４＝　２３０℃．　ｈ．＝
３００人）の二層で構成したものである５実施例５にお
いては、Ｄｙ濃度が、基板から大気側に向かって除々に
増加しており、ＣＯ濃度は逆に減少するようにした。こ
のように組成勾配を設けることにより、初期化磁界が低
減する効果が見られた。また実施例６においては、記録
に必要なレーザパワーが更に小さくなる効果が見られた
。 （以下余白） 表２ ？施例７ 第１補助層より保磁力が小さい第２補助層を積層するこ
とにより，初期化磁界の大きさを低減した例を示す。記
録層にＴｂ，，Ｆｅ，４Ｃｏ，膜（Ｔ１＝　１９０℃、
ｈ■＝　４００人、単層での保磁力Ｈｅ　＝１５ＫＯｅ
）．第１補助層にＴｂｘｓＤＹ１７Ｆｅｓ７ＣＯｚ＊膜
（Ｔ，　＝　２９０℃、ｈ，　＝　４００人、単層での
Ｈａ＝４ＫＯｅ）、第２補助層にＴＩ）ｚｏＤ！／ｔｔ
Ｆｅ４３Ｃｏ２。膜（Ｔ，　＝　２５０℃、ｈ，　＝　
６００人、単層でのＨｅ＝　２ＫＯｅ）を用いて積層膜
を構成したところ、第１、第２補助層のＨｃはＩ　ＫＯ
ｅとなっていた。記録層上に第１補助層を１０００人だ
け積層したときの第１補助層の保磁力は３　ＫＯｅであ
ったので、初期化磁界を大幅に低減させることができた
。 【発明の効果】 本発明によれば、磁性層を三層設け、記録層、第１補助
層、第２補助層とし、各層のキュリー温度をＴ１、Ｔ２
、Ｔ３としたとき、Ｔ１＜　Ｔ，、Ｔ２≧Ｔ，の関係を
満足するように構成したため、従来よりも低い強度のレ
ーザパワーで記録や消去を行なうことができる。このた
め、従来、線速２０ｍ／　Ｓｅｃにおける記録が、半導
体レーザの最大出力の関係から限度であったが、本発明
により、４４ｍ／ｓｅｅでの記録が可能となった．この
線速は直径約９．５インチの光磁気記録媒体を３６０Ｏ
ｒｐｍで回転したときの最外周付近での線速である。こ
のような大口径光磁気記録媒体が実現されることにより
、動画像等の高速多量の情報を本発明になる光磁気記録
媒体に記憶させることができた。 また本発明によれば，記録層と第１補助層との間及び第
１補助層と第２補助層との間に各々磁気的な結合力が作
用しており，しかも室温において第１、第２補助層は一
体となって磁化反転し、そのときの反転磁界（保磁力）
を記録層の保磁力よりも小さくすることにより、光強度
変調によるオーバライトを可能とした。 また第１補助層の保磁力より小さく，飽和磁化が逆に大
きいような第２補助層を用いたときには、第１、第２補
助層の保磁力は各々の磁性層が単層状態にあるときの保
磁力よりも小さくなるため、初期化磁界を小さくできる
という効果がある。 第１補助層と第２補助層とが実質的に同一のキュリー温
度を持つ材料から構成されている場合であっても、キュ
リー温度近くの保磁力が，第１補助層よりも第２補助層
の方が小さくなるように構成しておけば，記録感度向上
という前述した効果を得ることができる。ただし、充分
な感度向上を図るためには、第１補助層のキュリー温度
Ｔ２と第２補助層のキュリー温度Ｔ，との温度差が３℃
以上より好ましくは５℃以上あることが望ましい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の光磁気記録媒体の断面構
造模式図、第２図、第３図、第４図、第５図は、従来の
光強度変調記録の原理を説明する模式図、第６図は、レ
ーザバワーの時間的変化を説明するための図、第７図は
、本発明の光磁気記録媒体の原理を説明するための模式
図、第８図、第９図は、その特性を示す図、第ｌＯ図，
第１１図、第１２図は本発明の光磁気記録媒体を用いた
光強度変調記録の原理を説明する模式図である。 １・・基板　　　　　　２・・・紫外線硬化樹脂層４・
・・記録層 ６・・・第２補助層 ９・・・補助層の保磁力 Ｔ１丁，・・・キュリー温度 １３・・・初期化磁界 １５・・・補助層 １８、１９、２９、３０・・・磁化 ２０・・・レーザ光　　　　２１・・・絞り込みレンズ
２３・・・高いレーザパヮーレベル ２４・・・低いレーザパヮーレベル ２５・・・第１、第２補助層の保磁力 ２６・・・記録層の保磁力 ２７・・・温度分布 ５・・・第１補助層 ８・・・記録層の保磁力 Ｔｒ・・・室温 ｌ４・・・バイアス磁界 １７・・・初期化磁石

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板と、該基板上に設けられた磁性層とを少なくと
   も有する光磁気記録媒体において、該磁性層は記録層、
   第１補助層、第２補助層からなり、該記録層、第１補助
   層、第２補助層のキュリー温度をそれぞれＴ＿１、Ｔ＿
   ２、Ｔ＿３としたとき、Ｔ＿１＜Ｔ＿２、Ｔ＿２≧Ｔ＿
   ３ の関係を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、上記第１補助層、第２補助層のキュリー温度Ｔ＿２
   、Ｔ＿３は Ｔ＿２＞Ｔ＿３ の関係を満足することを特徴とする請求項１記載の光磁
   気記録媒体。 ３、上記記録層、第１補助層、第２補助層のキュリー温
   度Ｔ＿１、Ｔ＿２、Ｔ＿３はそれぞれ１００℃≦Ｔ＿１
   ≦２５０℃、 １５０℃≦Ｔ＿２≦３５０℃、 １００℃≦Ｔ＿３≦３００℃、 の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２記載の光
   磁気記録媒体。 ４、上記第１補助層と第２補助層とは室温において一体
   となって磁化反転し、そのときの第１補助層と第２補助
   層の保磁力は、記録層の保磁力よりも小さいことを特徴
   とする請求項１、２又は３記載の光磁気記録媒体。 ５、上記第２補助層は、その組成が膜厚方向に連続的に
   変化することを特徴とする請求項４記載の光磁気記録媒
   体。 ６、上記第２補助層は、組成の異なる複数の層からなる
   ことを特徴とする請求項４記載の光磁気記録媒体。 ７、上記第２補助層の保磁力を上記第１補助層の保磁力
   より小さくしたことを特徴とする請求項４記載の光磁気
   記録媒体。 ８、基板と、該基板上に少なくとも磁性層を有する光磁
   気記録媒体において、該磁性層は記録層、第１補助層、
   第２補助層からなり、該記録層、第１補助層のキュリー
   温度をそれぞれＴ＿１、Ｔ＿２としたとき、 Ｔ＿１＜Ｔ＿２ の関係を満足し、該第１補助層、第２補助層のキュリー
   温度はは実質的に同一であり、該キュリー温度近くの温
   度における該第２補助層の保磁力が該第１補助層の保磁
   力より小さいことを特徴とする光磁気記録媒体。 ９、上記第１補助層と第２補助層とは室温において一体
   となって磁化反転し、そのときの第１補助層と第２補助
   層の保磁力は、記録層の保磁力よりも小さいことを特徴
   とする請求項８記載の光磁気記録媒体。