JPH03216915A - 化合物超電導線材 - Google Patents
化合物超電導線材Info
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- JPH03216915A JPH03216915A JP2012886A JP1288690A JPH03216915A JP H03216915 A JPH03216915 A JP H03216915A JP 2012886 A JP2012886 A JP 2012886A JP 1288690 A JP1288690 A JP 1288690A JP H03216915 A JPH03216915 A JP H03216915A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- wire
- hot extrusion
- superconducting
- sliver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導電磁石に使用する化合物８ｌ電導線材に
関し、特に臨界電流密度を向上させたものである． 〔従来の技術〕 現在超電導線材の実用化は盛んであるあるが、これをさ
らに進めるうえで線材に流しうる電流の大きさを高める
こと、即ち臨界電流密度Ｊ，を」一げることは１つの重
要な課題となっている．現在趙電導線材を電磁石として
使用する場合に上記の高Ｊ，化を図る１つの方法として
は、超電導線材のコイルにより発生する磁場内で該超電
導線材中に侵入する磁束を線材内で捕らえる方法がある
．なおこのように線材中に侵入する磁束を捕らえること
をピン止めといい、ビン止めの効果を有するものをピン
ニングセンターと呼んでいる．ところで、化合物超電導
線材におけるピンニングセンターは通常結晶粒界である
ことが知られている，ＮｂｓＳｎ線材では、Ｎｂコアあ
るいはマトリソクス中にＴａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｇａなどを
添加して粒界をよりダーティにし、量子化された磁束を
対象として働く要素的ビンニングカを増大させ、Ｊｃを
向上させてきた． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述のように、化合物超電導線において粒界をピンニン
グセンターとすると、ビンニングカＦＰは印加磁場Ｂと
の間にＦＰ ｏｃ（ｌ Ｂ／Ｂｃ）”の関係を有する
ことが知られている．ここでＢｃは臨界磁場である．従
って、印加磁場の強さが臨界磁場に近づくと、ビンニン
グカは象．激に小さくなり、Ｊｃは高磁場で減少すると
いう問題があった．〔課題を解決するための手段と作用
〕 本発明は上記問題点を解決した化合物超電導線材を提供
するもので、化合物超電導フィラメントを有する化合物
超電導線材において、線化合物超電導フィラメント内部
に非超電導物質からなるピンニングセンターを有するこ
とを特徴とするものである． 本発明は、化合物超電導フィラメント内に導入された非
８ｌ電導物質あるいは超電導物質であってもＨＣＸの差
があるものは押出し、伸線加工により引き伸ばされ、ピ
ンニングセンターとして有効に働き、要素的ビンニング
カを増加させて臨界磁場に近い高磁場においてＪ，を増
加させるという新しい知見に基づくものである．本発明
において前記非超電導物質としては、加工が容易なＣｕ
，Ｔａ等を用いるのが望ましい． 〔実施例〕 以下、実施例に基づいて本発明を説明する．第１図は本
発明にかかる化合物超電導線材の製造工程における断面
図を示し、径４０■の７−ｔ％のＴｉを含むＮｂＴｉビ
レット（１）に径２．ＯＭの穴を８５本あけ、それらの
穴の中にＴａ棒（２）を埋め込み、外側にＣｕシース（
３）をかぶせ、熱間押出しをおこない、伸線し、Ｃｕシ
ース（３）を除去して対面間隔２−の六角一次素線（４
）を製作した．次いで、外径４５閣、内径３３閣の１３
．５ｗｔ％のＳｎを含むブロンズビレット（５）の内側
に肉厚ｌ閣のＣｕバリア（６）を配したものに１９０本
の前記一次素線（４）を挿入し、真空引きの後６５０゜
Ｃにて熱間押出しをおこない、中間焼鈍と伸線工程を繰
り返して対面間隔２ｍの二次素綿（７）を製作した．さ
らに、外径６７閣、内径５０閣のブロンズビレット（８
）に３８０本の二次素線（７）を挿入し、熱間押出し、
中間焼鈍、伸線工程を繰返し、拡散熱処理を経て外径０
． １５−のＮ ｂ ｚ Ｓ ｎ超電導線材（９）を得
た．このようにして得られた超電導線材（９）のＮ ｂ
．Ｓ ｎフィラメント径は３−であり、フィラメント中
のＴａの体積比率は１７．５％であった．上記実施例の
サンプルと、上記実施例でＴａを含まない従来例のサン
プルを比較サンプルとして用意し印加磁場と臨界電流密
度の関係を測定し、その結果を第１表に示した． 第 ｌ 表 この結果より、Ｎｂ，Ｓｎフィラメント中にＴａを有す
る本実施例のサンプルは、Ｔａを含まない従来例に比較
して高いｊｃを有し、高磁場になるほどｊ，の従来例に
対する増加割合は大きくなり、高磁場における超電導特
性は格段に改善された．これはＴａがビン止め点として
有効であることを意味するものである．なお、本発明は
Ｎｂ３Ｓｎ以外のＡ１５型構造を有する化合物趙電導線
にも通用できることはいうまでもない。
関し、特に臨界電流密度を向上させたものである． 〔従来の技術〕 現在超電導線材の実用化は盛んであるあるが、これをさ
らに進めるうえで線材に流しうる電流の大きさを高める
こと、即ち臨界電流密度Ｊ，を」一げることは１つの重
要な課題となっている．現在趙電導線材を電磁石として
使用する場合に上記の高Ｊ，化を図る１つの方法として
は、超電導線材のコイルにより発生する磁場内で該超電
導線材中に侵入する磁束を線材内で捕らえる方法がある
．なおこのように線材中に侵入する磁束を捕らえること
をピン止めといい、ビン止めの効果を有するものをピン
ニングセンターと呼んでいる．ところで、化合物超電導
線材におけるピンニングセンターは通常結晶粒界である
ことが知られている，ＮｂｓＳｎ線材では、Ｎｂコアあ
るいはマトリソクス中にＴａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｇａなどを
添加して粒界をよりダーティにし、量子化された磁束を
対象として働く要素的ビンニングカを増大させ、Ｊｃを
向上させてきた． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述のように、化合物超電導線において粒界をピンニン
グセンターとすると、ビンニングカＦＰは印加磁場Ｂと
の間にＦＰ ｏｃ（ｌ Ｂ／Ｂｃ）”の関係を有する
ことが知られている．ここでＢｃは臨界磁場である．従
って、印加磁場の強さが臨界磁場に近づくと、ビンニン
グカは象．激に小さくなり、Ｊｃは高磁場で減少すると
いう問題があった．〔課題を解決するための手段と作用
〕 本発明は上記問題点を解決した化合物超電導線材を提供
するもので、化合物超電導フィラメントを有する化合物
超電導線材において、線化合物超電導フィラメント内部
に非超電導物質からなるピンニングセンターを有するこ
とを特徴とするものである． 本発明は、化合物超電導フィラメント内に導入された非
８ｌ電導物質あるいは超電導物質であってもＨＣＸの差
があるものは押出し、伸線加工により引き伸ばされ、ピ
ンニングセンターとして有効に働き、要素的ビンニング
カを増加させて臨界磁場に近い高磁場においてＪ，を増
加させるという新しい知見に基づくものである．本発明
において前記非超電導物質としては、加工が容易なＣｕ
，Ｔａ等を用いるのが望ましい． 〔実施例〕 以下、実施例に基づいて本発明を説明する．第１図は本
発明にかかる化合物超電導線材の製造工程における断面
図を示し、径４０■の７−ｔ％のＴｉを含むＮｂＴｉビ
レット（１）に径２．ＯＭの穴を８５本あけ、それらの
穴の中にＴａ棒（２）を埋め込み、外側にＣｕシース（
３）をかぶせ、熱間押出しをおこない、伸線し、Ｃｕシ
ース（３）を除去して対面間隔２−の六角一次素線（４
）を製作した．次いで、外径４５閣、内径３３閣の１３
．５ｗｔ％のＳｎを含むブロンズビレット（５）の内側
に肉厚ｌ閣のＣｕバリア（６）を配したものに１９０本
の前記一次素線（４）を挿入し、真空引きの後６５０゜
Ｃにて熱間押出しをおこない、中間焼鈍と伸線工程を繰
り返して対面間隔２ｍの二次素綿（７）を製作した．さ
らに、外径６７閣、内径５０閣のブロンズビレット（８
）に３８０本の二次素線（７）を挿入し、熱間押出し、
中間焼鈍、伸線工程を繰返し、拡散熱処理を経て外径０
． １５−のＮ ｂ ｚ Ｓ ｎ超電導線材（９）を得
た．このようにして得られた超電導線材（９）のＮ ｂ
．Ｓ ｎフィラメント径は３−であり、フィラメント中
のＴａの体積比率は１７．５％であった．上記実施例の
サンプルと、上記実施例でＴａを含まない従来例のサン
プルを比較サンプルとして用意し印加磁場と臨界電流密
度の関係を測定し、その結果を第１表に示した． 第 ｌ 表 この結果より、Ｎｂ，Ｓｎフィラメント中にＴａを有す
る本実施例のサンプルは、Ｔａを含まない従来例に比較
して高いｊｃを有し、高磁場になるほどｊ，の従来例に
対する増加割合は大きくなり、高磁場における超電導特
性は格段に改善された．これはＴａがビン止め点として
有効であることを意味するものである．なお、本発明は
Ｎｂ３Ｓｎ以外のＡ１５型構造を有する化合物趙電導線
にも通用できることはいうまでもない。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、化合物超電導フィ
ラメントはその内部に非超電導物質からなるピンニング
センターを有するため、臨界電流密度が増加し、特に高
磁場における０＝界ｉｉｔ流密度が著しく増加するとい
う優れた効果がある。
ラメントはその内部に非超電導物質からなるピンニング
センターを有するため、臨界電流密度が増加し、特に高
磁場における０＝界ｉｉｔ流密度が著しく増加するとい
う優れた効果がある。
第１図は本発明にかかる化合物起電導線材の一実施例の
各製造工程における断面図である。
各製造工程における断面図である。
Claims (1)
- 化合物超電導フィラメントを有する化合物超電導線材に
おいて、線化合物超電導フィラメント内部に非超電導物
質からなるピンニングセンターを有することを特徴とす
る化合物超電導線材。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012886A JPH03216915A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 化合物超電導線材 |
| CA002033325A CA2033325C (en) | 1989-08-25 | 1990-05-28 | Superconducting wire and method of manufacturing the same |
| DE69022972T DE69022972T2 (de) | 1989-08-25 | 1990-05-28 | Supraleitfähiges drahtmaterial und verfahren zur herstellung. |
| EP90907477A EP0440799B1 (en) | 1989-08-25 | 1990-05-28 | Superconductive wire material and method of producing the same |
| KR1019910700286A KR0158459B1 (ko) | 1989-08-25 | 1990-05-28 | 초전도선재 및그 제조방법 |
| PCT/JP1990/000680 WO1991003060A1 (en) | 1989-08-25 | 1990-05-28 | Superconductive wire material and method of producing the same |
| FI911966A FI103222B (fi) | 1989-08-25 | 1991-04-23 | Suprajohtava johdin ja menetelmä suprajohtavan johdinrakenteen valmist amiseksi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012886A JPH03216915A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 化合物超電導線材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216915A true JPH03216915A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11817888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012886A Pending JPH03216915A (ja) | 1989-08-25 | 1990-01-23 | 化合物超電導線材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03216915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027089A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Bruker Biospin Ag | 銅包含物を含む超伝導エレメント及び複合材料及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP2012886A patent/JPH03216915A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027089A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Bruker Biospin Ag | 銅包含物を含む超伝導エレメント及び複合材料及びその製造方法 |
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