JPH03217103A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03217103A JPH03217103A JP1415890A JP1415890A JPH03217103A JP H03217103 A JPH03217103 A JP H03217103A JP 1415890 A JP1415890 A JP 1415890A JP 1415890 A JP1415890 A JP 1415890A JP H03217103 A JPH03217103 A JP H03217103A
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- JP
- Japan
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- capacitance
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- gate
- insulators
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- Pending
Links
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Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、移動無線機の送信電力増幅用に好適な半導体
装置に関する。
装置に関する。
従来の技術
従来、この種の送信電力増幅用の半導体素子は、小さな
増幅素子を多数並列に動作させて高出力を得ており、入
力インピーダンスは、非常に小さい。
増幅素子を多数並列に動作させて高出力を得ており、入
力インピーダンスは、非常に小さい。
したがって、増幅用素子チップの近傍に容量を付加する
ことが、高出力化、安定性の面で有利である。第２図（
ａ）は従来の電力増幅素子の等価回路、第２図（ｂ）は
平面図で、パッケージ内部に増幅用素子チップとは別の
チップで形成した容量部をマウントした構成になってい
た。
ことが、高出力化、安定性の面で有利である。第２図（
ａ）は従来の電力増幅素子の等価回路、第２図（ｂ）は
平面図で、パッケージ内部に増幅用素子チップとは別の
チップで形成した容量部をマウントした構成になってい
た。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、２個の半導体チップを使用
するため、パッケージを小型化することが困難であった
。また、小型化のため、容量を取り除いた構成にした場
合、外部整合回路が複雑になったり、安定性が悪くなる
という課題があった。
するため、パッケージを小型化することが困難であった
。また、小型化のため、容量を取り除いた構成にした場
合、外部整合回路が複雑になったり、安定性が悪くなる
という課題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、小型で安定
な高周波電力増幅用半導体装置を提供することを目的と
するものである。
な高周波電力増幅用半導体装置を提供することを目的と
するものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は容量をノくツケージ
の金属リードと絶縁部で形成する構成としたものである
。
の金属リードと絶縁部で形成する構成としたものである
。
作用
この構成により、小型で安定性にすぐれた高周波送信用
電力増幅半導体装置を提供することとなる。
電力増幅半導体装置を提供することとなる。
実施例
第１図（ａｌは本発明の一実施例による９００ＭＨｚ帯
，２Ｗ出力用ＧａＡｓバワーＦＥＴ半導体装置の断面図
、第１図偽》は同平面図である。
，２Ｗ出力用ＧａＡｓバワーＦＥＴ半導体装置の断面図
、第１図偽》は同平面図である。
第１図（ａ），第１図（ｂ）において、パッケージは、
ゲートリード１，ドレインリード２、ソース端子として
用いるヒートシンク３、ソースとゲートを絶縁し容量を
形成する絶縁物４、ソースとドレインを絶縁する絶縁物
５、ＧａＡｓパワーＦＥＴチップ６からなる。
ゲートリード１，ドレインリード２、ソース端子として
用いるヒートシンク３、ソースとゲートを絶縁し容量を
形成する絶縁物４、ソースとドレインを絶縁する絶縁物
５、ＧａＡｓパワーＦＥＴチップ６からなる。
通常、上記のＦＥＴの場合、数ｐＦの容量をゲート・ソ
ース間に入れる。
ース間に入れる。
容量の大きさは、リードの絶縁物上の面積、絶縁物の材
質（誘電率）及び厚さで決定される。
質（誘電率）及び厚さで決定される。
例えば、リード面積：７＋ｍｍＸ１ｍｍ絶縁物：アルミ
ナ（誘電率９．６） 厚さ ０．５＋ｍ の場合、容量は約８． ３ ｐ Ｆとなる。
ナ（誘電率９．６） 厚さ ０．５＋ｍ の場合、容量は約８． ３ ｐ Ｆとなる。
また、絶縁物の誘電率は、アルミナの他にベリリア（Ｂ
ｅｄ） ６．７窒化アルミニウム（Ａ Ｉ
Ｎ） ４． ２〜４．５３ ヒタセラＡ （Ｓ ｉｃ／ＢｅＯ） ４０等があり、
用途により使い分けられる。
ｅｄ） ６．７窒化アルミニウム（Ａ Ｉ
Ｎ） ４． ２〜４．５３ ヒタセラＡ （Ｓ ｉｃ／ＢｅＯ） ４０等があり、
用途により使い分けられる。
また、入出力の帰還容量を低減し、入力容量を最適化す
るため、絶縁物はヒートシンクで中央を分離した形状で
構成される。
るため、絶縁物はヒートシンクで中央を分離した形状で
構成される。
なお、このパッケージは、同じ用途のＳｔバイポーラト
ランジスタにも用いることができる。
ランジスタにも用いることができる。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように、本発明によれば、パ
ッケージに用いる絶縁物を容量として用いるため、小型
で安定性にすぐれた送信用電力増幅素子が構成される。
ッケージに用いる絶縁物を容量として用いるため、小型
で安定性にすぐれた送信用電力増幅素子が構成される。
第１図（ａｌは本発明の一実施例による半導体装置の断
面図、第１図（ｂｌは同平面図、第２図Ｔａｌは従来の
ＦＥＴ半導体装置の等価回ｔ第２図（ｂｌは同平面図で
ある。 １・・・・・・ゲートリード、２・・・・・・ドレイン
リード、３・・・・・・ヒートシンク（ソース）、４・
・・・・・容量を形成する絶縁物、５・・・・・・絶縁
物、６・・・・・・ＧａＡｓ ＦＥＴ４ チップ。
面図、第１図（ｂｌは同平面図、第２図Ｔａｌは従来の
ＦＥＴ半導体装置の等価回ｔ第２図（ｂｌは同平面図で
ある。 １・・・・・・ゲートリード、２・・・・・・ドレイン
リード、３・・・・・・ヒートシンク（ソース）、４・
・・・・・容量を形成する絶縁物、５・・・・・・絶縁
物、６・・・・・・ＧａＡｓ ＦＥＴ４ チップ。
Claims (1)
- パッケージ内に収納される外部リード部の直下または
直上に誘電体物質を配設し、両者で整合容量を形成した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1415890A JPH03217103A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1415890A JPH03217103A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217103A true JPH03217103A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11853343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1415890A Pending JPH03217103A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03217103A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0524763A3 (ja) * | 1991-07-22 | 1994-02-16 | Motorola Inc | |
| JPH06268092A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Rohm Co Ltd | 高周波用ｆｅｔおよび高周波ｆｅｔ用パッケージ |
| JP2007267026A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 高出力増幅器 |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP1415890A patent/JPH03217103A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0524763A3 (ja) * | 1991-07-22 | 1994-02-16 | Motorola Inc | |
| JPH06268092A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Rohm Co Ltd | 高周波用ｆｅｔおよび高周波ｆｅｔ用パッケージ |
| JP2007267026A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 高出力増幅器 |
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