JPH03217116A - Level shifting circuit - Google Patents

Level shifting circuit

Info

Publication number
JPH03217116A
JPH03217116A JP2014139A JP1413990A JPH03217116A JP H03217116 A JPH03217116 A JP H03217116A JP 2014139 A JP2014139 A JP 2014139A JP 1413990 A JP1413990 A JP 1413990A JP H03217116 A JPH03217116 A JP H03217116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
power supply
supply voltage
signal
channel transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014139A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshifumi Hamaguchi
濱口 敏文
Masashi Masuda
増田 雅司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2014139A priority Critical patent/JPH03217116A/en
Publication of JPH03217116A publication Critical patent/JPH03217116A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は同一半導体基板内の信号電圧レベルを変更する
ためのレベルシフト回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a level shift circuit for changing signal voltage levels within the same semiconductor substrate.

従来の技術 電圧レベルの変換が必要な信号において、その静的状態
で消費電流が大きいことは、半導体装置の性能を著しく
低下させる。従って、その静的状態での電流をいかに抑
えるかということが、半導体装置にとって重要である。
BACKGROUND ART Signals that require voltage level conversion consume a large amount of current in a static state, which significantly degrades the performance of semiconductor devices. Therefore, it is important for semiconductor devices how to suppress the current in the static state.

以下、従来の信号電圧のレベルシフト回路について説明
する。
A conventional signal voltage level shift circuit will be described below.

第3図は従来の信号電圧のレベルシフト回路の具体例で
ある。
FIG. 3 shows a specific example of a conventional signal voltage level shift circuit.

この回路は、Pチャンネルトランジスタ1.3とNチャ
ンネルトランジスタ2,4で構成され、トランジスタ1
.2のゲートには入力信号10が入力され、トランジス
タ1.2のドレインとトランジスタ3,4のゲートは信
号線11で結ばれ、トランジスタ3.4のドレインから
出力信号12が出力される。このとき、トランジスタ1
のソースにはVL,}ランジスタ3のソースにはVHが
印加されているとする( V o > V L )。
This circuit consists of a P-channel transistor 1.3 and an N-channel transistor 2, 4.
.. An input signal 10 is input to the gate of transistor 2, the drain of transistor 1.2 and the gates of transistors 3 and 4 are connected by a signal line 11, and an output signal 12 is output from the drain of transistor 3.4. At this time, transistor 1
It is assumed that VL is applied to the source of transistor 3, and VH is applied to the source of transistor 3 (V o > V L ).

入力信号10がVLであるとき、トランジスタ1.4は
オフし、トランジスタ2.3はオンするため、出力信号
12はVoとなる。
When the input signal 10 is VL, the transistor 1.4 is turned off and the transistor 2.3 is turned on, so the output signal 12 becomes Vo.

次に、入力信号10がOになると、トランジスタ1はオ
ン、トランジスタ2はオフするため、信号線11にはV
tが出力される。このときトランジスタ3.4はともに
オンするが、電流の差によって、出力信号l2は0とな
る。
Next, when the input signal 10 becomes O, transistor 1 is turned on and transistor 2 is turned off, so that the signal line 11 has V
t is output. At this time, both transistors 3 and 4 are turned on, but the output signal l2 becomes 0 due to the difference in current.

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来の構成では、高電源電圧側のト
ランジスタのゲートに低電源電圧の信号が印加されたと
き、静的状態でも貫通電流が流れてしまうという問題が
あった。
Problems to be Solved by the Invention However, the conventional configuration described above has a problem in that when a low power supply voltage signal is applied to the gate of the transistor on the high power supply voltage side, a through current flows even in a static state. .

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、静的状態
では消費電流を最小にすることのできるレベルシフト回
路を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and aims to provide a level shift circuit that can minimize current consumption in a static state.

課題を解決するための手段 この目的を解決するために本発明のレベルシフト回路は
、低電源電圧を出力するNチャンネルトランジスタと低
電源電圧を高電源電圧に昇圧する昇圧回路を備えている
Means for Solving the Problems To solve this object, the level shift circuit of the present invention includes an N-channel transistor that outputs a low power supply voltage and a booster circuit that boosts the low power supply voltage to a high power supply voltage.

作用 この構成によって、Nチャンネルトランジスタと昇圧回
路が、低電源電圧の信号を高電源電圧に昇圧するため、
消費電流を最小にすることができる。
Effect: With this configuration, the N-channel transistor and the booster circuit boost the low power supply voltage signal to the high power supply voltage.
Current consumption can be minimized.

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
EXAMPLE Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明のレベルシフト回路の具体例である。FIG. 1 shows a specific example of the level shift circuit of the present invention.

この回路は、入力信号10を入力とする低電源電圧動作
のインバータ5と、インバータ5の出力を入力とし低電
源電圧を信号線11に出力するNチャンネルトランジス
タ6と、信号線11を低電源電圧から高電源電圧に昇圧
する昇圧回路7から構成される。昇圧回路7はPチャン
ネルトランジスタ71とインバータ72から構成される
。なお、Pチャンネルトランジスタ3、Nチャンネルト
ランジスタ2,4は従来例の構成と同じである。トラン
ジスタ2のゲートには入力信号10が入力され、トラン
ジスタ2,6のドレインとトランジスタ3,4のゲート
は信号線11で結ばれ、トランジスタ3.4のドレイン
から出力信号12が出力される。このとき、低電源電圧
をVLs高電源電圧をVHとする。
This circuit includes an inverter 5 operating at a low power supply voltage that receives an input signal 10, an N-channel transistor 6 that receives the output of the inverter 5 and outputs a low power supply voltage to a signal line 11, and a signal line 11 connected to a low power supply voltage. It is composed of a booster circuit 7 that boosts the voltage from a high power supply voltage to a high power supply voltage. Booster circuit 7 is composed of a P-channel transistor 71 and an inverter 72. Note that the P-channel transistor 3 and the N-channel transistors 2 and 4 have the same structure as the conventional example. An input signal 10 is input to the gate of the transistor 2, the drains of the transistors 2 and 6 and the gates of the transistors 3 and 4 are connected by a signal line 11, and an output signal 12 is output from the drain of the transistor 3.4. At this time, the low power supply voltage is VL and the high power supply voltage is VH.

以上のように構成された本実施例のレベルシフト回路に
ついて、以下その動作を説明する。
The operation of the level shift circuit of this embodiment configured as described above will be explained below.

入力信号10がVLであったとき、トランジスタ4.6
はオフし、トランジスタ2.3はオフするため、信号線
11は0となり、昇圧回路7は動作せず、出力信号12
はvHとなる。
When the input signal 10 is VL, the transistor 4.6
is turned off and transistors 2.3 are turned off, so the signal line 11 becomes 0, the booster circuit 7 does not operate, and the output signal 12
becomes vH.

次に入力信号10が0になると、トランジスタ6はオン
、トランジスタ2はオフするため、信号線11にはVt
が出力される。信号線11の電圧レベルMLは、昇圧回
路7によって昇圧され、vHとなる。その結果、トラン
ジスタ3はオフし、トランジスタ4がオンするため、出
力信号12は0となる。
Next, when the input signal 10 becomes 0, the transistor 6 is turned on and the transistor 2 is turned off, so that the signal line 11 has Vt.
is output. Voltage level ML of signal line 11 is boosted by booster circuit 7 and becomes vH. As a result, transistor 3 is turned off and transistor 4 is turned on, so that output signal 12 becomes 0.

以上のように本実施例によれば、信号線11に昇圧回路
7を接続したため、トランジスタ3のゲートに低電源電
圧レベルVLが静的状態で印加されることがない。さら
に信号線11がVHに昇圧されたとき、トランジスタ6
はオフするため、信号線11から、低電圧源に電流は流
れない。従って、静的状態となったとき、貫通電流が流
れないため、消費電流を最小とすることができる。
As described above, according to this embodiment, since the booster circuit 7 is connected to the signal line 11, the low power supply voltage level VL is not statically applied to the gate of the transistor 3. Further, when the signal line 11 is boosted to VH, the transistor 6
is turned off, so no current flows from the signal line 11 to the low voltage source. Therefore, when the device is in a static state, no through current flows, so current consumption can be minimized.

なお、第2図に示すように、昇圧回路7の構成5 を、出力信号12をゲート入力とするPチャンネルトラ
ンジスタ71としてもよい。
Note that, as shown in FIG. 2, the configuration 5 of the booster circuit 7 may be a P-channel transistor 71 whose gate input is the output signal 12.

発明の効果 本発明は、信号電圧の昇圧回路と昇圧によって生じる電
流の逆流を防ぐNチャンネルトランジスタを設けること
により、消費電流を最小にすることのできる優れたレベ
ルシフト回路を実現できるものである。
Effects of the Invention The present invention can realize an excellent level shift circuit that can minimize current consumption by providing a signal voltage booster circuit and an N-channel transistor that prevents reverse flow of current generated by the booster.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

路の回路図である。 1・・・・・・Pチャンネルトランジスタ、2・・・・
・・Nチャンネルトランジスタ、3・・・・・・Pチャ
ンネルトランジスタ、4・・・・・・Nチャンネルトラ
ンジスタ、5・・・・・・インパータ、6・・・・・・
Nチャンネルトランジスタ、7・・・・・・昇圧回路、
10・・・・・・入力信号、11・・・・・・信号線、
12・・・・・・出力信号、71・・・・・・Pチャン
ネルトランジスタ、72・・・・・・インバータ。
FIG. 1...P channel transistor, 2...
...N-channel transistor, 3...P-channel transistor, 4...N-channel transistor, 5...Inperter, 6...
N-channel transistor, 7...boost circuit,
10...Input signal, 11...Signal line,
12...Output signal, 71...P channel transistor, 72...Inverter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 低電源電圧レベルを出力するNチャンネルトランジスタ
とその低電源電圧レベルの信号を高電源電圧レベルに昇
圧する昇圧回路を備えたレベルシフト回路。
A level shift circuit that includes an N-channel transistor that outputs a low power supply voltage level and a booster circuit that boosts the signal at the low power supply voltage level to a high power supply voltage level.
JP2014139A 1990-01-23 1990-01-23 Level shifting circuit Pending JPH03217116A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014139A JPH03217116A (en) 1990-01-23 1990-01-23 Level shifting circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014139A JPH03217116A (en) 1990-01-23 1990-01-23 Level shifting circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03217116A true JPH03217116A (en) 1991-09-24

Family

ID=11852817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014139A Pending JPH03217116A (en) 1990-01-23 1990-01-23 Level shifting circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03217116A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04113594A (en) * 1990-08-31 1992-04-15 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Semiconductor integrated circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04113594A (en) * 1990-08-31 1992-04-15 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Semiconductor integrated circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4042839A (en) Low power dissipation combined enhancement depletion switching driver circuit
KR100363142B1 (en) Semiconductor Integrated Circuits with Three-State Logic Circuits
KR950007462B1 (en) Multimode input circuit
JPH0382151A (en) MOS type semiconductor integrated circuit
KR0159324B1 (en) Data output circuit
JPH04284021A (en) Output circuit
KR970001697B1 (en) Level shifting circuit
KR970067337A (en) High Voltage Level Shift Circuit Including CMOS Transistors with Gate Isolation Thin Films
JPH03217116A (en) Level shifting circuit
JP4048232B2 (en) Level shift circuit
KR960042746A (en) Dynamic Level Converters in Semiconductor Memory Devices
JPS6221324A (en) Logic integrated circuit
JP3211830B2 (en) CMOS level shifter circuit
JPS62276921A (en) Driver circuit
KR200329174Y1 (en) Buffer for reducing dissipation power
JPH03201620A (en) Level shift circuit
JPH05108562A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0225108A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS63250911A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0461417A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH0590913A (en) Dynamic flip-flop circuit
JPH03234119A (en) semiconductor integrated circuit
KR19980015391A (en) Level shifter of semiconductor device
JPH0157536B2 (en)
JPH0435413A (en) Low impedance output circuit