JPH03217224A

JPH03217224A - 真空容器のリーク機構

Info

Publication number: JPH03217224A
Application number: JP1069790A
Authority: JP
Inventors: Masao Matsumura; 正夫松村
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1990-01-22
Filing date: 1990-01-22
Publication date: 1991-09-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、半導体製造施設においてウエハの保管等に用
いられる真空容器に関し、特に、該容器の真空を破壊（
ブレーク）するため該真空容器内へ気体を導入する真空
容器のリーク機構に関する。

［従来の技術］従来、真空容器内の真空をブレークするためには、該真
空容器内へ気体を導入する管路中にスローリークバルブ
を取り付け、該バルブを操作して空気（エア）或いは不
活性ガスを緩やかに導入することによって行われていた
。

［発明が解決しようとする課題］しかし、この様な従来の方式では汚染の防止には不十分
であった。すなわち、真空容器内に保管されたウエハ等
の内容物に対する汚染は極力防止しなければならないが
、従来の技術では真空容器内へ導入される気体流の制御
が十分に行われていないので、エア或いは不活性ガスを
導入した際に乱流が発生する。そして、この乱流により
、容器内の汚染物質か舞い上がって内容物に再付着して
しまう。また、真空容器の内壁に付着していた汚染物質
がエア或いは不活性ガスの導入の際に剥離して、内容物
に再付着してしまうという問題がある。

内容物が例えばウエハである場合には、上記のような汚
染物質の再付着が起こると最終製品である半導体チップ
の歩留まりが悪化し、製造コストの高騰化を招く事とな
る。

本発明は上記した従来技術の問題点に鑑みて提案された
もので、真空がブレークされた際に内容物へ汚染物が再
付着することが防止される真空容器のリーク機構の提供
を目的としている。

［課題を解決するための手段］本発明の真空容器のリーク機構は、真空容器内の真空を
破壊するため該真空容器内へ気体を導入する真空容器の
リーク機構において、真空容器内へ気体を導入する気体
導入流路が前記真空容器と接続する導入口部分に気体流
制御手段を設け、該気体流制御手段は気体が流れる流路
と該流路の内部に設けた流速減少手段とを含んでいる。

本発明の実施に際して、真空容器内へ導入される気体が
空気である場合には、前記気体導入流路の空気流入口側
に目が微細なフィルタを設けて、外部からの粒子による
汚染を防止するのが好ましい。

また、前記気体流制御手段の上流側にクイックカップリ
ング等の自動接続機構を設け、真空容器を移動自在に構
成することも可能である。

さらに、前記流速減少手段としては、前記気体流制御手
段内瞬ある気体用の流路に形成した屈折部分或いは拡径
部分、該流路中に設置された多孔質体等が好ましい。

［作用コ上記したような構成を有する本発明によれば、清浄なエ
アや不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ等）が真空のブレークのた
め真空容器内へ導入される際に、゛これ等の気体は気体
流制御手段の内部に設けた流速減少手段により拡径、衝
突、流路抵抗等を受け、気流がコントロールされて低速
となり、不必要な乱流を発生させることがない。その結
果、容器内の汚染物質が舞い上がって内容物に再付着す
ることや、真空容器の内壁に付着していた汚染物質がエ
ア或いは不活性ガスの導入の際に剥離して内容物に再付
着してしまうことが防止される。

そのため、真空容器内に保管されていた内容物がウエハ
である場合には、その最終製品である半導体チップの歩
留まりも向上し、コストも低くなる。

［実施例］以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例につい
て説明する。

第１図において符号１０は真空容器を示し、該真空容器
には気体導入流路１２が接続されている。

この気体導入流路ｌ２は、合流部分１４においてエア導
入流路１６と不活性ガス導入流路１８とが合流している
。エア導入流路１６の端部にはエアフィルタ２０が設け
られている。一方、不活性ガス導入流路１８の端部は清
浄なＮ２、Ａｒ等の不活性ガスの図示しない貯蔵部と接
続されている。

なお、不活性ガス導入流路１８の端部を清浄空気源（図
示せず）に接続しても良い。

真空容器１０と気体導入流路１２とが接続している箇所
には、詳細を第２図、第３図に示す気体流制御手段２２
が設けられている。なお第１図において、符号２３、２
６、２８は開閉バルブ、符号３０はリークバルブ、符号
３２は真空ポンプ系を示している。

第２図、第３図において、気体導入流路１２に接続され
た気体流制御手段２２は気体が流れる流路２４から構成
されており、該流路２４は流速減少手段として屈折部分
３４、３６、３８、４０を含んでいる。また、屈折部分
３６、３８、４０の各々を境界とし、流路２４の上流側
に比較して下流側の管径が拡大している。換言すると、
屈折部分屈折部分３６、３８、４０の各々はそれぞれ拡
径部分４２、４４、４６を構成している。そして、前記
流路２４は点線２４ｔで示すような流路を形成する。

第１図、第２図、第３図の実施例において、真空容器１
０の真空をブレークするに際して、空気を使用する場合
にはバルブ２６を開放してバルブ２８を閉鎖し、そして
バルブ２３を開放し、リークバルブ３０を所定の開度に
設定すれば良い。導入される空気はエアフィルタ２０に
より清浄化されて気体導入流路１２内を通過する。

一方、清浄化されたＡｒ，Ｎ２等の不活性ガスを使用す
る場合には、バルブ２６を閉鎖してバルブ２８を開放す
る。この場合、導入されるガスは既に清浄化されている
ので、フィルタは不要である。

気体導入流路１２内を通過した気体は気体流制御手段２
２を介して真空容器１０内へ導入される。

ここで、該気体は第２図及び第３図中で矢印１．　Ｎで
示すように気体流制御手段２２内に導入され、矢印ＯＵ
Ｔで示すように真空容器１０内へ誘導されるが、気体流
制御手段２２内の流路２４の屈折部分３４、３６、３８
、４０及び拡径部分４２、４４、４６を通過する度に減
速されるので、真空容器１０内に到達した時には非常に
緩やかな流れとなっている。そのため、真空容器１０内
に乱流を発生させることがなく、汚染物質を舞い上げた
り、真空容器１０の内壁から汚染物質を剥離させてしま
うことは無い。従って、汚染物質が真空容器１０の内容
物（ウエハ等）を再汚染することが防止される。

第４図は気体流制御手段２２の他の実施例を示しており
、流路２４内に流速減少手段として多孔質体５０を設け
ている。この多孔質体５０により、流路２４を通過する
気体は更に減速されるのである。

第５図に示す実施例は、真空容器６０を脱着自在として
移動可能にせしめたものであり、気体流制御手段２２及
び真空ポンプ系３２の直ぐ上流において、自動接続機構
としてクイックカップリング６２、６４がそれぞれ設け
られている。真空容器６０を移動する際には、クイック
カップリング６２、６４をそれぞれ切り離せば良い。

［発明の効果］本発明の効果を以下に列挙する。

（１）　真空のブレークのため真空容器内へ導入される
清浄なエア或いは不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ等）が、気体
流制御手段の内部に設けた流速減少手段により拡径、衝
突、流路抵抗等を受け、その気流がコントロールされて
、不必要な乱流や巻上げ等を発生させることがない。

（２）　エア或いは不活性ガスを容器内へ導入する際に
、汚染物質が内容物に再付着することが防止される。

（３）　真空容器内に保管されていた内容物（ウエハ）
から製造される最終製品（例えば半導体チップ）の歩留
まりが向上し、コストも低くなる。

（４）　真空容器を脱着自在として移動可能することが
出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
第１図の実施例で用いられる気体流制御手段の正面断面
図、第３図は第２図のＸ矢視図、第４図は気体流制御手
段の他の実施例を示す正面断面図、第５図は本発明のそ
の他の実施例を示すブロック図である。１０・・・真空容器　　１２・・・気体導入流路　　２
２・・・気体流制御手段　　２４・・・気体流制御手段
の流路　　３４、３６、３８、４０・・・屈折部分４２
、４４、４６・・・拡径部分　　５０・・・多孔質体６
２、６４・・・自動接続機構第１図第２図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

真空容器内の真空を破壊するため該真空容器内へ気体を
導入する真空容器のリーク機構において、真空容器内へ
気体を導入する気体導入流路が前記真空容器と接続する
導入口部分に気体流制御手段を設け、該気体流制御手段
は気体が流れる流路と該流路の内部に設けた流速減少手
段とを含んでいることを特徴とする真空容器のリーク機
構。