JPH03217913A - 強制冷却装置及びその冷却方法 - Google Patents
強制冷却装置及びその冷却方法Info
- Publication number
- JPH03217913A JPH03217913A JP1180890A JP1180890A JPH03217913A JP H03217913 A JPH03217913 A JP H03217913A JP 1180890 A JP1180890 A JP 1180890A JP 1180890 A JP1180890 A JP 1180890A JP H03217913 A JPH03217913 A JP H03217913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature value
- temperature
- detected
- cooling
- set temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、例えば光ディスク装置の光ヘッドのように、
駆動時に近傍雰囲気温度の上昇に応じて上昇する物体温
度を、所定温度まで強制的に冷却する強制冷却装置及び
その冷却方法に関するものである。
駆動時に近傍雰囲気温度の上昇に応じて上昇する物体温
度を、所定温度まで強制的に冷却する強制冷却装置及び
その冷却方法に関するものである。
(従来の技術)
第2図は、従来の光ディスク装置における冷却方法を説
明するための図であって、1は半導体レザ、2は光ヘッ
ド、3は光ディスク、4はへ,,ドアクチュエータ、5
はスピンドルモータ、6はケース、7はファンである。
明するための図であって、1は半導体レザ、2は光ヘッ
ド、3は光ディスク、4はへ,,ドアクチュエータ、5
はスピンドルモータ、6はケース、7はファンである。
光ディスク装置では、半導体レーザ1から出射されるレ
ーザビームを光ヘッド2の光学系(図示せず)により、
記憶媒体である光ディスク3の上に集光して用いる。光
ヘッド2は、ヘッドアクチュエータ4によって光ディス
ク3の半径方向に移送することができ、レーザ集光スポ
・ントのトラ,7クアクセスが可能となっている。また
、光ディスク3はスピンドルモータ5によって回転させ
られ、レーザ集光スポットのトラック長手方向のアクセ
スが可能となっている。このレーザ集光スポ・ントのパ
ワーを適当に制御することによりデータの記録・再生が
行われる。
ーザビームを光ヘッド2の光学系(図示せず)により、
記憶媒体である光ディスク3の上に集光して用いる。光
ヘッド2は、ヘッドアクチュエータ4によって光ディス
ク3の半径方向に移送することができ、レーザ集光スポ
・ントのトラ,7クアクセスが可能となっている。また
、光ディスク3はスピンドルモータ5によって回転させ
られ、レーザ集光スポットのトラック長手方向のアクセ
スが可能となっている。このレーザ集光スポ・ントのパ
ワーを適当に制御することによりデータの記録・再生が
行われる。
この際、ヘッドアクチュエータ4及びスピンドルモータ
5の稼動に伴って熱が発生し、ケース6の内部の温度か
上昇して光ヘッド2及び半導体レサ1の温度が上昇する
。
5の稼動に伴って熱が発生し、ケース6の内部の温度か
上昇して光ヘッド2及び半導体レサ1の温度が上昇する
。
さらに、ヘッドアクチュエータ4からの熱伝導によって
も、光ヘッド2及び半導体レーザ1の温度が上昇する。
も、光ヘッド2及び半導体レーザ1の温度が上昇する。
一般に、半導体レーザ1は、使用時のパッケージ温度が
高くなるにしたがって、即ち、使用時の発光部温度が高
くなるにしたがって、その寿命が短くなることが知られ
ている。そこで、従来の光ディスク装置では、ファン7
を用いてケス6の内部の空気を外部の空気と強制的に換
気するように構成していた。
高くなるにしたがって、即ち、使用時の発光部温度が高
くなるにしたがって、その寿命が短くなることが知られ
ている。そこで、従来の光ディスク装置では、ファン7
を用いてケス6の内部の空気を外部の空気と強制的に換
気するように構成していた。
(発明が解決しようとする課題)
上記した従来の冷却方法は、ファン7による強制換気の
みで、積極的な冷却を行っていなかったので、半導体レ
ーザ1の使用温度を外気温より数度高い温度以下に下げ
ることができず、高温の環境で使用する場合に、半導体
レーザ1の寿命が短くなるという欠点があった。
みで、積極的な冷却を行っていなかったので、半導体レ
ーザ1の使用温度を外気温より数度高い温度以下に下げ
ることができず、高温の環境で使用する場合に、半導体
レーザ1の寿命が短くなるという欠点があった。
また、高速光ディスク装置では、ヘッドアクチュエータ
4及びスピンドルモータ5の発熱が大きく、かつ、半導
体レーザ1自体の発熱も大きいので、半導体レーザ1の
発光部の温度がより高くなり寿命が極めて短くなるとい
う欠点があった。
4及びスピンドルモータ5の発熱が大きく、かつ、半導
体レーザ1自体の発熱も大きいので、半導体レーザ1の
発光部の温度がより高くなり寿命が極めて短くなるとい
う欠点があった。
さらに、複数のレーザビームを出射するマルチビーム半
導体レーザを用いて並列記録再生を行う先ディスクにお
いては、マルチビーム半導体レーサがビーム数だけ発熱
源を近接して有しているので、発光部の温度上昇が極め
て大きくなり、マルチビーム半導体レーザの寿命が極め
て短くなるという欠点があった。
導体レーザを用いて並列記録再生を行う先ディスクにお
いては、マルチビーム半導体レーサがビーム数だけ発熱
源を近接して有しているので、発光部の温度上昇が極め
て大きくなり、マルチビーム半導体レーザの寿命が極め
て短くなるという欠点があった。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、使用時に上昇してしまう物体温度を外気温度
との温度差を考慮しながら所定温度まで冷却でき、ひい
ては半導体レーザ等のように高温状態における使用によ
り寿命に影響を受け易い冷却対象部の寿命を向上させる
ことができる強制冷却装置及びその冷却方法を提供する
ことにある。
の目的は、使用時に上昇してしまう物体温度を外気温度
との温度差を考慮しながら所定温度まで冷却でき、ひい
ては半導体レーザ等のように高温状態における使用によ
り寿命に影響を受け易い冷却対象部の寿命を向上させる
ことができる強制冷却装置及びその冷却方法を提供する
ことにある。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、請求項(1)では、駆動信号
の人力により冷却対象部を冷却する強制冷却部と、前記
冷却対象部の近傍の雰囲気温度を検知する第1の温度セ
ンサと、前記冷却対象部の温度を検知する第2の温度セ
ンサと、前記第1の温度センサによる第1検知信号と前
記第2の温度センサによる第2検知信号を入力し、前記
第1検知信号に基づく第1検知温度値が第1設定温度値
を超えている場合に、前記第2検知信号に基づく第2検
知温度値と第2設定温度値との比較結果に応じて前記駆
動信号の出力制御を行う冷却制御部とを備えた。
の人力により冷却対象部を冷却する強制冷却部と、前記
冷却対象部の近傍の雰囲気温度を検知する第1の温度セ
ンサと、前記冷却対象部の温度を検知する第2の温度セ
ンサと、前記第1の温度センサによる第1検知信号と前
記第2の温度センサによる第2検知信号を入力し、前記
第1検知信号に基づく第1検知温度値が第1設定温度値
を超えている場合に、前記第2検知信号に基づく第2検
知温度値と第2設定温度値との比較結果に応じて前記駆
動信号の出力制御を行う冷却制御部とを備えた。
また、請求項(2)によれば、冷却対象部の近傍の雰囲
気温度を検知するとともに、前記冷却対象部の温度を検
知し、検知した前記近傍雰囲気温度を示す第1検知温度
値と予め設定した第1設定温度値とを比較し、第1温度
検知値が第1設定温度値を超えた場合に第2設定温度値
を発生し、この第2設定温度値と検知した前記冷却対象
部温度を示す第2検知温度値とを比較し、第2検知温度
値が第2設定温度値を超えた場合に、前記第2検知温度
値と前記第2設定温度値との差に応じた駆動信号を強制
冷却部に送出して前記冷却対象部を前記第2設定温度値
まで強制的に冷却するように構成した。
気温度を検知するとともに、前記冷却対象部の温度を検
知し、検知した前記近傍雰囲気温度を示す第1検知温度
値と予め設定した第1設定温度値とを比較し、第1温度
検知値が第1設定温度値を超えた場合に第2設定温度値
を発生し、この第2設定温度値と検知した前記冷却対象
部温度を示す第2検知温度値とを比較し、第2検知温度
値が第2設定温度値を超えた場合に、前記第2検知温度
値と前記第2設定温度値との差に応じた駆動信号を強制
冷却部に送出して前記冷却対象部を前記第2設定温度値
まで強制的に冷却するように構成した。
(作 用)
請求項(1)によれば、冷却対象部の近傍に配置された
第1の温度センサは、冷却対象部の近傍の雰囲気温度を
検知し、この第1検知温度値を示す第1検知信号を出力
し、これが冷却制御部へ入力される。
第1の温度センサは、冷却対象部の近傍の雰囲気温度を
検知し、この第1検知温度値を示す第1検知信号を出力
し、これが冷却制御部へ入力される。
一方、第2の温度センサは、駆動に伴って近傍の雰囲気
温度よりも高温となった冷却対象部の温度を検知して、
この第2検知温度値を示す第2検知信号を出力し、これ
が冷却制御部へ入力される。
温度よりも高温となった冷却対象部の温度を検知して、
この第2検知温度値を示す第2検知信号を出力し、これ
が冷却制御部へ入力される。
冷却制御部では、入力した第1検知信号に基づく第1検
知温度値と第1設定温度値との比較が行われる。その結
果、第1検知温度値が第1設定温度値を超えているなら
ば、次に、第2検知信号に基づく第2検知温度値と第2
設定温度値との比較が行われる。冷却制御部は、その比
較結果に応じて、強制冷却部に対する駆動信号の出力制
御を行つ。
知温度値と第1設定温度値との比較が行われる。その結
果、第1検知温度値が第1設定温度値を超えているなら
ば、次に、第2検知信号に基づく第2検知温度値と第2
設定温度値との比較が行われる。冷却制御部は、その比
較結果に応じて、強制冷却部に対する駆動信号の出力制
御を行つ。
強制冷却部は、駆動信号の人力により冷却動作を開始し
、これにより、冷却対象部は強制的に冷却される。
、これにより、冷却対象部は強制的に冷却される。
請求項(2)によれば、第1検知温度値が予め設定した
第1設定温度値を超えた場合にのみ、所定の値の第2設
定温度値が発生される。ここで、発生した第2設定温度
値と検知した冷却対象部の温度を示す第2検知温度値と
の比較が行われ、第2検知温度値が第2設定温度値を超
えたならば、両者の差に応じた駆動信号が強制冷却部に
出力される。これにより、冷却対象部に対する強制冷却
が開始され、この冷却動作は、検知される冷却対象部の
温度、即ち、第2検知温度値が第2設定温度値と等しく
なるまで続けられる。
第1設定温度値を超えた場合にのみ、所定の値の第2設
定温度値が発生される。ここで、発生した第2設定温度
値と検知した冷却対象部の温度を示す第2検知温度値と
の比較が行われ、第2検知温度値が第2設定温度値を超
えたならば、両者の差に応じた駆動信号が強制冷却部に
出力される。これにより、冷却対象部に対する強制冷却
が開始され、この冷却動作は、検知される冷却対象部の
温度、即ち、第2検知温度値が第2設定温度値と等しく
なるまで続けられる。
(実施例)
第1図は、本発明方法を採用した強制冷却装置の一実施
例を示す構成図であって、冷却対象部を光ディスク装置
の光l\ツドとした場合の構成例を示している。図中、
1は半導体レーサ、2は光ヘッド、11は強制冷却部、
12は第1の温度センサ、13は第2の温度センサ、1
4は冷却制御部である。なお、第1図では、図面の簡略
化のため第2図における光ディスク、スピンドルモータ
等の図示を省略している。
例を示す構成図であって、冷却対象部を光ディスク装置
の光l\ツドとした場合の構成例を示している。図中、
1は半導体レーサ、2は光ヘッド、11は強制冷却部、
12は第1の温度センサ、13は第2の温度センサ、1
4は冷却制御部である。なお、第1図では、図面の簡略
化のため第2図における光ディスク、スピンドルモータ
等の図示を省略している。
半導体レーザ1は、アルミニウム等の金属で形成された
光ヘッドフレームに取り付けられ、光ヘッド2を構成す
る。本実施例では、上述したように、光ヘッド2の全体
が冷却対象部であり、この光ヘッド2には、強制冷却部
11が接合されている。
光ヘッドフレームに取り付けられ、光ヘッド2を構成す
る。本実施例では、上述したように、光ヘッド2の全体
が冷却対象部であり、この光ヘッド2には、強制冷却部
11が接合されている。
強制冷却部11は、光ヘッド2に接合するペルチェ冷却
モジュールlla及びその高温側に接合された放熱フィ
ンllbにより構成されている。
モジュールlla及びその高温側に接合された放熱フィ
ンllbにより構成されている。
また、光ヘッド2の近傍には、その近傍雰囲気温度を検
知する第1の温度センサ12が配置され、光ヘッド2の
内部には、光ヘッドの内部温度を検知する第2の温度セ
ンサ13が埋め込まれている。
知する第1の温度センサ12が配置され、光ヘッド2の
内部には、光ヘッドの内部温度を検知する第2の温度セ
ンサ13が埋め込まれている。
これら第1及び第2の温度センサ12,13により検知
された第1及び第2検知温度値Ta1, Td2は、そ
れぞれ第1および第2検知信号D51,D,2として冷
却制御部14へ入力される。
された第1及び第2検知温度値Ta1, Td2は、そ
れぞれ第1および第2検知信号D51,D,2として冷
却制御部14へ入力される。
冷却制御部14は、所定の温度値(本実施例では20゜
C)の第1設定温度値T51を発生する機能、入力した
第1検知温度値T,1と第1設定温度値T51との比較
結果に応じて第2設定温度値TS2を発生する機能、及
び入力した第2検知温度値Td2と第2設定温麿値T5
1の差に応じた駆動信号DRを発生する機能を有し、こ
の駆動信号DRをペルチェ冷却モジュール11aに印加
する。
C)の第1設定温度値T51を発生する機能、入力した
第1検知温度値T,1と第1設定温度値T51との比較
結果に応じて第2設定温度値TS2を発生する機能、及
び入力した第2検知温度値Td2と第2設定温麿値T5
1の差に応じた駆動信号DRを発生する機能を有し、こ
の駆動信号DRをペルチェ冷却モジュール11aに印加
する。
次に、第3図に基づいて、冷却制御部14における第2
設定温度値の設定方法について説明する。
設定温度値の設定方法について説明する。
第3図おいて、横軸は光ヘッド2の近傍の雰囲気温度を
表し、縦軸は第1及び第2の検知温度と第1及び第2の
設定温度を表している。
表し、縦軸は第1及び第2の検知温度と第1及び第2の
設定温度を表している。
なお、光ヘッド2は、半導体レーザ1の発熱及びヘッド
アクチュエータ(図示せず)からの熱伝導によって、そ
の近傍の雰囲気温度よりも高温となるが、本実施例では
常に(+)5℃高いものとする。
アクチュエータ(図示せず)からの熱伝導によって、そ
の近傍の雰囲気温度よりも高温となるが、本実施例では
常に(+)5℃高いものとする。
第3図に示すように、、本実施例では第1設定温度値T
.1は予め20゜Cに設定されており、冷却制御部14
は、第1の温度センサ12にて検知された第1検知温度
値T,1がこの第1設定温度値T5エを超えると第2設
定温度値T.2を次のとおりに発生し、設定する。
.1は予め20゜Cに設定されており、冷却制御部14
は、第1の温度センサ12にて検知された第1検知温度
値T,1がこの第1設定温度値T5エを超えると第2設
定温度値T.2を次のとおりに発生し、設定する。
即ち、第1検知温度値Td.が20℃より大きく、かつ
、35℃以下の場合は、 T.2=25°C また、第1検知温度値Td,が35℃より大きい場合は
、 T=2=Ta++5 15°C の関係を満足する値をもって発生する。
、35℃以下の場合は、 T.2=25°C また、第1検知温度値Td,が35℃より大きい場合は
、 T=2=Ta++5 15°C の関係を満足する値をもって発生する。
また、冷却制御部14は、光ヘッド2の内部に埋め込ま
れた第2の温度センサ13にて検知された第2検知温度
値Td2が第2設定温度値T.2よりも大きい場合は、
T,2−T.2に比例した大きさの駆動信号(電流)D
Rを、第2検知温度値Td2が降下し第2設定温度値T
m2に等しくなるまで強制冷却部11のペルチェ冷却モ
ジュールllaに印加する。
れた第2の温度センサ13にて検知された第2検知温度
値Td2が第2設定温度値T.2よりも大きい場合は、
T,2−T.2に比例した大きさの駆動信号(電流)D
Rを、第2検知温度値Td2が降下し第2設定温度値T
m2に等しくなるまで強制冷却部11のペルチェ冷却モ
ジュールllaに印加する。
次に、上記構成による動作を、第4図のフロチャートを
参照して説明する。
参照して説明する。
光ヘッド2の近傍に配置された第1の温度センサ12は
、光ヘッド2の近傍の雰囲気温度を検知し、この検知温
度値(第1検知温度値T,1)を示す第1検知信号Ds
1を出力し、これが冷却制御部14へ入力される(S1
)。
、光ヘッド2の近傍の雰囲気温度を検知し、この検知温
度値(第1検知温度値T,1)を示す第1検知信号Ds
1を出力し、これが冷却制御部14へ入力される(S1
)。
一方、第2の温度センサ13は、半導体レーザ1の発熱
及びヘッドアクチュエータ(図示せず)からの熱伝導に
よって近傍の雰囲気温度よりも高温となった光ヘッド2
の内部温度を検知して、この検知温度値(第2検知温度
値T,2)を示す第2検知信号D52を出力し、これが
冷却制御部14へ入力される(S2)。
及びヘッドアクチュエータ(図示せず)からの熱伝導に
よって近傍の雰囲気温度よりも高温となった光ヘッド2
の内部温度を検知して、この検知温度値(第2検知温度
値T,2)を示す第2検知信号D52を出力し、これが
冷却制御部14へ入力される(S2)。
冷却制御部14は、人力した第1検知信号D51に基づ
く第1検知温度値T,1が20℃を超えているか否かの
判別を行う(S3)。冷却制御部14は、このステップ
S3にて、第1検知温度値T a 1が20℃を超えて
いると判別したならば、次に、第1検知温度値Td.が
35℃を超えているか否か?判別を行う(S4)。
く第1検知温度値T,1が20℃を超えているか否かの
判別を行う(S3)。冷却制御部14は、このステップ
S3にて、第1検知温度値T a 1が20℃を超えて
いると判別したならば、次に、第1検知温度値Td.が
35℃を超えているか否か?判別を行う(S4)。
冷却制御部14は、ステップS4にて、第1検知温度値
T,1が35℃以下であると判別したならば、第2設定
温度値T5■を25゜Cに設定ずるCS5).一方、第
1設定温度値T,1が35゜Cを超えていると判別した
ならば、第2設定温度値T5■を前述した値(’r.2
=T,+5−1 5℃)に設定する(S6)。
T,1が35℃以下であると判別したならば、第2設定
温度値T5■を25゜Cに設定ずるCS5).一方、第
1設定温度値T,1が35゜Cを超えていると判別した
ならば、第2設定温度値T5■を前述した値(’r.2
=T,+5−1 5℃)に設定する(S6)。
次に、冷却制御部14は、ステップs5またはS6にて
第2設定温度値T52を設定したならば、入力した第2
検知信号DS2に基づく第2検知温度値Td2が第2設
定温度値TS2を超えているが否かの判別を行う(S7
)。
第2設定温度値T52を設定したならば、入力した第2
検知信号DS2に基づく第2検知温度値Td2が第2設
定温度値TS2を超えているが否かの判別を行う(S7
)。
冷却制御部14は、このステップS7にて、第2検知温
度値Td■が第2設定温度値TS2(25℃またはT,
;+5−15℃)を超えていると判別したならば、前述
したように、(T’a2”r,■)に比例した大きさの
駆動信号(電流)を強制冷却部11のペルチェ冷却モジ
ュールllaに出力する(S8)。これにより、ペルチ
ェ冷却モジュール11aは、光ヘッド2から熱を奪って
この熱を放熱フィンllb側へ運ぶ。この動作は第2検
知温度値Td2が第2設定温度値T.2に等しくなるま
で続けられ(S9)、光ヘッド2は第2設定温度値T%
2まで強制冷却される。
度値Td■が第2設定温度値TS2(25℃またはT,
;+5−15℃)を超えていると判別したならば、前述
したように、(T’a2”r,■)に比例した大きさの
駆動信号(電流)を強制冷却部11のペルチェ冷却モジ
ュールllaに出力する(S8)。これにより、ペルチ
ェ冷却モジュール11aは、光ヘッド2から熱を奪って
この熱を放熱フィンllb側へ運ぶ。この動作は第2検
知温度値Td2が第2設定温度値T.2に等しくなるま
で続けられ(S9)、光ヘッド2は第2設定温度値T%
2まで強制冷却される。
即ち、光ヘッド2は、雰囲気温度が20℃より大きく、
かつ、35℃以下の場合は25℃の一定温度に、また、
雰囲気温度が35℃より大きい場合は、強制冷却なしの
場合に比べて15℃だけ低い温度に強制冷却される。な
お、冷却温度を一定にしていないのは、冷し過ぎによる
結露を回避するためである。
かつ、35℃以下の場合は25℃の一定温度に、また、
雰囲気温度が35℃より大きい場合は、強制冷却なしの
場合に比べて15℃だけ低い温度に強制冷却される。な
お、冷却温度を一定にしていないのは、冷し過ぎによる
結露を回避するためである。
以上説明したように、本実施例によれば、高温の環境で
使用する場合及び発熱が大きい高速光ディスク装置やマ
ルチビーム半導体レーザを用いて並列記録再生を行う光
ディスク装置における半導体レーザ1の発光部温度を低
下させ、半導体レザ1の寿命を向上させることができる
等の利点がある。
使用する場合及び発熱が大きい高速光ディスク装置やマ
ルチビーム半導体レーザを用いて並列記録再生を行う光
ディスク装置における半導体レーザ1の発光部温度を低
下させ、半導体レザ1の寿命を向上させることができる
等の利点がある。
なお、本実施例では、冷却対象部を光ヘッド全体とした
が、例えば半導体レーザを光へッドフレムに断熱接合し
て半導体レーザのみを冷却対象部とする等、冷却対象部
としては種々の部分を選択できる。
が、例えば半導体レーザを光へッドフレムに断熱接合し
て半導体レーザのみを冷却対象部とする等、冷却対象部
としては種々の部分を選択できる。
また、光ヘッドの構成は半導体レーザから対物レンスま
でを一つの光ヘッドフレームに取り付ける光源一体型と
したが、半導体レーサと対物レンスを分離独立したフレ
ームに取り付けて対物レンズ側を移動させる光源分離型
であってもよい。
でを一つの光ヘッドフレームに取り付ける光源一体型と
したが、半導体レーサと対物レンスを分離独立したフレ
ームに取り付けて対物レンズ側を移動させる光源分離型
であってもよい。
さらに、強制冷却部は液冷モジュールを使用する等、ペ
ルチェ冷却モジュールに限定されるものではない。さら
にまた、第1設定温度値は20℃に限定されるものでは
なく、また第2設定温度値の設定方法は種々の変形が可
能である。
ルチェ冷却モジュールに限定されるものではない。さら
にまた、第1設定温度値は20℃に限定されるものでは
なく、また第2設定温度値の設定方法は種々の変形が可
能である。
(考案の効果)
以−1一説明したように、請求項(1)によれば、使用
時に−L昇してしまう物体温度を、外気温度との温度差
を考慮しながら所定温度まで的確に冷却できる。これに
より、高温状態下において使用される素子等の冷却対象
部の寿命を向上させることができる。
時に−L昇してしまう物体温度を、外気温度との温度差
を考慮しながら所定温度まで的確に冷却できる。これに
より、高温状態下において使用される素子等の冷却対象
部の寿命を向上させることができる。
従って、例えば、高温の環境で使用する場合及び発熱が
大きい高速光ディスク装置やマルチビム半導体レーザを
用いて並列記録再生を行う光ディスク装置において、半
導体レーザの発光部温度を低下させ、半導体レーザの寿
命を向上させる等の利点がある。
大きい高速光ディスク装置やマルチビム半導体レーザを
用いて並列記録再生を行う光ディスク装置において、半
導体レーザの発光部温度を低下させ、半導体レーザの寿
命を向上させる等の利点がある。
また、請求項(2)によれば、冷却対象部近傍の雰囲気
温度を示す第1検知温度値と予め設定した第1設定温度
値とを比較し、第1温度検知値が第1設定温度値を超え
た場合に第2設定温度値を発生し、この第2設定温度値
と検知した冷却対象部温度を示す第2検知温度値とを比
較し、第2検知温度値が第2設定温度値を超えた場合に
、第2検知温度値と第2設定温度値との差に応じた駆動
信号を強制冷却部に送出して冷却対象部を第2設定温度
値まで強制的に冷却するようにしたので、冷し過ぎによ
る結露を回避することができ、結露による冷却対象部へ
の悪影響を防止することができる。
温度を示す第1検知温度値と予め設定した第1設定温度
値とを比較し、第1温度検知値が第1設定温度値を超え
た場合に第2設定温度値を発生し、この第2設定温度値
と検知した冷却対象部温度を示す第2検知温度値とを比
較し、第2検知温度値が第2設定温度値を超えた場合に
、第2検知温度値と第2設定温度値との差に応じた駆動
信号を強制冷却部に送出して冷却対象部を第2設定温度
値まで強制的に冷却するようにしたので、冷し過ぎによ
る結露を回避することができ、結露による冷却対象部へ
の悪影響を防止することができる。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は従来
の先ディスク装置おける冷却方法を説明するための図、
第3図は本発明に係る冷却制御部における第2設定温度
値の設定方法の説明図、第4図は第1図の動作を説明す
るためのフローチャトである。 1・・・半導体レーザ、2・・・光ヘッド、11・・・
強制冷却部、12・・・第1の温度センサ、13・・・
第2の温度センサ、14・・・冷却制御部。
の先ディスク装置おける冷却方法を説明するための図、
第3図は本発明に係る冷却制御部における第2設定温度
値の設定方法の説明図、第4図は第1図の動作を説明す
るためのフローチャトである。 1・・・半導体レーザ、2・・・光ヘッド、11・・・
強制冷却部、12・・・第1の温度センサ、13・・・
第2の温度センサ、14・・・冷却制御部。
Claims (2)
- (1)駆動信号の入力により冷却対象部を冷却する強制
冷却部と、 前記冷却対象部の近傍の雰囲気温度を検知する第1の温
度センサと、 前記冷却対象部の温度を検知する第2の温度センサと、 前記第1の温度センサによる第1検知信号と前記第2の
温度センサによる第2検知信号を入力し、前記第1検知
信号に基づく第1検知温度値が第1設定温度値を超えて
いる場合に、前記第2検知信号に基づく第2検知温度値
と第2設定温度値との比較結果に応じて前記駆動信号の
出力制御を行う冷却制御部とを備えた ことを特徴とをする強制冷却装置。 - (2)冷却対象部の近傍の雰囲気温度を検知するととも
に、前記冷却対象部の温度を検知し、検知した前記近傍
雰囲気温度を示す第1検知温度値と予め設定した第1設
定温度値とを比較し、第1温度検知値が第1設定温度値
を超えた場合に第2設定温度値を発生し、 この第2設定温度値と検知した前記冷却対象部温度を示
す第2検知温度値とを比較し、第2検知温度値が第2設
定温度値を超えた場合に、前記第2検知温度値と前記第
2設定温度値との差に応じた駆動信号を強制冷却部に送
出して前記冷却対象部を前記第2設定温度値まで強制的
に冷却することを特徴とする強制冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1180890A JPH03217913A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 強制冷却装置及びその冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1180890A JPH03217913A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 強制冷却装置及びその冷却方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217913A true JPH03217913A (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=11788132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1180890A Pending JPH03217913A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 強制冷却装置及びその冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03217913A (ja) |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP1180890A patent/JPH03217913A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61189657A (ja) | 半導体素子温度制御装置 | |
| US5233596A (en) | Optical recording/reproducing apparatus including both automatic power control and temperature-based drive current control | |
| TWI289837B (en) | Optical disc apparatus and control method thereof | |
| US6738330B2 (en) | Optical information reproducing and recording apparatus utilizing varying temperature setting ranges | |
| US5311499A (en) | Method and apparatus for erasing information from optical recording tape with a thermo-deforming layer | |
| JPH03217913A (ja) | 強制冷却装置及びその冷却方法 | |
| JPH0432036A (ja) | 強制冷却装置及びその冷却方法 | |
| US7457226B2 (en) | Heat source having thermoelectric element, optical pickup assembly employing the same, and method of reducing temperature therein | |
| TW200405316A (en) | Optical pickup device | |
| US20060087939A1 (en) | Optical disc device | |
| JPS6321182A (ja) | 光カ−ド用情報記録装置 | |
| JPH03122835A (ja) | 情報記録再生方法 | |
| JPH06260722A (ja) | モノリシックマルチビームレーザーダイオード及びそれの制御方法 | |
| JPH03276430A (ja) | 光ディスク装置のレーザパワー調整装置 | |
| US20050063271A1 (en) | Optical disk apparatus and pickup driving method thereof | |
| JPH01196733A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| EP1679718B1 (en) | Optical pick-up apparatus and optical disk apparatus | |
| JP2773189B2 (ja) | 光ディスク装置 | |
| JPH0323524A (ja) | 光ディスク装置 | |
| JPH05151642A (ja) | 光デイスクドライブ | |
| JPH01138630A (ja) | 光学的記録装置 | |
| JPS63124235A (ja) | 光学式記録再生装置 | |
| JPS6120109A (ja) | 温度制御方法及びその装置 | |
| JPH06236575A (ja) | 半導体レーザ冷却装置 | |
| JP2006209865A (ja) | 光ディスク装置 |