JPH03218044A - Standard wafer - Google Patents
Standard waferInfo
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- JPH03218044A JPH03218044A JP1440090A JP1440090A JPH03218044A JP H03218044 A JPH03218044 A JP H03218044A JP 1440090 A JP1440090 A JP 1440090A JP 1440090 A JP1440090 A JP 1440090A JP H03218044 A JPH03218044 A JP H03218044A
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- wafer
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造工程において使用する異物検査
装置等の検出感度の較正時に使用する標準ウェハに関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a standard wafer used in calibrating the detection sensitivity of a foreign object inspection device used in a semiconductor manufacturing process.
第3図(a)は従来の標準ウェハを示す外観図である。 FIG. 3(a) is an external view showing a conventional standard wafer.
この図において、1は標準ウェハを示し、2はこの標準
ウェハ1を構成する清浄な鏡面ウェハ、3はこの鏡面ウ
ェハ2上に付着させた標準粒子である、、第3図(b)
は標準ウェハ1をし−ザ散乱方式の異物検査装置で測定
した場合の出力マ、ソプで、4は検出された異物(この
場合は標準粒子3)を示すドッ1−である。In this figure, 1 is a standard wafer, 2 is a clean mirror wafer constituting this standard wafer 1, and 3 is a standard particle deposited on this mirror wafer 2. Fig. 3(b)
are the output signals when the standard wafer 1 is measured by the scattering type foreign particle inspection device, and 4 is the dot 1 indicating the detected foreign particle (in this case, the standard particle 3).
第4図(a)は汚れた場合の標準ウェハを示す外観図で
あり、1〜3は第3図(a)と同じものであり、5は前
記標準ウェハ1に付着した異物である。FIG. 4(a) is an external view showing the standard wafer when it is contaminated; 1 to 3 are the same as in FIG. 3(a), and 5 is a foreign substance attached to the standard wafer 1.
第4図(b)は、第4図(a)の標準ウェハ1を測定し
た場合の出力マップであり、4ば検出された異物(標準
粒子3および付着異物)を示すド・ソ1−である。FIG. 4(b) is an output map when the standard wafer 1 in FIG. 4(a) is measured. be.
次に動作について説明する,,
第3図(a)の清浄な鏡面ウェハ2の上に標準粒子3(
ボリスチレンラテックス0.1〜10μm,数10〜1
000ケ/ウェハ)を片側半分に付着させた標準ウェハ
1を異物検査装置(例えば、日立電子エンジニアリング
社製[{LD, LS−5000,旧LIS,やテンコ
ール社製サーフェスキャン等)で測定すると、鏡面ウェ
ハ2上の標準粒子3が検出され、第3図(b)のマップ
上のドット4として表示されろ。この時、標準ウェハ1
が清浄な状態であれば検出されろ異物は標準粒子3のみ
であり、第3図(b)のようにウェハの片側のみに現れ
ろ。Next, the operation will be explained. Standard particles 3 (
Boristyrene latex 0.1 to 10 μm, number 10 to 1
When a standard wafer 1 with 0.000 wafers/wafer attached to one half is measured using a foreign matter inspection device (for example, Hitachi Electronic Engineering Co., Ltd. [{LD, LS-5000, former LIS, Tencor Co., Ltd. Surface Scan, etc.]), The standard particle 3 on the mirror wafer 2 is detected and displayed as a dot 4 on the map of FIG. 3(b). At this time, standard wafer 1
If the wafer is in a clean state, the only foreign matter to be detected is the standard particle 3, which appears only on one side of the wafer as shown in FIG. 3(b).
異物検査装置の感度較正に使用する場合は、あらかしめ
基準とする感度で標準ウェハ1を測定し、その後、経時
的に再測定し、検出個数に変化があれば、元の個数に合
致するように装置の感度を調節する。When using it to calibrate the sensitivity of a foreign object inspection device, measure the standard wafer 1 with the sensitivity as a preliminary standard, then remeasure it over time, and if there is a change in the number of particles detected, make sure to match the original number. Adjust the sensitivity of the device.
第4図(a)は標準ウェハ1が汚れた場合であり、異物
5が標準ウェハ1上に付着している様子を表す。これを
異物検査装置で測定した出力マップは第4図(b)のよ
うになり、標準粒子3以外に標準粒子3以上の大きさの
異物5をも検出するので、ウェハ片側のみでなく、全面
にドッ1−4が表示される。こうなれば、装置自体の感
度は同等であっても、検出個数が増加する。FIG. 4(a) shows a case where the standard wafer 1 is contaminated, and shows that foreign matter 5 is attached to the standard wafer 1. The output map obtained by measuring this with a foreign particle inspection device is shown in Figure 4 (b), and in addition to the standard particles 3, foreign particles 5 with a size larger than the standard particles 3 are also detected, so not only on one side of the wafer but also on the entire wafer surface. Dots 1-4 are displayed. In this case, even if the sensitivity of the device itself is the same, the number of detections will increase.
従来の標準ウェハ1は以上のように構成されているので
、何回も使用しているうちに汚れ、異物5が付着してく
ると同じ感度で同じ標準ウェハ1を測定しても検出個数
が増加し、個数を基準とした感度較正ができなくなる。Since the conventional standard wafer 1 is constructed as described above, if dirt and foreign matter 5 become attached after being used many times, the number of detected particles will decrease even if the same standard wafer 1 is measured with the same sensitivity. As a result, sensitivity calibration based on the number of objects becomes impossible.
また、この標準ウェハ1は洗浄等によるクリ一二,グて
は異物5とともに標準粒子3も除去されてしまうので、
一旦汚染されると再生することができないなどの問題点
があった。Furthermore, if the standard wafer 1 is cleaned or cleaned, the standard particles 3 as well as the foreign matter 5 will be removed.
There were problems such as once contaminated, it could not be regenerated.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、何回測定してもウェハ表面に異物が付着せ
ず、したがって、検出個数がかわらず、また、標準粒子
を除去することなく異物のみを除去することができる標
準ウェハを得ろことを目的とする。This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and no matter how many times the measurement is performed, foreign matter does not adhere to the wafer surface, so the number of detected particles does not change, and the standard particles are removed. The purpose is to obtain a standard wafer from which only foreign matter can be removed.
この発明に係る標準ウェ八は、清浄なウェハ表面に標準
粒子を付着させ、さらにウェハ表面上にこの表面を保護
するために、透明膜が形成された表面保護具をウェハ表
面に接看して構成したものである。The standard wafer according to the present invention has standard particles attached to a clean wafer surface, and a surface protector on which a transparent film is formed is placed in contact with the wafer surface to protect this surface. It is composed of
この発明における標準ウェハは、ウェハ表面上に接着し
た表面保護具により、標準ウェハに直接異物が付着する
ことを防止する。また、表面保護真上に付着した異物に
ついては、標準ウェハ上の異物に7才一カスをあわせて
検出するため、表面保護具上ではフ士一カスがあわず検
出しないし、標準ウェハを表面保護具こと洗浄すれば異
物のみが除去され、標準粒子が除去されることがない。The standard wafer in this invention prevents foreign matter from directly adhering to the standard wafer by a surface protector bonded onto the wafer surface. In addition, regarding foreign matter attached directly above the surface protection, since the foreign matter on the standard wafer and the 7-year-old debris are detected together, the surface protection equipment does not detect the foreign matter on the surface protector, and the standard wafer is Washing the protective equipment removes only the foreign matter and does not remove the standard particles.
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図(a),(b)はこの発明の一実施例を示す図で
、第1図(a)ばウェハ表面上に接着する表面保護具の
斜視図であり、第1図(b)は、第1図(a)の表面保
護具を接着した標準ウェハを示す外観図である。第1図
において、1〜3は第3図,第4図と同じものであり、
11はこの発明の表面保護臭を示し、枠体12と、この
枠体12の片面にはった透明膜13から構成されていろ
。FIGS. 1(a) and 1(b) are views showing one embodiment of the present invention, where FIG. 1(a) is a perspective view of a surface protector bonded onto the wafer surface, and FIG. 1(b) is a perspective view of a surface protector bonded onto the wafer surface. FIG. 1 is an external view showing a standard wafer to which the surface protector of FIG. 1(a) is attached. In Figure 1, 1 to 3 are the same as in Figures 3 and 4,
Reference numeral 11 indicates the surface protection odor of the present invention, which is composed of a frame 12 and a transparent film 13 attached to one side of the frame 12.
透明M13としては、主として二1一ロセルロースを主
成分とする透明膜が用いられる。ただし、同程度の透過
率(90%以上)が得られるならば、他の高分子化合物
でもよい。膜厚は例左ば0.8μm〜6μm程度である
、,
第2図(a)は汚れた標準ウェハ1の外観図であり、第
2図(b)は、第2図(a)の断面図であり、第2図(
c)は汚れた標準ウェハ1を異物検査装置で測定した場
合の出力マップである。なお、第2図中の1〜5および
11〜13は、第1図および第3図,第4図と同じもの
を示す。As the transparent M13, a transparent film mainly composed of 21-cellulose is used. However, other polymer compounds may be used as long as the same level of transmittance (90% or more) can be obtained. The film thickness is, for example, approximately 0.8 μm to 6 μm. FIG. 2(a) is an external view of a dirty standard wafer 1, and FIG. 2(b) is a cross-sectional view of FIG. 2(a). Figure 2 (
c) is an output map when a dirty standard wafer 1 is measured by a foreign matter inspection device. 1 to 5 and 11 to 13 in FIG. 2 are the same as those in FIG. 1, FIG. 3, and FIG. 4.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
第1図において、清浄な鏡面ウェハ2(例丸ば0.3μ
mφ以上の異物が10ケ/ウェハ以下)の表面に標準粒
子3を付着させたものの表面に清浄な環境(class
1〜100)内で発塵のないように、枠体12に透明
膜13をはった表面保護具(写真製版工程で使われるマ
スクにはるペリクルのようなもの》11を接着させ、標
準ウェハ1を作成する。この標準ウェハ1に異物が付着
すると、第2図(a) (b)に示すように表面保
護具11の透明膜13の上に異物5が付着し、鏡面ウェ
ハ2には直接付着しない、これを異物検査装置で測定?
ると、異物検査装置の焦点がMtウェハ2の表面に合わ
せてあるため、透明膜13上に付着した異物5には焦点
があわず検出されない。すなわち、標準ウェハ1に異物
5が付着しても標準ウエノX1中の標準粒子3のみが検
出されるので、長期間同一ウェハを何回使っても検出粒
子敬は一定となり、異物検査装置の較正の信頼性が増し
、しかも簡単に個数比較できる。また、標準ウェハ1の
取り扱いも容易である。さらに、焦点が合っていなくて
も検出される程の大きな異物5が透明膜13の上に付着
した場合でも、標準粒子3を除去せずに異物5のみを洗
い流したり、また、ブランスクラ(バ等で除去すること
ができる。In Figure 1, a clean mirror wafer 2 (for example, a round wafer 0.3
The standard particles 3 were attached to the surface of foreign matter of mφ or more (less than 10 particles/wafer) in a clean environment (class
1 to 100), a surface protector (similar to a pellicle attached to a mask used in the photolithography process) with a transparent film 13 is attached to the frame 12, and a standard A wafer 1 is prepared. When foreign matter adheres to the standard wafer 1, the foreign matter 5 adheres to the transparent film 13 of the surface protector 11 as shown in FIGS. Does not adhere directly, can this be measured with a foreign substance inspection device?
Then, since the focus of the foreign matter inspection device is set on the surface of the Mt wafer 2, the foreign matter 5 attached to the transparent film 13 is not focused and is not detected. In other words, even if foreign matter 5 adheres to the standard wafer 1, only the standard particles 3 in the standard wafer The reliability is increased, and the numbers can be easily compared. Further, handling of the standard wafer 1 is also easy. Furthermore, even if a foreign object 5 large enough to be detected even out of focus adheres to the transparent film 13, only the foreign object 5 can be washed away without removing the standard particles 3, or a blank scrubber (blanket cleaner, etc.) can be used. It can be removed with .
なお、上記実施例では、鏡面ウェハ2に標準粒子3を付
着させ、標準ウェハ1とする場合について示したが、鏡
面ウェハ2のかわりに%(At’,SiO■,poly
si等々)付のウエ八またはバクーシ付のウェハを使っ
て標準ウェハとして膜・パター7付ウェハ検査装置用と
して使う。In the above embodiment, the standard particles 3 are attached to the mirror wafer 2 to form the standard wafer 1. However, instead of the mirror wafer 2, %(At', SiO
A wafer with a wafer (si, etc.) or a wafer with a vacuum is used as a standard wafer for a wafer inspection device with a membrane/putter 7.
膜・バクーノ付ウェハ検査装置のための感度チ工・ソク
用ウェハとしては、主として次の3種が考えられる。The following three types of wafers are mainly considered as sensitivity test/substrate wafers for the wafer inspection equipment with film/vacuum.
(i) fi面ウェハ上に測定したい膜を測定したい
膜厚で堆積し、その上に標準粒子を付着させたもの(#
付ウェハ検査用)
(11)実デバイスを形成中のある工程におけるウェハ
上に標準粒子を付着させたもの(バタン付ウェハ検査用
)
(Ill) 鏡面ウェハ上に薄膜を堆積し、一定の大
きさの穴を数種類、一定の箇所に開口したもの(例、V
LSI スタンダード社製 標準ウェハ1420等)
これらのウェハも鏡面ウェハ2の場合と同様ニ他の異物
が付着した場合、検出数が増加して正(ノいF%度チェ
ックができなくなるので、この発明の表面保護具11を
適用して標準ウェハ1とすれば、この問題を解決するこ
とができる。(i) The film to be measured is deposited on the fi-plane wafer with the desired film thickness, and standard particles are attached on top of it (#
(11) Standard particles are attached to a wafer in a certain process during the fabrication of actual devices (for inspection of wafers with a button) (Ill) A thin film is deposited on a mirror wafer, and a particle of a certain size is deposited on a mirrored wafer. Several types of holes are opened at certain locations (e.g. V
Standard wafer 1420 (manufactured by LSI Standard Inc.) These wafers are similar to the case of mirror-finished wafer 2.If other foreign matter adheres to these wafers, the number of detections increases and it becomes impossible to check the positive F% degree. This problem can be solved by applying the surface protector 11 to the standard wafer 1.
また、枠体12の形状は円形が好ましい態様であるが、
他の形状でも差支えない。Moreover, although the shape of the frame 12 is preferably circular,
Other shapes are also acceptable.
以上説明したように、この発明は、ウェハ表面上に、透
明膜が形成された表面保護具をウエノ1表面上に接着し
て標準ウェハを構成したので、ウェハ表面には直接異物
が付着せず、異物が付着するのは表面保護具の透明股上
であり、したがって、異物検査装置で測定した場合、異
物検査装置の焦点はウェハ表面に合わせてあるため、透
明股上の異物は検出されず、ウェハ表面に付着している
標準粒子のみが検出される。したがって、長期間にわた
り同一ウェハを何回使っても検出個数は一定となり、異
物検査装置の較正の信頼性が増し、しかも簡単に個数比
較で較正が行左ろ。また、ウェハに異物が付着すること
に関して、従来ほど慎重にしなくてもよいので、取り扱
いが容易になる。As explained above, in this invention, a standard wafer is constructed by bonding a surface protector on which a transparent film is formed on the surface of the wafer 1, so that foreign matter does not directly adhere to the wafer surface. , the foreign matter adheres to the transparent ridge of the surface protector. Therefore, when measuring with a foreign matter inspection device, the focus of the foreign matter inspection device is on the wafer surface, so the foreign matter on the transparent crotch is not detected and the wafer Only standard particles attached to the surface are detected. Therefore, no matter how many times the same wafer is used over a long period of time, the number of detected particles remains constant, increasing the reliability of the calibration of the foreign particle inspection device, and making the calibration easy by simply comparing the number of particles. Furthermore, handling becomes easier because it is not necessary to be as careful as in the past regarding foreign matter adhering to the wafer.
また、大きな異物や多量の異物が透明膜上に付着した場
合でも標準粒子を除去することなく、異物のみを除去す
ることができ、標準ウエノ\の効率的利用が可能になる
等の効果が得られる。In addition, even if a large amount of foreign matter or a large amount of foreign matter adheres to the transparent film, it is possible to remove only the foreign matter without removing the standard particles, making it possible to efficiently use standard Ueno. It will be done.
第1図(a)はこの発明の一実施例を示す保護具の外観
斜視図、第1図(b)は、第1図(a)の保護具を接着
した図、第2図(a)はけ準ウェハに異物が付着した状
態を示す外観斜視図、第2図(b)は、第2図(a)の
断面図、第2図(C)は測定時の出力マップを示す図、
第3図(a)は従来の標準ウェハを示す外観斜視図、第
3図(blは従来の標準ウェハを測定した際の出力マッ
プを示す図、第4図(a)は従来の標準ウエl1に異物
が付着した場合の外観斜視図、第4図(b)は測定した
際の出力マップを示す図である。
図において、1は標準ウェハ、2は鏡面ウエ八、3は標
準粒子、4はドット、5は異物、11は表面保護具、1
2は枠体、13は透明膜である。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。FIG. 1(a) is an external perspective view of a protective device showing an embodiment of the present invention, FIG. 1(b) is a view of the protective device of FIG. 1(a) glued together, FIG. 2(a) 2(b) is a sectional view of FIG. 2(a); FIG. 2(C) is a diagram showing an output map during measurement;
FIG. 3(a) is an external perspective view showing a conventional standard wafer, FIG. 3(bl) is a diagram showing an output map when measuring a conventional standard wafer, and FIG. Fig. 4(b) is a perspective view of the external appearance when foreign matter is attached to the wafer, and Fig. 4(b) is a diagram showing the output map during measurement. is a dot, 5 is a foreign object, 11 is a surface protector, 1
2 is a frame body, and 13 is a transparent film. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
明膜が形成された表面保護具を前記ウェハ表面上に接着
して構成したことを特徴とする標準ウェハ。1. A standard wafer comprising: a surface protector having a transparent film formed thereon adhered to the wafer surface to protect the wafer surface to which standard particles are attached.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1440090A JPH03218044A (en) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | Standard wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1440090A JPH03218044A (en) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | Standard wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218044A true JPH03218044A (en) | 1991-09-25 |
Family
ID=11859997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1440090A Pending JPH03218044A (en) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | Standard wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218044A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009156574A (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | Inspection apparatus and inspection method |
| JP2009282087A (en) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | Standard substrate for inspecting thin-film defect, manufacturing method thereof and method of inspecting thin-film defect |
| JP2021052051A (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 信越半導体株式会社 | Method for managing wafer inspection device |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP1440090A patent/JPH03218044A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009156574A (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | Inspection apparatus and inspection method |
| JP2009282087A (en) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | Standard substrate for inspecting thin-film defect, manufacturing method thereof and method of inspecting thin-film defect |
| JP2021052051A (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 信越半導体株式会社 | Method for managing wafer inspection device |
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