JPH03218044A - 標準ウエハ - Google Patents
標準ウエハInfo
- Publication number
- JPH03218044A JPH03218044A JP1440090A JP1440090A JPH03218044A JP H03218044 A JPH03218044 A JP H03218044A JP 1440090 A JP1440090 A JP 1440090A JP 1440090 A JP1440090 A JP 1440090A JP H03218044 A JPH03218044 A JP H03218044A
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- JP
- Japan
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- wafer
- standard
- foreign matter
- particles
- protector
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- Pending
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造工程において使用する異物検査
装置等の検出感度の較正時に使用する標準ウェハに関す
るものである。
装置等の検出感度の較正時に使用する標準ウェハに関す
るものである。
第３図（ａ）は従来の標準ウェハを示す外観図である。
この図において、１は標準ウェハを示し、２はこの標準
ウェハ１を構成する清浄な鏡面ウェハ、３はこの鏡面ウ
ェハ２上に付着させた標準粒子である、、第３図（ｂ）
は標準ウェハ１をし−ザ散乱方式の異物検査装置で測定
した場合の出力マ、ソプで、４は検出された異物（この
場合は標準粒子３）を示すドッ１−である。
ウェハ１を構成する清浄な鏡面ウェハ、３はこの鏡面ウ
ェハ２上に付着させた標準粒子である、、第３図（ｂ）
は標準ウェハ１をし−ザ散乱方式の異物検査装置で測定
した場合の出力マ、ソプで、４は検出された異物（この
場合は標準粒子３）を示すドッ１−である。
第４図（ａ）は汚れた場合の標準ウェハを示す外観図で
あり、１〜３は第３図（ａ）と同じものであり、５は前
記標準ウェハ１に付着した異物である。
あり、１〜３は第３図（ａ）と同じものであり、５は前
記標準ウェハ１に付着した異物である。
第４図（ｂ）は、第４図（ａ）の標準ウェハ１を測定し
た場合の出力マップであり、４ば検出された異物（標準
粒子３および付着異物）を示すド・ソ１−である。
た場合の出力マップであり、４ば検出された異物（標準
粒子３および付着異物）を示すド・ソ１−である。
次に動作について説明する，，
第３図（ａ）の清浄な鏡面ウェハ２の上に標準粒子３（
ボリスチレンラテックス０．１〜１０μｍ，数１０〜１
０００ケ／ウェハ）を片側半分に付着させた標準ウェハ
１を異物検査装置（例えば、日立電子エンジニアリング
社製［｛ＬＤ， ＬＳ−５０００，旧ＬＩＳ，やテンコ
ール社製サーフェスキャン等）で測定すると、鏡面ウェ
ハ２上の標準粒子３が検出され、第３図（ｂ）のマップ
上のドット４として表示されろ。この時、標準ウェハ１
が清浄な状態であれば検出されろ異物は標準粒子３のみ
であり、第３図（ｂ）のようにウェハの片側のみに現れ
ろ。
ボリスチレンラテックス０．１〜１０μｍ，数１０〜１
０００ケ／ウェハ）を片側半分に付着させた標準ウェハ
１を異物検査装置（例えば、日立電子エンジニアリング
社製［｛ＬＤ， ＬＳ−５０００，旧ＬＩＳ，やテンコ
ール社製サーフェスキャン等）で測定すると、鏡面ウェ
ハ２上の標準粒子３が検出され、第３図（ｂ）のマップ
上のドット４として表示されろ。この時、標準ウェハ１
が清浄な状態であれば検出されろ異物は標準粒子３のみ
であり、第３図（ｂ）のようにウェハの片側のみに現れ
ろ。
異物検査装置の感度較正に使用する場合は、あらかしめ
基準とする感度で標準ウェハ１を測定し、その後、経時
的に再測定し、検出個数に変化があれば、元の個数に合
致するように装置の感度を調節する。
基準とする感度で標準ウェハ１を測定し、その後、経時
的に再測定し、検出個数に変化があれば、元の個数に合
致するように装置の感度を調節する。
第４図（ａ）は標準ウェハ１が汚れた場合であり、異物
５が標準ウェハ１上に付着している様子を表す。これを
異物検査装置で測定した出力マップは第４図（ｂ）のよ
うになり、標準粒子３以外に標準粒子３以上の大きさの
異物５をも検出するので、ウェハ片側のみでなく、全面
にドッ１−４が表示される。こうなれば、装置自体の感
度は同等であっても、検出個数が増加する。
５が標準ウェハ１上に付着している様子を表す。これを
異物検査装置で測定した出力マップは第４図（ｂ）のよ
うになり、標準粒子３以外に標準粒子３以上の大きさの
異物５をも検出するので、ウェハ片側のみでなく、全面
にドッ１−４が表示される。こうなれば、装置自体の感
度は同等であっても、検出個数が増加する。
従来の標準ウェハ１は以上のように構成されているので
、何回も使用しているうちに汚れ、異物５が付着してく
ると同じ感度で同じ標準ウェハ１を測定しても検出個数
が増加し、個数を基準とした感度較正ができなくなる。
、何回も使用しているうちに汚れ、異物５が付着してく
ると同じ感度で同じ標準ウェハ１を測定しても検出個数
が増加し、個数を基準とした感度較正ができなくなる。
また、この標準ウェハ１は洗浄等によるクリ一二，グて
は異物５とともに標準粒子３も除去されてしまうので、
一旦汚染されると再生することができないなどの問題点
があった。
は異物５とともに標準粒子３も除去されてしまうので、
一旦汚染されると再生することができないなどの問題点
があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、何回測定してもウェハ表面に異物が付着せ
ず、したがって、検出個数がかわらず、また、標準粒子
を除去することなく異物のみを除去することができる標
準ウェハを得ろことを目的とする。
れたもので、何回測定してもウェハ表面に異物が付着せ
ず、したがって、検出個数がかわらず、また、標準粒子
を除去することなく異物のみを除去することができる標
準ウェハを得ろことを目的とする。
この発明に係る標準ウェ八は、清浄なウェハ表面に標準
粒子を付着させ、さらにウェハ表面上にこの表面を保護
するために、透明膜が形成された表面保護具をウェハ表
面に接看して構成したものである。
粒子を付着させ、さらにウェハ表面上にこの表面を保護
するために、透明膜が形成された表面保護具をウェハ表
面に接看して構成したものである。
この発明における標準ウェハは、ウェハ表面上に接着し
た表面保護具により、標準ウェハに直接異物が付着する
ことを防止する。また、表面保護真上に付着した異物に
ついては、標準ウェハ上の異物に７才一カスをあわせて
検出するため、表面保護具上ではフ士一カスがあわず検
出しないし、標準ウェハを表面保護具こと洗浄すれば異
物のみが除去され、標準粒子が除去されることがない。
た表面保護具により、標準ウェハに直接異物が付着する
ことを防止する。また、表面保護真上に付着した異物に
ついては、標準ウェハ上の異物に７才一カスをあわせて
検出するため、表面保護具上ではフ士一カスがあわず検
出しないし、標準ウェハを表面保護具こと洗浄すれば異
物のみが除去され、標準粒子が除去されることがない。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図（ａ），（ｂ）はこの発明の一実施例を示す図で
、第１図（ａ）ばウェハ表面上に接着する表面保護具の
斜視図であり、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の表面保
護具を接着した標準ウェハを示す外観図である。第１図
において、１〜３は第３図，第４図と同じものであり、
１１はこの発明の表面保護臭を示し、枠体１２と、この
枠体１２の片面にはった透明膜１３から構成されていろ
。
、第１図（ａ）ばウェハ表面上に接着する表面保護具の
斜視図であり、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の表面保
護具を接着した標準ウェハを示す外観図である。第１図
において、１〜３は第３図，第４図と同じものであり、
１１はこの発明の表面保護臭を示し、枠体１２と、この
枠体１２の片面にはった透明膜１３から構成されていろ
。
透明Ｍ１３としては、主として二１一ロセルロースを主
成分とする透明膜が用いられる。ただし、同程度の透過
率（９０％以上）が得られるならば、他の高分子化合物
でもよい。膜厚は例左ば０．８μｍ〜６μｍ程度である
、， 第２図（ａ）は汚れた標準ウェハ１の外観図であり、第
２図（ｂ）は、第２図（ａ）の断面図であり、第２図（
ｃ）は汚れた標準ウェハ１を異物検査装置で測定した場
合の出力マップである。なお、第２図中の１〜５および
１１〜１３は、第１図および第３図，第４図と同じもの
を示す。
成分とする透明膜が用いられる。ただし、同程度の透過
率（９０％以上）が得られるならば、他の高分子化合物
でもよい。膜厚は例左ば０．８μｍ〜６μｍ程度である
、， 第２図（ａ）は汚れた標準ウェハ１の外観図であり、第
２図（ｂ）は、第２図（ａ）の断面図であり、第２図（
ｃ）は汚れた標準ウェハ１を異物検査装置で測定した場
合の出力マップである。なお、第２図中の１〜５および
１１〜１３は、第１図および第３図，第４図と同じもの
を示す。
次に動作について説明する。
第１図において、清浄な鏡面ウェハ２（例丸ば０．３μ
ｍφ以上の異物が１０ケ／ウェハ以下）の表面に標準粒
子３を付着させたものの表面に清浄な環境（ｃｌａｓｓ
１〜１００）内で発塵のないように、枠体１２に透明
膜１３をはった表面保護具（写真製版工程で使われるマ
スクにはるペリクルのようなもの》１１を接着させ、標
準ウェハ１を作成する。この標準ウェハ１に異物が付着
すると、第２図（ａ） （ｂ）に示すように表面保
護具１１の透明膜１３の上に異物５が付着し、鏡面ウェ
ハ２には直接付着しない、これを異物検査装置で測定？
ると、異物検査装置の焦点がＭｔウェハ２の表面に合わ
せてあるため、透明膜１３上に付着した異物５には焦点
があわず検出されない。すなわち、標準ウェハ１に異物
５が付着しても標準ウエノＸ１中の標準粒子３のみが検
出されるので、長期間同一ウェハを何回使っても検出粒
子敬は一定となり、異物検査装置の較正の信頼性が増し
、しかも簡単に個数比較できる。また、標準ウェハ１の
取り扱いも容易である。さらに、焦点が合っていなくて
も検出される程の大きな異物５が透明膜１３の上に付着
した場合でも、標準粒子３を除去せずに異物５のみを洗
い流したり、また、ブランスクラ（バ等で除去すること
ができる。
ｍφ以上の異物が１０ケ／ウェハ以下）の表面に標準粒
子３を付着させたものの表面に清浄な環境（ｃｌａｓｓ
１〜１００）内で発塵のないように、枠体１２に透明
膜１３をはった表面保護具（写真製版工程で使われるマ
スクにはるペリクルのようなもの》１１を接着させ、標
準ウェハ１を作成する。この標準ウェハ１に異物が付着
すると、第２図（ａ） （ｂ）に示すように表面保
護具１１の透明膜１３の上に異物５が付着し、鏡面ウェ
ハ２には直接付着しない、これを異物検査装置で測定？
ると、異物検査装置の焦点がＭｔウェハ２の表面に合わ
せてあるため、透明膜１３上に付着した異物５には焦点
があわず検出されない。すなわち、標準ウェハ１に異物
５が付着しても標準ウエノＸ１中の標準粒子３のみが検
出されるので、長期間同一ウェハを何回使っても検出粒
子敬は一定となり、異物検査装置の較正の信頼性が増し
、しかも簡単に個数比較できる。また、標準ウェハ１の
取り扱いも容易である。さらに、焦点が合っていなくて
も検出される程の大きな異物５が透明膜１３の上に付着
した場合でも、標準粒子３を除去せずに異物５のみを洗
い流したり、また、ブランスクラ（バ等で除去すること
ができる。
なお、上記実施例では、鏡面ウェハ２に標準粒子３を付
着させ、標準ウェハ１とする場合について示したが、鏡
面ウェハ２のかわりに％（Ａｔ’，ＳｉＯ■，ｐｏｌｙ
ｓｉ等々）付のウエ八またはバクーシ付のウェハを使っ
て標準ウェハとして膜・パター７付ウェハ検査装置用と
して使う。
着させ、標準ウェハ１とする場合について示したが、鏡
面ウェハ２のかわりに％（Ａｔ’，ＳｉＯ■，ｐｏｌｙ
ｓｉ等々）付のウエ八またはバクーシ付のウェハを使っ
て標準ウェハとして膜・パター７付ウェハ検査装置用と
して使う。
膜・バクーノ付ウェハ検査装置のための感度チ工・ソク
用ウェハとしては、主として次の３種が考えられる。
用ウェハとしては、主として次の３種が考えられる。
（ｉ） ｆｉ面ウェハ上に測定したい膜を測定したい
膜厚で堆積し、その上に標準粒子を付着させたもの（＃
付ウェハ検査用） （１１）実デバイスを形成中のある工程におけるウェハ
上に標準粒子を付着させたもの（バタン付ウェハ検査用
） （Ｉｌｌ） 鏡面ウェハ上に薄膜を堆積し、一定の大
きさの穴を数種類、一定の箇所に開口したもの（例、Ｖ
ＬＳＩ スタンダード社製 標準ウェハ１４２０等） これらのウェハも鏡面ウェハ２の場合と同様ニ他の異物
が付着した場合、検出数が増加して正（ノいＦ％度チェ
ックができなくなるので、この発明の表面保護具１１を
適用して標準ウェハ１とすれば、この問題を解決するこ
とができる。
膜厚で堆積し、その上に標準粒子を付着させたもの（＃
付ウェハ検査用） （１１）実デバイスを形成中のある工程におけるウェハ
上に標準粒子を付着させたもの（バタン付ウェハ検査用
） （Ｉｌｌ） 鏡面ウェハ上に薄膜を堆積し、一定の大
きさの穴を数種類、一定の箇所に開口したもの（例、Ｖ
ＬＳＩ スタンダード社製 標準ウェハ１４２０等） これらのウェハも鏡面ウェハ２の場合と同様ニ他の異物
が付着した場合、検出数が増加して正（ノいＦ％度チェ
ックができなくなるので、この発明の表面保護具１１を
適用して標準ウェハ１とすれば、この問題を解決するこ
とができる。
また、枠体１２の形状は円形が好ましい態様であるが、
他の形状でも差支えない。
他の形状でも差支えない。
以上説明したように、この発明は、ウェハ表面上に、透
明膜が形成された表面保護具をウエノ１表面上に接着し
て標準ウェハを構成したので、ウェハ表面には直接異物
が付着せず、異物が付着するのは表面保護具の透明股上
であり、したがって、異物検査装置で測定した場合、異
物検査装置の焦点はウェハ表面に合わせてあるため、透
明股上の異物は検出されず、ウェハ表面に付着している
標準粒子のみが検出される。したがって、長期間にわた
り同一ウェハを何回使っても検出個数は一定となり、異
物検査装置の較正の信頼性が増し、しかも簡単に個数比
較で較正が行左ろ。また、ウェハに異物が付着すること
に関して、従来ほど慎重にしなくてもよいので、取り扱
いが容易になる。
明膜が形成された表面保護具をウエノ１表面上に接着し
て標準ウェハを構成したので、ウェハ表面には直接異物
が付着せず、異物が付着するのは表面保護具の透明股上
であり、したがって、異物検査装置で測定した場合、異
物検査装置の焦点はウェハ表面に合わせてあるため、透
明股上の異物は検出されず、ウェハ表面に付着している
標準粒子のみが検出される。したがって、長期間にわた
り同一ウェハを何回使っても検出個数は一定となり、異
物検査装置の較正の信頼性が増し、しかも簡単に個数比
較で較正が行左ろ。また、ウェハに異物が付着すること
に関して、従来ほど慎重にしなくてもよいので、取り扱
いが容易になる。
また、大きな異物や多量の異物が透明膜上に付着した場
合でも標準粒子を除去することなく、異物のみを除去す
ることができ、標準ウエノ＼の効率的利用が可能になる
等の効果が得られる。
合でも標準粒子を除去することなく、異物のみを除去す
ることができ、標準ウエノ＼の効率的利用が可能になる
等の効果が得られる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例を示す保護具の外観
斜視図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の保護具を接着
した図、第２図（ａ）はけ準ウェハに異物が付着した状
態を示す外観斜視図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の
断面図、第２図（Ｃ）は測定時の出力マップを示す図、
第３図（ａ）は従来の標準ウェハを示す外観斜視図、第
３図（ｂｌは従来の標準ウェハを測定した際の出力マッ
プを示す図、第４図（ａ）は従来の標準ウエｌ１に異物
が付着した場合の外観斜視図、第４図（ｂ）は測定した
際の出力マップを示す図である。 図において、１は標準ウェハ、２は鏡面ウエ八、３は標
準粒子、４はドット、５は異物、１１は表面保護具、１
２は枠体、１３は透明膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
斜視図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の保護具を接着
した図、第２図（ａ）はけ準ウェハに異物が付着した状
態を示す外観斜視図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の
断面図、第２図（Ｃ）は測定時の出力マップを示す図、
第３図（ａ）は従来の標準ウェハを示す外観斜視図、第
３図（ｂｌは従来の標準ウェハを測定した際の出力マッ
プを示す図、第４図（ａ）は従来の標準ウエｌ１に異物
が付着した場合の外観斜視図、第４図（ｂ）は測定した
際の出力マップを示す図である。 図において、１は標準ウェハ、２は鏡面ウエ八、３は標
準粒子、４はドット、５は異物、１１は表面保護具、１
２は枠体、１３は透明膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 標準粒子を付着させたウェハ表面を保護するために、透
明膜が形成された表面保護具を前記ウェハ表面上に接着
して構成したことを特徴とする標準ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1440090A JPH03218044A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 標準ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1440090A JPH03218044A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 標準ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218044A true JPH03218044A (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=11859997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1440090A Pending JPH03218044A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 標準ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218044A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009156574A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
| JP2009282087A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 薄膜欠陥検査用標準基板、その製造方法、および薄膜欠陥検査方法 |
| JP2021052051A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ検査装置の管理方法 |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP1440090A patent/JPH03218044A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009156574A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
| JP2009282087A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 薄膜欠陥検査用標準基板、その製造方法、および薄膜欠陥検査方法 |
| JP2021052051A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ検査装置の管理方法 |
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