JPH03218255A - Chopper drive circuit for switching power supply - Google Patents

Chopper drive circuit for switching power supply

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JPH03218255A
JPH03218255A JP2010727A JP1072790A JPH03218255A JP H03218255 A JPH03218255 A JP H03218255A JP 2010727 A JP2010727 A JP 2010727A JP 1072790 A JP1072790 A JP 1072790A JP H03218255 A JPH03218255 A JP H03218255A
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勝彦 渡辺
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Abstract

PURPOSE:To reduce leak current to the drive circuit side, caused by response lag from ON to OFF of an FET for conducting/interrupting main current, by connecting a common mode choke to a circuit which is connected with the gate and source of the FET in a chopper circuit. CONSTITUTION:During response lag interval of an FET Q1 from ON to OFF (where, Q5 is turned ON and Q1 is not yet turned OFF), a large leak current flows the path of the source of Q1-Lb-D3-Q5 and a leak current also flows through a path of the gate of Q1-La-Q3-D3-Q5. Since the leak current does not reciprocate through a common mode choke CMC, the CMC exhibits a high inductance against the leak current thus reducing the leak current.

Description

【発明の詳細な説明】 《産業」二の利用分野》 この発明はチョッパ制御方式のスイッチング電源装置に
関し、特に、降圧型チョッパ回路や極性反転型チョッパ
回路を駆動するチョッパ駆動回路の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <<Industry> 2. Field of Application> The present invention relates to a chopper control type switching power supply device, and particularly relates to an improvement of a chopper drive circuit that drives a step-down type chopper circuit or a polarity inversion type chopper circuit.

《従来の技術》 降圧型チョッパ回路や極性反転型チョッパ回路では、主
電流を断続するFET (電界効果型1・ランジスタ)
のソースがグランドラインから電位的に浮いた回路構成
になる。このFETをグランドラインを電位基準とする
パルス信号によってオン・オフ駆動する非絶縁式のチョ
ッパ駆動回路としては、第2図に示すようなブートスト
ラップ回路式の構成が代表的である。
《Prior art》 In step-down chopper circuits and polarity inversion chopper circuits, FETs (field-effect type 1 transistors) are used to interrupt the main current.
This results in a circuit configuration in which the source is floating in potential from the ground line. A typical non-insulated chopper drive circuit for driving this FET on and off using a pulse signal with the ground line as a potential reference has a bootstrap circuit configuration as shown in FIG.

第2図において、FETQI、インダクタL1、コンデ
ンザC]、ダイオードD1はよ《知られた降圧型チョッ
パ回路を構成している。F ETQ 1のオン期間は入
力VinからFETQI、インダクタL1を通してコン
デンザC1および負萄(出力Voutに接続される)に
電流が流れ、FETQ1のオフ時にはダイオードD]を
通してインダクタL1および負荷回路に電流が流れる。
In FIG. 2, FET QI, inductor L1, capacitor C, and diode D1 constitute a well-known step-down chopper circuit. During the ON period of FETQ1, current flows from the input Vin through FETQI, inductor L1, to capacitor C1 and the negative output (connected to output Vout), and when FETQ1 is off, current flows through diode D to inductor L1 and the load circuit. .

FETQ1を十分に高い周波数でオン・オフ駆動すると
ともに、その駆動パルスのデューティ比を適宜に制御す
ることで安定な出力電圧を得ることができる。
A stable output voltage can be obtained by driving the FET Q1 on and off at a sufficiently high frequency and appropriately controlling the duty ratio of the driving pulse.

この降圧型チョッパ回路のFETQIは次のような回路
でもってオン・オフ駆動される。
FET QI of this step-down chopper circuit is turned on and off by the following circuit.

パルス発生回路PGはパルス幅制御回路(PWM)のI
Cであり、グランドラインGNDを電圧基準とするパル
ス信号を発生する。このパルス信号がFETQIの制御
信号である。パルス発生回路PGと、その出力信号を受
けてFETQIを駆動する回路は、入力Vinとは別の
直流電源VcCによって動作する。
The pulse generation circuit PG is the I of the pulse width control circuit (PWM).
C, and generates a pulse signal using the ground line GND as a voltage reference. This pulse signal is a control signal for FETQI. The pulse generation circuit PG and the circuit that receives its output signal and drives the FETQI are operated by a DC power supply VcC different from the input Vin.

このチョッパ駆動回路は、FETQIのゲートとソース
を結ぶ抵抗R1に電流を流し込んでFETQ1をオンさ
せるための第1のトランジスタQ2と、FETQIのゲ
ートとソースをほぼ短絡させてFETQ1を高速にオン
からオフに反転させるための第2のトランジスタQ3と
を備えている。
This chopper drive circuit has a first transistor Q2 that injects current into a resistor R1 connecting the gate and source of FETQI to turn on FETQ1, and a first transistor Q2 that almost shorts the gate and source of FETQI to turn FETQ1 from on to off at high speed. and a second transistor Q3 for inverting the output voltage.

この第1、第2のトラン゛ジスタは図のように相補的に
接続されており、トランジスタQ4、FETQ5、抵抗
R2とR3、ダイオードD2とD3とD4、コンデンサ
C2からなる制御回路により、パルス発生回路PGから
出力されるパルス信号に応答して相補的にオン・オフさ
れる。
The first and second transistors are connected in a complementary manner as shown in the figure, and a control circuit consisting of transistor Q4, FET Q5, resistors R2 and R3, diodes D2, D3, and D4, and capacitor C2 generates pulses. They are turned on and off in a complementary manner in response to a pulse signal output from the circuit PG.

パルス発生回路PGの出力によってFETQ5がオンす
ると、電源VccからD2−C2→D3→Q5と電流が
流れて、コンデンサC2がほほ■CCの電圧に充電され
る。また同時にD2−R2→Q5と電流が流れ、トラン
ジスタQ4のベースはほぼグランドレベルになり、トラ
ンジスタQ4はオフ、トランジスタQ2もオフになって
いる。
When the FET Q5 is turned on by the output of the pulse generating circuit PG, a current flows from the power supply Vcc in the order of D2-C2→D3→Q5, and the capacitor C2 is charged to a voltage of about 2CC. At the same time, a current flows from D2-R2 to Q5, and the base of transistor Q4 is almost at ground level, transistor Q4 is turned off, and transistor Q2 is also turned off.

このときFETQIのゲート・ソース間電圧v6,(抵
抗R1の両端電圧)はほぼゼロであり、FETQ1はオ
フしている。
At this time, the gate-source voltage v6 of FETQI (voltage across resistor R1) is approximately zero, and FETQ1 is off.

パルス発生回路PGからの出力信号によってFETQ5
がオンからオフに反転すると、コンデンサC2の充電電
荷を電源として次のように動作する。コンデンサC2か
ら抵抗R2を通してトランジスタQ4のベース電流が流
れ、Q4がオンする。
FETQ5 is activated by the output signal from the pulse generation circuit PG.
When is reversed from on to off, the capacitor C2 operates as follows using the charge charged in the capacitor C2 as a power source. The base current of transistor Q4 flows from capacitor C2 through resistor R2, turning Q4 on.

するとトランジスタQ2とQ3のベース電位が上昇し、
トランジスタQ4のエミッタ側からトランジスタQ2の
ベース電流が流れ込み、トランジスタQ2もオンする。
Then, the base potential of transistors Q2 and Q3 rises,
The base current of transistor Q2 flows from the emitter side of transistor Q4, and transistor Q2 is also turned on.

するとコンデンサC2の放電電流がQ2のコレクタ→エ
ミッタ→R1→C2のループに流れ、抵抗R1の両端に
電圧が生じ、その電圧がFETQIのゲート・ソース間
に印加され、FETQIがオンする。
Then, the discharge current of capacitor C2 flows through the loop of collector of Q2→emitter→R1→C2, a voltage is generated across resistor R1, and this voltage is applied between the gate and source of FETQI, turning on FETQI.

次にパルス発生回路PGからの出力によってFETQ5
がオフからオンに反転すると、抵抗R2からFETQ5
に電流が流れるので、トランジスタQ4がカットオフし
、従ってトランジスタQ2もカットオフする。これでト
ランジスタQ2から抵抗R1への電流がなくなり、FE
TQIがオフするのであるが、このときトランジスタQ
3のベース電位が低下してQ3がオンし、FETQ1の
オンからオフへの変化を高速化する。っまりFETQI
のオン期間にゲート・ソース間容量CCSが充電されて
おり、その蓄積電荷を速やかに放電さ5 せないとFETQIを高速にオンからオフに反転させる
ことはできない。そこでトランジスタQ2をオフさせる
と同時にトランジスタQ3をオンにし、FETQ1のゲ
ートとソースをトランジスタQ3でほぼ短絡させ、ゲー
ト・ソース間容量CCSの蓄積電荷をQ3を通して速や
かに放電させる。
Next, the output from the pulse generation circuit PG causes the FETQ5 to
When FETQ5 is reversed from off to on, resistor R2 to FETQ5
Since current flows through the transistor Q4, the transistor Q4 is cut off, and therefore the transistor Q2 is also cut off. This eliminates the current flowing from transistor Q2 to resistor R1, and FE
TQI turns off, but at this time transistor Q
The base potential of FET Q3 decreases and turns on Q3, speeding up the change from on to off of FET Q1. Very FETQI
The gate-source capacitance CCS is charged during the ON period of FETQI, and unless the accumulated charge is quickly discharged, FETQI cannot be quickly turned from ON to OFF. Therefore, the transistor Q3 is turned on at the same time as the transistor Q2 is turned off, the gate and source of the FET Q1 are almost short-circuited by the transistor Q3, and the accumulated charge in the gate-source capacitance CCS is quickly discharged through Q3.

以上の動作をパルス発生回路PGからのパルス信号に応
答して繰り返し、チョツパ回路のFETQ1をオン・オ
フ駆動する。
The above operation is repeated in response to a pulse signal from the pulse generation circuit PG to turn on and off the FET Q1 of the chopper circuit.

《発明が解決しようとする課題》 第2図の従来回路において、パルス発生回路PGの出力
によってFETQ5がオフからオンに変化すると、その
変化を受けてチョツバ回路のFETQIがオンからオフ
に変化するのであり、トランジスタQ3によってFET
QIのオフへの変化を高速化しているとはいっても、F
ETQ5がオンし、FETQ1がまだオフしていない時
間は微少ながら残る。その微少時間では高電圧の入力V
in側からQ1のエミッタ→D3→Q5の経路で電流が
流れる。また同時に、FETQIのゲート6 ・ソース間容量やゲート・ドレイン間容量を通して、Q
1のゲート→Q3−D3−Q5の経路ても電流が流れる
。これらの電流のことを本明細書では漏れ電流と称する
(チョッパ回路の主電流が駆動回路側へ漏れ出す)。
<<Problems to be Solved by the Invention>> In the conventional circuit shown in FIG. 2, when FETQ5 changes from OFF to ON due to the output of the pulse generation circuit PG, FETQI of the Chotsuba circuit changes from ON to OFF in response to the change. Yes, FET by transistor Q3
Even though it speeds up the change of QI to OFF, F
There remains a small amount of time when ETQ5 is turned on and FETQ1 is not yet turned off. In that minute time, the high voltage input V
Current flows from the in side through the emitter of Q1 → D3 → Q5. At the same time, the Q
Current also flows through the path from the gate of No. 1 to Q3-D3-Q5. These currents are referred to as leakage currents in this specification (the main current of the chopper circuit leaks to the drive circuit side).

前記の漏れ電流はFETQIがオンからオフに反転する
毎に流れる微少幅のパルス電流であるが、そのピーク値
は比較的大きい。この漏れ電流かFETQ5に流れるの
で、Q5ての発熱が大きくなり、Q5として電流容量の
大きなFETを使用しなければならず、また実装上の放
熱対策も必要となる。またFETQ5に流れる前記漏れ
電流はチョッパ回路のパワーロスとなる。
The aforementioned leakage current is a pulse current with a minute width that flows every time the FET QI is reversed from on to off, but its peak value is relatively large. Since this leakage current flows to FET Q5, heat generation in Q5 becomes large, so a FET with a large current capacity must be used as Q5, and heat dissipation measures are also required in mounting. Further, the leakage current flowing through FETQ5 results in power loss in the chopper circuit.

この発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたもので
、その目的は、前記FETQI (主電流を断続するF
ET)のオン→オフ応答遅れに起因する駆動回路側への
漏れ電流を低減することにある。
This invention was made in view of the above-mentioned conventional problems, and its purpose is to
The purpose of the present invention is to reduce leakage current to the drive circuit side due to a delay in response from ON to OFF of the ET.

《課題を解決するための手段》 そこでこの発明では、チョッパ回路のFET(Q1)の
ゲートとソースを結ぶ抵抗(R1)に電流を流し込んで
前記FET(Ql)をオンさせるための第1のトランジ
スタ(Q2)と、前記FET(Ql)のゲートとソース
間をほぼ短絡させて前記FET (Ql)を高速にオン
からオフに反転させるための第2の1・ランジスタ(Q
3)と、グランドラインを電位基準とするパルス信号を
受けて前記第1,第2のトランジスタ(Q2、Q3)を
相補的にオン・オフさせる非絶縁式の制御回路とを備え
るチョッパ回路において、前記第2のトランジスタ(Q
3)と前記FET (Ql)のゲートおよびソースを結
ぶ2本のライン上にコモンモードチョークを挿入した。
<<Means for Solving the Problems>> Therefore, in the present invention, a first transistor is provided to turn on the FET (Ql) by flowing current into a resistor (R1) connecting the gate and source of the FET (Q1) of the chopper circuit. (Q2) and a second transistor (Q) for rapidly inverting the FET (Ql) from on to off by substantially shorting the gate and source of the FET (Ql).
3) and a non-insulated control circuit that turns on and off the first and second transistors (Q2, Q3) in a complementary manner in response to a pulse signal with a ground line as a potential reference, The second transistor (Q
A common mode choke was inserted on the two lines connecting 3) and the gate and source of the FET (Ql).

《作 用》 前記FET (Ql)をオンさせる際に第1のトランジ
スタ(Q2)から前記抵抗(R1)に流れる電流は、前
記FET (Ql)のゲートおよびソースを結ぶ前記2
本のラインを往復する電流となる。また前記FET(Q
)をオフさせる際のゲト・ソース間容量の充電電荷が第
2のトランジスタ(Q3)を通して放電する際の電流も
前記2本のラインを往復する電流である。従って、これ
らの電流に対して前記コモンモードチョークはほとんど
インダクタンスを示さない。
<<Function>> When turning on the FET (Ql), the current flowing from the first transistor (Q2) to the resistor (R1) flows through the second transistor (Ql), which connects the gate and source of the FET (Ql).
The current flows back and forth through the book line. In addition, the FET (Q
) when the gate-source capacitance is discharged through the second transistor (Q3) is also a current flowing back and forth between the two lines. Therefore, the common mode choke exhibits little inductance for these currents.

一方、前記FET(Ql)のオンーオフの応答遅れに起
因する前記漏れ電流は、前記2本のラインを同方向に流
れることになり、この電流に対して前記コモンモードチ
ョークは大きなインダクタンスを示し、この漏れ電流を
低減させる。
On the other hand, the leakage current caused by the delay in the on-off response of the FET (Ql) flows in the same direction through the two lines, and the common mode choke exhibits a large inductance with respect to this current. Reduce leakage current.

《実施例》 第1図は先に詳しく説明した第2図の回路に本発明によ
る改良を加えた実施例を示している。第2図の回路との
相違点はコモンモードチョークCMCを加えた点である
。FETQIのゲートとトランジスタ3のエミッタを結
ぶライン上にコモンモードチョークCMCのコイルLa
を挿入し、FETQIのソースとトランジスタQ3のコ
レクタを結ぶライン上にコモンモードチョークCMCの
コイルLbを挿入している。
<<Embodiment>> FIG. 1 shows an embodiment in which improvements according to the present invention are added to the circuit of FIG. 2 described in detail above. The difference from the circuit of FIG. 2 is that a common mode choke CMC is added. A common mode choke CMC coil La is placed on the line connecting the gate of FETQI and the emitter of transistor 3.
is inserted, and a common mode choke CMC coil Lb is inserted on the line connecting the source of FET QI and the collector of transistor Q3.

このチョッパ駆動回路の基本動作については先9 に詳しく説明したので、ここでは説明を省略する。The basic operation of this chopper drive circuit will be explained in the previous section. I have already explained this in detail, so I will omit the explanation here.

FETQ5がオフのとき、コンデンサC2の放電電流が
C 2 −” Q 2 + L a →R 1 →L 
b 4 C 2と流れ、R1の両端に発生する電圧によ
ってFETQ]がオンする。このときLaとLbには往
復の逆向き電流が流れ、コモンモードチョークCMCは
ほとんどインダクタンスを示さない。
When FET Q5 is off, the discharge current of capacitor C2 is C 2 −” Q 2 + L a →R 1 →L
b 4 C 2 and the voltage generated across R1 turns on FETQ. At this time, current flows in opposite directions back and forth between La and Lb, and the common mode choke CMC exhibits almost no inductance.

FETQ5がオフからオンに反転すると、トランジスタ
Q2がオフ、トランジスタQ3がオンし、F ETQ 
1のゲート・ソース間容ffi C c sの放電電流
が1のゲート→La→Q3→Lb→Q1のソースと流れ
る。この電流もコモンモードチョークCMCに対して往
復電流となりCMCはほとんどインダクタンスを示さな
い。
When FETQ5 is reversed from off to on, transistor Q2 turns off, transistor Q3 turns on, and FETQ
A discharge current having a gate-source capacitance ffi C c s of 1 flows from the gate of 1 → La → Q3 → Lb → the source of Q1. This current also becomes a reciprocating current with respect to the common mode choke CMC, and the CMC exhibits almost no inductance.

しかしFETQIのオン→オフの応答遅れ期間(Q5が
オンし、Q1がまだオフしていない期間)では、Q1の
ソース→Lb−D3→Q5の経路で大きな漏れ電流が流
れるとともに、Q1のゲー1・−I− L a −1−
 Q 3 −* D 3→Q5の経路でも漏れ電流が流
れる。この漏れ電流はコモンモードチョークCコ0 MCに対して往復電流とならないので、この電流に対し
てCMCが大きなインダクタンスを示すこととなり、こ
れら漏れ電流を低減させることになる。
However, during the on-→off response delay period of FETQI (the period when Q5 is on and Q1 is not yet off), a large leakage current flows in the path from the source of Q1 → Lb-D3 → Q5, and the gate of Q1・-I- L a -1-
Leakage current also flows in the path from Q 3 -* D 3 to Q5. Since this leakage current does not become a round trip current with respect to the common mode choke C0MC, CMC exhibits a large inductance with respect to this current, and these leakage currents are reduced.

《発明の効果》 以上詳細に説明したように、この発明では、チョッパ回
路のFETのゲートおよびソースにつながる回路にコモ
ンモードチョークを接続するという簡単な改良により、
前記FETをオン・オフ駆動する回路機能にはまったく
影響を与えずに、前記FETのオンからオフへの応答遅
れに起因する前記漏れ電流を効果的に低減することがで
き、パワーロスを抑えるとともに、前記漏れ電流が流れ
るトランジスタの電流容量が小さくてすみ、その発熱も
あまり問題にならなくなる。
<<Effects of the Invention>> As explained in detail above, in this invention, the simple improvement of connecting a common mode choke to the circuit connected to the gate and source of the FET of the chopper circuit achieves the following effects.
It is possible to effectively reduce the leakage current caused by the delay in response from ON to OFF of the FET, without affecting the circuit function that drives the FET on and off, suppressing power loss, and The current capacity of the transistor through which the leakage current flows can be small, and its heat generation becomes less of a problem.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例によるチョッパ駆動回路の構
成図、第2図は従来のチョッパ駆動回路の構成図である
。 11 Q1・・・・・・主電流を断続するFETQ2・・・・
・・第1のトランジスタ Q3・・・・・・第2のトランジスタ CMC・・・コモンモードチョーク
FIG. 1 is a block diagram of a chopper drive circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of a conventional chopper drive circuit. 11 Q1...FETQ2... which intermittents the main current
...First transistor Q3...Second transistor CMC...Common mode choke

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 主電流を断続するFETのソースがグランドラインから
電位的に浮いた回路構成のチョッパ回路を駆動する回路
であって、前記FETのゲートとソースを結ぶ抵抗に電
流を流し込んで前記FETをオンさせるための第1のト
ランジスタと、前記FETのゲートとソース間をほぼ短
絡させて前記FETを高速にオンからオフに反転させる
ための第2のトランジスタと、前記グランドラインを電
位基準とするパルス信号を受けて前記第1、第2のトラ
ンジスタを相補的にオン・オフさせる非絶縁式の制御回
路と、前記第2のトランジスタと前記FETのゲートお
よびソースを結ぶ2本のライン上に挿入されたコモンモ
ードチョークとを備えたスイッチング電源装置のチョッ
パ駆動回路。
A circuit for driving a chopper circuit having a circuit configuration in which the source of an FET that intermittents the main current is floating in potential from a ground line, and for turning on the FET by flowing current into a resistor connecting the gate and source of the FET. a first transistor, a second transistor for rapidly inverting the FET from on to off by substantially shorting the gate and source of the FET, and receiving a pulse signal with the ground line as a potential reference; a non-insulated control circuit that turns on and off the first and second transistors in a complementary manner; and a common mode inserted on two lines connecting the second transistor and the gate and source of the FET. A chopper drive circuit for a switching power supply equipped with a choke.
JP2010727A 1990-01-22 1990-01-22 Switching power supply chopper drive circuit Expired - Fee Related JPH072008B2 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2528233A1 (en) * 2011-05-24 2012-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Coupling circuit for coupling a control circuit to a semiconductor switch

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP2528233A1 (en) * 2011-05-24 2012-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Coupling circuit for coupling a control circuit to a semiconductor switch

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