JPH03218428A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH03218428A JPH03218428A JP1396590A JP1396590A JPH03218428A JP H03218428 A JPH03218428 A JP H03218428A JP 1396590 A JP1396590 A JP 1396590A JP 1396590 A JP1396590 A JP 1396590A JP H03218428 A JPH03218428 A JP H03218428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pedestal
- sensor chip
- semiconductor
- bonded
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の
本発明は、半導体圧力センサに関する。
支釆立１１
半導体圧力センサは第２図（ａ）の正面図および同図（
ｂ）の側面図に示すようにシリコン基板１０にエッチン
グ等により形成された円形薄膜のダイアフラム１１を有
しており、このダイアフラム１１に設けられたピエゾ抵
抗層からなるゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４はＡ又はＢ方向の圧
力を受けることにより抵抗値が変化する。第３図はこれ
らの抵抗Ｒ１〜Ｒ４の接続間係を示しており、抵抗Ｒｌ
−Ｒ４は図示の通リホイートストンブリッジに結線され
ている。ダイアフラムｌ１は圧力を受けるとひずみ、中
央部の抵抗Ｒ２およびＲ３の抵抗値は引張応力で大きく
なり、逆に周辺部の抵抗Ｒ２， Ｒ３の抵抗値は圧縮応
力で小さくなる。
ｂ）の側面図に示すようにシリコン基板１０にエッチン
グ等により形成された円形薄膜のダイアフラム１１を有
しており、このダイアフラム１１に設けられたピエゾ抵
抗層からなるゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４はＡ又はＢ方向の圧
力を受けることにより抵抗値が変化する。第３図はこれ
らの抵抗Ｒ１〜Ｒ４の接続間係を示しており、抵抗Ｒｌ
−Ｒ４は図示の通リホイートストンブリッジに結線され
ている。ダイアフラムｌ１は圧力を受けるとひずみ、中
央部の抵抗Ｒ２およびＲ３の抵抗値は引張応力で大きく
なり、逆に周辺部の抵抗Ｒ２， Ｒ３の抵抗値は圧縮応
力で小さくなる。
したがって、圧力の大きさが第３図の端子１２、１３間
に電気信号の形であらわれる。尚、抵抗Ｒ１〜Ｒ４は図
示のように電源Ｖｃｃに接続される。
に電気信号の形であらわれる。尚、抵抗Ｒ１〜Ｒ４は図
示のように電源Ｖｃｃに接続される。
このようなダイアフラム１１を有するセンサチップ１は
ダイアフラム１１とその支持部材との間に歪が生じると
、その分だけオフセット電圧が生じる。
ダイアフラム１１とその支持部材との間に歪が生じると
、その分だけオフセット電圧が生じる。
これを避けるためにセンサチップ１とそれを取り付ける
金属ステムとの間に台座を設けることが一般に行なわれ
ている。そして、台座とセンサチップとの結合は従来低
融点ガラス等によって行なっていた。
金属ステムとの間に台座を設けることが一般に行なわれ
ている。そして、台座とセンサチップとの結合は従来低
融点ガラス等によって行なっていた。
が しよ゛とする
しかしながら、これでは接着剤としての低融点ガラスの
ために台座とセンサチップとの間に熱による歪が生じる
という問題があった。
ために台座とセンサチップとの間に熱による歪が生じる
という問題があった。
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、熱
ひずみが生じにくいように工夫した半導体圧力センサを
提供することを目的とする。
ひずみが生じにくいように工夫した半導体圧力センサを
提供することを目的とする。
゛するための
上記目的を達成するため、本発明では、ピエゾ抵抗層を
備えたダイアフラムを有する半導体センサチップと、該
半導体センサチップを取り付けた台座と、該台座を取り
付けた金属ステムとからなる半導体圧力センサにおいて
、前記半導体センサチップを前記台座に対しシリコン系
の接着剤で接着した構成としている。
備えたダイアフラムを有する半導体センサチップと、該
半導体センサチップを取り付けた台座と、該台座を取り
付けた金属ステムとからなる半導体圧力センサにおいて
、前記半導体センサチップを前記台座に対しシリコン系
の接着剤で接着した構成としている。
作二一月一
このような構成によると、台座と半導体センサチップと
の間の接着剤が熱に強いため熱ひずみが生じにくくなる
。
の間の接着剤が熱に強いため熱ひずみが生じにくくなる
。
ス」１例一
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。第
１図においで、金属スラム３にシリコンよりなる台座２
をシリカペースト５でダイボンディングし、その台座２
の上面にシリコン系の接着剤６を塗布し、センサチップ
１をダイボンディングする。しかる後、センサチップ１
とソート４とをワイヤー７を使ってワイヤーボンディン
グする。
１図においで、金属スラム３にシリコンよりなる台座２
をシリカペースト５でダイボンディングし、その台座２
の上面にシリコン系の接着剤６を塗布し、センサチップ
１をダイボンディングする。しかる後、センサチップ１
とソート４とをワイヤー７を使ってワイヤーボンディン
グする。
このような構造の半導体圧力センサは台座２とセンサチ
ップ１との結合が熱特性の良いシリコン系の接着剤６に
よってなされているため熱ひずみにつよい。
ップ１との結合が熱特性の良いシリコン系の接着剤６に
よってなされているため熱ひずみにつよい。
発』ｂλ泣速一
以上説明した通シ八 本発明によれば、半導体センサチ
ップと台座との間がシリコン系の接着剤によって結合さ
れているため熱ひずみが発生しにくくなり、信頼性が向
上する。
ップと台座との間がシリコン系の接着剤によって結合さ
れているため熱ひずみが発生しにくくなり、信頼性が向
上する。
第１図は本考案を実施した半導体圧力センサの構造図で
ある。第２図及び第３図はそれに使用する半導体センサ
チップの説明図である。 １・・・半導体センサチップ、 ２・・・台座、３・
・・金属ステム、 ４・・・ソ６・・・シリコ
ン系の接着剤、 １１・・・ダイアフラム。 出 願 人 口−ム株式会社
ある。第２図及び第３図はそれに使用する半導体センサ
チップの説明図である。 １・・・半導体センサチップ、 ２・・・台座、３・
・・金属ステム、 ４・・・ソ６・・・シリコ
ン系の接着剤、 １１・・・ダイアフラム。 出 願 人 口−ム株式会社
Claims (1)
- （１）ピエゾ抵抗層を備えたダイアフラムを有する半導
体センサチップと、該半導体センサチップを取り付けた
台座と、該台座を取り付けた金属ステムとからなる半導
体圧力センサにおいて、前記半導体センサチップを前記
台座に対しシリコン系の接着剤で接着したことを特徴と
する半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1396590A JPH03218428A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1396590A JPH03218428A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218428A true JPH03218428A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=11847928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1396590A Pending JPH03218428A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218428A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59102131A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1396590A patent/JPH03218428A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59102131A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
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