JPH03218602A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH03218602A JPH03218602A JP2013842A JP1384290A JPH03218602A JP H03218602 A JPH03218602 A JP H03218602A JP 2013842 A JP2013842 A JP 2013842A JP 1384290 A JP1384290 A JP 1384290A JP H03218602 A JPH03218602 A JP H03218602A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- firing
- varistor
- mol
- weight
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
従来の技術
従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている．このようなバリ
スタの電圧一電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる．１＝ （Ｖ／Ｃ） ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧一電流非直線指数である．ＳｉＣバリスタの
αは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタではαが５０にもお
よぶものがある．このようなバリスタは比較的高い電圧
の吸収には優れた性能を有しているが、誘電率が低《、
固有の静電容量が小さいため、バリスタ電圧以下の比較
的低い電圧の吸収にほとんど効果を示さず、また誘電損
失ｔａｎδが５〜１０％と大きい． 一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０’程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている．しかし、このような半
導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧
または電流が印加されると、静電容量が減少したり破壊
したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなった
りする．そこで最近になってＳｒＴｉ０３を主成分とし
、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有する
ものが開発され、コンピュータなどの電子機器における
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている
． 発明が解決しようとする課題 上記のＳｒＴｉＯｉを主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた．そこで本発明では、誘電率が大
きく、バリスタ電圧が低く、αが大きいと共にサージ耐
量が大きい電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバ
リスタの製造方法を提供することを目的とするものであ
る． 課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために本発明では、Ｓｒ＋−Ｊｇ
ｘＴｉＯｓ （０．００１≦Ｘ≦０．３００） （以下
、第１成分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏ
ｌＸ、ＮｂｇＯｓ＋ＴａｉＯｓ＋ＷＯｓ＋ ＤｙｚＯｓ
＋ ＹｔＯｓ＋ ＬａｘＯｚ＋ ＣｅＯｘ＋ Ｓａｇｏ
ｆｆ， ＰｒｉＯ＋ ｌ ｌ ＮｄｚＯｚのうち少なく
とも１種類以上（以下、第２成分と呼ぶ）を０．００１
〜５．０００ｍｏ１χ、＾ＩｚＯｉ＋ＳｂｚＯｓ＋Ｂａ
Ｏ，Ｂｅ（Ｌ ｐｂｏ， ＢｚＯ３＋ ＣｒｌＯｓ ＋
Ｆｅｚｅ２＋ ＣｄＯ＋ Ｋ！０１ ＣａＯ＋ Ｃｏ
ｔ’ｓ ｌ Ｃｕｏ＋ Ｃｕｔｅ， Ｌｉ，ｏｌ Ｌｔ
Ｆ ＋ ＭｇＯ＋ ＭｎＯｚ ＋ ＭｏＯｓ＋ Ｎａｚ
Ｏ＋ ＮａＰ ＋ Ｎ ｒ Ｏ＋ＲｈｚＯｓ ＋ Ｓｅ
Ｏ ｔ＋ ＡｇｚＯ＋ Ｓｔｏｗ ＋ ＳＩＣＩ Ｓｒ
Ｏ＋ ＴＩｚＯｉ ｌＴｈａｗ ＋ Ｔｔ Ｏｔ ＋Ｖ
ｚＯｓ＋ Ｂｔ ！０３＋ Ｚｎ（Ｌ ＺｒＯｔ＋ Ｓ
ｎｏｗのうち少なくとも１種類以上（以下、第３成分と
呼ぶ）を０．００１〜５．０００ｍｏｌχ含有してなる
主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＊６０．０００〜３
２．５００ｍｏｌχ，Ｓｉｎｇ ４０．０００ 〜６
７．５ｍｏｌχからなる混合物を１２００〜１３００゜
Ｃで焼成してなる添加物（以下第４成分と呼ぶ） ０
．００１〜１０．０００重量部とからなる電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物を得ることにより、課題を解決し
ようとするものである。
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている．このようなバリ
スタの電圧一電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる．１＝ （Ｖ／Ｃ） ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧一電流非直線指数である．ＳｉＣバリスタの
αは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタではαが５０にもお
よぶものがある．このようなバリスタは比較的高い電圧
の吸収には優れた性能を有しているが、誘電率が低《、
固有の静電容量が小さいため、バリスタ電圧以下の比較
的低い電圧の吸収にほとんど効果を示さず、また誘電損
失ｔａｎδが５〜１０％と大きい． 一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０’程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている．しかし、このような半
導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧
または電流が印加されると、静電容量が減少したり破壊
したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなった
りする．そこで最近になってＳｒＴｉ０３を主成分とし
、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有する
ものが開発され、コンピュータなどの電子機器における
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている
． 発明が解決しようとする課題 上記のＳｒＴｉＯｉを主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた．そこで本発明では、誘電率が大
きく、バリスタ電圧が低く、αが大きいと共にサージ耐
量が大きい電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバ
リスタの製造方法を提供することを目的とするものであ
る． 課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために本発明では、Ｓｒ＋−Ｊｇ
ｘＴｉＯｓ （０．００１≦Ｘ≦０．３００） （以下
、第１成分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏ
ｌＸ、ＮｂｇＯｓ＋ＴａｉＯｓ＋ＷＯｓ＋ ＤｙｚＯｓ
＋ ＹｔＯｓ＋ ＬａｘＯｚ＋ ＣｅＯｘ＋ Ｓａｇｏ
ｆｆ， ＰｒｉＯ＋ ｌ ｌ ＮｄｚＯｚのうち少なく
とも１種類以上（以下、第２成分と呼ぶ）を０．００１
〜５．０００ｍｏ１χ、＾ＩｚＯｉ＋ＳｂｚＯｓ＋Ｂａ
Ｏ，Ｂｅ（Ｌ ｐｂｏ， ＢｚＯ３＋ ＣｒｌＯｓ ＋
Ｆｅｚｅ２＋ ＣｄＯ＋ Ｋ！０１ ＣａＯ＋ Ｃｏ
ｔ’ｓ ｌ Ｃｕｏ＋ Ｃｕｔｅ， Ｌｉ，ｏｌ Ｌｔ
Ｆ ＋ ＭｇＯ＋ ＭｎＯｚ ＋ ＭｏＯｓ＋ Ｎａｚ
Ｏ＋ ＮａＰ ＋ Ｎ ｒ Ｏ＋ＲｈｚＯｓ ＋ Ｓｅ
Ｏ ｔ＋ ＡｇｚＯ＋ Ｓｔｏｗ ＋ ＳＩＣＩ Ｓｒ
Ｏ＋ ＴＩｚＯｉ ｌＴｈａｗ ＋ Ｔｔ Ｏｔ ＋Ｖ
ｚＯｓ＋ Ｂｔ ！０３＋ Ｚｎ（Ｌ ＺｒＯｔ＋ Ｓ
ｎｏｗのうち少なくとも１種類以上（以下、第３成分と
呼ぶ）を０．００１〜５．０００ｍｏｌχ含有してなる
主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＊６０．０００〜３
２．５００ｍｏｌχ，Ｓｉｎｇ ４０．０００ 〜６
７．５ｍｏｌχからなる混合物を１２００〜１３００゜
Ｃで焼成してなる添加物（以下第４成分と呼ぶ） ０
．００１〜１０．０００重量部とからなる電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物を得ることにより、課題を解決し
ようとするものである。
作用
上記の発明において、第１成分は主たる成分であり、Ｓ
ｒＴｉＯｓのＳｒの一部をＭｇで置換することにより、
粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる．
第２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化
物である．また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の
改善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の
低下、誘電率の改善に有効なものである．特に、第４成
分は融点が１２３０〜１２５０℃と比較的低いため、融
点前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分の
反応を促進すると共に粒子の成長を促進する．そのため
粒界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵抗
化されやすくなることから、バリスタ機能およびコンデ
ンサ機能が改善される．また、粒成長が促進されるため
バリスタ電圧が低くなり、粒径の均一性が向上するため
特性の安定性が良くなり、特にサージ耐量が改善される
こととなる．実施例 以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する． ＳｒＴｉＯｓ，Ｓｔ（ｈを下記の第１表に示すように組
成比を種々変えて秤量し、ポールミルなどで２４Ｈｒ混
合する．次に、乾燥した後、下記の第１表に示すように
温度を種々変えて焼成し、再びポールミルなどで２４Ｈ
ｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする．次いで、第１
成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記の第１表に
示した組成比になるように秤量し、ボールミルなどで３
０Ｈｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアルコールなど
の有機バインダーを１０一ｔχ添加して造粒した後、１
（ｔ／ｃｄ）のプレス圧力で１０φ×１ｔ（ＩＩ１１）
の円板状に成形し、１１００゜Ｃで４Ｈｒ焼成し脱バイ
ンダーする．次に、第１表に示したように温度と時間を
種々変えて焼成（第１焼成）し、その後還元性雰囲気、
例えばＨｚ ： Ｈｚ＝９：ｌのガス中で温度と時間を
種々変えて焼成（第２焼成）する．さらにその後、酸化
性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼成（第３焼成）
する。
ｒＴｉＯｓのＳｒの一部をＭｇで置換することにより、
粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる．
第２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化
物である．また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の
改善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の
低下、誘電率の改善に有効なものである．特に、第４成
分は融点が１２３０〜１２５０℃と比較的低いため、融
点前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分の
反応を促進すると共に粒子の成長を促進する．そのため
粒界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵抗
化されやすくなることから、バリスタ機能およびコンデ
ンサ機能が改善される．また、粒成長が促進されるため
バリスタ電圧が低くなり、粒径の均一性が向上するため
特性の安定性が良くなり、特にサージ耐量が改善される
こととなる．実施例 以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する． ＳｒＴｉＯｓ，Ｓｔ（ｈを下記の第１表に示すように組
成比を種々変えて秤量し、ポールミルなどで２４Ｈｒ混
合する．次に、乾燥した後、下記の第１表に示すように
温度を種々変えて焼成し、再びポールミルなどで２４Ｈ
ｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする．次いで、第１
成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記の第１表に
示した組成比になるように秤量し、ボールミルなどで３
０Ｈｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアルコールなど
の有機バインダーを１０一ｔχ添加して造粒した後、１
（ｔ／ｃｄ）のプレス圧力で１０φ×１ｔ（ＩＩ１１）
の円板状に成形し、１１００゜Ｃで４Ｈｒ焼成し脱バイ
ンダーする．次に、第１表に示したように温度と時間を
種々変えて焼成（第１焼成）し、その後還元性雰囲気、
例えばＨｚ ： Ｈｚ＝９：ｌのガス中で温度と時間を
種々変えて焼成（第２焼成）する．さらにその後、酸化
性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼成（第３焼成）
する。
こうして得られた第１図および第２図に示す焼結体ｌの
両平面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペース
トをスクリーン印刷などにより塗布し、５７０’Ｃ，
５ｍｉｎで焼成し、電極２、３を形成する。次に、図
示してはいないが半田などによりリード線を取付け、エ
ボキシなどの樹脂を塗装する．このようにして得られた
素子の特性を下記の第２表に示す． なお、誘電率はＩＫＨｚでの静電容量から計算したもの
であり、αは α＝ １ ／ Ｌｏｇ （Ｖｔａ＋ａａ／ ＶｌｍＡ
）（ただし、Ｖ ｌａｍ ％ Ｖ ＋ｓｍａ４；！ １
ｍＡ， ｌＯ＋ｓＡ（７）電流を流した時に素子の両
端にかかる電圧である．）で評価した．また、サージ耐
量はパルス性の電流を印加した後のＶｌａＡの変化率が
±１０％以内である時の最大のパルス性電流値により評
価している．以下余白 また、本発明において第１成分のＳｒｒ−ｘＭｇｘＴｌ
（１＋のＸの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１より
も小さいと効果を示さず、一方０．３００を超えると格
子欠陥が発生しにくくなるため半導体化が促進されず、
粒界にＭｇが単一相として析出するため、組織が不均一
になり、ＶＩＩＩＡが高くなりすぎて特性が劣化するた
めである．さらに、第２成分は０．００１ｍｏｌχ未満
では効果を示さず、５．０００ｍｏｌχを超えると粒界
に偏析して粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形
成するため特性が劣化するものである．また、第３成分
は０．００１ｍｏｌχ未満では効果を示さず、５．ＯＯ
Ｏｍｏｌχを超えると粒界に偏析して第２相を形成する
ため特性が劣化するものである。
両平面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペース
トをスクリーン印刷などにより塗布し、５７０’Ｃ，
５ｍｉｎで焼成し、電極２、３を形成する。次に、図
示してはいないが半田などによりリード線を取付け、エ
ボキシなどの樹脂を塗装する．このようにして得られた
素子の特性を下記の第２表に示す． なお、誘電率はＩＫＨｚでの静電容量から計算したもの
であり、αは α＝ １ ／ Ｌｏｇ （Ｖｔａ＋ａａ／ ＶｌｍＡ
）（ただし、Ｖ ｌａｍ ％ Ｖ ＋ｓｍａ４；！ １
ｍＡ， ｌＯ＋ｓＡ（７）電流を流した時に素子の両
端にかかる電圧である．）で評価した．また、サージ耐
量はパルス性の電流を印加した後のＶｌａＡの変化率が
±１０％以内である時の最大のパルス性電流値により評
価している．以下余白 また、本発明において第１成分のＳｒｒ−ｘＭｇｘＴｌ
（１＋のＸの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１より
も小さいと効果を示さず、一方０．３００を超えると格
子欠陥が発生しにくくなるため半導体化が促進されず、
粒界にＭｇが単一相として析出するため、組織が不均一
になり、ＶＩＩＩＡが高くなりすぎて特性が劣化するた
めである．さらに、第２成分は０．００１ｍｏｌχ未満
では効果を示さず、５．０００ｍｏｌχを超えると粒界
に偏析して粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形
成するため特性が劣化するものである．また、第３成分
は０．００１ｍｏｌχ未満では効果を示さず、５．ＯＯ
Ｏｍｏｌχを超えると粒界に偏析して第２相を形成する
ため特性が劣化するものである。
そして、第４成分はＳｒＴｉ０３とＳｉＯｚの２成分系
の相図のなかで最も融点の低い領域の物質であり、その
範囲外では融点が高くなるものである．また、第４成分
の添加量は、０．００１重量部未満では効果を示さず、
１０．０００重量部を超えると粒界の抵抗は高くなるが
粒界の幅が厚くなるため、静電容量が小さくなると共に
ｖｌ．Ａが高くなり、サージに対して弱くなるためであ
る．さらに、第４成分の焼成温度を規定したのは、低融
点の第４成分が合成される温度が１２００゜Ｃ以上であ
るためである．また、第１焼成の温度を規定したのは、
第４成分の融点が１２３０〜ｌ２５０゜Ｃであるため、
１１００℃以上の温度で焼成すると第４成分が液相に近
い状態になって焼結が促進されるためであり、１ｌ００
゜Ｃ未満では第４成分による液相焼結効果がないためで
ある．また、第２焼成の温度を規定したのは、１２００
℃未満では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バ
リスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである．
さらに、第３焼成の温度を規定したのは、９００゜Ｃ未
満では粒界の高抵抗化が十分に進まないため、■Ｉ．Ａ
が低くなりすぎバリスタ特性が劣化するためであり、１
３００℃を鰯えると静電容量が小さくなりすぎコンデン
サ特性が劣化するためである．また、第１焼成の雰囲気
は酸化性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果がある
ことを確認した．なお、本実施例では添加物の組み合わ
せについては、第１成分としてＳｒ．，＋Ｍｇ，ＩＴｉ
Ｏｓ（０．００１≦Ｘ≦？．３００）、第２成分として
ＮｂｚＯｓ＋ＴａｚＯｓ＋ｉｓ＋ＤＶｚＯｉ＋ＹｔＯｓ
＋ＬａｔＯｓ＋ＣｅＯｚ，Ｓａ＋ｔＯｓ＋ＰｒｈＯ＋
＋＋ＮｄｚＯｓ、第３成分としてＡｌｇ０２， ＰｂＯ
， ＢｇＯｉ＋ ＣｒｚＯｚ＋ Ｆｅｚｅｓ， ｃｄｏ
． ＫｔＯ＋ Ｃｏｔ０３ ｌＣｕｂ， ＣｕｔＯ＋
Ｌｉ＊０． ＭｇＯ， ＭｎＯｘ ＋ Ｍｏｓｓ ＋
Ｎｉｐ， ＳｅＯｚ ， ＡｇｘＯ＋ＳｉＣ＋ＴｈＯｓ
＋ＢｉｚＯ３＋ＺｒＯｚ，第４成分としてＳ ｒ Ｔ
ｉＯ ｓ ＋ Ｓ ｉＯ■についてのみ示したが、その
他として第３成分としてＳｂ１０３，ＢａＯ，ＢｅＯ．
ＣａＯルｉＦ，ＮａｘＯ，ＮａＦ．ＲｂｚＯｚ＋Ｓｉ０
ｉ＋ ＳｒＯ＋ Ｔｈｏ．， ＴｉＯｚ＋ ＶｘＯｓ＋
ＺｎＯ＋ Ｓｎｕｇを用いた組成の組み合わせでも同
様の効果が得られることを確認した。また、第１成分、
第２成分、第３成分、第４成分を第１焼成しただけでも
バリスタ電圧が低く、誘電率εが大きくなるのに有効で
あることを確認した。
の相図のなかで最も融点の低い領域の物質であり、その
範囲外では融点が高くなるものである．また、第４成分
の添加量は、０．００１重量部未満では効果を示さず、
１０．０００重量部を超えると粒界の抵抗は高くなるが
粒界の幅が厚くなるため、静電容量が小さくなると共に
ｖｌ．Ａが高くなり、サージに対して弱くなるためであ
る．さらに、第４成分の焼成温度を規定したのは、低融
点の第４成分が合成される温度が１２００゜Ｃ以上であ
るためである．また、第１焼成の温度を規定したのは、
第４成分の融点が１２３０〜ｌ２５０゜Ｃであるため、
１１００℃以上の温度で焼成すると第４成分が液相に近
い状態になって焼結が促進されるためであり、１ｌ００
゜Ｃ未満では第４成分による液相焼結効果がないためで
ある．また、第２焼成の温度を規定したのは、１２００
℃未満では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バ
リスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである．
さらに、第３焼成の温度を規定したのは、９００゜Ｃ未
満では粒界の高抵抗化が十分に進まないため、■Ｉ．Ａ
が低くなりすぎバリスタ特性が劣化するためであり、１
３００℃を鰯えると静電容量が小さくなりすぎコンデン
サ特性が劣化するためである．また、第１焼成の雰囲気
は酸化性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果がある
ことを確認した．なお、本実施例では添加物の組み合わ
せについては、第１成分としてＳｒ．，＋Ｍｇ，ＩＴｉ
Ｏｓ（０．００１≦Ｘ≦？．３００）、第２成分として
ＮｂｚＯｓ＋ＴａｚＯｓ＋ｉｓ＋ＤＶｚＯｉ＋ＹｔＯｓ
＋ＬａｔＯｓ＋ＣｅＯｚ，Ｓａ＋ｔＯｓ＋ＰｒｈＯ＋
＋＋ＮｄｚＯｓ、第３成分としてＡｌｇ０２， ＰｂＯ
， ＢｇＯｉ＋ ＣｒｚＯｚ＋ Ｆｅｚｅｓ， ｃｄｏ
． ＫｔＯ＋ Ｃｏｔ０３ ｌＣｕｂ， ＣｕｔＯ＋
Ｌｉ＊０． ＭｇＯ， ＭｎＯｘ ＋ Ｍｏｓｓ ＋
Ｎｉｐ， ＳｅＯｚ ， ＡｇｘＯ＋ＳｉＣ＋ＴｈＯｓ
＋ＢｉｚＯ３＋ＺｒＯｚ，第４成分としてＳ ｒ Ｔ
ｉＯ ｓ ＋ Ｓ ｉＯ■についてのみ示したが、その
他として第３成分としてＳｂ１０３，ＢａＯ，ＢｅＯ．
ＣａＯルｉＦ，ＮａｘＯ，ＮａＦ．ＲｂｚＯｚ＋Ｓｉ０
ｉ＋ ＳｒＯ＋ Ｔｈｏ．， ＴｉＯｚ＋ ＶｘＯｓ＋
ＺｎＯ＋ Ｓｎｕｇを用いた組成の組み合わせでも同
様の効果が得られることを確認した。また、第１成分、
第２成分、第３成分、第４成分を第１焼成しただけでも
バリスタ電圧が低く、誘電率εが大きくなるのに有効で
あることを確認した。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、第４成分による液
相焼結効果により粒子径が大きいためバリスタ電圧が低
く、誘電率εおよびαが大きく、粒子径のばらつきが小
さいたべサージ電流が素子に均一に流れ、またＭｇによ
って粒界が効果的に高抵抗化されるため、サージ耐量が
大きくなるという効果が得られる．
相焼結効果により粒子径が大きいためバリスタ電圧が低
く、誘電率εおよびαが大きく、粒子径のばらつきが小
さいたべサージ電流が素子に均一に流れ、またＭｇによ
って粒界が効果的に高抵抗化されるため、サージ耐量が
大きくなるという効果が得られる．
第１図は本発明による素子を示す上面図、図は本発明に
よる素子を示す断面図である．１・・・・・・焼結体、
２、３・・・・・・電極．代理人の氏名 弁理士 粟野
重孝 ほか１名 第２ 第 図
よる素子を示す断面図である．１・・・・・・焼結体、
２、３・・・・・・電極．代理人の氏名 弁理士 粟野
重孝 ほか１名 第２ 第 図
Claims (3)
- （１）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＭｇ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２，Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３
，ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１
種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してな
る主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＿３６０．０００
〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６
７．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成
してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とから
なることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成
物。 - （２）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＭｇ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿３，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，ＳｍＯ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿２Ｏ
＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５．０
００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３Ｓｂ＿２Ｏ＿３，ＢａＯ
，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，Ｆ
ｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ＿２Ｏ
＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ，Ｍｇ
Ｏ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，ＮａＦ，Ｎ
ｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ，Ｓｉ
Ｏ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，ＴｈＯ＿２
，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２，Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ
Ｏ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種類以
上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる主成
分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＿３６０．０００〜３２
．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７．５
ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成してな
る添加物０．００１〜１０．０００重量部とからなる組
成物を、１１００℃以上で焼成したことを特徴とするバ
リスタの製造方法。 - （３）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＭｇ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ，Ａ１＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，Ｂ
ａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿３
，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，ＫｚＯ，ＣａＯ，Ｃｏ＿２
Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ，Ｍ
ｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，ＮａＦ，
ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ，Ｓ
ｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，ＴｈＯ＿
２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２，Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚ
ｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種類
以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる主
成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＿３６０．０００〜３
２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７．
５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成して
なる添加物０．００１〜１０．０００重量部とからなる
組成物を、１１００℃以上で焼成した後、還元性雰囲気
中で１２００℃以上で焼成し、その後酸化性雰囲気中で
９００〜１３００℃で焼成したことを特徴とするバリス
タの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013842A JP2808778B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013842A JP2808778B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218602A true JPH03218602A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2808778B2 JP2808778B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=11844531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013842A Expired - Fee Related JP2808778B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808778B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100393666C (zh) * | 2006-08-01 | 2008-06-11 | 浙江大学 | 环保低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625611A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2013842A patent/JP2808778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625611A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100393666C (zh) * | 2006-08-01 | 2008-06-11 | 浙江大学 | 环保低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2808778B2 (ja) | 1998-10-08 |
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