JPH038766A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH038766A JPH038766A JP1143728A JP14372889A JPH038766A JP H038766 A JPH038766 A JP H038766A JP 1143728 A JP1143728 A JP 1143728A JP 14372889 A JP14372889 A JP 14372889A JP H038766 A JPH038766 A JP H038766A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成ゎおよｕ／ｌＪ７，７０□造
ヵ１ヵ＋：ｍ Ｉ！ａ ｔ ６も。７あも・員 従来の
技術 従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成ゎおよｕ／ｌＪ７，７０□造
ヵ１ヵ＋：ｍ Ｉ！ａ ｔ ６も。７あも・員 従来の
技術 従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
１＝（Ｖ／Ｃ）α
ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧−電流非直線指数である。
、αは電圧−電流非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低（、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低（、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０４程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。
誘電率が５Ｘ１０４程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。
しかし、このような半導体コンデンサはサージなどによ
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさなくなったりする。
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさなくなったりする。
そこで最近になって５ｒＴｉＣｈを主成分とし、バリス
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
発明が解決しようとする課題
上記の５ｒＴｉ０３を主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が太き（、バリスタ電圧が低
（、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを目的とするものである。
（、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、５ｒａＴｉ
○３ （０．９５０≦ａ≦１．０００） （以下第
１成分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏ １
％、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５．ＷＯ３，Ｄｙ２Ｏ３゜Ｙ
２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｐ ｒｅ
ｏ＋Ｎｄ２Ｏ３のうち少な（とも１種類以上（以下第２
成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０００ｍｏ １％。
○３ （０．９５０≦ａ≦１．０００） （以下第
１成分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏ １
％、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５．ＷＯ３，Ｄｙ２Ｏ３゜Ｙ
２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｐ ｒｅ
ｏ＋Ｎｄ２Ｏ３のうち少な（とも１種類以上（以下第２
成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０００ｍｏ １％。
Ａ Ｉ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３，ＢａＯ，Ｂｅｄ、ＰｂＯ。
Ｂ２Ｏ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＣｄＯ，に２０゜
ＣｄＯ，Ｃｏ２Ｏ３，ＣａＯ，Ｃｕ２Ｏ，Ｌ ｉ２０゜
ＬｉＦ、ＭｇＯ，ＭｎＯ２，ＭｏＯ３，Ｎａ２Ｏ。
ＣｄＯ，Ｃｏ２Ｏ３，ＣａＯ，Ｃｕ２Ｏ，Ｌ ｉ２０゜
ＬｉＦ、ＭｇＯ，ＭｎＯ２，ＭｏＯ３，Ｎａ２Ｏ。
ＮａＦ、Ｎｉｐ、Ｒｈ２Ｏ３，ＳｅＯ２，Ａｇ２Ｏ。
Ｓ ｉＣｈ、Ｓ ｉ Ｃ，Ｓ ｒｏ、Ｔ Ｉ２Ｏ３，Ｔ
ｈＯ２゜Ｔ ｉ ０２ 、 Ｖ２Ｏ５，Ｂ １２Ｏ３，
ＺｎＯ，Ｚ ｒｏ２゜５ｎ０２のうち少な（とも１種類
以上（以下第３成分と呼ぶ）を０．００１〜５．ＯＯＯ
ｍｏ １％含有してなる主成分１００重量部と、ＣａＴ
ｉＯ３６０．０００〜３２．５００ｍｏ １％、Ｓｉ○
２４０．０００〜６７．５００ｍｏｌ％からなる混合物
を１２００℃で焼成してなる添加物（以下第４成分と呼
ぶ）ｏ、ＯＯ１〜１０．０００重量部とからなる電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物を得ることにより間層を解
決しようとするものである。
ｈＯ２゜Ｔ ｉ ０２ 、 Ｖ２Ｏ５，Ｂ １２Ｏ３，
ＺｎＯ，Ｚ ｒｏ２゜５ｎ０２のうち少な（とも１種類
以上（以下第３成分と呼ぶ）を０．００１〜５．ＯＯＯ
ｍｏ １％含有してなる主成分１００重量部と、ＣａＴ
ｉＯ３６０．０００〜３２．５００ｍｏ １％、Ｓｉ○
２４０．０００〜６７．５００ｍｏｌ％からなる混合物
を１２００℃で焼成してなる添加物（以下第４成分と呼
ぶ）ｏ、ＯＯ１〜１０．０００重量部とからなる電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物を得ることにより間層を解
決しようとするものである。
また、上記組成物を１１００℃以上で焼成するバリスタ
の製造方法、あるいは上記組成物を１１００℃以上で焼
成した後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し、
その後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成する
バリスタの製造方法を提案するものである。
の製造方法、あるいは上記組成物を１１００℃以上で焼
成した後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し、
その後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成する
バリスタの製造方法を提案するものである。
作用
上記の発明において第１成分は主たる成分であり、第２
成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物で
ある。また、第３成分は誘電率。
成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物で
ある。また、第３成分は誘電率。
α、サージ耐量の改善に寄与するものであり、第４成分
はバリスタ電圧の低下、誘電率の改善に有効なものであ
る。特に、第４成分は融点が１２３０〜１２５０℃と比
較的低いため、融点前後の温度で焼成すると液相となり
、その他の成分の反応を促進すると共に粒子の成長を促
進する。そのため粒界部分に第３成分が偏析しやすくな
り、粒界が高抵抗化され易くなり、バリスタ機能および
コンデンサ機能が改善される。また、粒成長が促進され
るためバリスタ電圧が低くなり、粒径の均一性が向上す
るため特性の安定性がよくなり、特にサージ耐量が改善
されることとなる。
はバリスタ電圧の低下、誘電率の改善に有効なものであ
る。特に、第４成分は融点が１２３０〜１２５０℃と比
較的低いため、融点前後の温度で焼成すると液相となり
、その他の成分の反応を促進すると共に粒子の成長を促
進する。そのため粒界部分に第３成分が偏析しやすくな
り、粒界が高抵抗化され易くなり、バリスタ機能および
コンデンサ機能が改善される。また、粒成長が促進され
るためバリスタ電圧が低くなり、粒径の均一性が向上す
るため特性の安定性がよくなり、特にサージ耐量が改善
されることとなる。
実施例
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
まず、ＣａＴｉＯ３，Ｓ ｉ０２を下記の第１表に示す
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
０８ ｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで２０８ ｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする。
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
０８ ｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで２０８ ｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする。
次いで、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分を下
記の第１表に示した組成比になるように秤量し、ボール
ミルなどで２４）（ｒ混合した後、乾燥し、ポリビニル
アルコールなどの有機バインダーを１０ｗｔ％添加して
造粒した後、１（ｔ／ｃｗｔ）のプレス圧力で１０φＸ
ｉｔ（ｍｍ）の円板状に成形し、１０００℃で１０Ｈｒ
焼成し脱バインダーする。次に、第１表に示したように
温度を種々変えて２Ｈｒ焼成（第１焼成）し、その後還
元性雰囲気、例えばＮ２：Ｈ２＝９：１のガス中で温度
を種々変えて４Ｈｒ焼成（第２焼成）する。さらにその
後、酸化性雰囲気中で温度を種々変えて４）（ｒ焼成（
第３焼成）する。
記の第１表に示した組成比になるように秤量し、ボール
ミルなどで２４）（ｒ混合した後、乾燥し、ポリビニル
アルコールなどの有機バインダーを１０ｗｔ％添加して
造粒した後、１（ｔ／ｃｗｔ）のプレス圧力で１０φＸ
ｉｔ（ｍｍ）の円板状に成形し、１０００℃で１０Ｈｒ
焼成し脱バインダーする。次に、第１表に示したように
温度を種々変えて２Ｈｒ焼成（第１焼成）し、その後還
元性雰囲気、例えばＮ２：Ｈ２＝９：１のガス中で温度
を種々変えて４Ｈｒ焼成（第２焼成）する。さらにその
後、酸化性雰囲気中で温度を種々変えて４）（ｒ焼成（
第３焼成）する。
こうして得られた第１図および第２図に示す焼結体１の
両平面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペース
トをスクリーン印刷などにより塗布し、６００℃、５ｍ
１ｎで焼成し、電極２．３を形成する。次に、半田など
によりリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装す
る。このようにして得られた素子の特性を下記の第２表
に示す。
両平面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペース
トをスクリーン印刷などにより塗布し、６００℃、５ｍ
１ｎで焼成し、電極２．３を形成する。次に、半田など
によりリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装す
る。このようにして得られた素子の特性を下記の第２表
に示す。
なお、見掛は誘電率はＩＫＨｚでの静電容量から計算し
たものであり、αは α＝１／Ｌｏｇ （Ｖ＋ｏｍＡ／Ｖ＋ｍＡ）（ただし、
ＶｌｍＡ、Ｖ＋ｏｍＡは１ｍＡ、１０ｍＡの電流を流し
た時に素子の両端にかかる電圧である。）で評価した。
たものであり、αは α＝１／Ｌｏｇ （Ｖ＋ｏｍＡ／Ｖ＋ｍＡ）（ただし、
ＶｌｍＡ、Ｖ＋ｏｍＡは１ｍＡ、１０ｍＡの電流を流し
た時に素子の両端にかかる電圧である。）で評価した。
また、サージ耐量はパルス性の電流を印加した後のＶｌ
ｍＡの変化率が±１０％以内である時の最大のパルス性
電流値により評価している。
ｍＡの変化率が±１０％以内である時の最大のパルス性
電流値により評価している。
（以 下 余 白 ）
また、第１成分の５ｒａＴｉ○３のａの範囲を規定した
のは、ａが１．０００よりも太き（なると格子欠陥が発
生しにくいため半導体化が促進されず、Ｖｌ ｍＡが高
（なりすぎて特性が劣化し、方０．９５０よりも小さ（
なるとＴｉが過剰になりすぎてＴｉＯ２の結晶が生成し
、組織が不均一になり、特性が劣化するためである。さ
らに、第２成分はＯ，ＯＯ１ｍｏｌ％未満では効果を示
さず、５．ＯＯＯｍｏ １％を超えると粒界に偏析して
粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため
特性が劣化するものである。また、第３成分はＯ，ＯＯ
１ｍｏｌ％未満では効果を示さず、５．ＯＯＯｍｏ １
％を超えると粒界に偏析して第２相を形成するため特性
が劣化するものである。また、第４成分はＣａＴｉＯ３
と５ｉ０２の２成分系の相図のなかでＣａＴ ｉ○３６
０．０００〜３２．５００ｍｏ １％、Ｓ ｉｏ２４０
．０００〜６７．５００ｍｏ １％の範囲内のものは最
も融点の低い領域の物質であり、その範囲外では融点が
高（なるものである。また、第４成分の添加量は、０．
００１重量部未満では効果を示さず、１０．０００重量
部を超えると粒界の抵抗は高（なるが粒界の幅が厚（な
るため、静電容量が小さくなると共にＶ＋ ｍＡが高（
なり、サージに対して弱（なるものである。また、第４
成分の焼成温度を規定したのは、低融点の第４成分が合
成される温度が１２００℃以上であるためである。そし
て、第１焼成の温度を規定したのは、第４成分の融点が
１２３０〜１２５０℃であるため、１１００℃以上の温
度で焼成すると第４成分が液相に近い状態になって焼結
が促進されるためであり、１１００℃未満では第４成分
の液相焼結効果がないためである。また、第２焼成の温
度を規定したのは、１２００℃未満では第１焼成後の焼
結体が十分に還元されず、バリスタ特性、コンデンサ特
性共に劣化するためである。さらに、第３焼成の温度を
規定したのは、９００℃未満では粒界の高抵抗化が十分
に進まないため、ＶｌｍＡが低くなりすぎバリスタ特性
が劣化するためであり、１３００℃を超えると静電容量
が小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化するためである
。また、第１焼成の雰囲気は酸化性雰囲気でも還元性雰
囲気でも同様の効果があることを確認した。
のは、ａが１．０００よりも太き（なると格子欠陥が発
生しにくいため半導体化が促進されず、Ｖｌ ｍＡが高
（なりすぎて特性が劣化し、方０．９５０よりも小さ（
なるとＴｉが過剰になりすぎてＴｉＯ２の結晶が生成し
、組織が不均一になり、特性が劣化するためである。さ
らに、第２成分はＯ，ＯＯ１ｍｏｌ％未満では効果を示
さず、５．ＯＯＯｍｏ １％を超えると粒界に偏析して
粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため
特性が劣化するものである。また、第３成分はＯ，ＯＯ
１ｍｏｌ％未満では効果を示さず、５．ＯＯＯｍｏ １
％を超えると粒界に偏析して第２相を形成するため特性
が劣化するものである。また、第４成分はＣａＴｉＯ３
と５ｉ０２の２成分系の相図のなかでＣａＴ ｉ○３６
０．０００〜３２．５００ｍｏ １％、Ｓ ｉｏ２４０
．０００〜６７．５００ｍｏ １％の範囲内のものは最
も融点の低い領域の物質であり、その範囲外では融点が
高（なるものである。また、第４成分の添加量は、０．
００１重量部未満では効果を示さず、１０．０００重量
部を超えると粒界の抵抗は高（なるが粒界の幅が厚（な
るため、静電容量が小さくなると共にＶ＋ ｍＡが高（
なり、サージに対して弱（なるものである。また、第４
成分の焼成温度を規定したのは、低融点の第４成分が合
成される温度が１２００℃以上であるためである。そし
て、第１焼成の温度を規定したのは、第４成分の融点が
１２３０〜１２５０℃であるため、１１００℃以上の温
度で焼成すると第４成分が液相に近い状態になって焼結
が促進されるためであり、１１００℃未満では第４成分
の液相焼結効果がないためである。また、第２焼成の温
度を規定したのは、１２００℃未満では第１焼成後の焼
結体が十分に還元されず、バリスタ特性、コンデンサ特
性共に劣化するためである。さらに、第３焼成の温度を
規定したのは、９００℃未満では粒界の高抵抗化が十分
に進まないため、ＶｌｍＡが低くなりすぎバリスタ特性
が劣化するためであり、１３００℃を超えると静電容量
が小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化するためである
。また、第１焼成の雰囲気は酸化性雰囲気でも還元性雰
囲気でも同様の効果があることを確認した。
なお、第２成分としては、上記実施例で挙げた成分以外
にＳｍ２Ｏ３，Ｐｒｓ ０口、を用いることができ、か
つ２種類以上を組み合せて上記範囲内の添加量で用いて
もよいものである。また、第３成分としては、上記実施
例で挙げた成分以外にＢａｄ、ＰｂＯ，Ｂ２０３ 、Ｃ
ａＯ，Ｌ ｉ２０゜Ｌ ｉＦ、Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｒｈ
２Ｏ３，ＳｅＯ２，Ａｇ２Ｏ，ＳｉＯ２，ＳｉＣ，Ｓｒ
Ｏ。
にＳｍ２Ｏ３，Ｐｒｓ ０口、を用いることができ、か
つ２種類以上を組み合せて上記範囲内の添加量で用いて
もよいものである。また、第３成分としては、上記実施
例で挙げた成分以外にＢａｄ、ＰｂＯ，Ｂ２０３ 、Ｃ
ａＯ，Ｌ ｉ２０゜Ｌ ｉＦ、Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｒｈ
２Ｏ３，ＳｅＯ２，Ａｇ２Ｏ，ＳｉＯ２，ＳｉＣ，Ｓｒ
Ｏ。
ＴＩ２０３ 、ＴｈＯ２，ＴｉＯ２、ＺｎＯを用いるこ
とができ、かつ第２成分と同様に２種類以上を組合せて
上述した範囲内の添加量で用いてもよいものである。さ
らに、上記実施例ではこれら添加物の組合せについては
一部のみ示しているが、その他の組合せでも同様の効果
が得られることが確認された。
とができ、かつ第２成分と同様に２種類以上を組合せて
上述した範囲内の添加量で用いてもよいものである。さ
らに、上記実施例ではこれら添加物の組合せについては
一部のみ示しているが、その他の組合せでも同様の効果
が得られることが確認された。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、粒子径が大きいた
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが太き（、粒
子径のばらつきが小さいことからサージ電流が素子に均
一に流れ、サージ耐量が大きくなるという効果が得られ
る。
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが太き（、粒
子径のばらつきが小さいことからサージ電流が素子に均
一に流れ、サージ耐量が大きくなるという効果が得られ
る。
第１図は本発明による素子を示す上面図、第２図は本発
明による素子を示す断面図である。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
明による素子を示す断面図である。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）Ｓｒ＿ａＴｉＯ＿３（０．９５０≦ａ≦１．００
０）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏｌ％，Ｎｂ＿２
Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，Ｄｙ＿２Ｏ＿３，
Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，ＣｅＯ＿２，Ｓｍ＿２
Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿２Ｏ＿３のうち少
なくとも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％
，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，ＢａＯ，ＢｅＯ，
ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，Ｆｅ＿２Ｏ＿
３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ＿２Ｏ＿３，Ｃｕ
Ｏ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ，ＭｇＯ，ＭｎＯ
＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，ＮａＦ，ＮｉＯ，Ｒｈ
＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ，ＳｉＯ＿２，Ｓ
ｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，ＴｈＯ＿２，ＴｉＯ＿
２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，ＺｎＯ，ＺｒＯ＿
２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種類以上を０．００
１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる主成分１００重量
部と、ＣａＴｉＯ＿３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０
．０００〜６７．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２
００℃以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０．０
００重量部とからなることを特徴とする電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物。 （２）Ｓｒ＿ａＴｉＯ＿３（０．９５０≦ａ≦１．００
０）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏｌ％，Ｎｂ＿２
Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，Ｄｙ＿２Ｏ＿３，
Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，ＣｅＯ＿２，Ｓｍ＿２
Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿２Ｏ＿３のうち少
なくとも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％
，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，ＢａＯ，ＢｅＯ，
ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，Ｆｅ＿２Ｏ＿
３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ＿２Ｏ＿３，Ｃｕ
Ｏ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ，ＭｇＯ，ＭｎＯ
＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，ＮａＦ，ＮｉＯ，Ｒｈ
＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ，ＳｉＯ＿２，Ｓ
ｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，ＴｈＯ＿２，ＴｉＯ＿
２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，ＺｎＯ，ＺｒＯ＿
２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種類以上を０．００
１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる主成分１００重量
部と、ＣａＴｉＯ＿３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０
．０００〜６７．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２
００℃以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０．０
００重量部とからなる組成物を１１００℃以上で焼成し
たことを特徴とするバリスタの製造方法。 （３）Ｓｒ＿ａＴｉＯ＿３（０．９５０≦ａ≦１．００
０）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏｌ％，Ｎｂ＿２
Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，Ｄｙ＿２Ｏ＿３，
Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，ＣｅＯ＿２，Ｓｍ＿２
Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿２Ｏ＿３のうち少
なくとも１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％
，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，ＢａＯ，ＢｅＯ，
ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，Ｆｅ＿２Ｏ＿
３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ＿２Ｏ＿３，Ｃｕ
Ｏ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ，ＭｇＯ，ＭｎＯ
＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，ＮａＦ，ＮｉＯ，Ｒｈ
＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ，ＳｉＯ＿２，Ｓ
ｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，ＴｈＯ＿２，ＴｉＯ＿
２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，ＺｎＯ，ＺｒＯ＿
２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種類以上を０．００
１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる主成分１００重量
部と、ＣａＴｉＯ＿３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０
．０００〜６７．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２
００℃以上で焼成してなる添加物０．００１〜１０．０
００重量部とからなる組成物を１１００℃以上で焼成し
た後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し、その
後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成したこと
を特徴とするバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143728A JPH038766A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143728A JPH038766A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038766A true JPH038766A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15345622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143728A Pending JPH038766A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038766A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5521130A (en) * | 1994-07-27 | 1996-05-28 | Korea Institute Of Science & Technology | Dielectric material for high frequencies |
| CN105777112A (zh) * | 2016-04-12 | 2016-07-20 | 武汉理工大学 | 一种Ti位施受主共掺SrTiO3基高介电陶瓷及其制备方法 |
| CN110194664A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-09-03 | 杭州电子科技大学 | 一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1143728A patent/JPH038766A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5521130A (en) * | 1994-07-27 | 1996-05-28 | Korea Institute Of Science & Technology | Dielectric material for high frequencies |
| CN105777112A (zh) * | 2016-04-12 | 2016-07-20 | 武汉理工大学 | 一种Ti位施受主共掺SrTiO3基高介电陶瓷及其制备方法 |
| CN110194664A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-09-03 | 杭州电子科技大学 | 一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法 |
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