JPH0321860U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0321860U JPH0321860U JP8184589U JP8184589U JPH0321860U JP H0321860 U JPH0321860 U JP H0321860U JP 8184589 U JP8184589 U JP 8184589U JP 8184589 U JP8184589 U JP 8184589U JP H0321860 U JPH0321860 U JP H0321860U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor device
- silicon substrate
- contact hole
- electrode structure
- Prior art date
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- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図ａ，ｂ，ｃ，ｄは本考案の電極構成を作
製する際のプロセスを示す断面説明図、第２図は
従来の半導体装置の電極構成を示す断面説明図で
ある。 １……シリコン基板、２……コンタクトホール
、３……ＡＩ配線、４……絶縁膜、５……ｐ型の
シリコン基板、６……ｎ＋領域、５……スパイク
、８……Ｓｉの析出、９……フオトレジストパタ
ーン、１０……ＡＩ、１１……Ｓｉリツチの部分
。
製する際のプロセスを示す断面説明図、第２図は
従来の半導体装置の電極構成を示す断面説明図で
ある。 １……シリコン基板、２……コンタクトホール
、３……ＡＩ配線、４……絶縁膜、５……ｐ型の
シリコン基板、６……ｎ＋領域、５……スパイク
、８……Ｓｉの析出、９……フオトレジストパタ
ーン、１０……ＡＩ、１１……Ｓｉリツチの部分
。
Claims (1)
- シリコン基板に形成された所定の領域にコンタ
クトホールを介してＡＩ配線を接触させて形成し
た半導体装置の電極構成において、ＡＩ配線の一
部に選択的にＳｉを導入し、ＡＩ配線が前記シリ
コン基板の所定の領域と接触するコンタクトホー
ルの近傍にのみＳｉを含有せしめてなることを特
徴とする半導体装置の電極構成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8184589U JPH0321860U (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8184589U JPH0321860U (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0321860U true JPH0321860U (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=31628140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8184589U Pending JPH0321860U (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0321860U (ja) |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP8184589U patent/JPH0321860U/ja active Pending