JPH03219083A

JPH03219083A - 無電解めっき法及び無電解めっき並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置

Info

Publication number: JPH03219083A
Application number: JP1170090A
Authority: JP
Inventors: Motoo Okada; 岡田　元夫
Original assignee: Kyocera Display Corp
Current assignee: Kyocera Display Corp
Priority date: 1990-01-23
Filing date: 1990-01-23
Publication date: 1991-09-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】Ｃ産業上の利用分野］本発明は、無電解めっき法に関するものである。

［従来の技術］従来、無電解めっき法において無電解めっきで金属層を
形成する場合、金属層を緻密でピンホールのないように
するため例えばめっきの析出速度を遅くするとかめっき
液やめっき環境のクリーン度を向上する等の方法が用い
られてきた。

第３図は従来の無電解めっきの様子を示す概念的側面図
である。ｌはめっき槽、３は被めっき体を保持するキャ
リア、４は被めっき体、６はめっきｔ夜である。

［発明の解決しようとする課題］しかし、めっき析出速度の調整とめっき液等のクリーン
化によるだけでは、無電解めっき時に発生し、金属層内
部に吸蔵された水素ガスが外部に放出される折りにガス
の通過路が出来てしまうためポーラス化、ピンホール発
生等の欠陥につながっていた。

［課題を解決する為の手段］本発明はかかる問題点を解決すべくなされたものであり
、めっき槽内で基板上に金属層を形成する無電解めっき
法において、めっき槽内に水素吸蔵合金を配置して、無
電解めっきを行なうことを特徴とする無電解めっき法を
提供するものである。

本発明では無電解めっき法で金属を形成するのに先立っ
てめっき槽内張として又はめっき槽内に表面積をできる
だけ大きくした水素吸蔵合金を配置する。水素吸蔵合金
としては、ランタン−ニッケル系、鉄−チタン系、マグ
ネシウムニッケル系、Ｆｅｏ、　５−Ｎｌｏ、　１−Ｔ
ｔ系等を使用することが好ましい。通常の無電解めっき
法で例えば透明電極上へ金属を析出させて金属層を形成
する。続いて温水エージングや高温キュアをしても良い
。また金属層は１層とは駅らず、２層かそれ以上のもの
としても良い。本発明が適用される無電解めっきは、め
っき時に水素ガスが発生するタイプであれば適°用可能
である。

本発明の無電解めっき方法及び装置を概念的に示す側面
図が第１図及び第２図である。２及び５は水素吸蔵合金
であり、第１図は水素吸蔵合金をめっき層ｌの内張つと
して使用した場合、第２図はめっき槽ｌ内に水素吸蔵合
金を配置した場合の図である。

これらの水素吸蔵合金は、通常、限界に近い水素を吸蔵
することにより、脆性破壊を起こしたり、微粉化するこ
とがある。従って、水素吸蔵合金は、無電解めっきから
の水素発生量に対して、十分大きな水素吸蔵能力を持っ
ていることが望ましい。このような水素吸蔵合金を得る
ためには、その形状を薄膜もしくは箔状とし、少量でも
十分大きな表面積になるようにすることが好ましい。

本発明は例えば液晶表示素子、エレクトロクロミック素
子、電気泳動表示素子、エレクトロルミネッセンス表示
素子等の公知の表示素子の端子の電極に使用するのに適
している。

以下、液晶表示セルの場合について説明する。

液晶表示セルには、酸化インジウム錫（Ｉｎ２０３−３
−ＳｎＯ２）や酸化スズ等を主成分とする透明導電膜が
用いられている。この透明導電膜上に半田付けを行なっ
たりソケット類の接続端子として用いろ際の、強度の補
強や抵抗値の低減等の目的で、該透明導電膜上の所要部
分に金属被膜を形成することがしばしば行なわれる。

この金属被膜の形成方法として、Ｎｉ陽イオンの原料と
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケル含み、次亜リン酸塩
を還元剤として含むメツキ液にて無電解めっき法により
透明電極上にＮ１−Ｐめっき被膜を施す方法や、還元剤
として水素化ホウ素ナトリウムを含むめっき液を用い、
透明導電膜上にＮｉ−８めっき被膜を形成する方法がし
ばしば行なわれている。

また、これらのめっきの上に更に金めつき等の層を形成
しても良い。かかるめっき被膜を施す方法に本発明の方
法は非常に適している。

第４図は液晶表示セルの構成を示す断面図であり、基板
５の上に電極７及びカラーフィルター８を形成し、更に
配向膜９を設けて配向膜面を相対向させて、周辺部をシ
ール材６でシールし、内側に液晶１０を封入したもので
あり、通常は、セルの両側に偏光膜を配置し、電極に電
圧を印加する手段を設けて使用する。

この基板としては、ガラス、プラスチック等の透明基板
が使用でき、その表面には酸化インジウム錫（Ｉｎ２０
ｍ−３ｎ０２．　　Ｉ　Ｔ　Ｏ）　、酸化スズ等の透明
電極が形成されている。もちろん、この透明電極に低抵
抗の金属リードを併設したり、絶縁膜等を形成してあっ
ても良い。カラーフィルターは、必要に応じて設けられ
、第４図では電極の上に配置されているが、電極の下に
配置することも可能である。

この電極付き基板の表面には、配向膜が形成されている
が、この配向制御方法としては、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール等の有機高分子膜を印刷法や
スピナー法で形成し、これをラビングする方法、斜め蒸
着法等公知の配向制御法が使用できる。

また、この配向膜とセル内面の遮光膜又は電極との間の
絶縁性を向上させる為に、ＳｉＯ□、Ｔｉ０ｚ等の絶縁
膜な挟持するようにしても良い。

シール材は、通常のエポキシ樹脂、シリコン樹脂等のシ
ール材でよく、通常はその一部に開口部を形成しておき
、セル化して後、その開口部から液晶を注入し、その開
口部を封止すれば良い。

その一対の偏光膜の偏光軸は、通常のネガ型表示の液晶
表示素子の場合と同様にほぼ平行に配置されてもよいし
、通常のポジ型表示の液晶表示素子の場合と同様にほぼ
直交するように配置されても良い。

電極に電圧を印加する駆動手段としては、通常の液晶表
示装置に使用される駆動手段が使用でき、通常しきい値
以上の交流電圧を供給できる駆動手段が用いられる。

［実施例］実施例１ソーダガラス上にＩＴＯからなる透明導電膜を膜厚５０
０人に形成した後、フォトプロセスにより所定のパター
ンのＩＴＯ基板を得た。この基板を前処理してアルカリ
洗浄、酸処理、増感処理、促進処理を施した。次に水素
吸蔵合金をめっき槽内張又は槽内に配置した次亜リン酸
塩を還元剤として含むＮ１−Ｐめっき溶液８０℃に約２
分浸漬し、膜厚４５００人を得た。その後、リン酸−硝
酸溶液でめっき被膜を所定のパターンにエツチングした
。次に水素吸蔵合金をめっき槽内張又は槽内に配置した
置換型のＡｕめっき溶液９０℃に８０秒浸漬し、膜厚２
００人を得た。水洗後、水素吸蔵合金をめっき槽内張又
は槽内に配置した水素化ホウ素塩を還元剤として含む自
己触媒型のＡｕめっき溶液６０℃に６分浸漬し、膜厚１
５００人を得た。

このようにしてＮ１−Ｐめつきではピンホール個数が０
．１ｍｍ”あたり０個、Ａｕめつきではピンホール大き
さ約ｌＯμｍのものが、０．１ｍｍ”あたり０〜１個の
めっきが得られた。

実施例２実施例１でＮ１−Ｐめつきを形成した後、さらに水洗後
、Ｎ１−Ｐ槽と同様に水素吸蔵合金を配置した水素化ホ
ウ素塩を還元剤として含むＮＬ−８めっき溶液５０℃に
約３分浸漬し、膜厚２５００人を得た。その後、リン酸
−硝酸溶液で各めっき被膜を所定のパターンにエツチン
グして導体を得た。更に実施例１と同様の方法で、２層
のＡｕめっきをその上に形成した。

このように得られたＮ１−Ｐめっき、Ｎ１−Ｂめっき、
Ａｕめっきは、ピンホールの少ない実施例１と遜色ない
ものであった。

比較例実施例１で水素吸蔵合金を配置せずに同様のめっきを行
なった。　ＮＬ−Ｐめっきには１０μｍ以下のピンホー
ルが１〜２個／−−”　、Ａｕめっきには２０〜５０μ
ｍのピンホールが３〜５個／園■２あり、実施例に比べ
欠陥の多いめっきであった。

［発明の効果１本発明は無電解めっき法による金属層の形成過程で、連
続的に水素ガスを強制放出させることにより、緻密でピ
ンホールのない金属層が得られるという優れた効果を有
し、また金属層の界面での付着強度においても従来と同
等のものが得られる。更に、使われる無電解めっきのフ
ローはほぼ通常のプロセスであり、特に大がかりな装置
や治、具を必要としない等のメリットがある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はそれぞれ本発明方法の実施例を示す側
面図であり、第３図は比較例である従来法の装置の側面
図である。図において、１はめっき槽、２，５は水素吸蔵合金、３
はキャリア、４は被めっき体、６は第１図第２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）めっき槽内で基板上に金属層を形成する無電解め
っき法において、めっき槽内に水素吸蔵合金を配置して
、無電解めっきを行なうことを特徴とする無電解めっき
法。
（２）水素吸蔵合金はめっき槽内の内張として配置され
ていることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき法
。
（３）水素吸蔵合金がランタン−ニッケル系、鉄−チタ
ン系、マグネシウム−ニッケル系またはＦｅ＿０＿．＿
９−Ｎｉ＿０＿．＿１−Ｔｉ系のうちの１つから選ばれ
たものであることを特徴とする請求項１又は２記載の無
電解めっき法。
（４）水素吸蔵合金は無電解めっきからの水素発生量に
対して、大きな水素吸蔵能力を持っていることを特徴と
する請求項１〜３いずれか１項記載の無電解めっき法。
（５）水素吸蔵合金の形状が箔状であることを特徴とす
る請求項１〜４いずれか１項記載の無電解めっき法。
（６）請求項１〜５いずれか１項記載の無電解めっき法
により形成された無電解めっき。
（７）一対の電極付基板間に電気光学媒体を挟持すると
ともに、基板上のリード端子を介して駆動回路と導電接
続されて成る電気光学装置の製造方法において、該リー
ド端子上に請求項１〜５いずれか１項記載の無電解めっ
き法により、無電解めっきを施すことを特徴とする電気
光学装置の製造方法。
（８）電気光学媒体が液晶であることを特徴とする請求
項７記載の電気光学装置の製造方法。
（９）電極が酸化インジウム錫（Ｉｎ＿２Ｏ＿３−Ｓｎ
Ｏ＿２）であり、めっきはニッケル−リンめっき及び金
めっきであることを特徴とする請求項７又は８記載の電
気光学装置の製造方法。
（１０）電極が酸化インジウム錫（Ｉｎ＿２Ｏ＿３−Ｓ
ｎＯ＿２）であり、めっきはニッケル−リンめっき、ニ
ッケル−ボロンめっき及び金めっきであることを特徴と
する請求項７又は８記載の電気光学装置の製造方法。
（１１）一対の電極付基板間に電気光学媒体を挟持する
とともに、基板上のリード端子を介して駆動回路と導電
接続されて成る電気光学装置において、該リード端子上
に請求項６記載の無電解めっきが形成されてなることを
特徴とする電気光学装置。
（１２）電気光学媒体が液晶であることを特徴とする請
求項１１記載の電気光学装置。
（１３）電極が酸化インジウム錫（Ｉｎ＿２Ｏ＿３−Ｓ
ｎＯ＿２）であり、めっきはニッケル−リンめっき及び
金めっきであることを特徴とする請求項１１又は１２記
載の電気光学装置。
（１４）電極が酸化インジウム錫（Ｉｎ＿２Ｏ＿３−Ｓ
ｎＯ＿２）であり、めっきはニッケル−リンめっき、ニ
ッケル−ボロンめっき及び金めっきであることを特徴と
する請求項１１又は１２記載の電気光学装置。