JPH03219410A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH03219410A JPH03219410A JP1522290A JP1522290A JPH03219410A JP H03219410 A JPH03219410 A JP H03219410A JP 1522290 A JP1522290 A JP 1522290A JP 1522290 A JP1522290 A JP 1522290A JP H03219410 A JPH03219410 A JP H03219410A
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に情報を記録したり、磁気記録
媒体から情報を読み出す磁気ヘッドに係り、特に高密度
磁気記録が行われるビデオテープレコーダ、デジタルオ
ーディオテープレコーダ等の各種磁気テープ装置やフレ
キシブルディスク装置、ハード磁気ディスク装置に用い
られる磁気ヘッドに関する。
媒体から情報を読み出す磁気ヘッドに係り、特に高密度
磁気記録が行われるビデオテープレコーダ、デジタルオ
ーディオテープレコーダ等の各種磁気テープ装置やフレ
キシブルディスク装置、ハード磁気ディスク装置に用い
られる磁気ヘッドに関する。
近年、磁気記録の高密度化が進展し、磁気記録媒体の記
録密度が急激に増大している。そして、磁気記録の高密
度化にに伴い、記録媒体に情報を記録したり、記録媒体
から情報を再生する磁気ヘッドの高性能化が図られ、高
性能な磁気ヘッドを得るために、高飽和磁束密度を有し
、かつ保磁力が小さく高透磁率を有する軟磁性体が要求
されている。このため、高密度記録を行う磁気テープ装
置、フレキシブルディスク装置、ハード磁気ディスク装
置においては、従来のフェライトを用いた磁気ヘッドに
よって対応することができず、飽和磁束密度の高い合金
系の磁性薄膜による磁気ヘッドを採用せざるを得なくな
っている。
録密度が急激に増大している。そして、磁気記録の高密
度化にに伴い、記録媒体に情報を記録したり、記録媒体
から情報を再生する磁気ヘッドの高性能化が図られ、高
性能な磁気ヘッドを得るために、高飽和磁束密度を有し
、かつ保磁力が小さく高透磁率を有する軟磁性体が要求
されている。このため、高密度記録を行う磁気テープ装
置、フレキシブルディスク装置、ハード磁気ディスク装
置においては、従来のフェライトを用いた磁気ヘッドに
よって対応することができず、飽和磁束密度の高い合金
系の磁性薄膜による磁気ヘッドを採用せざるを得なくな
っている。
ところが、透磁率が高く磁束密度Ｂ、の高い磁性薄膜は
、厚みが極めて薄いため、基板やパターン形状等の種々
の影響を受けやすく、磁区構造が不安定である。このた
め、磁性薄膜を用いた磁気ヘッドを、高い透磁率で動作
させようとすると、磁区構造が乱れ、記録性能が劣化し
たり、再生時の出力が落ちたり、擬偵パルスが発生した
りするなどの問題が生ずる。そこで、従来は、磁性薄膜
の磁気異方性エネルギーを大きくして磁区の安定化を図
ることが考えられている。
、厚みが極めて薄いため、基板やパターン形状等の種々
の影響を受けやすく、磁区構造が不安定である。このた
め、磁性薄膜を用いた磁気ヘッドを、高い透磁率で動作
させようとすると、磁区構造が乱れ、記録性能が劣化し
たり、再生時の出力が落ちたり、擬偵パルスが発生した
りするなどの問題が生ずる。そこで、従来は、磁性薄膜
の磁気異方性エネルギーを大きくして磁区の安定化を図
ることが考えられている。
磁気異方性エネルギーを大きくして磁区の安定化を図る
場合、従来下記のような方法が採られていた。
場合、従来下記のような方法が採られていた。
■磁場中においてメツキ行い、磁気異方性を一定方向に
強くする（例えば、パーマロイメツキ膜の形成）。
強くする（例えば、パーマロイメツキ膜の形成）。
■成膜した非晶質膜を磁場中でアニール処理し、磁気異
方性を一定方向に強くする（例えば、Ｃ。
方性を一定方向に強くする（例えば、Ｃ。
ＺｒＮｂ等の非晶質膜の形成）。
■基板を磁場中に配置して磁場中においてスパッタリン
グして成膜し、磁気異方性を一定方向に強くする（例え
ば、Ｆｅ５ｉＡρ等の多結晶膜の形成）。
グして成膜し、磁気異方性を一定方向に強くする（例え
ば、Ｆｅ５ｉＡρ等の多結晶膜の形成）。
■成膜する基板に凹凸を設け、この凹凸を設けた面に成
膜して磁気異方性を一定方向に強くする（例えば、電子
情報通信学会技術研究報告、ＭＲ８４−５６，１９８５
年３月）。
膜して磁気異方性を一定方向に強くする（例えば、電子
情報通信学会技術研究報告、ＭＲ８４−５６，１９８５
年３月）。
■磁性薄膜を部分的にエツチングし、磁気異方性を一定
方向に強くする（例えば、１９８９年、電子情報通信学
会春季全国大会講演論文集、ｐｐ５−３４１）。
方向に強くする（例えば、１９８９年、電子情報通信学
会春季全国大会講演論文集、ｐｐ５−３４１）。
しかし、上記した従来の磁気異方性を与える方法は次の
ような欠点がある。
ような欠点がある。
■、■、■の方法については、異方性の大きさの制御が
微妙なレベルまで要求され、磁区構造の再現性を良くす
るためには磁気異方性を強くすることが求められ、その
結果透磁率が小さくなるという欠点があり、特別の工夫
が必要である。また、■、■の方法の場合、磁性薄膜に
磁気異方性を持たせることは比較的容易であるが、形状
異方性を主眼としているため、異方性を強くして磁区の
安定化を高めると、磁性薄膜の凹凸が大きくなって磁束
の流れが乱れ、特性が劣化する。従って、磁気異方性を
あまり大きくすることができず、再現性にも難がある。
微妙なレベルまで要求され、磁区構造の再現性を良くす
るためには磁気異方性を強くすることが求められ、その
結果透磁率が小さくなるという欠点があり、特別の工夫
が必要である。また、■、■の方法の場合、磁性薄膜に
磁気異方性を持たせることは比較的容易であるが、形状
異方性を主眼としているため、異方性を強くして磁区の
安定化を高めると、磁性薄膜の凹凸が大きくなって磁束
の流れが乱れ、特性が劣化する。従って、磁気異方性を
あまり大きくすることができず、再現性にも難がある。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされ
たもので、磁性薄膜の磁区を確実に安定化できる磁気ヘ
ッドを提供することを目的とし、またその製造方法を提
供することを目的としている。
たもので、磁性薄膜の磁区を確実に安定化できる磁気ヘ
ッドを提供することを目的とし、またその製造方法を提
供することを目的としている。
［課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、本発明に係る磁気ヘッド
は、磁性薄膜によって磁路を形成した磁気ヘッドにおい
て、前記磁性薄膜の一部を高保磁力領域または反強磁性
領域としたことを特徴としている。
は、磁性薄膜によって磁路を形成した磁気ヘッドにおい
て、前記磁性薄膜の一部を高保磁力領域または反強磁性
領域としたことを特徴としている。
磁気ヘッドが誘導型あである場合、磁性薄膜に形成する
高保磁力領域または反強磁性領域の磁化方向は、磁路に
略直交させることが望ましい。また、磁気ヘッドが磁気
抵抗効果型である場合、磁性薄膜に形成する高保磁力領
域または反強磁性領域の磁化方向は、磁性薄膜を流れる
電流のヘクトルに対して４５度傾斜させることが望まし
い。
高保磁力領域または反強磁性領域の磁化方向は、磁路に
略直交させることが望ましい。また、磁気ヘッドが磁気
抵抗効果型である場合、磁性薄膜に形成する高保磁力領
域または反強磁性領域の磁化方向は、磁性薄膜を流れる
電流のヘクトルに対して４５度傾斜させることが望まし
い。
一方、上記の磁気ヘッドを得るための本発明の磁気ヘッ
ドの製造方法は、磁性薄膜を成膜したのち、前記磁性薄
膜の一部を表面処理して高保磁力領域または反強磁性領
域にすることを特徴とじている。この表面処理の方法に
は磁性薄膜を形成したのち、磁性薄膜の一部をプラズマ
処理してもよく、電解質溶液と反応させてもよく、磁性
薄膜の一部にイオン注入をしてもよい。
ドの製造方法は、磁性薄膜を成膜したのち、前記磁性薄
膜の一部を表面処理して高保磁力領域または反強磁性領
域にすることを特徴とじている。この表面処理の方法に
は磁性薄膜を形成したのち、磁性薄膜の一部をプラズマ
処理してもよく、電解質溶液と反応させてもよく、磁性
薄膜の一部にイオン注入をしてもよい。
〔作用］
上記の如く構成した本発明の磁気ヘッドは、磁性薄膜の
一部が高保磁力領域または反強磁性領域となっているた
め、これらの領域が一種の永久磁石のように振る舞う。
一部が高保磁力領域または反強磁性領域となっているた
め、これらの領域が一種の永久磁石のように振る舞う。
従って、高保磁力領域または反強磁性領域の部分は、磁
化の方向が一定しており、磁性薄膜の残りの軟磁性領域
が交換相互作用により、または高保磁力領域、反強磁性
領域の磁化による静磁気相互作用によりバイアス磁場を
受けることとなり、軟磁性領域の磁化が一定の方向に揃
えられ、磁区が安定しこの結果記録再生特性が向上し、
高性能な磁気ヘッドが得られる。
化の方向が一定しており、磁性薄膜の残りの軟磁性領域
が交換相互作用により、または高保磁力領域、反強磁性
領域の磁化による静磁気相互作用によりバイアス磁場を
受けることとなり、軟磁性領域の磁化が一定の方向に揃
えられ、磁区が安定しこの結果記録再生特性が向上し、
高性能な磁気ヘッドが得られる。
特に磁気ヘッドが誘導型である場合、高保磁力領域また
は反強磁性領域の磁化方向を磁路に直交して形成すると
、軟磁性領域に磁界が作用していないときに、軟磁性領
域の磁化も磁路に直行しており、磁界が作用するときの
み磁化が磁路と平行となり、記録再生時の周波数特性の
向上と雑音の発生を小さくできる。
は反強磁性領域の磁化方向を磁路に直交して形成すると
、軟磁性領域に磁界が作用していないときに、軟磁性領
域の磁化も磁路に直行しており、磁界が作用するときの
み磁化が磁路と平行となり、記録再生時の周波数特性の
向上と雑音の発生を小さくできる。
また、磁気ヘッドが磁気抵抗効果型である場合、高保磁
力領域または反強磁性領域の磁化方向を電流のベクトル
に対して４５度傾斜させて形成すると、軟磁性領域の磁
化もこれらに平行となるため１、磁気記録媒体からの磁
界による磁化の回転による抵抗変化率が大きくなり、高
感度の磁気ヘッドが得られる。
力領域または反強磁性領域の磁化方向を電流のベクトル
に対して４５度傾斜させて形成すると、軟磁性領域の磁
化もこれらに平行となるため１、磁気記録媒体からの磁
界による磁化の回転による抵抗変化率が大きくなり、高
感度の磁気ヘッドが得られる。
磁性薄膜の一部に形成した高保磁力領域または反強磁性
領域は、磁性薄膜を形成したのち、磁性薄膜の一部にプ
ラズマ処理、電解質溶液による処理、イオン注入をする
ことよって容易に得ることがができる。
領域は、磁性薄膜を形成したのち、磁性薄膜の一部にプ
ラズマ処理、電解質溶液による処理、イオン注入をする
ことよって容易に得ることがができる。
本発明に係る磁気ヘッドおよびその製造方法の好ましい
実施例を、添付図面に従って詳説する。
実施例を、添付図面に従って詳説する。
第１図は、本発明の第１実施例に係る誘導型磁気ヘッド
の断面図であって、主としてフレキシブルディスク装置
またはハード磁気ディスク装置に使用される磁気ヘッド
を示したものである。
の断面図であって、主としてフレキシブルディスク装置
またはハード磁気ディスク装置に使用される磁気ヘッド
を示したものである。
第１図において、磁気ヘッド１０は、基板１２の上に固
定した一対の磁性薄膜１４．１６とコイル１８とからな
っている。
定した一対の磁性薄膜１４．１６とコイル１８とからな
っている。
磁性薄膜１４は下部磁極を構成し、後部（図の右側）の
幅が広く、先端部の幅がトラック幅に狭められた、厚さ
が１〜数μｍの平板状に形成さ汰基板１２に固着しであ
る。また、磁性薄膜１６は、上部磁極を構成し、磁性薄
膜１４と同様に１〜数μｍの厚さを有していて、クラン
ク状に折り曲げられた形状をなしている。そして、磁性
薄膜１６は、後部が磁性薄膜１４に固着されて磁性薄膜
１４とともに磁路を形成している。さらに、磁性薄膜１
Ｇは、先端部が磁性薄膜１４との間にギャップ２０を形
成するとともに、コイル１８を貫通させるための中間部
を形成している。また、各磁性薄膜１４．１６には、コ
イル１８が貫通する中間部に、複数の高保磁力領域また
は反強磁性領域からなる磁気変質部２２が形成しである
。
幅が広く、先端部の幅がトラック幅に狭められた、厚さ
が１〜数μｍの平板状に形成さ汰基板１２に固着しであ
る。また、磁性薄膜１６は、上部磁極を構成し、磁性薄
膜１４と同様に１〜数μｍの厚さを有していて、クラン
ク状に折り曲げられた形状をなしている。そして、磁性
薄膜１６は、後部が磁性薄膜１４に固着されて磁性薄膜
１４とともに磁路を形成している。さらに、磁性薄膜１
Ｇは、先端部が磁性薄膜１４との間にギャップ２０を形
成するとともに、コイル１８を貫通させるための中間部
を形成している。また、各磁性薄膜１４．１６には、コ
イル１８が貫通する中間部に、複数の高保磁力領域また
は反強磁性領域からなる磁気変質部２２が形成しである
。
これら磁気変質部２２は、後述する方法によって形成さ
れ、深さが約１０００人、幅が０．１〜数μｍであって
、磁性薄膜１４．１６が形成する磁路とほぼ直交するよ
うに設けてあり、磁化の方向も磁路とほぼ直交するよう
になっている。すなわち、磁気変質部２２の磁化方向は
、図示しない磁気記録媒体への情報の記録時、または磁
気記録媒体からの情報の再往時に、磁性薄膜１４．１６
を透過する磁束と直交するように、磁性薄膜１４．１６
のを横切って設けである。
れ、深さが約１０００人、幅が０．１〜数μｍであって
、磁性薄膜１４．１６が形成する磁路とほぼ直交するよ
うに設けてあり、磁化の方向も磁路とほぼ直交するよう
になっている。すなわち、磁気変質部２２の磁化方向は
、図示しない磁気記録媒体への情報の記録時、または磁
気記録媒体からの情報の再往時に、磁性薄膜１４．１６
を透過する磁束と直交するように、磁性薄膜１４．１６
のを横切って設けである。
上記のように構成した実施例においては、磁気変質部２
２が高保磁力領域または反強磁性領域となっているため
、磁気変質部２２が永久磁石のような振る舞いをし、磁
化が一定の方向を向いて変化しない。従って、磁気変質
部２２に隣接した軟磁性領域２４には、第２図（Ａ）に
示したように、磁気変質部２２の磁化２６による静磁気
相互作用によって、磁化２６と逆方向の磁場２８が常に
作用する。この結果、軟磁性領域２４は、常に同じ方向
のバイアス磁場を受けることになり、磁化が磁気変質部
２２と平行となって磁区の構造が常に同じとなり、磁区
が安定する。
２が高保磁力領域または反強磁性領域となっているため
、磁気変質部２２が永久磁石のような振る舞いをし、磁
化が一定の方向を向いて変化しない。従って、磁気変質
部２２に隣接した軟磁性領域２４には、第２図（Ａ）に
示したように、磁気変質部２２の磁化２６による静磁気
相互作用によって、磁化２６と逆方向の磁場２８が常に
作用する。この結果、軟磁性領域２４は、常に同じ方向
のバイアス磁場を受けることになり、磁化が磁気変質部
２２と平行となって磁区の構造が常に同じとなり、磁区
が安定する。
また、磁気変質部２２と軟磁性領域２４との境界が連続
的に変化している場合には、第２図（Ｂ）に示したよう
に、磁気変質部２２と軟磁性領域２４との磁化３０およ
び磁化３２は交換相互作用によって互いに平行となるた
め、実質的に磁化３０と同方向のバイアス磁場３２が作
用したと同じになり磁区の安定化が図られる。
的に変化している場合には、第２図（Ｂ）に示したよう
に、磁気変質部２２と軟磁性領域２４との磁化３０およ
び磁化３２は交換相互作用によって互いに平行となるた
め、実質的に磁化３０と同方向のバイアス磁場３２が作
用したと同じになり磁区の安定化が図られる。
従って、実施例の磁気ヘッド１０は、磁区の不安定によ
る記録性能の劣化、再生時の出力低下や擬像パルスの発
生を防ぐことができ、記録再生時のエラーを低減するこ
とができる。しかも、磁気変質部２２の磁化方向を磁性
薄膜１４．１６が形成する磁路にほぼ直行して形成しで
あるため、磁性薄膜１４．１６に磁界が作用したときの
み磁化が磁路と平行になり、記録再生時の周波数特性を
向上できる。
る記録性能の劣化、再生時の出力低下や擬像パルスの発
生を防ぐことができ、記録再生時のエラーを低減するこ
とができる。しかも、磁気変質部２２の磁化方向を磁性
薄膜１４．１６が形成する磁路にほぼ直行して形成しで
あるため、磁性薄膜１４．１６に磁界が作用したときの
み磁化が磁路と平行になり、記録再生時の周波数特性を
向上できる。
第３図は、本発明の第２実施例に係る誘導型磁気ヘッド
であって、主として磁気テープ装置またはフレキシブル
ディスク装置に使用される磁気ヘッドの一部を切り欠い
た斜視図である。
であって、主として磁気テープ装置またはフレキシブル
ディスク装置に使用される磁気ヘッドの一部を切り欠い
た斜視図である。
第３図において、磁気ヘッド１ｏは、一対の基板１２ａ
、１２ｂの一側面に磁性薄膜４０ａ、４ｏｂが設けてあ
り、これらの磁性薄膜４０ａ、４０ｂをスーパーストレ
ート４２ ａ、 ４２ ｂ （４２ａは図示せず）が覆
っていて、それぞれの端面を対応させて接合しである。
、１２ｂの一側面に磁性薄膜４０ａ、４ｏｂが設けてあ
り、これらの磁性薄膜４０ａ、４０ｂをスーパーストレ
ート４２ ａ、 ４２ ｂ （４２ａは図示せず）が覆
っていて、それぞれの端面を対応させて接合しである。
そして、接合部の図の下部がギャップ２０となっており
、その上方にコイル１８を巻回すための六角形をなず透
孔４６が設けである。また、基板１２ａ、１２ｂとスー
パーストレート４２ａ、４２ｂとの間に介在させた磁性
薄膜４０ａ、４０ｂには、複数の磁気変質部２２が設け
である。これらの磁気変質部２２は、磁性薄膜４０ａ、
４０ｂに形成した透孔４６の中心に対してほぼ等角度間
隔で放射状に形成され、その磁化方向が磁性薄膜４０ａ
、４０ｂが形成する磁路にほぼ直行している。
、その上方にコイル１８を巻回すための六角形をなず透
孔４６が設けである。また、基板１２ａ、１２ｂとスー
パーストレート４２ａ、４２ｂとの間に介在させた磁性
薄膜４０ａ、４０ｂには、複数の磁気変質部２２が設け
である。これらの磁気変質部２２は、磁性薄膜４０ａ、
４０ｂに形成した透孔４６の中心に対してほぼ等角度間
隔で放射状に形成され、その磁化方向が磁性薄膜４０ａ
、４０ｂが形成する磁路にほぼ直行している。
本実施例においても、磁気変質部２２が永久磁石と同様
の作用をなし、前記実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
の作用をなし、前記実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
第４図は、本発明の第３実施例に係る磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの一部を切り欠いた斜視図である。
気ヘッドの一部を切り欠いた斜視図である。
第４図において、基板１２ａ、１２ｂの一側面には、３
辺の縁部に沿って「コＪの字状に磁気シールド用軟磁性
薄膜５０が設けである。そして、軟磁性薄膜５０の上に
は、磁性薄膜からなる磁気抵抗素子５２が設けである。
辺の縁部に沿って「コＪの字状に磁気シールド用軟磁性
薄膜５０が設けである。そして、軟磁性薄膜５０の上に
は、磁性薄膜からなる磁気抵抗素子５２が設けである。
この磁気抵抗素子５２は、両端部に電極５４．５６が取
り付けてあり、電流が流されるようになっている。また
、磁気抵抗素子５２の図の下辺部５８は、磁気シールド
用軟磁性薄膜６０に覆われ、磁気シールド用磁性薄膜５
０．６０によって挾まれている。
り付けてあり、電流が流されるようになっている。また
、磁気抵抗素子５２の図の下辺部５８は、磁気シールド
用軟磁性薄膜６０に覆われ、磁気シールド用磁性薄膜５
０．６０によって挾まれている。
磁性薄膜からなる磁気抵抗素子５２の下辺部５８と、こ
の下辺部５８に対面した磁気シールド用軟磁性薄膜５０
．６０には、所定の間隔をもって磁気変質部２２が形成
しである。これら各磁気変質部２２は、下辺部５８の長
手方向、すなわち電流の流れる方向と４５度傾斜して形
成してあり、磁化の方向も４５度傾斜している。
の下辺部５８に対面した磁気シールド用軟磁性薄膜５０
．６０には、所定の間隔をもって磁気変質部２２が形成
しである。これら各磁気変質部２２は、下辺部５８の長
手方向、すなわち電流の流れる方向と４５度傾斜して形
成してあり、磁化の方向も４５度傾斜している。
このように構成した実施例は、磁気変質部２２が前記実
施例において説明したように永久磁石と同様の作用をし
、磁気変質部２２に隣接した軟磁性領域の磁化方向が、
磁気変質部２２の磁化による交換相互作用または静磁気
相互作用を受け、磁気変質部２２の磁化方向に平行又は
反平行に配向する。従って、磁気抵抗素子５２の、軟磁
性領域の磁化は磁気抵抗素子５２を流れる電流のベクト
ルに対して４５度傾斜して配向した状態に保持され、し
かも、磁区の構造が常に同じとなって磁区の安定化が図
られる。磁気抵抗素子５２の磁化は、磁気抵抗素子５２
を流れる電流のベクトルに対して４５度傾斜しているた
め、磁気記録媒体からの情報の再生時に、磁化の回転に
よる電気抵抗の変化率が大きくなり、感度のよい磁気ヘ
ッド１０を得ることができる。
施例において説明したように永久磁石と同様の作用をし
、磁気変質部２２に隣接した軟磁性領域の磁化方向が、
磁気変質部２２の磁化による交換相互作用または静磁気
相互作用を受け、磁気変質部２２の磁化方向に平行又は
反平行に配向する。従って、磁気抵抗素子５２の、軟磁
性領域の磁化は磁気抵抗素子５２を流れる電流のベクト
ルに対して４５度傾斜して配向した状態に保持され、し
かも、磁区の構造が常に同じとなって磁区の安定化が図
られる。磁気抵抗素子５２の磁化は、磁気抵抗素子５２
を流れる電流のベクトルに対して４５度傾斜しているた
め、磁気記録媒体からの情報の再生時に、磁化の回転に
よる電気抵抗の変化率が大きくなり、感度のよい磁気ヘ
ッド１０を得ることができる。
第５図は、前記各実施例の磁気ヘッドを製造する方法の
一部を示したもので、磁性薄膜に高保磁力領域または反
強磁性領域からなる磁気変質部を形成する工程を示して
いる。
一部を示したもので、磁性薄膜に高保磁力領域または反
強磁性領域からなる磁気変質部を形成する工程を示して
いる。
磁性薄膜の一部に磁気変質部を形成する場合、まずスパ
ッタ法や蒸着法またはメツキ法等により磁性薄膜を形成
する（ステップ１００）。次に、形成した磁性薄膜にフ
ォトレジストを塗布しくステップ１０２）、フォトレジ
ストに所定のパターンを露光、現像したのち、磁気変質
部を形成する部分のフォトレジストを除去する（ステッ
プ１０４）。
ッタ法や蒸着法またはメツキ法等により磁性薄膜を形成
する（ステップ１００）。次に、形成した磁性薄膜にフ
ォトレジストを塗布しくステップ１０２）、フォトレジ
ストに所定のパターンを露光、現像したのち、磁気変質
部を形成する部分のフォトレジストを除去する（ステッ
プ１０４）。
その後、上記の処理をした磁性薄膜を、プラズマ中に配
置してプラズマ処理をしてフォトレジストを除去した部
分の表面を酸化または窒化するか（ステップ１０６．１
０Ｂ）、電解質溶液中に浸漬してフォトレジストを除去
した部分の表面を酸化するか（ステップ１１０．１１２
）、またはフォトレジストを除去した部分にイオン注入
して表面部分の組成を変える（ステップ１１４．１１６
）。
置してプラズマ処理をしてフォトレジストを除去した部
分の表面を酸化または窒化するか（ステップ１０６．１
０Ｂ）、電解質溶液中に浸漬してフォトレジストを除去
した部分の表面を酸化するか（ステップ１１０．１１２
）、またはフォトレジストを除去した部分にイオン注入
して表面部分の組成を変える（ステップ１１４．１１６
）。
磁性薄膜の一部を磁気変質部に変えるプラズマ処理は、
真空度がＩ Ｘ １０” 〜１０−’Ｔｏ ｒ ｒの酸
素分圧または窒素分圧を有する真空系に磁性薄膜を配置
し、磁性薄膜側が負になるようにして１００〜２０００
Ｖの電圧を数分〜数１０分印加する。これにより、磁性
薄膜と正の電極との間にグロー放電が発生し、酸素また
は窒素が電離して電離した酸素イオンまたは窒素イオン
が磁性薄膜に衝突する。これにより、磁性薄膜のフォト
レジストを除去した部分の表面が酸化または窒化され、
磁性！膜の主成分がＦｅであれば酸化鉄または窒化鉄が
形成される。そして、このように変質された磁性薄膜部
分は、１００ｅ以上の高保磁力領域となり、本発明の実
施に適する磁気変質部となる。
真空度がＩ Ｘ １０” 〜１０−’Ｔｏ ｒ ｒの酸
素分圧または窒素分圧を有する真空系に磁性薄膜を配置
し、磁性薄膜側が負になるようにして１００〜２０００
Ｖの電圧を数分〜数１０分印加する。これにより、磁性
薄膜と正の電極との間にグロー放電が発生し、酸素また
は窒素が電離して電離した酸素イオンまたは窒素イオン
が磁性薄膜に衝突する。これにより、磁性薄膜のフォト
レジストを除去した部分の表面が酸化または窒化され、
磁性！膜の主成分がＦｅであれば酸化鉄または窒化鉄が
形成される。そして、このように変質された磁性薄膜部
分は、１００ｅ以上の高保磁力領域となり、本発明の実
施に適する磁気変質部となる。
溶液中における酸化は、ｐＨが４〜１０程度の電解質溶
液中に磁性薄膜を浸漬して行う。電解質溶液が例えば塩
酸や硝酸のような無機酸の水溶液である場合、磁性薄膜
をこれらの水溶液に浸漬するだけでよい。これにより、
磁性薄膜のフォトレジストの除去された部分が酸によっ
て腐食され、この部分が水洗の際に水によって酸化され
る。また、水溶液が水酸化ナトリウムや水酸化カルシウ
ムなどのアルカリ溶液である場合、磁性薄膜を陽極にし
て電解質溶液に１ｍＡ／ｃｍ”以下の電流を数分〜数１
０分流す。これにより、磁性薄膜を酸化する。
液中に磁性薄膜を浸漬して行う。電解質溶液が例えば塩
酸や硝酸のような無機酸の水溶液である場合、磁性薄膜
をこれらの水溶液に浸漬するだけでよい。これにより、
磁性薄膜のフォトレジストの除去された部分が酸によっ
て腐食され、この部分が水洗の際に水によって酸化され
る。また、水溶液が水酸化ナトリウムや水酸化カルシウ
ムなどのアルカリ溶液である場合、磁性薄膜を陽極にし
て電解質溶液に１ｍＡ／ｃｍ”以下の電流を数分〜数１
０分流す。これにより、磁性薄膜を酸化する。
一方、磁性薄膜へのイオン注入は、０□、Ｎ２または希
土類元素、Ｍｎ等の他の金属を１０〜３００ｋＶの加速
を行い、磁性薄膜に衝突させて１０１５個／ｃＴ１１２
程度注入すると高保磁力領域が形成される。そして、磁
性薄膜に酸化鉄やＭｎＦｅが含まれている場合には、保
磁力が１０００以上の高保磁力領域又は反強磁性領域と
なる。
土類元素、Ｍｎ等の他の金属を１０〜３００ｋＶの加速
を行い、磁性薄膜に衝突させて１０１５個／ｃＴ１１２
程度注入すると高保磁力領域が形成される。そして、磁
性薄膜に酸化鉄やＭｎＦｅが含まれている場合には、保
磁力が１０００以上の高保磁力領域又は反強磁性領域と
なる。
このようにして高保磁力領域または反強磁性領域からな
る磁気変質部を形成した磁性薄膜は、付着しているフォ
トレジストを除去しくステップ１１８）、必要に応じて
アニール処理をして組み立て等の次工程に送る（ステッ
プ１２０）。
る磁気変質部を形成した磁性薄膜は、付着しているフォ
トレジストを除去しくステップ１１８）、必要に応じて
アニール処理をして組み立て等の次工程に送る（ステッ
プ１２０）。
以上に説明したように、本発明の磁気ヘッドは、磁性薄
膜の一部が高保磁力領域または反強磁性領域となってい
るため、これらの領域が一種の永久磁石のように振る舞
う。従って、高保磁力領域または反強磁性領域の部分は
、磁化の方向が一定しており、磁性薄膜の高保磁力領域
、反強磁性領域に隣接した軟磁性領域の磁化が交換相互
作用、または高保磁力領域、反強磁性領域の磁化による
静磁気相互作用により一定の方向に揃えられ、磁区が常
に同じ構造をとるようになって磁区が安定する。従って
、記録再生特性が向上し、高性能な磁気ヘッドが得られ
る。
膜の一部が高保磁力領域または反強磁性領域となってい
るため、これらの領域が一種の永久磁石のように振る舞
う。従って、高保磁力領域または反強磁性領域の部分は
、磁化の方向が一定しており、磁性薄膜の高保磁力領域
、反強磁性領域に隣接した軟磁性領域の磁化が交換相互
作用、または高保磁力領域、反強磁性領域の磁化による
静磁気相互作用により一定の方向に揃えられ、磁区が常
に同じ構造をとるようになって磁区が安定する。従って
、記録再生特性が向上し、高性能な磁気ヘッドが得られ
る。
また、作製した磁性薄膜の一部にプラズマ処理、電解質
溶液による処理、イオン注入を行えば、磁性薄膜の一部
に高保磁力領域または反強磁性領域を容易に形成するこ
とがであきる。
溶液による処理、イオン注入を行えば、磁性薄膜の一部
に高保磁力領域または反強磁性領域を容易に形成するこ
とがであきる。
第１図は本発明の第１実施例に係る磁気ヘッドの断面斜
視図、第２図は前記実施例の磁気変質部の作用説明図、
第３図は本発明の第２実施例に係る磁気ヘッドの一部を
切り欠いた斜視図、第４図は本発明の第３実施例に係る
磁気ヘッドの一部を切り欠いた斜視図、第５図は本発明
の実施例に係る磁気ヘッドの製造方法の磁性薄膜に磁気
変質部を形成する工程の流れ図である。 １０−−−−−・磁気ヘッド、１２−−−−一基板、１
４．１６．４０ａ、４０ｂ、５０．５２．６０ −・−
磁性薄膜、２２−・・−高保磁力領域または反強磁性領
域（磁気変質部）。
視図、第２図は前記実施例の磁気変質部の作用説明図、
第３図は本発明の第２実施例に係る磁気ヘッドの一部を
切り欠いた斜視図、第４図は本発明の第３実施例に係る
磁気ヘッドの一部を切り欠いた斜視図、第５図は本発明
の実施例に係る磁気ヘッドの製造方法の磁性薄膜に磁気
変質部を形成する工程の流れ図である。 １０−−−−−・磁気ヘッド、１２−−−−一基板、１
４．１６．４０ａ、４０ｂ、５０．５２．６０ −・−
磁性薄膜、２２−・・−高保磁力領域または反強磁性領
域（磁気変質部）。
Claims (7)
- （１）磁性薄膜によって磁路を形成した磁気ヘッドにお
いて、前記磁性薄膜の一部を高保磁力領域または反強磁
性領域としたことを特徴とする磁気ヘッド。 - （２）前記高保磁力領域または反強磁性領域の磁化方向
は、前記磁路に略直交させて形成したことを特徴とする
請求項１に記載の磁気ヘッド。 - （３）前記磁性薄膜は磁気抵抗効果を有し、前記高保磁
力領域または反強磁性領域の磁化方向は前記磁性薄膜を
流れる電流のベクトルに対して４５度傾斜させて形成し
てあることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。 - （４）磁性薄膜を成膜したのち、前記磁性薄膜の一部を
表面処理し、高保磁力領域または反強磁性領域として、
磁路を形成したことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法
。 - （５）前記磁性薄膜の表面処理はプラズマ処理であるこ
とを特徴とする請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方法
。 - （６）前記磁性薄膜の表面処理は電解質溶液と反応させ
たことを特徴とする請求項４に記載の磁気ヘッドの製造
方法。 - （７）前記磁性薄膜の表面処理はイオン注入をしたこと
を特徴とする請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015222A JP2724014B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015222A JP2724014B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219410A true JPH03219410A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2724014B2 JP2724014B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=11882841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015222A Expired - Lifetime JP2724014B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2724014B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007153A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-11-07 | Seagate Technology Llc | Domain control in shields of a magnetic transducer |
| JPWO2022230652A1 (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-03 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119618A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-27 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS63298705A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘッド |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2015222A patent/JP2724014B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119618A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-27 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS63298705A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘッド |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007153A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-11-07 | Seagate Technology Llc | Domain control in shields of a magnetic transducer |
| GB2380052A (en) * | 2000-07-13 | 2003-03-26 | Seagate Technology Llc | Domain control in shields of a magnetic transducer |
| US6710982B2 (en) | 2000-07-13 | 2004-03-23 | Seagate Technology Llc | Domain control in shields of a magnetic transducer |
| GB2380052B (en) * | 2000-07-13 | 2004-07-28 | Seagate Technology Llc | Domain control in shields of a magnetic transducer |
| JPWO2022230652A1 (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2724014B2 (ja) | 1998-03-09 |
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