JPH087234A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH087234A JPH087234A JP6328971A JP32897194A JPH087234A JP H087234 A JPH087234 A JP H087234A JP 6328971 A JP6328971 A JP 6328971A JP 32897194 A JP32897194 A JP 32897194A JP H087234 A JPH087234 A JP H087234A
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- magnetoresistive
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子の中心感知部でのバルクハイゼ
ンノイズの原因であるマルチ磁区の生成を抑制してヘッ
ドの効率を向上させ、ノイズを減少させるようにした磁
気抵抗素子を提供する。 【構成】 情報記録装置に使用される磁気抵抗型薄膜ヘ
ッドの磁気抵抗素子１を磁気的に閉鎖回路に似るように
“Ｃ”字形に形成し、後位に位置する非磁性ギャップに
横方向のバイアスコイル２を設置した磁気抵抗素子１。
ンノイズの原因であるマルチ磁区の生成を抑制してヘッ
ドの効率を向上させ、ノイズを減少させるようにした磁
気抵抗素子を提供する。 【構成】 情報記録装置に使用される磁気抵抗型薄膜ヘ
ッドの磁気抵抗素子１を磁気的に閉鎖回路に似るように
“Ｃ”字形に形成し、後位に位置する非磁性ギャップに
横方向のバイアスコイル２を設置した磁気抵抗素子１。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗素子に関する
もので、詳しくは、情報記録装置に使用される磁気抵抗
型薄膜ヘッドの磁気抵抗素子を磁気的に閉鎖回路に似る
ように“Ｃ”字形に形成し、後位に位置する非磁性ギャ
ップに横方向のバイアス印加線（バイアスループないし
はバイアスコイル）を設置することにより、磁気抵抗素
子の中心感知部でバルクハイゼンノイズ（Barkhausen n
oise：再生時の雑音）の原因であるマルチ磁区（multi
domain：素子の横方向に存在する反磁界により生成され
る）の生成を抑制してヘッドの効率を向上させ、ノイズ
を減少させたものに関する。
もので、詳しくは、情報記録装置に使用される磁気抵抗
型薄膜ヘッドの磁気抵抗素子を磁気的に閉鎖回路に似る
ように“Ｃ”字形に形成し、後位に位置する非磁性ギャ
ップに横方向のバイアス印加線（バイアスループないし
はバイアスコイル）を設置することにより、磁気抵抗素
子の中心感知部でバルクハイゼンノイズ（Barkhausen n
oise：再生時の雑音）の原因であるマルチ磁区（multi
domain：素子の横方向に存在する反磁界により生成され
る）の生成を抑制してヘッドの効率を向上させ、ノイズ
を減少させたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、情報記録装置の高磁気記録密
度化、高性能化に従って、磁気ヘッドも従来に使用され
るフェライトヘッド、ＭＩＧヘッドの代わりに薄膜磁気
ヘッドをより好んで使用しており、特に再生特性が優秀
である磁気抵抗素子を用いた薄膜磁気貯蔵型ヘッドの需
要が同業種分野で最近急増しているが、前記磁気抵抗素
子は素子内に存在するマルチ磁区という磁区構造により
発生されるバルクハイゼンノイズという再生時の雑音特
性のため、ヘッド設計時、ヘッド効率を向上させ、ノイ
ズを減少させるのが主要研究対象であった。
度化、高性能化に従って、磁気ヘッドも従来に使用され
るフェライトヘッド、ＭＩＧヘッドの代わりに薄膜磁気
ヘッドをより好んで使用しており、特に再生特性が優秀
である磁気抵抗素子を用いた薄膜磁気貯蔵型ヘッドの需
要が同業種分野で最近急増しているが、前記磁気抵抗素
子は素子内に存在するマルチ磁区という磁区構造により
発生されるバルクハイゼンノイズという再生時の雑音特
性のため、ヘッド設計時、ヘッド効率を向上させ、ノイ
ズを減少させるのが主要研究対象であった。
【０００３】従来技術による磁気ヘッドの磁気抵抗素子
は、図２に示すように、直線形の磁気抵抗素子の横方向
に単磁区を形成するために磁気抵抗素子１１の両側に薄
膜のＦｅＭｎ合金系交換パターン１２、１３を設置した
ものである（図２（ａ）に示す。）。
は、図２に示すように、直線形の磁気抵抗素子の横方向
に単磁区を形成するために磁気抵抗素子１１の両側に薄
膜のＦｅＭｎ合金系交換パターン１２、１３を設置した
ものである（図２（ａ）に示す。）。
【０００４】一方、アメリカ合衆国特許第４，６６３，
６８５号には、磁気抵抗素子の両端部に反強磁性薄膜を
蒸着して横方向にバイアスを加えるようにした再生ヘッ
ドで、横方向のバイアスは素子の両端部の磁区状態を単
磁区状態に維持させるに充分であり、その結果、素子の
中央部も単磁区状態を維持し、かつ素子の中央部位に縦
方向のバイアスを加えるように素子の中央部には隔離さ
れた導電性素子（conductive element）を設置すること
により、磁気抵抗素子の感度を減らさずに磁気抵抗素子
のバルクハイゼンノイズ生成を減少させる内容が開示さ
れている。
６８５号には、磁気抵抗素子の両端部に反強磁性薄膜を
蒸着して横方向にバイアスを加えるようにした再生ヘッ
ドで、横方向のバイアスは素子の両端部の磁区状態を単
磁区状態に維持させるに充分であり、その結果、素子の
中央部も単磁区状態を維持し、かつ素子の中央部位に縦
方向のバイアスを加えるように素子の中央部には隔離さ
れた導電性素子（conductive element）を設置すること
により、磁気抵抗素子の感度を減らさずに磁気抵抗素子
のバルクハイゼンノイズ生成を減少させる内容が開示さ
れている。
【０００５】又、アメリカ合衆国特許第５，１５９，５
１１号には、磁気抵抗素子とこの素子の横方向及び縦方
向にバイアスを掛けるための導電体とから構成されるヘ
ッドで、磁気抵抗素子２１は、“１”字形に構成され、
バイアスコイル２２，２３は磁気抵抗素子２１を単磁区
状態に維持させ得るように素子の両端に設置されること
により、バルクハイゼンノイズの生成を減らしトラック
密度を高め得るという内容が開示されている（図２
（ｂ）に示す。）。
１１号には、磁気抵抗素子とこの素子の横方向及び縦方
向にバイアスを掛けるための導電体とから構成されるヘ
ッドで、磁気抵抗素子２１は、“１”字形に構成され、
バイアスコイル２２，２３は磁気抵抗素子２１を単磁区
状態に維持させ得るように素子の両端に設置されること
により、バルクハイゼンノイズの生成を減らしトラック
密度を高め得るという内容が開示されている（図２
（ｂ）に示す。）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来の磁気抵抗素子によると、図２（ａ）のもので
は、前記ＦｅＭｎ合金に腐食が発生して磁気抵抗素子の
信頼性が低下する問題点と、前記磁気抵抗素子内での横
方向脱磁界を減らすためには隣接トラックからのクロス
−トーク（cross-talk）効果の増加に関係がある素子の
長さ（ｌ１）対幅（ｈ１）の比が充分に大きくなければ
ならないが、構造上の限界点に直面して横方向バイアス
磁界の影響により磁気抵抗ヘッドの性能が低下し、磁気
抵抗素子１１と反強磁性パターン１２，１３間の交換効
果の強い温度依存性により周囲温度の増加につれてバル
クハイゼンノイズが増加する。
示す従来の磁気抵抗素子によると、図２（ａ）のもので
は、前記ＦｅＭｎ合金に腐食が発生して磁気抵抗素子の
信頼性が低下する問題点と、前記磁気抵抗素子内での横
方向脱磁界を減らすためには隣接トラックからのクロス
−トーク（cross-talk）効果の増加に関係がある素子の
長さ（ｌ１）対幅（ｈ１）の比が充分に大きくなければ
ならないが、構造上の限界点に直面して横方向バイアス
磁界の影響により磁気抵抗ヘッドの性能が低下し、磁気
抵抗素子１１と反強磁性パターン１２，１３間の交換効
果の強い温度依存性により周囲温度の増加につれてバル
クハイゼンノイズが増加する。
【０００７】そして、直線形の磁気抵抗素子２１の両端
部付近にバイアス印加線（バイアスループ；biasing lo
op）２２，２３を設置して（図２（ｂ）に示す）磁界を
可変させ得るが、これもやはり長さ（ｌ２）対幅
（ｈ２）の比を構造特性上大きくし得なくて脱磁界の影
響を完全に除去し得なく、磁気抵抗素子２１の両端部に
バイアス印加線２２，２３を設置することによる工程が
増大するので、ヘッドの製造収率が低下する問題点があ
った。さらに、バイアス印加線２２，２３の使用により
磁気抵抗ヘッドの空気保有面から磁気抵抗素子２１に屈
曲が生じてその性能が低下する問題点があった。
部付近にバイアス印加線（バイアスループ；biasing lo
op）２２，２３を設置して（図２（ｂ）に示す）磁界を
可変させ得るが、これもやはり長さ（ｌ２）対幅
（ｈ２）の比を構造特性上大きくし得なくて脱磁界の影
響を完全に除去し得なく、磁気抵抗素子２１の両端部に
バイアス印加線２２，２３を設置することによる工程が
増大するので、ヘッドの製造収率が低下する問題点があ
った。さらに、バイアス印加線２２，２３の使用により
磁気抵抗ヘッドの空気保有面から磁気抵抗素子２１に屈
曲が生じてその性能が低下する問題点があった。
【０００８】前記前者のアメリカ合衆国特許の磁気抵抗
素子によると、素子内の異方性磁界が大きくなって感度
が低下する問題点があった。
素子によると、素子内の異方性磁界が大きくなって感度
が低下する問題点があった。
【０００９】又、前記後者のアメリカ合衆国特許の磁気
抵抗素子によると、素子内での異方性磁界が大きくて感
度が低く、シールドされた（ｓｈｉｅｌｄｅｄ）磁気抵
抗ヘッドにおいては磁気抵抗素子として使用できない問
題点があった。
抵抗素子によると、素子内での異方性磁界が大きくて感
度が低く、シールドされた（ｓｈｉｅｌｄｅｄ）磁気抵
抗ヘッドにおいては磁気抵抗素子として使用できない問
題点があった。
【００１０】
【発明の目的】従って、本発明は前記のような従来技術
の問題点に鑑みて成されたもので、本発明の目的は、薄
膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子を横方向の脱磁界の影響を
最小化させ得るように閉鎖回路に似る“Ｃ”字形に形成
し、後位の非磁性ギャップに縦方向のバイアス印加線を
設置して、ヘッドの設計時、バルクハイゼンノイズを抑
制するだけでなくヘッドの効率及び製造収率を向上させ
得るようにした磁気抵抗素子を提供することにある。
の問題点に鑑みて成されたもので、本発明の目的は、薄
膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子を横方向の脱磁界の影響を
最小化させ得るように閉鎖回路に似る“Ｃ”字形に形成
し、後位の非磁性ギャップに縦方向のバイアス印加線を
設置して、ヘッドの設計時、バルクハイゼンノイズを抑
制するだけでなくヘッドの効率及び製造収率を向上させ
得るようにした磁気抵抗素子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の特徴は、磁気抵抗型薄膜ヘッドにおける磁気
抵抗素子において、素子内での脱磁界が減らせるように
“Ｃ”字形に形成された磁気抵抗素子の後位の非磁性ギ
ャップにバイアス印加線（例えば、バイアスループない
しはバイアスコイル）を設置したことである。
の本発明の特徴は、磁気抵抗型薄膜ヘッドにおける磁気
抵抗素子において、素子内での脱磁界が減らせるように
“Ｃ”字形に形成された磁気抵抗素子の後位の非磁性ギ
ャップにバイアス印加線（例えば、バイアスループない
しはバイアスコイル）を設置したことである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明による磁気抵抗素子を添付図面
に基づいて具体的に説明する。
に基づいて具体的に説明する。
【００１３】図１は本発明の実施例による磁気抵抗素子
の概略図で、情報記録装置で最近需要が急増している磁
気抵抗型薄膜磁気ヘッドに用いる磁気抵抗素子を形成す
ることにおいて、素子内での脱磁界を減らすために磁気
抵抗素子１の長さ対幅（Ｈ）の比が充分になるように閉
鎖回路に似る“Ｃ”字形に磁気抵抗素子１を形成し、前
記“Ｃ”字形の磁気抵抗素子１の後位の非磁性ギャップ
に横方向のバイアス印加線としてのバイアスコイル２を
設置してバイアス磁界を可変させることによりバイアス
電流による横方向の磁界が磁気抵抗素子１に印加される
ように構成したものである。
の概略図で、情報記録装置で最近需要が急増している磁
気抵抗型薄膜磁気ヘッドに用いる磁気抵抗素子を形成す
ることにおいて、素子内での脱磁界を減らすために磁気
抵抗素子１の長さ対幅（Ｈ）の比が充分になるように閉
鎖回路に似る“Ｃ”字形に磁気抵抗素子１を形成し、前
記“Ｃ”字形の磁気抵抗素子１の後位の非磁性ギャップ
に横方向のバイアス印加線としてのバイアスコイル２を
設置してバイアス磁界を可変させることによりバイアス
電流による横方向の磁界が磁気抵抗素子１に印加される
ように構成したものである。
【００１４】そして、磁気抵抗素子１内での横方向の脱
磁界を除去すると素子は単磁区（single domain ）状態
を維持し、その結果としてバルクハイゼンノイズが消滅
される。このように磁気抵抗素子の横方向の脱磁界を減
らすためには、
磁界を除去すると素子は単磁区（single domain ）状態
を維持し、その結果としてバルクハイゼンノイズが消滅
される。このように磁気抵抗素子の横方向の脱磁界を減
らすためには、
【００１５】（ここで、Ｈｄ：反磁界、Ｍｓ：素子の飽
和磁化値、ｈ：素子の幅、１：素子の長さ）の式におい
て、磁気抵抗素子の長さ（ｌ）対幅（ｈ）の比を大きく
するか、 ２）磁気抵抗素子を閉鎖回路に似る“Ｃ”字形に設計し
て磁気的に連続するようにすることにより、素子の端部
でも充分に磁化されるようにするか、 ３）相互交換バイアス（exchange biasing）方式を採択
するか、 ４）バーバポール（barber pole ）導体を採択する方式
がある。
和磁化値、ｈ：素子の幅、１：素子の長さ）の式におい
て、磁気抵抗素子の長さ（ｌ）対幅（ｈ）の比を大きく
するか、 ２）磁気抵抗素子を閉鎖回路に似る“Ｃ”字形に設計し
て磁気的に連続するようにすることにより、素子の端部
でも充分に磁化されるようにするか、 ３）相互交換バイアス（exchange biasing）方式を採択
するか、 ４）バーバポール（barber pole ）導体を採択する方式
がある。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
抵抗素子は、磁気抵抗素子の長さ対幅の比が充分になる
ように“Ｃ”字形に形成し、磁気的に閉鎖回路に似るよ
うに環状に形成される磁気抵抗素子の後位の非磁性ギャ
ップにバイアス（電流）印加線を形成することにより、
再生時に発生されるバルクハイゼンノイズの原因である
素子の中心感知部でのマルチ磁区の生成を抑制してヘッ
ドの効率を向上させ、磁気抵抗素子の後位ギャップ周囲
にだけ横方向のバイアス印加線を設置して製造工程を減
らすことによりヘッド設計時の生産性を向上させ得ると
いう優れた効果を奏する。
抵抗素子は、磁気抵抗素子の長さ対幅の比が充分になる
ように“Ｃ”字形に形成し、磁気的に閉鎖回路に似るよ
うに環状に形成される磁気抵抗素子の後位の非磁性ギャ
ップにバイアス（電流）印加線を形成することにより、
再生時に発生されるバルクハイゼンノイズの原因である
素子の中心感知部でのマルチ磁区の生成を抑制してヘッ
ドの効率を向上させ、磁気抵抗素子の後位ギャップ周囲
にだけ横方向のバイアス印加線を設置して製造工程を減
らすことによりヘッド設計時の生産性を向上させ得ると
いう優れた効果を奏する。
【図１】本発明の実施例による磁気抵抗素子の概略説明
図である。
図である。
【図２】従来技術による磁気抵抗素子で、（ａ）は素子
の両端部に反強磁性交換パターンが形成されたものの説
明図であり、（ｂ）は素子の両端部に縦方向のバイアス
コイルが交換パターンに隣接して形成されたものの説明
図である。
の両端部に反強磁性交換パターンが形成されたものの説
明図であり、（ｂ）は素子の両端部に縦方向のバイアス
コイルが交換パターンに隣接して形成されたものの説明
図である。
１ 磁気抵抗素子 ２ バイアス印加線（バイアスコイル）
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗型薄膜における磁気抵抗素子に
おいて、素子内での脱磁界を減らすために“Ｃ”字形に
形成された磁気抵抗素子（１）の後位に位置する非磁性
ギャップに横方向のバイアス印加線（２）を設置したこ
とを特徴とする磁気抵抗素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014597A KR960002151A (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 자기저항소자 |
| KR199414597 | 1994-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087234A true JPH087234A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=19386214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6328971A Pending JPH087234A (ja) | 1994-06-24 | 1994-12-28 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087234A (ja) |
| KR (1) | KR960002151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110869788A (zh) * | 2017-06-02 | 2020-03-06 | 法国原子能及替代能源委员会 | 用于抑制磁阻传感器的低频噪声的系统和方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0214418A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法並びにこれを用いた磁気記録装置 |
-
1994
- 1994-06-24 KR KR1019940014597A patent/KR960002151A/ko not_active Ceased
- 1994-12-28 JP JP6328971A patent/JPH087234A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0214418A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法並びにこれを用いた磁気記録装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110869788A (zh) * | 2017-06-02 | 2020-03-06 | 法国原子能及替代能源委员会 | 用于抑制磁阻传感器的低频噪声的系统和方法 |
| CN110869788B (zh) * | 2017-06-02 | 2022-08-23 | 法国原子能及替代能源委员会 | 用于抑制磁阻传感器的低频噪声的系统和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960002151A (ko) | 1996-01-26 |
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