JPH03219663A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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Publication number
JPH03219663A
JPH03219663A JP2015292A JP1529290A JPH03219663A JP H03219663 A JPH03219663 A JP H03219663A JP 2015292 A JP2015292 A JP 2015292A JP 1529290 A JP1529290 A JP 1529290A JP H03219663 A JPH03219663 A JP H03219663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
semiconductor device
wire bonding
lead frame
wire
Prior art date
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Pending
Application number
JP2015292A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiko Oguchi
小口 勝彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2015292A priority Critical patent/JPH03219663A/ja
Publication of JPH03219663A publication Critical patent/JPH03219663A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07554Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/547Dispositions of multiple bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の組立工程で用いられる半導体装置
用リードフレームの形状に関する。
(従来の技術) 半導体装置は集積回路から形成された半導体素子のポン
ディングパッドとこれに対応したリードフレームの各リ
ードとを接続し、ついで各リードの外側先端部以外の内
側部分をトランスファモールド等により樹脂で一体的に
成形する。そして成形された樹脂の外側において各リー
ドを切断し、必要に応じてリードを適宜折り曲げて半導
体装置を組立てている。第4図は従来の半導体装置完成
品の一例を示す斜視図である0図において、3は半導体
素子、2は半導体素子3を搭載するダイパッド、1は多
15[設けられたリード、4は半導体素子3とこれに対
応するリードlとを接続するワイヤー 5は半導体素子
3等を一体的に成形する封止樹脂である。ここで特にリ
ード1において、樹脂5の内部に埋まる部分をインナー
リードla、封止樹脂5の外側に出る部分をアウターリ
ード1bと呼ぶことにする。
実際の半導体装置組立作業においては、第3図に示すよ
うに前記ダイパッド2、リード1をダムバー6で連結し
、さらにその外周部に帯状枠7を設けて多連の繰返しパ
ターンとしたものを総称してリードフレームと呼ぶ、第
3図のリードフレームのうち半導体装r・を搭載するダ
イパッド2、インナーリード1aの部分の詳細図が第2
図である。
従来のリードフレームのインナーリード部は、第2図に
示すようにインナーリード1aのワイヤーボンディング
するポイント9はダイパッド2の外周部からほぼ等距離
に一列にある形状のものが一般的に知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記半導体装置は最近の半導体素子の高集積化、高機能
化等のニーズと共に多ビン化する傾向にあるため、それ
に使用するリードフレームも多ビン化されると共に実装
密度を高くするためリード1のピッチが詰められ、アウ
ターリード1bのみならずインナーリード1aのピッチ
も微細化されてきている。しかし従来のインナーリード
形状のままでピッチを小さくしていった場合、インナー
リード1本当りの幅が非常に狭くなることからリードフ
レームの加工上難しくなると同時に、半導体装置の組立
時にワイヤーボンディングする場合も狭いリードの上に
打つため、わずかな位置ずれでもワイヤーがインナーリ
ード1aから外れてしまいワイヤーボンディング不良に
なり易くなる等の課題を有していた。
そこで本発明はこのような課題を解決するためにリード
フレームのインナーリード1aのワイヤーボンディング
するポイント9を交互に異なるように2列以上にするこ
とにより、ワイヤーボンディングするポイント9の部分
の幅を広くすることができ、安定的にワイヤーボンディ
ングができることを提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するため、本発明のリードフレームはイ
ンナーリードのワイヤーボンディングするポイントを交
互に異なるように2列以上にすることにより、インナー
リードのワイヤーボンディングする部分の幅を広くした
ことを特徴とする。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。基
本的な構成は従来の技術の例である第3図と同じである
が本発明の実施例の部分詳細図を第1図に示す。
第1図において、1aはインナーリード、2は半導体素
子搭載部のダイパッドである。9はインナーリードのワ
イヤーボンディングポイントである。ワイヤーボンディ
ングポイント9の位置をダイパッド2の外周部からの距
離が交互に異なるようにした結果、隣11士のワイヤー
ボンディングポイントが遠くなるため、インナーリード
1aのワイヤーボンディングポイント9の部分の幅を広
くしたものである。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明のリードフレームは、インナー
リードのワイヤーボンディングポイントの位置をダイパ
ッドの外周部からの距離が交互に異なるように2列以上
にすることにより、インナーリードのワイヤーボンディ
ングポイントの部分を広くすることができる。この結果
、半導体装置の組立時にワイヤーボンディングする際に
、わずかな位置ずれでもワイヤーがインナーリードから
外れてしまうような不良は少なくなり、安定的にワイヤ
ーボンディングを行なうことができる。こうして得られ
るワイヤーボンディングの安定性向上は半導体装置の組
立歩留りを向上させると共に多ビンの半導体装置の品質
、信頼性向上にも寄与する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のリードフレームの実施例を示す部分詳
細平面図。 第2図は従来のリードフレームの実施例を示す部分詳細
平面図。 第3図は従来のリードフレームの実施例を示す斜視図。 第4図は従来の半導体装置完成品の実施例を示す斜視図
。 1・・・リード 1a・・・インナーリード 1b・・・アウターリード 2・・・ダイパッド 3・・・半導体素子 4・・・ワイヤー 5・・・封止樹脂 6・・・ダムバー 7・・・帯状枠 9・・・インナーリードのワイヤーポンデイポイント ング 以  上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 矩形に形成された帯状枠、半導体素子搭載部、前記帯状
    枠より前記半導体素子搭載部近傍まで伸び複数連なるリ
    ード、前記複数リードの中間に位置し前記複数リードを
    各々連結するダムバー等から構成される半導体装置用リ
    ードフレームにおいて、前記リードのワイヤーボンディ
    ングするポイント(半導体素子搭載部からの距離)を2
    列以上にすることにより、リードのワイヤーボンディン
    グする部分の幅を広くしたことを特徴とする半導体装置
    用リードフレーム。
JP2015292A 1990-01-25 1990-01-25 半導体装置用リードフレーム Pending JPH03219663A (ja)

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JP2015292A JPH03219663A (ja) 1990-01-25 1990-01-25 半導体装置用リードフレーム

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JPH03219663A true JPH03219663A (ja) 1991-09-27

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JP (1) JPH03219663A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064076A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2010074034A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Sanyo Electric Co Ltd リードフレーム及び樹脂封止半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064076A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
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