JPH0321967B2 - - Google Patents
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- JPH0321967B2 JPH0321967B2 JP58066917A JP6691783A JPH0321967B2 JP H0321967 B2 JPH0321967 B2 JP H0321967B2 JP 58066917 A JP58066917 A JP 58066917A JP 6691783 A JP6691783 A JP 6691783A JP H0321967 B2 JPH0321967 B2 JP H0321967B2
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- magnetic
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
［利用分野］
本発明は、非磁性の基板上に磁性薄膜からなる
低保磁力層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有す
る垂直磁化層からなる磁気記録層とを有する磁気
記録媒体の改良と改良された磁気記録媒体の製造
法に関する。 ［従来技術］ 上述の低保磁力層と垂直磁化層とからなる二層
膜の磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式において
単極型ヘツドによつて効率良く記録できる垂直磁
気記録媒体として特公昭58−91号公報、特公昭58
−10764公報等に提案されている。この提案され
た二層膜構成の磁気記録媒体（以下“二層膜媒
体”という）は、具体的にはRF2極スパツタ法で
作成され、低保磁力層をパーマロイで垂直磁化層
をCo（コパルト）−Cr（クロム）合金膜で構成した
ものであり、高い記録感度と大なる再生出力を得
られる優れたものであるが、記録感度面、再生出
力面等でより一層の改善が望まれている。 ［発明の目的］ 本発明は上述の二層膜媒体の特性を改善するこ
とを目的とするもので低保磁力層、特にNi（ニツ
ケル）、Fe（鉄）を主成分とするパーマロイ薄膜
からなる低保磁力層の特性と垂直磁化層の組合せ
によつて、さらに改善された高い記録感度と大な
る再生出力及び広い面積に亙つて均質な特性を有
する磁気記録媒体及びその製造法を提供するもの
である。 ［発明の構成、作用効果］ 本発明の磁気記録媒体は、前述の二層膜媒体、
すなわち非磁性の基板上にパーマロイ等の軟磁性
材の磁性薄膜からなる低保磁力層と膜面に垂直方
向の磁化容易軸を有する磁気記録層を有する磁気
記録媒体において、前記低保磁力層が積層された
複数の磁性薄膜からなり、各磁性薄膜はその磁化
困難軸の方向が全体として面内の記録・再生特性
が一様になるような互いに異なる方向になるよう
に積層されていることを特徴とするものである。 上述の本発明は、以下のようにしてなされたも
のである。二層膜媒体の低保磁力層の保磁力は小
さい程記録感度等の面で有利と思われ、そこで
5Oe（エルステツド）以下の小さな保磁力のパー
マロイの薄膜とした磁気記録媒体でデイスクを作
成し評価したところ、その再生出力のエンベロー
プが変化して、安定な再生という点からは、結局
その最低点に制約され、再生出力はあまり向上し
ない問題に遭遇し、種々検討の結果、その原因が
低保磁力層を構成するパーマロイ薄膜の面内磁気
異方性にあることを見出しなされたものである。 すなわち、パーマロイ薄膜を低保磁力層とした
上述の磁気記録媒体は、パーマロイ薄膜の磁化困
難軸の方向に走行させて記録・再生した時の方が
磁化容易軸の方向の時に比べて、再生出力が大き
く、特に高密度記録の高周波領域で良好な特性を
示すことを見出しなされたもので、従つて、上記
構成により低保磁力層全体としての面内磁気異方
性は減少するので、再生出力の最低点が上昇しエ
ンベロープも面内で一様となり安定する。その結
果記録密度が高く、記録再生特性が面内で一様な
デイスク方式に適した磁気記録媒体が得られる。 なお、面内磁気異方性とは膜面に平行な面内で
の磁気異方性のことである。 上述の点から本発明は、その低保磁力層を構成
する薄膜が、上述の5Oe以下という保磁力の小さ
いパーマロイ（Mo（モリブデン）、Cu（銅）等の
第３成分を含んで良い）の如く、保磁力の小さい
領域で面内磁気異方性を示す軟磁性材の場合に大
きな効果を奏する。また、磁化困難軸方向の保磁
力が磁化容易軸方向の保磁力より小さい薄膜が効
果的である。また薄膜の透磁率については大きい
ものが記録感度・再生出力面から好ましく用いら
れる。なお、各薄膜は同じ軟磁性材からなるもの
が製造面から好ましいが、異なつた軟磁性材の薄
膜を組合せて低保磁力層としても良いことは上述
の点から明らかである。 また、磁気記録層としては実施例のCo−Cr合
金膜らなる垂直磁化層は勿論、Ｗ（タングステン）
Ta（タンタル）等の第３元素を添加したCo−Cr
合金、その他公知等の垂直磁化層に適用できるこ
とは本発明の趣旨から明らかである。また、各層
間に接着層等形成したものにも適用できることは
同様に明らかである。 ところで、上述の磁気記録媒体の低保磁力層
は、次記する本発明の第２発明より単に低保磁力
層の各薄膜形成時の基板移送方向を規制するのみ
で製造することができる。すなわち、第２発明
は、前記各薄膜を対向ターゲツト式スパツタ法に
より基板をターゲツトの対向方向と形成する前記
薄膜の磁化困難軸方向が直交する方向に移送しつ
つ膜形成することを特徴とするものである。 この第２発明は、対向ターゲツト式スパツタ法
で膜形成した場合、ターゲツトの対向方向と直交
する方向に磁化困難軸が形成されることを見出し
なされたものである。 なお、上述の対向ターゲツト式スパツタ法は、
特開昭57−158380号公報等で公知のスパツタ法
で、一対の対向配置されたターゲツトの側方に基
板を配し、ターゲツト間に垂直方向にプラズマ捕
促用の磁界を印加してスパツタし、基板上に膜を
形成するスパツタ法を云う。以下、上述の本発明
の詳細を実施例に基いて説明する。 第１図は本発明の実施に用いた対向ターゲツト
式スパツタ装置の構造図である。 図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭57
−158380号公報で公知の対向ターゲツト式スパツ
タ装置と基本的に同じ構成となつている。 すなわち、図において１０は真空槽、２０は真
空槽１０を排気する真空ポンプ等からなる排気
系、３０は真空槽１０内に所定のガスを導入して
真空容器１０内の圧力を10-1〜10-4Torr程度の
所定のガス圧力に設定するガス導入系である。 そして、真空槽１０内には、図示の如く真空槽
１０の側板１１，１２に絶縁部材１３，１４を介
して固着されたターゲツトホルダー１５，１６に
より１対のターゲツトT1，T2が、そのスパツタ
される面T1S，T2Sを空間を隔てて平行に対面す
るように配設してある。そして、ターゲツトT1，
T2とそれに対応するターゲツトホルダー１５，
１６は、冷水パイプ１５１，１６１を介して冷却
水によりターゲツトT1，T2、永久磁石１５２，
１６２が冷却される。磁石１５２，１６２はター
ゲツトT1，T2を介してＮ極、Ｓ極が対向するよ
うに設けてあり、従つて磁界はターゲツトT1，
T2に垂直な方向に、かつターゲツト間のみに形
成される。なお、１７，１８は絶縁部材１３，１
４及びターゲツトホルダー１５，１６をスパツタ
リング時のプラズマ粒子から保護するためとター
ゲツト表面以外の部分の異常放電を防止するため
のシールドである。 また、磁性薄膜が形成される基板４０を保持す
る基板保持手段４１は、真空槽１０内のターゲツ
トT1，T2の側方に設けてある。基板保持手段４
１は、図示省略した支持ブラケツトにより夫々回
転自在かつ互いに軸平行に支持された繰り出しロ
ール４１ａ、支持ロール４１ｂ、巻取ロール４１
ｃの３個のロールからなり、基板４０をターゲツ
トT1，T2間の空間に対面するようにスパツタ面
T1S，T2Sに対して略直角方向に保持するように
配置してある。従つて基板４０は巻取りロール４
１ｃによりスパツタ面T1S，T2Sに対して直角方
向に移動可能である。なお、支持ロール４１ｂは
その表面温度が調節可能となつている。 一方、スパツタ電力を供給する直流電源からな
る電力供給手段５０はプラス側をアースに、マイ
ナス側をターゲツトT1，T2に夫々接続する。従
つて電力供給手段５０からのスパツタ電力は、ア
ースをアノードとし、ターゲツトT1，T2をカソ
ードとして、アノード、カソード間に供給され
る。 なお、プレスパツタ時基板４０を保護するた
め、基板４０とターゲツトT1，T2との間に出入
するシヤツター（図示省略）が設けてある。 以上の通り、前述の特開昭57−158380号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高
速低温スパツタが可能となる。すなわち、ターゲ
ツトT1，T2間の空間に、磁界の作用によりスパ
ツタガスイオン、スパツタにより放出されたγ電
子等が束縛され高密度プラズマが形成される。従
つて、ターゲツトT1，T2のスパツタが促進され
て前記空間より析出量が増大し、基板４０上への
堆積速度が増し高度スパツタが出来る上、基板４
０がターゲツトT1，T2の側方にあるので低温ス
パツタも出来る。 なお、本発明の対向ターゲツト式スパツタ法
は、前述の装置のものに限定されるものでなく、
前述の通り一対の対面させたターゲツトの側方に
基板を配し、ターゲツト間に垂直方向の磁界を印
加してスパツタし、基板上に膜を形成するスパツ
タ法を云う。従つて、磁界発生手段も永久磁石で
なく、電磁石を用いても良い。また、磁界もター
ゲツト間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従つてターゲツト全面でなく、ターゲ
ツト周囲のみに発生させた場合も含む。なお、第
１図で基板４０の走行方向（MD）は、ターゲツ
トT1，T2の対向方向すなわち永久磁石１５２，
１６２からなる磁界発生装置により生ずる磁束φ
の方向とほぼ同じ方向になる。 第２図のものは基板保持手段４１のみが第１図
と異なる実施例であり、磁束φの方向すなわちタ
ーゲツトT1，T2の対向方向と基板４０の走行方
向（MD）とがほぼ直交するように基板保持手段
４１は構成されている。従つて、基板４０の幅方
向をTDと呼ぶと磁束φと幅方向TDとはほぼ平
行の関係となる。 次に上述の対向ターゲツト式スパルタ装置によ
り実施した本発明に係わる垂直磁気記録媒体の実
施例を説明する。 なお、得られた合金膜の結晶構造は理学電機製
計数Ｘ線回析装置を用いて同定し、垂直配向性は
六方最密構造かつ（002）面ピークのロツキング
カーブを前記Ｘ線回析装置で求め、その半値幅△
θ50で評価した。 膜厚及び組成については、理学電機製螢光Ｘ線
装置を用いて予め較正した曲線から求めた。 媒体の磁気特性は振動試料型磁力計（東英工業
K.K.）で測定して求めた。 二層膜媒体の記録・再生特性は、前述の特公昭
58−91号公報等で公知のものと同様な垂直型磁気
ヘツドを用いて評価した。 実施例 １ 下記条件により基板上にパーマロイからなる低
保磁力層を作成したのち、Co−Crからなる垂直
磁化層を順次形成して二層膜媒体を作成した。 Ａ 装置条件 Ａ−１ 低保磁力層 ａ ターゲツトT1，T2材：T1，T2共Mo−
4Wt％、Ni−78Wt％、Fe−18Wt％のパ
ーマロイ ｂ 基板４０：50μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（PET）フイルム ｃ ターゲツトT1，T2間隔：120mm ｄ ターゲツト表面の磁界：100〜200ガウス ｅ ターゲツトT1，T2形状：100mmＬ×150
mmＷ×12mmｔの矩形 ｆ 基板４０とターゲツトT1，T2端部の距
離：20mm Ａ−２ Co−Cr垂直磁化層 ａ ターゲツト材：T1，T2共にCo−80Wt
％、Cr−20Wt％の合金ターゲツト ｃ ターゲツトT1，T2間隔：160mm ｄ ターゲツト表面の磁界：100〜200ガウス ｅ ターゲツトT1，T2形状：100mmＬ×150
mmＷ×12mmｔの矩形 ｆ 基板４０とターゲツトT1，T2端部の距
離：20mm Ｂ 操作手順 Ａ−１、Ａ−２の条件のもとで順次次の如く行
なつた。 ａ 基板を設置後、真空槽１０内を到達真空度
が１×10-6Torr以下まで排気する。 ｂ Ar（アルゴン）ガスを所定の圧力まで導入
し、３〜５分間のプレスパツタを行ない、シ
ヤツターを開き、基板４０を図示の通りター
ゲツトT1，T2の対向方向に移送しつつ膜形
成を行なつた。なお、スパツタ時のArガス
圧は４×10-3Torrとした。 ｃ スパツタ時投入電力はＡ−１、Ａ−２とも
に3KWで行なつた。 Ｃ 実施結果 第３図に低保磁力層の特徴的な磁化特性を示
す。基板の走行方向（MD方向）と基板の幅方
向（TD方向）それぞれの磁化特性が異なり、
面内で磁気異方性が生じており、MD方向は磁
化容易軸、TD方向は磁化困難軸であつた。ま
た、表−１にその代表特性を示す。なお、第３
図でＨは印加磁界の強さを示し、Ｂは低保磁力
層の磁化を示す。
低保磁力層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有す
る垂直磁化層からなる磁気記録層とを有する磁気
記録媒体の改良と改良された磁気記録媒体の製造
法に関する。 ［従来技術］ 上述の低保磁力層と垂直磁化層とからなる二層
膜の磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式において
単極型ヘツドによつて効率良く記録できる垂直磁
気記録媒体として特公昭58−91号公報、特公昭58
−10764公報等に提案されている。この提案され
た二層膜構成の磁気記録媒体（以下“二層膜媒
体”という）は、具体的にはRF2極スパツタ法で
作成され、低保磁力層をパーマロイで垂直磁化層
をCo（コパルト）−Cr（クロム）合金膜で構成した
ものであり、高い記録感度と大なる再生出力を得
られる優れたものであるが、記録感度面、再生出
力面等でより一層の改善が望まれている。 ［発明の目的］ 本発明は上述の二層膜媒体の特性を改善するこ
とを目的とするもので低保磁力層、特にNi（ニツ
ケル）、Fe（鉄）を主成分とするパーマロイ薄膜
からなる低保磁力層の特性と垂直磁化層の組合せ
によつて、さらに改善された高い記録感度と大な
る再生出力及び広い面積に亙つて均質な特性を有
する磁気記録媒体及びその製造法を提供するもの
である。 ［発明の構成、作用効果］ 本発明の磁気記録媒体は、前述の二層膜媒体、
すなわち非磁性の基板上にパーマロイ等の軟磁性
材の磁性薄膜からなる低保磁力層と膜面に垂直方
向の磁化容易軸を有する磁気記録層を有する磁気
記録媒体において、前記低保磁力層が積層された
複数の磁性薄膜からなり、各磁性薄膜はその磁化
困難軸の方向が全体として面内の記録・再生特性
が一様になるような互いに異なる方向になるよう
に積層されていることを特徴とするものである。 上述の本発明は、以下のようにしてなされたも
のである。二層膜媒体の低保磁力層の保磁力は小
さい程記録感度等の面で有利と思われ、そこで
5Oe（エルステツド）以下の小さな保磁力のパー
マロイの薄膜とした磁気記録媒体でデイスクを作
成し評価したところ、その再生出力のエンベロー
プが変化して、安定な再生という点からは、結局
その最低点に制約され、再生出力はあまり向上し
ない問題に遭遇し、種々検討の結果、その原因が
低保磁力層を構成するパーマロイ薄膜の面内磁気
異方性にあることを見出しなされたものである。 すなわち、パーマロイ薄膜を低保磁力層とした
上述の磁気記録媒体は、パーマロイ薄膜の磁化困
難軸の方向に走行させて記録・再生した時の方が
磁化容易軸の方向の時に比べて、再生出力が大き
く、特に高密度記録の高周波領域で良好な特性を
示すことを見出しなされたもので、従つて、上記
構成により低保磁力層全体としての面内磁気異方
性は減少するので、再生出力の最低点が上昇しエ
ンベロープも面内で一様となり安定する。その結
果記録密度が高く、記録再生特性が面内で一様な
デイスク方式に適した磁気記録媒体が得られる。 なお、面内磁気異方性とは膜面に平行な面内で
の磁気異方性のことである。 上述の点から本発明は、その低保磁力層を構成
する薄膜が、上述の5Oe以下という保磁力の小さ
いパーマロイ（Mo（モリブデン）、Cu（銅）等の
第３成分を含んで良い）の如く、保磁力の小さい
領域で面内磁気異方性を示す軟磁性材の場合に大
きな効果を奏する。また、磁化困難軸方向の保磁
力が磁化容易軸方向の保磁力より小さい薄膜が効
果的である。また薄膜の透磁率については大きい
ものが記録感度・再生出力面から好ましく用いら
れる。なお、各薄膜は同じ軟磁性材からなるもの
が製造面から好ましいが、異なつた軟磁性材の薄
膜を組合せて低保磁力層としても良いことは上述
の点から明らかである。 また、磁気記録層としては実施例のCo−Cr合
金膜らなる垂直磁化層は勿論、Ｗ（タングステン）
Ta（タンタル）等の第３元素を添加したCo−Cr
合金、その他公知等の垂直磁化層に適用できるこ
とは本発明の趣旨から明らかである。また、各層
間に接着層等形成したものにも適用できることは
同様に明らかである。 ところで、上述の磁気記録媒体の低保磁力層
は、次記する本発明の第２発明より単に低保磁力
層の各薄膜形成時の基板移送方向を規制するのみ
で製造することができる。すなわち、第２発明
は、前記各薄膜を対向ターゲツト式スパツタ法に
より基板をターゲツトの対向方向と形成する前記
薄膜の磁化困難軸方向が直交する方向に移送しつ
つ膜形成することを特徴とするものである。 この第２発明は、対向ターゲツト式スパツタ法
で膜形成した場合、ターゲツトの対向方向と直交
する方向に磁化困難軸が形成されることを見出し
なされたものである。 なお、上述の対向ターゲツト式スパツタ法は、
特開昭57−158380号公報等で公知のスパツタ法
で、一対の対向配置されたターゲツトの側方に基
板を配し、ターゲツト間に垂直方向にプラズマ捕
促用の磁界を印加してスパツタし、基板上に膜を
形成するスパツタ法を云う。以下、上述の本発明
の詳細を実施例に基いて説明する。 第１図は本発明の実施に用いた対向ターゲツト
式スパツタ装置の構造図である。 図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭57
−158380号公報で公知の対向ターゲツト式スパツ
タ装置と基本的に同じ構成となつている。 すなわち、図において１０は真空槽、２０は真
空槽１０を排気する真空ポンプ等からなる排気
系、３０は真空槽１０内に所定のガスを導入して
真空容器１０内の圧力を10-1〜10-4Torr程度の
所定のガス圧力に設定するガス導入系である。 そして、真空槽１０内には、図示の如く真空槽
１０の側板１１，１２に絶縁部材１３，１４を介
して固着されたターゲツトホルダー１５，１６に
より１対のターゲツトT1，T2が、そのスパツタ
される面T1S，T2Sを空間を隔てて平行に対面す
るように配設してある。そして、ターゲツトT1，
T2とそれに対応するターゲツトホルダー１５，
１６は、冷水パイプ１５１，１６１を介して冷却
水によりターゲツトT1，T2、永久磁石１５２，
１６２が冷却される。磁石１５２，１６２はター
ゲツトT1，T2を介してＮ極、Ｓ極が対向するよ
うに設けてあり、従つて磁界はターゲツトT1，
T2に垂直な方向に、かつターゲツト間のみに形
成される。なお、１７，１８は絶縁部材１３，１
４及びターゲツトホルダー１５，１６をスパツタ
リング時のプラズマ粒子から保護するためとター
ゲツト表面以外の部分の異常放電を防止するため
のシールドである。 また、磁性薄膜が形成される基板４０を保持す
る基板保持手段４１は、真空槽１０内のターゲツ
トT1，T2の側方に設けてある。基板保持手段４
１は、図示省略した支持ブラケツトにより夫々回
転自在かつ互いに軸平行に支持された繰り出しロ
ール４１ａ、支持ロール４１ｂ、巻取ロール４１
ｃの３個のロールからなり、基板４０をターゲツ
トT1，T2間の空間に対面するようにスパツタ面
T1S，T2Sに対して略直角方向に保持するように
配置してある。従つて基板４０は巻取りロール４
１ｃによりスパツタ面T1S，T2Sに対して直角方
向に移動可能である。なお、支持ロール４１ｂは
その表面温度が調節可能となつている。 一方、スパツタ電力を供給する直流電源からな
る電力供給手段５０はプラス側をアースに、マイ
ナス側をターゲツトT1，T2に夫々接続する。従
つて電力供給手段５０からのスパツタ電力は、ア
ースをアノードとし、ターゲツトT1，T2をカソ
ードとして、アノード、カソード間に供給され
る。 なお、プレスパツタ時基板４０を保護するた
め、基板４０とターゲツトT1，T2との間に出入
するシヤツター（図示省略）が設けてある。 以上の通り、前述の特開昭57−158380号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高
速低温スパツタが可能となる。すなわち、ターゲ
ツトT1，T2間の空間に、磁界の作用によりスパ
ツタガスイオン、スパツタにより放出されたγ電
子等が束縛され高密度プラズマが形成される。従
つて、ターゲツトT1，T2のスパツタが促進され
て前記空間より析出量が増大し、基板４０上への
堆積速度が増し高度スパツタが出来る上、基板４
０がターゲツトT1，T2の側方にあるので低温ス
パツタも出来る。 なお、本発明の対向ターゲツト式スパツタ法
は、前述の装置のものに限定されるものでなく、
前述の通り一対の対面させたターゲツトの側方に
基板を配し、ターゲツト間に垂直方向の磁界を印
加してスパツタし、基板上に膜を形成するスパツ
タ法を云う。従つて、磁界発生手段も永久磁石で
なく、電磁石を用いても良い。また、磁界もター
ゲツト間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従つてターゲツト全面でなく、ターゲ
ツト周囲のみに発生させた場合も含む。なお、第
１図で基板４０の走行方向（MD）は、ターゲツ
トT1，T2の対向方向すなわち永久磁石１５２，
１６２からなる磁界発生装置により生ずる磁束φ
の方向とほぼ同じ方向になる。 第２図のものは基板保持手段４１のみが第１図
と異なる実施例であり、磁束φの方向すなわちタ
ーゲツトT1，T2の対向方向と基板４０の走行方
向（MD）とがほぼ直交するように基板保持手段
４１は構成されている。従つて、基板４０の幅方
向をTDと呼ぶと磁束φと幅方向TDとはほぼ平
行の関係となる。 次に上述の対向ターゲツト式スパルタ装置によ
り実施した本発明に係わる垂直磁気記録媒体の実
施例を説明する。 なお、得られた合金膜の結晶構造は理学電機製
計数Ｘ線回析装置を用いて同定し、垂直配向性は
六方最密構造かつ（002）面ピークのロツキング
カーブを前記Ｘ線回析装置で求め、その半値幅△
θ50で評価した。 膜厚及び組成については、理学電機製螢光Ｘ線
装置を用いて予め較正した曲線から求めた。 媒体の磁気特性は振動試料型磁力計（東英工業
K.K.）で測定して求めた。 二層膜媒体の記録・再生特性は、前述の特公昭
58−91号公報等で公知のものと同様な垂直型磁気
ヘツドを用いて評価した。 実施例 １ 下記条件により基板上にパーマロイからなる低
保磁力層を作成したのち、Co−Crからなる垂直
磁化層を順次形成して二層膜媒体を作成した。 Ａ 装置条件 Ａ−１ 低保磁力層 ａ ターゲツトT1，T2材：T1，T2共Mo−
4Wt％、Ni−78Wt％、Fe−18Wt％のパ
ーマロイ ｂ 基板４０：50μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（PET）フイルム ｃ ターゲツトT1，T2間隔：120mm ｄ ターゲツト表面の磁界：100〜200ガウス ｅ ターゲツトT1，T2形状：100mmＬ×150
mmＷ×12mmｔの矩形 ｆ 基板４０とターゲツトT1，T2端部の距
離：20mm Ａ−２ Co−Cr垂直磁化層 ａ ターゲツト材：T1，T2共にCo−80Wt
％、Cr−20Wt％の合金ターゲツト ｃ ターゲツトT1，T2間隔：160mm ｄ ターゲツト表面の磁界：100〜200ガウス ｅ ターゲツトT1，T2形状：100mmＬ×150
mmＷ×12mmｔの矩形 ｆ 基板４０とターゲツトT1，T2端部の距
離：20mm Ｂ 操作手順 Ａ−１、Ａ−２の条件のもとで順次次の如く行
なつた。 ａ 基板を設置後、真空槽１０内を到達真空度
が１×10-6Torr以下まで排気する。 ｂ Ar（アルゴン）ガスを所定の圧力まで導入
し、３〜５分間のプレスパツタを行ない、シ
ヤツターを開き、基板４０を図示の通りター
ゲツトT1，T2の対向方向に移送しつつ膜形
成を行なつた。なお、スパツタ時のArガス
圧は４×10-3Torrとした。 ｃ スパツタ時投入電力はＡ−１、Ａ−２とも
に3KWで行なつた。 Ｃ 実施結果 第３図に低保磁力層の特徴的な磁化特性を示
す。基板の走行方向（MD方向）と基板の幅方
向（TD方向）それぞれの磁化特性が異なり、
面内で磁気異方性が生じており、MD方向は磁
化容易軸、TD方向は磁化困難軸であつた。ま
た、表−１にその代表特性を示す。なお、第３
図でＨは印加磁界の強さを示し、Ｂは低保磁力
層の磁化を示す。
【表】
表−１でHCE、HCHは磁化容易軸、磁化困
難軸方向のそれぞれの保磁力である。 表−１の特性を有する低保磁力層上にＡ−２
の条件で形成されたCo−Cr層からなる垂直磁
化層の特性を表−２に示す。
難軸方向のそれぞれの保磁力である。 表−１の特性を有する低保磁力層上にＡ−２
の条件で形成されたCo−Cr層からなる垂直磁
化層の特性を表−２に示す。
【表】
【表】
表−２において保磁力の垂直とは媒体膜面と
垂直方向の保磁力を、水平とは媒体膜面と平行
方向の保磁力を示す。なお、保磁力の測定は二
層膜媒体の低保磁力層を分離して行つた。半値
幅△θ50は、二層膜媒体のまま測定した。 Ｄ 電磁変換特性 表−１、２の特性を有する二層膜媒体につい
て、第４図に示すように、MD方向、TD方向
に長方形のサンプルを切り出して、それぞれの
電磁変換特性を評価した。 表−３、及び第５図に測定結果を示す。第５
図において横軸は記録密度Ｄとして、１インチ
当りの磁束反転数（FRPI）を、縦軸は再生出
力電圧Epを示す。 なお、電磁変換特性は記録時にはテープ走行
を4.75cm／秒、再生時には9.5cm／秒で行なつ
た。
垂直方向の保磁力を、水平とは媒体膜面と平行
方向の保磁力を示す。なお、保磁力の測定は二
層膜媒体の低保磁力層を分離して行つた。半値
幅△θ50は、二層膜媒体のまま測定した。 Ｄ 電磁変換特性 表−１、２の特性を有する二層膜媒体につい
て、第４図に示すように、MD方向、TD方向
に長方形のサンプルを切り出して、それぞれの
電磁変換特性を評価した。 表−３、及び第５図に測定結果を示す。第５
図において横軸は記録密度Ｄとして、１インチ
当りの磁束反転数（FRPI）を、縦軸は再生出
力電圧Epを示す。 なお、電磁変換特性は記録時にはテープ走行
を4.75cm／秒、再生時には9.5cm／秒で行なつ
た。
【表】
表−３に示す如く、低保磁力層の磁化困難軸
方向に記録・再生することにより、磁化容易軸
方向の場合と比較して、再生出力が1.3〜1.5倍
と大きくなつていることが判つた。 また、第６図は第３図に示す切り出し方向θ
を変えたサンプルの50KFRPI及び100KFRPI
の再生出力を示したもので、同図よりMD方向
に対し約60度以上の角度であればTD方向と同
等の再生出力が得られることがわかる。 実施例 ２ 第２図に示したスパツタ装置で実施例１の条件
Ａ−１に準じて低保磁力層を形成した。 得られた低保磁力層は基板４０の走行方向
（MD方向）が磁化困難軸、基板４０の幅方向
（TD方向）が磁化容易軸であつた。 次いで、実施例１と同様上記低保磁力層を形成
した後に、第１図に示したスパツタ装置で実施例
１の条件Ａ−２でCo−Cr層を形成した。 実施例１と同様にして電磁変換特性を評価した
ところ、磁化困難軸方向に記録・再生する方が磁
化容易軸方向にした場合に比較して再生出力Ep
は大きく、実施例１と同様に改善が顕著であつ
た。 なお、低保磁力層の特性は表−４に示すように
HCE／HCV＞１であつた。
方向に記録・再生することにより、磁化容易軸
方向の場合と比較して、再生出力が1.3〜1.5倍
と大きくなつていることが判つた。 また、第６図は第３図に示す切り出し方向θ
を変えたサンプルの50KFRPI及び100KFRPI
の再生出力を示したもので、同図よりMD方向
に対し約60度以上の角度であればTD方向と同
等の再生出力が得られることがわかる。 実施例 ２ 第２図に示したスパツタ装置で実施例１の条件
Ａ−１に準じて低保磁力層を形成した。 得られた低保磁力層は基板４０の走行方向
（MD方向）が磁化困難軸、基板４０の幅方向
（TD方向）が磁化容易軸であつた。 次いで、実施例１と同様上記低保磁力層を形成
した後に、第１図に示したスパツタ装置で実施例
１の条件Ａ−２でCo−Cr層を形成した。 実施例１と同様にして電磁変換特性を評価した
ところ、磁化困難軸方向に記録・再生する方が磁
化容易軸方向にした場合に比較して再生出力Ep
は大きく、実施例１と同様に改善が顕著であつ
た。 なお、低保磁力層の特性は表−４に示すように
HCE／HCV＞１であつた。
【表】
実施例 ３
低保磁力層としてまず第１図に示したスパツタ
装置を用いて実施例１のパーマロイ層を形成した
後、第２図に示したスパツタ装置によりその上に
同じパーマロイ層を実施例２に順じて形成し、各
層の磁化困難軸が直交した２層の低保磁力層とし
た。次いで第１図に示したスパツタ装置により実
施例１に順じてCo−Cr層よりなる垂直磁化層を
形成した。 かくして、得た媒体についてMD方向及びTD
方向それぞれの電磁変換特性を評価したところ、
ほぼMD及びTDの方向性ない一様な再生出力Ep
を得た。又、再生出力Epは、実施例１に示した
MD、TD方向の再生出力Epの中間値であつた。
従つて、磁気異方性をを有する薄膜をその磁化困
難軸が互いに異なる適当な方向になるように積層
することにより、全体として、記録・再生の異方
性を減ずることができることがわかる。又、積層
した場合の再生出力Epが中間値であることから、
各層は加算的寄与をなすと考えられる。よつて、
積層する場合の各層の磁化困難軸の方向は、第６
図の切り出し方向θと再生出力の関係を参考に、
記録・再生の一様になるように選定すれば良いこ
とがわかる。
装置を用いて実施例１のパーマロイ層を形成した
後、第２図に示したスパツタ装置によりその上に
同じパーマロイ層を実施例２に順じて形成し、各
層の磁化困難軸が直交した２層の低保磁力層とし
た。次いで第１図に示したスパツタ装置により実
施例１に順じてCo−Cr層よりなる垂直磁化層を
形成した。 かくして、得た媒体についてMD方向及びTD
方向それぞれの電磁変換特性を評価したところ、
ほぼMD及びTDの方向性ない一様な再生出力Ep
を得た。又、再生出力Epは、実施例１に示した
MD、TD方向の再生出力Epの中間値であつた。
従つて、磁気異方性をを有する薄膜をその磁化困
難軸が互いに異なる適当な方向になるように積層
することにより、全体として、記録・再生の異方
性を減ずることができることがわかる。又、積層
した場合の再生出力Epが中間値であることから、
各層は加算的寄与をなすと考えられる。よつて、
積層する場合の各層の磁化困難軸の方向は、第６
図の切り出し方向θと再生出力の関係を参考に、
記録・再生の一様になるように選定すれば良いこ
とがわかる。
第１図、第２図は本発明の実施に用いた対向タ
ーゲツト式スパツタ装置の説明図、第３図は磁気
特性の説明図、第４図はサンプル切り出しの説明
図、第５図は実施例１の電磁変換特性の測定結果
を示すグラフ、第６図はサンプル切り出し方向と
再生出力の関係を示すグラフである。 T1，T2：ターゲツト、１０：真空槽、２０：
排気系、３０：ガス導入系、４０：基板、５０：
スパツタ電源。
ーゲツト式スパツタ装置の説明図、第３図は磁気
特性の説明図、第４図はサンプル切り出しの説明
図、第５図は実施例１の電磁変換特性の測定結果
を示すグラフ、第６図はサンプル切り出し方向と
再生出力の関係を示すグラフである。 T1，T2：ターゲツト、１０：真空槽、２０：
排気系、３０：ガス導入系、４０：基板、５０：
スパツタ電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性の基板上に磁性薄膜からなる低保磁力
層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有する磁気記
録層を有する磁気記録媒体において、前記低保磁
力層が積層された複数の磁性薄膜からなり、各磁
性薄膜はその磁化困難軸の方向が全体として面内
の記録・再生特性が一様になるような互いに異な
る方向になるように積層されていることを特徴と
する磁気記録媒体。 ２ 前記低保磁力層が各磁性薄膜の磁化困難軸が
互いに直交するように積層された二層膜である特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ３ 前記各磁性薄膜の磁化困難軸方向の保磁力が
磁化容易軸方向の保磁力より小さい特許請求の範
囲第１項若しくは第２項記載の磁気記録媒体。 ４ 非磁性の基板上にその磁化困難軸の方向が全
体として面内異方性を減ずるような互いに異なる
方向に積層された複数の磁性薄膜からなる低保磁
力層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有する磁気
記録層を有する磁気記録媒体の製造法において、
前記低磁力層の各磁性薄膜を対向ターゲツト式ス
パツタ法により前記基板をターゲツトの対向方向
と形成する磁性薄膜の磁化困難軸方向とが直交す
る方向に移送しつつ膜形成することを特徴とする
磁気記録媒体の製造法。 ５ 前記低保磁力層が各磁性薄膜の磁化困難軸が
互いに直交するように積層された２層膜からな
り、その一層をターゲツトの対向方向と同方向に
基板を移送して形成し、他の層をターゲツトの対
向方向と直交する方向に基板を移送して形成する
特許請求の範囲第４項記載磁気記録媒体の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6691783A JPS59193529A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6691783A JPS59193529A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193529A JPS59193529A (ja) | 1984-11-02 |
| JPH0321967B2 true JPH0321967B2 (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=13329802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6691783A Granted JPS59193529A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193529A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2428886A1 (fr) * | 1978-06-13 | 1980-01-11 | Cii Honeywell Bull | Support d'information magnetique a enregistrement perpendiculaire |
-
1983
- 1983-04-18 JP JP6691783A patent/JPS59193529A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59193529A (ja) | 1984-11-02 |
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