JPH03220652A

JPH03220652A - 不揮発性メモリの管理方式

Info

Publication number: JPH03220652A
Application number: JP2017397A
Authority: JP
Inventors: Eiji Terawaki; 寺脇　英次; Kiyoshi Hattori; 清服部; Shinya Takahashi; 真也高橋
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-01-25
Filing date: 1990-01-25
Publication date: 1991-09-27
Anticipated expiration: 2015-05-15
Also published as: JP3041007B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的コ（産業上の利用分野）本発明は、不揮発性メモリの管理方式に関する。

（従来の技術）近年、各種情報をディジタルデータとして処理する電子
機器が普及しつつある。

これら電子機器のなかには、例えば自動車電話装置に記
憶されているＩＤ番号や短縮番号登録された電話番号な
どのように、−度記憶されたならば電子機器に電源が供
給されない状況にあってもデータか消滅せず、しかも記
憶されたデータが書換え可能であることが要求されるも
のがある。

このような要求のある電子機器においては、電池により
バックアップされたＲＡＭやＥＥ−ＦＲＯＭ　（Ｅｌｅ
ｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｓａｂｌｅ　ａｎｄ　Ｐｒ
ｏｇｒａｍａｂｌｅＲＯＭ　、電気的消去可能ＦＲＯＭ
）等、データを任意に書換えることができかつ電子機器
本体に電源が供給されていなくともデータを保存可能な
いわゆる不揮発性メモリ（Ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ　
Ｍｅｍｏｒｙ　；以下、ＮＶＭと略す。）にデータを記
憶することが広く行われてきた。

ところで、これらＮＶＭに記憶されるデータは比較的重
要なデータであることが多く、データの書換えの際にＮ
ＶＭが誤動作するようなことがあれば、この電子機器の
ユーザに様々な被害かもたらされる。

このため、電子機器が起動された時点でこれら重要なデ
ータか記憶されている記憶領域に対して、ＮＶＭの動作
が正常であるか否かのチェックを行うことか規定されて
いる電子機器もある。

このような電子機器におけるＮＶＭの動作チェックでは
、既に記憶されているデータを破壊せずに動作チェック
を行わなければならない。

次に、記憶されているデータを破壊せずに動作チェック
を行うＮＶＭの管理方式の一例を、第４図に示すフロー
チャートを用いて説明する。

まず、ＮＶＭ上の動作チェックを行おうとするアドレス
（以下、チェックアドレスと呼ぶ。）の初期データをＲ
ＡＭへ退避させる（ステップ４０１）次に、この初期デ
ータの各ビットを論理反転させて生成したチェックデー
タをチェックアドレスに書込む。（ステップ４０２）。

この後、チェックアドレスに書込んだチェックデータを
読出しくステップ４０３）　、読出したチェックデータ
とＲＡＭに格納されている初期データの各ビットを論理
反転させたものとを比較する（ステップ４０４）。

そして、これらのデータを比較したところ両者が一致す
るならば、このチェックアドレスは正常に動作するもの
と判断され、ＲＡＭに格納されている初期データが再び
チェックアドレスに戻される（ステップ４０５）。また
、これらのデータが不一致であれば、このチェックアド
レスにおいてＮＶＭの動作に異常があったと判断され、
所定のエラー処理が行われる。

この後、次にチェックするアドレスが残っているか否か
が調べられ（ステップ４０Ｂ）　、次にチェックするア
ドレスか残っている場合には、次にチェックするアドレ
スをチェックアドレスとして（ステップ４０７）　、さ
らに動作チェックが続けられる（ステップ４０１）。ま
た、次にチェックを行うアドレスがない場合には、全ア
ドレスにおいて動作が正常であったものとして処理が終
了される。

従来は、このようにしてＮＶＭの所定の領域の動作チェ
ックを、その領域に記憶されているデ夕を破壊すること
なく行っていた。

ところで、上述したＮＶＭの管理方式では、チェックア
ドレスの初期データをＲＡＭに退避させてからチェック
データをチェックアドレスに書込むことで、ＮｖＭに記
憶されているデータが破壊されるのを防いでいる。

しかしながら、ステップ４０２からステップ４０４の間
で電子機器の電源を断とされた場合、揮発性のＲＡＭに
記憶されているチェックアドレスの初期データは消失し
てしまい、ＮＶＭのチェックアドレスにはチェックデー
タが書込まれたままになるという問題があった。

（発明が解決しようとする課題）上述したように、従来の不揮発性メモリの管理方式では
、不揮発性メモリの動作チェック中に電子機器の電源を
断とされた場合、そのタイミングによっては不揮発性メ
モリの記憶内容が破壊されてしまうという問題があった
。

本発明はこのような点に対処してなされたもので、不揮
発性メモリの動作チェック中に電源を断とされても不揮
発性メモリの記憶内容を補償できる不揮発性メモリの管
理方式を提供するものである。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明は、不揮発性メモリを備えた電子装置において、
前記不揮発性メモリの所定の記憶領域の記憶内容をチェ
ックするにあたり、前記不揮発性メモリに少なくとも前
記記憶領域の記憶内容及び該記憶領域の該不揮発性メモ
リ上における位置情報からなる補償情報ならびに該記憶
領域のチェックか行われているか否かを示すフラグを設
定する設定領域を設け、該記憶領域のチェックを行う際
に前記設定領域に前記補償情報を設定するとともに前記
フラグをセット状態とする一方、該記憶領域のチェック
が終了したとき該フラグをリセット状態とし、前記電子
装置に電源が投入された後に該フラグのセット状態が検
出された場合は、前記設定領域に設定された前記補償情
報に基づいて前記記憶領域の記憶内容が補償するもので
ある。

（作　用）本発明では、不揮発性メモリの記憶内容のチェックをす
る際に、チェックをする記憶領域に関する情報か、不揮
発性メモリの所定の設定領域に設定される。

従って、チェック中に電源を断とされてチェックしてい
た記憶領域内のデータか不正なままとなっても、次に起
動された際に、設定領域に設定された情報に基づいて正
しいデータに補償できる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第１図は本発明の一実施例に係わる不揮発性メモリ（以
下、ＮＶＭと略す。）の管理方式におけるメモリ配置を
示す図である。

同図において、１０はＥＥ−ＰＲＯＭや電池によりバッ
クアップされたＲＡＭなど　８ビットのブタを任意のア
ドレスにリード・ライト可能なＮＶＭ、２０は同様に８
ビツトのデータを任意のアドレスにり−１・・ライト可
能な揮発性のＲＡＭである。

ＮＶＭＩＯには、常時保持されている必要のあるデータ
が記憶されている。

ＮＶＭＩＯに記憶されているデータの中で特に重要なデ
ータ、たとえば無線電話装置におけるより番号などはデ
ータ領域１１に記憶されており、電子機器の信頼性を確
保するため電子機器の起動毎にデータ領域１１に対して
動作チェックが行われる。

この動作チェック時の作業領域として、ＮＶＭｌｏに設
定領域１２が、またＲＡＭ２０に初期ブタ退避領域２１
が設けられている。

なお、ＣＡはデータ領域１１内のチェックを行うアドレ
ス、ＤＴはアドレスＣＡに記憶されている初期データ、
ＳＡＩ〜ＳＡ３は設定領域１２に設定されている各デー
タのアドレスを示す。

このように配置されたメモリを用いたＮＶＭの動作チェ
ックを行う手順を第２図に示すフローチャートに従って
説明する。

まず、チェックアドレスＣＡに記憶されている初期デー
タＤＴを初期データ格納アドレスＳＡ２に格納する（ス
テップ２０１）。

次いで、チェックアドレスＣＡのアドレス値をチェック
アドレス値格納アドレスＳＡ３に格納する（ステップ２
０２）。

また、チェックアドレスＣＡのデータが反転しているこ
とを示す反転中フラグをデータ反転中フラグ格納アドレ
スＳＡＩにセットする（ステップ２０３）。これは、デ
ータ反転中フラグ格納アドレスＳＡＩに例えば“ＯＩＨ
″を格納することで行われる。

以上の操作により、初期データとチェックアドレス値と
データ反転中フラグから構成されるチェックアドレス情
報がＮＶＭＩＯの設定領域１２に設定される。

さらに、初期データＤＴはＲＡＭ２０の初期ブタ退避領
域２］に退避される（ステップ２０４）。

この後、チェックアドレスＣＡに初期データＤＴの各ビ
ットを論理反転させたチェックデータを０書込む（ステップ２０５）。これは、チェックアドレス
ＣＡの初期データＤＴが例えば“］、　０１０１１１１
Ｂ″ならば、各ビットを論理反転させた“０１．０１０
０００　Ｂ”がチェックアドレスＣＡに書込まれる。

そして、チェックアドレスＣＡに書込まれたチェックデ
ータを読出しくステップ２０６）、読出したチェックデ
ータと初期データ退避領域２］に退避されている初期デ
ータＤＴの各ビットを論理反転させたものとを比較する
（ステップ２０７）。これは、チェックアドレスＣＡに
書込またチェックデータが初期データＤＴ（“１０１０
１１　］、　Ｉ　Ｂ”）の各ビットを論理反転させたも
の（“Ｏ］０１００００Ｂ“）なので、このアドレスの
動作が正常であれば読出したチェックデータも’０１０
１００００Ｂ”である。従って、読出したチェックデー
タと初期データ退避領域２１に退避されている初期デー
タＤＴの各ビットを論理反転させたもの（“０１０　］
、　００００　Ｂ”）とを比較し、両者が一致する場合
にはチェックアドレスＣＡの動作］　］は正常であると判断し、初期データ退避領域２］に退避
されている初期データＤＴをチェックアドレスＣＡに戻
す（ステップ２０８）。

なお、比較の結果が不一致であった場合は、所定のエラ
ー処理が行われる。

この後、データ反転中フラグをリセットする。

これは、データ反転中フラグ格納アドレスＳＡ］に例え
ば“ＯＯＨ”を格納することで行われる。

そして、次にチェックを行うアドレスが残っているか否
かが調べられる（ステップ２１０）。

調べた結果、チェックを行うアドレスが残っていれば、
次のチェックアドレスを設定しくステップ２１．１）、
そのチェックアドレスの動作チェックが行われる（ステ
ップ２０１）。なお、チェックを行うアドレスが残って
いない場合は正′浩終了となる。

上述した動作チェックのフローにおいて、ステップ２０
５からステップ２０７の間で電子機器の電源を断とされ
た場合、チェックアドレスＣＡにはチェックデータが書
込まれたままとなってしまう。

２しかしながら、ＮＶＭｌ、０の設定領域１２にはチェッ
クアドレス補償情報が設定されているので、これに基づ
いてチェックアドレスＣＡのデータを初期データＤＴに
補償することができる。

第３図はチェックアドレスＣＡのデータをチェックアド
レス補償情報に基づいて補償する手順を示すフローチャ
ートである。

まず、Ｎ　Ｖ　Ｍ　］、　０の設定領域１２のデータ反
転中フラグ格納アドレスＳＡコの内容が読出されてデー
タ反転中フラグがセットされているか否かが調べられる
。（ステップ３０１）。

その結果、データ反転中フラグがセットされている（デ
ータ反転中フラグ格納アドレスＳＡＩの内容が“ＯＩＨ
”）ならば、初期データ格納アドレスＳＡ２に格納され
ている初期データＤＴを、チェックアドレス値格納アド
レスＳＡ３に格納されているアドレス値が示すチェック
アドレスＣＡに戻す（ステップ３０２）。なお、データ
反転中フラグかりセットされている（データ反転中フラ
グ格納アドレスＳＡＩの内容か“ＯＯＨ”）ならば、３チェックアドレスＣＡに記憶されているデータは破壊さ
れていないので、処理を終了する。

次いで、データ反転中フラグをリセットする（ステップ
３０３）。これは、ステップ２０９と同様にデータ反転
中フラグ格納アドレスＳＡＩに“００Ｈ”を書込むこと
で行われる。

従って、動作チェック中に電源を断とされてＮＶＭＩＯ
に記憶されているデータが不正となった場合でも、ＮＶ
ＭＩＯの設定領域１２にチェックアドレス情報が格納さ
れているので、これに基づいてチェックアドレスＣＡの
データを初期ｆ−夕ＤＴに補償することができる。

なお、上述の実施例ではチェックを行うブロックを　１
アドレスごととして説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、データ領域１］を複数のアドレスか
らなるブロックに分割して動作チェックを行ってもよい
。

また、本実施例では８ビツトのデータを扱う電子機器の
例で説明したが、１６ビツトなど　８ビツト以外のデー
タを扱う電子機器であっても同様に適４用することかできる。

また、チェックデータに初期データの各ビットを論理反
転させたものを用いたが、他のビットパターンで構成さ
れるチェックデータを用いてもよい。

さらに、本実施例ではＲＡＭ上に退避させた初期データ
をチェックアドレスに戻しているが、ＲＡＭを用いずに
ＮＶＭの設定領域に設定される初期データをチェックア
ドレスに戻すようにしてもよい。

［発明の効果］以上述べたように本発明では、不揮発性メモリのチェッ
クする記憶領域に関する情報か、不揮発性メモリの所定
の設定領域に設定される。

従って、チェック中に電源を断とされて不揮発性メモリ
のチェックしている記憶領域内の記憶内容が不正のまま
となった場合であっても、次に起動された際に設定領域
に設定されている情報に基づいて記憶領域内の内容を正
しく補償することができる。

］　５

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係わる不揮発性メモリの管
理方式におけるメモリ配置を示す図、第２図は該実施例
における不揮発性メモリの動作チェックを行う手順を示
すフローチャート、第３図は該実施例における不揮発性
メモリのデータの補償を行う手順を示すフローチャート
、第４図は従来例の不揮発性メモリの動作チェックの手
順を示す図である。１０・・・ＮＶＭ、コｉ−・・データ領域、１２・・・
設定領域、２０・・・ＲＡＭ、２１・・・退避領域、Ｃ
Ａ・・チェックアドレス、ＤＴ・・・初期データ、ＳＡ
Ｉ・・ブタ反転中フラグ格納アドレス、ＳＡ２・・・初
期データ格納アドレス、ＳＡ３・・・チェックアドレス
値格納アドレス。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）不揮発性メモリを備えた電子装置において、前記
不揮発性メモリの所定の記憶領域の記憶内容をチェック
するにあたり、前記不揮発性メモリに少なくとも前記記憶領域の記憶内
容及び該記憶領域の該不揮発性メモリ上における位置情
報からなる補償情報ならびに該記憶領域のチェックが行
われているか否かを示すフラグを設定する設定領域を設
け、該記憶領域のチェックを行う際に前記設定領域に前
記補償情報を設定するとともに前記フラグをセット状態
とする一方、該記憶領域のチェックが終了したとき該フ
ラグをリセット状態とし、前記電子装置に電源が投入さ
れた後に該フラグのセット状態が検出された場合は、前
記設定領域に設定された前記補償情報に基づいて前記記
憶領域の記憶内容が補償されることを特徴とする不揮発
性メモリの管理方式。
（２）不揮発性メモリは、ＥＥ−ＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｓａｂｌｅ　ａｎｄ　Ｐｒｏｇ
ｒａｍａｂ１ｅ　ＲＯＭ）であることを特徴とする請求
項１記載の不揮発性メモリの管理方式。
（３）電子装置は、無線電話装置であることを特徴とす
る請求項１記載の不揮発性メモリの管理方式。
（４）動作チェックは所定のチェックデータを不揮発性
メモリに入出力して行うことを特徴とする請求項１記載
の不揮発性メモリの管理方式。
（５）動作チェックの行われる領域は　１アドレスから
構成されることを特徴とする請求項１記載の不揮発性メ
モリの管理方式。